【課題】 各種の微細構造物の必須の機能を保証する空間を容易且つ迅速に形成するとともに、製造コストの飛躍的な低減を実現し得る微細構造物の作製方法を提供する。
【解決手段】 貴金属成分（Ｉｒ）とハロゲンとからなる前駆体を、微細孔５３の底部に吸着させるとともに、吸着させた前駆体にハロゲンラジカルを作用させて還元することにより前記貴金属の薄膜５７を形成した後、ハロゲンラジカルによるエッチングモードとして前記薄膜５７を触媒とする基板３のエッチングを急激に進行させることで基板３内における前記各微細孔５３の下方にキャビティ５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 錘部の体積を縮小化すると共に、その錘部や装置の能力向上を図る。
【解決手段】 一方側が支持固定部２で支持固定された梁部１の他方側に錘部３が設けられ、この錘部３の荷重により梁部１を撓ませて、梁部１内に設置された各ピエゾ抵抗素子４によって梁部１の歪みを検出して加速度を検出する半導体加速度センサにおいて、通常、Ｓｉなどの半導体基板１の材料によって支持固定部２や梁部１と一体的に形成される錘部３を、半導体基板１の材料よりも比重が大きいＡｕやＰｂなどの金属材料（または合金材料）を用いて形成し、錘部３の厚みを薄くしたり、錘部３の長さを短くしたりする。 （もっと読む）

本発明は、加速度、角加速度、または、角速度といった、物理量の測定において用いられる測定装置に関し、より正確には、微小機械モーションセンサーに関する。本発明によるモーションセンサーのコンポーネントのウエハー平面内の領域は、ダイシング切断されて９０゜回転されたモーションセンサーのコンポーネントの領域よりも小さい。それに対応して、本発明によるモーションセンサーのコンポーネントは、９０゜回転された該コンポーネントの高さは、接合の方向では、接合されたウエハーによって形成されるウエハー積層体の厚さよりも小さい。本発明の目的は、微小機械モーションセンサーの改善された製造方法を提供すること、および、微小機械モーションセンサーを提供することであり、小さい微小機械モーションセンサーの解決策での使用には特に好適なものである。 （もっと読む）

【課題】安定したデバイス特性を発揮して、正確に力学量を測定することができる静電容量型力学量センサを提供すること。
【解決手段】ガラス基板１１には、シリコンで構成された島状体１２ａ，１２ｂが埋設されている。島状体１２ａ，１２ｂは、それぞれ分割された固定電極との導電部である。ガラス基板１１の主面１１ａ上には、島状体１２ａ，１２ｂと電気的に接続するように電極１３ａ，１３ｂが形成されており、ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、島状体１２ａ，１２ｂと電気的に接続するように固定電極１４ａ，１４ｂが形成されている。感圧ダイヤフラム１５ａと固定電極１４ａ及び固定電極１４ｂとの間で検知された静電容量の変化の信号は、島状体１２ａ，１２ｂを介して電極１３ａ，１３ｂから取得するので、この信号（直列合成容量）に基づいて測定圧力を算出する。 （もっと読む）

【課題】周辺環境における圧力変動に起因する、予想値からの、振動の周波数及び／又は振幅の偏差の直接検出を行うことを可能にする圧力センサーを提供する。
【解決手段】圧力センサーは、支持ベースに固定された振動マイクロアセンブリと、絶対真空条件下で既知の周波数及び振幅で前記支持ベースに対して前記マイクロアセンブリを振動させる制御装置と、既知の周波数及び／又は振幅からの、アセンブリの振動の周波数及び／又は振幅の偏差を検出する手段とを含み、制御装置は一定の周波数信号成分により駆動され、検出手段は、例えば光学的又は電気的手段により、偏差の直接検出を可能にする。 （もっと読む）

【課題】直線あるいは有角の分離又は変位等の微細相対運動又は移動の正確な測定及びモニターの概念を具体化した実用的な装置を提供する。
【解決手段】
モノリスミクロ又はナノ電気機械トランスジューサ装置であって、それぞれが１以上の長形導電体（４０）を搭載した一対の基材（２０，２５）と、導電体に適切な電位差がかけられた時、導電体間に検知可能な量子トンネル作用電流を提供することができる空間で基材の長形導電体（４０）のそれぞれが対面するように基材を相対的に位置させるために基材と一体的になってリンクさせる弾性固定ヒンジ手段（３０，３２）を含んでいる。固定ヒンジ手段は長形導電体に対して横方向の基材の相対的な平行変位を可能にする。
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【課題】 半導体集積回路装置（ＣＭＯＳ等）と微小機械とを半導体基板上にモノリシックに集積化した集積化ＭＥＭＳの製造技術において、半導体集積回路装置の通常の製造技術とは異なる特別な工程を使用することなく集積化ＭＥＭＳを製造できる技術を提供する。
【解決手段】 ＣＭＯＳ集積回路プロセスを使用して、集積回路とともにＭＥＭＳ構造体を形成する。例えば、加速度センサを形成する場合には、可動錘１０９、弾性梁１１０および固定梁１１１よりなる構造体をＣＭＯＳの配線形成技術を使って形成する。その後、ＣＭＯＳプロセスで層間絶縁膜１１２などをエッチングして空洞部１１５を形成する。そして、エッチングに使用した微細孔１１３を絶縁膜で封止する。 （もっと読む）

【課題】構造体のリリース工程で配線への損傷を与えることがなく、耐湿性が良好で信頼
性の向上した、ＭＥＭＳ素子およびＭＥＭＳ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０に可動電極１５および固定電極１６ａ，１６ｂから構成され
る構造体１８が形成され、構造体１８の周辺部に配線２１が層間絶縁膜２０，２２を介し
て積層されたＭＥＭＳ素子１において、構造体１８に対向する層間絶縁膜２０，２２の側
壁２４，２５および層間絶縁膜２２の表面にシリコンナイトライド膜３０が形成されてい
る。 （もっと読む）

【課題】錘部本来の動きを検出できるとともに、錘部の衝突による破壊を防止できる変位センサデバイス、その製造方法及び変位センサを提供すること。
【解決手段】変位センサデバイスにおいて、可動部材のピエゾ抵抗部は可撓性を有し、錘部を揺動可能に支持し、固定部材の錘部と対向する部位にウィスカーが形成され、固定部材が耐熱性を有する変位センサデバイスである。ウイスカーはＡｌ、Ｃｒ及びＭｎなどを含む酸化物である。固定部材は、１４００℃以上に融点を有する。
ウイスカー形成後に、ウイスカー層に水を吸水させてから切削油を供給し、機械加工を行い、固定部材を成形して変位センサデバイスを製造する。
変位センサデバイスを真空化した筐体中に備えた変位センサである。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体構造を有するセンサ素子を提供する。
【解決手段】半導体センサ素子は、圧力、温度、力、偏向、または、加速度を決定するために役立つ。前記半導体センサ素子は、その上に配置された基板ベース１と、III族窒化物からなる均質な半導体層とを有する。均質な半導体層２、２ｆの表面は、基板ベース１の表面と少なくとも部分的に間隔を置いた状態で面している。また、均質な半導体層２、２ｆにより生成され得る電気出力信号を伝達するための少なくとも２つの導電コンタクト５が、均質な半導体層２、２ｆの上または下に配置されるか、または、該均質な半導体層２、２ｆ内に一体化されるよう特徴付けられている。
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【課題】 ジャイロスコープと加速度計との両方の機能を有するセンサ。
【解決手段】 センサは、一対の質量体、アンカ、一対の支持ビーム、駆動装置及び変位測定装置を包含する。一対の質量体は、互いに対して逆位相の関係で振動するように形成される。アンカは、一対の質量体を支持し、各々の支持ビームは、アンカに質量体の一つを連結するために使用される。駆動装置は、逆位相の振動を発生するために一対の質量体を駆動して、変位測定装置は、少なくとも一つの方向で質量体のそれぞれの変位を測定する。センサは、質量体の変位の測定値を用いて、少なくとも一つの方向でセンサが受けた加速度に関する情報を算出する。 （もっと読む）

シールされたキャビティ内にＭＥＭＳマイクロ構造体を作製するための方法が提供される。本方法によれば、エッチャントの入口孔が、そうしたエッチャント入口孔をキャップ層にエッチング加工する追加段階を要すること無く、前記作製方法の副産物として創出される。本方法には、犠牲層の材料をキャップ層の水平方向境界部分を越えて伸延させることが含まれる。キャップ層は、犠牲層を貫いてエッチング除去された孔に付着されることにより形成したピラーによって支持され、エッチャントの入口孔が、余分の犠牲層材料をエッチング除去することにより前記キャップ層を支持するピラー間に空間が残されることにより形成される。
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加えられる力を測定するための高アスペクト比の超小型電気機械システム装置であって、装置は、実質的に平坦な取付面を有する基部から形成されたセル式面内加速度計である。一対の実質的に剛体の固定電極構造は、ドープ処理されたシリコン機構層内に形成され、固定電極構造は、実質的に平行で、互いに相対するピックオフ電極面を有しており、ピックオフ電極面は、基部の平坦な取付面に実質的に垂直に向けられており、基部の平坦な取付面に平行な入力方向に沿って間隔を空けて配置されており、固定電極構造のそれぞれは、基部の取付面に固定されている。振り子式静電櫛は、ドープ処理されたシリコン機構層内に形成され、基部の平坦な取付面に実質的に垂直に向けられており、静電櫛は、入力方向に沿って動くように、基部の取付面から、固定電極構造の間に、振り子式に懸架されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体加速度センサの製造条件、大きさ、耐衝撃性を変更することなく、検知感度の優れた半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】 半導体基板よりなり、枠状をなすフレーム部１２と、フレーム部１２から内側に突設された弾性を有するビーム部１３と、ビーム部１３に支持されて揺動自在に変位する錘部１４と、ビーム部１３の表層に設けられて作用した加速度の大きさに応じた信号を出力するピエゾ抵抗素子１６と、を有するセンサ素子１と、センサ素子１の上方に設けられて錘部１４の変位を規制するストッパ１７と、を少なくとも備えた加速度センサ。錘部１４に、そのストッパ１７と相対する領域に、フレーム部１２の厚み方向に過大な加速度が作用した際にストッパ１７と当接して錘部１４の過剰変位を規制する金属からなる凸部１５を設けた。 （もっと読む）

【課題】 半導体加速度センサをパッケージに実装することなく温度特性を計測して製造工程を簡略化できる半導体加速度センサおよびその検査方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板よりなり、枠状をなすフレーム部１１と、フレーム部１１から内側に突設された弾性を有するビーム部１２と、ビーム部１２に支持されて揺動自在に変位する錘部１３と、ビーム部１２の表層に設けられて作用した加速度の大きさに応じた信号を出力するピエゾ抵抗１４と、を備えた半導体加速度センサ１。
ビーム部１４、あるいはビーム部１４と接続される位置のフレーム部１１及び錘部１３の少なくともどちらか一方にピエゾ抵抗１４を加熱するヒーター１５を設けてなる。 （もっと読む）

本発明は、物理的な測定に用いるための測定デバイス、とりわけ容量性センサーに関する。本発明によるセンサーでは、固定電極（３）、（４）、（１２）、（１７−２０）、（２７−２８）の形状は、階段状にされる。本発明によって、改善された線形性を有する容量性センサーを製造する方法が達成されるとともに、とりわけ微小な容量性センサーソリューションに用いるのに適する容量性センサーも達成される。 （もっと読む）

【目的】 片持ち梁上に空間を介して上部構造体が配置される半導体力学量センサを、容易に実現可能な製造方法を提供する。
【構成】 片持ち梁１０２の下面及び側面にポリシリコン１１９を配置した状態で、更に片持ち梁１０２上にＬＰＣＶＤ法等によりポリシリコン１２８を表面に形成除去する。ポリシリコン１２８表面を仕上げし、その後、Ｓｉ₃Ｎ₄膜１２９、ｎ⁺ポリシリコン層１３０、表面保護膜としてＢＰＳＧ膜１３１を形成して上部構造体を形成する。その後、窓部１３２を明け、窓部から、ＴＭＡＨ液にてポリシリコン１１９，ポリシリコン１２８をこの窓部１３２よりエッチング除去する。このようにして、片持ち梁上に空間を介して上部構造体（たとえばストッパ）が配置されるセンサが形成される。 （もっと読む）

【解決手段】 一対のカバープレートの間に感知機構を可撓的に懸架するための装置及び方法であり、本装置は、結晶シリコン基板に形成された感知機構と、結晶シリコン基板に形成された一対のカバープレートと、感知機構とカバープレートの内の第１のカバープレートとの間に固定された関係にある第１の複数の相補形の境界面と、感知機構とカバープレートの内の第２のカバープレートとの間に可撓的に懸架される第２の複数の相補形の境界面であって、可撓的に懸架される境界面の内の１つ又はそれ以上は、相補形の雄型と雌型の境界面である、第２の複数の相補形の境界面と、を含んでいる。 （もっと読む）

耐衝撃性が高く、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸ピエゾ抵抗素子の出力の差が小さく、小型で高感度、高出力の半導体型３軸加速度センサを提供する。 可撓腕が可撓幅広部と可撓平行部で構成され、可撓幅広部に最大応力部があり、最大応力部にピエゾ抵抗素子の一端が来るように可撓腕上面上にピエゾ抵抗素子を設ける。可撓腕の幅中心線の近傍にＺ軸ピエゾ抵抗素子、幅中心線から離れてＸ軸／Ｙ軸ピエゾ抵抗素子を設ける。また、最大応力部から可撓腕の長さ方向にＺ軸ピエゾ抵抗素子をずらすことで、Ｘ軸とＹ軸、Ｚ軸ピエゾ抵抗素子間の出力差を小さくする。 （もっと読む）

少なくともいくつかの実施例では、２００℃を上回る温度での使用に適した電子素子は、炭化シリコン基板上に形成された集積回路と、厚い不活性化層とを有する。その他の実施例では、２００℃を上回る温度での使用に適した電子素子は、サファイア基板上に配置されたシリコンから形成された集積回路と、厚い不活性化層とを有する。電子素子は、炭化水素掘削作業及び生産作業の関連で実装される。
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