【課題】本発明は、トリミング用の抵抗を追加することなく電気的出力の調整を行うことができる力学量センサの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の力学量センサの製造方法は、固定部１と、この固定部１に接続された弾性変形可能な第１の片持ち梁部２と、この第１の片持ち梁部２の先端に形成された作用部である第１のおもり部４と、前記第１の片持ち梁部２の上面に形成された第１のピエゾ抵抗素子６〜第２のピエゾ抵抗素子７と、この第１のピエゾ抵抗素子６〜第２のピエゾ抵抗素子７と電気的に接続された一対の接続電極１６とを形成した後、前記第１のピエゾ抵抗素子６〜第２のピエゾ抵抗素子７をトリミングして長方形の第１のピエゾ抵抗素子６〜第２のピエゾ抵抗素子７を形成する工程を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、半導体集積回路上に形成したＭＥＭＳセンサの高信頼化の実現である。
【解決手段】本発明の骨子は、半導体集積回路上に窒化シリコン等の耐湿・耐薬品性の強い下部パッシベーション膜を成膜した上層に、空洞１２を含むＭＥＭＳ部を形成し、このＭＥＭＳ部最表面にも上部パッシベーション層１１を成膜し、前記ＭＥＭＳ部分をパッシベーション膜で密封するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トリミング用の抵抗を追加することなく電気的出力の調整を行うことができる力学量センサの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の力学量センサの製造方法は、固定部１と、この固定部１に接続された弾性変形可能な第１の片持ち梁部２と、この第１の片持ち梁部２の先端に形成された作用部である第１のおもり部４と、前記第１の片持ち梁部２の上面に形成された第１のピエゾ抵抗素子６〜第４のピエゾ抵抗素子９と、この第１のピエゾ抵抗素子６〜第４のピエゾ抵抗素子９の上面でこの第１のピエゾ抵抗素子６〜第４のピエゾ抵抗素子９と電気的に接続された一対の接続電極１６とを備えた力学量センサにおいて、抵抗値調整のために前記接続電極１６をトリミングする工程を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 静電気放電が生じてもピエゾ抵抗を保護することができ、故障頻度を低下させることができるセンサ装置を提供する。
【解決手段】 センサ本体２には、ピエゾ抵抗Ｒ1〜Ｒ4からなる検出回路７を設け、ピエゾ抵抗Ｒ1〜Ｒ4と電極９〜１２との間をｐ型低抵抗部からなる配線部１３によって接続する。また、センサ本体２には、配線部１３に接触してｎ型低抵抗部１５を設け、これらのｐｎ接合部分にツェナーダイオードＤ1〜Ｄ4を形成すると共に、質量部５にもツェナーダイオードＤ5を形成する。そして、ツェナーダイオードＤ1〜Ｄ5をピエゾ抵抗Ｒ1〜Ｒ4に並列に接続して保護回路１４を構成する。これにより、ピエゾ抵抗Ｒ1〜Ｒ4に高電圧が作用したときには、高電圧による電荷をツェナーダイオードＤ1〜Ｄ5を用いて逃すことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は破壊やクラックの発生を抑制した分離可能な素子の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】枠形状の固定部３２と、この固定部３２に連結した十字形状のアーム３４と、このアーム３４の中心部に連結した４つの錘部３６とを有し、係止部５４を介して係止された検出素子３０を形成する素子形成工程を備え、レーザを係止部５４に照射することによって、係止部５４の材質を検出素子３０の材質よりも脆弱な材質に改質させて、係止部５４に改質部５６を形成する改質部形成工程と、改質部５６に応力を加えて改質部５６を検出素子３０から分離させ、検出素子３０の係止を解除する構成である。 （もっと読む）

【課題】特殊な半導体プロセスを必要とすることのないより簡素な構成にて、検出対象の運動を検出することのできる半導体センサを提供する。
【解決手段】センサ装置１は、作用する外力の大きさに応じた変形量で弾性変形するダイヤフラム１０と、このダイヤフラム１０を弾性変形可能に支持する台座２０とを有しており、ダイヤフラム１０（正確には変形部１０ｂ）裏面側の、膜厚が急激に厚くなる箇所に、変形部１０ｂの変形量を検出するための手段として、圧電素子３０を有している。さらに、ダイヤフラム１０の変形部１０ｂの裏面側略中央に、適宜の形状及び材料にて形成された磁石４０を有している。そして、圧電素子３０からの出力電圧に基づき、マイクロコンピュータ（検出手段）５０を通じて、回転軸（図示略）の回転に伴って回転する歯車の回転を検出するとともに、センサ装置１を取り巻く雰囲気の圧力も検出している。 （もっと読む）

【課題】半導体加速度センサにおいて、ビーム部の破損を防止してセンサの耐衝撃性を向上する。
【解決手段】半導体加速度センサは、固定部２に対して薄肉のビーム部３で錘部４を連結し、錘部４に加速度が印加されると、ビーム部３が撓んで錘部４が加速度印加方向へ移動し、この錘部４の移動を電気的に検知して加速度の発生及びその大きさ等を検出する。固定部２とビーム部３との境界部分１３ａの外形が滑らかに連続した形状とされているので、衝撃によってビーム部３に応力が生じた際、応力集中が分散されることにより、ビーム部３の破損が防止され、センサの耐衝撃性が向上する。 （もっと読む）

【課題】基板に可撓自在に取り付けられた慣性質量を有する微小電気機械系（ＭＥＭＳ）加速度測定デバイスにおいて、ノイズを除去する。
【解決手段】慣性質量と基板との間に形成された１つ以上の検知キャパシタ２６と、慣性質量と基板との間に形成された１つ以上のトルク・キャパシタ２４と、慣性質量上において検知キャパシタ２６のカソードをトルク・キャパシタ２４のカソードから電気的に分離する分離デバイスとを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成される機構構造体に可動パーツを有するＭＥＭＳデバイスにおいて、可動パーツのシリコン基板への貼り付きを防止できる機構構造体構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンカバー構造体に形成された実質的に平滑で平らな接触表面１１２，１１３を各々備えた一対のシリコンカバー構造体１０５、１０６と、間隔が隔てられ実質的に平行で、平滑で平らな接触表面で形成され、相対的にそこに固定されたフレーム部分１０９に対して運動可能に懸垂されたパーツ１０７と、前記カバーの接触表面と前記機構構造体の可動パーツの対応する表面との間に配置された比較的粗い表面１１４，１１５と、を含み、前記カバー構造体の接触領域が、機構フレームの各々の接触表面とシリコン融解ボンディング・ジョイントＢを形成するように構成する。 （もっと読む）

【課題】製造時間の短縮及び製造コストの低減を図る。
【解決手段】基板１０上の空間Ｓに配置されたＭＥＭＳ構造体３０と、基板上の絶縁膜と配線の積層構造と、配線上の表面保護膜と、表面保護膜の開口部により配線の一部が露出してなる接続パッドとを有するＭＥＭＳ素子の製造方法であり、少なくとも一部が犠牲層１１上に形成された態様でＭＥＭＳ構造体が形成される工程と、ＭＥＭＳ構造体上及びそれ以外の他の位置に絶縁膜１３，１５が形成される工程と、他の位置の絶縁膜上に配線１４，１６が形成される工程と、配線上に表面保護膜１７，１８を形成する保護膜形成工程と、表面保護膜を部分的に除去して接続パッドを形成すると同時にＭＥＭＳ構造体の上方に開口凹部Ｐを形成する開口工程と、開口凹部を通して犠牲層が除去されることによりＭＥＭＳ構造体がリリースされるリリース工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】角速度や加速度を検出するにあたり、実装面積を低減して小型化を図った複合センサを提供することを目的としている。
【解決手段】角速度を検出する角速度検出素子１０と、加速度を検出する加速度検出素子１２と、加速度検出素子１２または角速度検出素子１０から出力される信号を処理するＩＣ１４と、角速度検出素子１０および加速度検出素子１２およびＩＣ１４とを収納するとともに、ＩＣ１４を固定配置したパッケージ１６とを備え、ＩＣ１４の上方に角速度検出素子１０を配置し、角速度検出素子１０の上方に加速度検出素子１２を配置した構成である。 （もっと読む）

【課題】角速度や加速度を検出するにあたり、実装面積を低減して小型化を図った複合センサを提供することを目的としている。
【解決手段】角速度を検出する角速度検出素子１０と、加速度を検出する加速度検出素子１２と、加速度検出素子１２または角速度検出素子１０から出力される信号を処理するＩＣ１４と、角速度検出素子１０および加速度検出素子１２およびＩＣ１４とを収納するとともに、ＩＣ１４を固定配置したパッケージ１６とを備え、角速度検出素子１０の上方に加速度検出素子１２を配置し、角速度検出素子１０とパッケージ１６とを角速度検出素子１０に設けた連結部１７を介して接続するとともに連結部１７は弾性手段とした構成である。 （もっと読む）

【課題】製造方法を大幅に簡略化することができる立体構造の片持梁状の揺動部を備える半導体装置の製造方法、半導体装置及び該半導体装置を備える感圧センサを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板７の裏面側からエッチングしてシリコン酸化膜４が露出するまでシリコン基板１を凹状に除去し、シリコン基板１が除去された空間１ａに面するシリコン酸化膜４及び該シリコン酸化膜４上の単結晶シリコン膜３の一部をエッチングにより除去して、圧縮応力を有するシリコン酸化膜４及び単結晶シリコン膜３よりなる片持梁状のカンチレバー１０を形成する。これにより、ＳＯＩ基板７上で反り上がったカンチレバー１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】振動や移動を伴う可動部を有する電気機械素子において問題となる熱雑音の影響を抑制することを目的とする。
【解決手段】振動又は移動が可能な可動部1を有する電気機械素子11,12,・・が2以上設けられ、これら2以上の電気機械素子11,12,・・において、可動部1の変位により変化する検出量がそれぞれ検出され、2以上の電気機械素子11,12,・・における各検出量から、目的とする検出量を演算する演算部20を設ける。各検出量の平均値又は相互相関関数を求めることにより、熱雑音による影響を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】重り部とカバーとの間に働く静電引力を低減することのできる半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】支持層１０と活性層１１との間に埋込絶縁層１２が形成され且つ活性層１１の表面に絶縁膜１３が積層されたＳＯＩ基板を加工して成り、内方に開口部２ａを有する矩形枠状の支持枠２、開口部２ａに配置される重り部３、支持枠２と重り部３とを一体に連結する撓み部４で構成されるセンサ本体１と、重り部３への加速度の作用により撓み部４に生じる応力を検出するピエゾ抵抗５と、支持枠２の表面側に接合される第一のカバー６と、支持枠２の裏面側に接合される第二のカバー７とを備え、重り部３における埋込絶縁層１２に積層方向に貫通する第一の貫通孔１４を貫設し、金属部材８を第一の貫通孔１４に埋込配設することで重り部３における支持層１０と活性層１１とを電気的に接続した。 （もっと読む）

【課題】力学量を正確に検出しつつ、センサ面積が大型化しない構造の力学量センサを提供すること。
【解決手段】第１力学量検出手段（例えば容量式加速度センサ）を有する第１基板（シリコン製センサ基板）と、第２力学量検出手段（例えばピエゾ式圧力センサ）を有するとともに、第１基板に当接する第２基板（シリコン製センサ基板）とを備え、第１基板に、第２基板が対向して当接することにより封止空間が形成され、この封止空間内に第１力学量検出手段を封止することで、第１力学量検出手段を保護する。 （もっと読む）

【課題】ＦｅＲＡＭと特定のセンサとが混載された新規な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置１０００は、半導体基板１０と、前記半導体基板１０に形成されたトランジスタ１４と、前記トランジスタ１４を覆う層間絶縁層１６と、前記層間絶縁層１６の上方に形成された強誘電体キャパシタ３０であって、第１電極３４と、強誘電体層３６と、第２電極３８とを有する強誘電体キャパシタ３０と、前記強誘電体キャパシタ３０を覆う、前記層間絶縁層１６とは別の層間絶縁層４０と、前記半導体基板１０の上方に形成されたセンサであって、圧力センサ、焦電センサまたは磁気センサのいずれかであるセンサ１００と、を含む。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの、外乱による容量値の変動を補償することができ、しかもセンサの大型化を回避することが可能な静電容量型力学量センサを提供すること。
【解決手段】固定電極１３及びシリコン製部材１２ｂがダイヤフラム１６ａの平面視において可動域内に存在するように配置されており、測定容量のためのキャパシタと参照容量のためのキャパシタの電極が厚さ方向に積層された構造を有する。これにより、参照容量用のキャパシタのスペースを別に設ける必要がないので、センサの大型化を回避することが可能となる。また、測定容量と参照容量との間の差分を求めているので、キャパシタの、外乱による容量値の変動を補償した静電容量を得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、震動質量体（１）と基板（１３）とを備えた加速度センサに関する。震動質量体は少なくとも１つのトーションウェブ（４）を中心として回転可能な第１の翼部（２）および第２の翼部（３）を有しており、２つの翼部は質量分布に基づいて少なくとも１つのトーションウェブに対して異なるトルクを生じるように配置されている。震動質量体（１）および基板（１３）は少なくとも１つのトーションウェブ（４）に対して相互に反対方向かつ同じ大きさのねじれによって相互に反対方向かつ同じ大きさの減衰トルクが生じるように構成されている。したがって加速度センサには反対方向で当該の減衰トルクと同じ大きさの加速度が作用する。
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【課題】マイクロマシン技術にて、小型、軽量、堅牢及び低コストな、可動部を有する振動センサ、振動センサの製造方法、歩数計、加速度センサ及び地震検知器を提供することである。
【解決手段】振動センサ１０は、半導体基板１１とこれ接合されるベース基板１２とを用いて、微細加工にて作成される。半導体基板１１は、一端が固定されたアーム部１１２と、アーム部の他端に設けられて揺動可能な可動部１１１と、可動部が揺動する一方向の端部に設けられた第１の導電部１１３とこれと対向した位置に固設された第２の導電部１１４,１１５とで構成され、外部からの振動又は衝撃によって可動部が一方向に揺動したとき第１の導電部が第２の導電部に対して機械的に接触又は距離的に変化することによってその接触又は変化を電気的な信号として出力する通電部１１３〜１１５と、を備えている。 （もっと読む）