【課題】接続部材の耐久性が損なわれることが抑制された半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】チップ（１０）と台座（３０）とが接続部材（５０）を介して機械的に接続された半導体装置であって、チップ（１０）と台座（３０）との間に接続部材（５０）が介在され、チップ（１０）の上面（１０ｃ）の全面、及び、側面（１０ｂ）の全面の少なくとも一方に、応力緩和部材（７０）が機械的に接続されており、台座（３０）は、接続部材（５０）よりも線膨張係数が高く、台座（３０）、接続部材（５０）、及び、応力緩和部材（７０）は、チップ（１０）よりも線膨張係数が高い。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術をベースとして加速度センサを製造する場合、複雑構成の加速度センサを得ることができるものの、ＭＥＭＳ特有の製造プロセスを経る必要があり、通常の半導体製造プロセスとの親和性は低い。
【解決手段】半導体装置１００は、凹状のガス流路２２が設けられた積層体１０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出するヒータ４０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出し、かつガス流路２２の延在方向においてヒータ４０を挟み込むように配置された複数の熱センサ３０、５０と、を有する。通常の半導体製造プロセスに対して親和性が高い加速度センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な真空封入を維持しかつできるだけ変らない外側のチップ寸法を維持して、ボンディングされた表面マイクロメカニック構成部分の安定性を高める。
【解決手段】マイクロメカニック式のキャップ構造はサブストレート１０を有し、サブストレート１０には空洞Ｋが設けられている。空洞Ｋは方形の基面と互いに向き合った平行な側壁区分から成る２つの側壁区分対とを有する。空洞Ｋの基面に相応するダイヤフラムの局部的な補強は安定化ビームＳＫ１，ＳＫ２を有する安定化クロスによって達成される。 （もっと読む）

【課題】エアダンピング効果の影響を低減でき、さらに効率よく製造することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面２１および裏面２２を有し、振動膜７と、当該振動膜７を支持し、当該振動膜７の直下に空間６を区画するフレーム部８と、振動膜７に保持された錘９とを有するＳＯＩ基板２において、フレーム部８の底面（底壁）８３に、そのフレーム部８の内側面８２から外側面８１に至る溝１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ２５を有する基台２０と、基台２０の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜３０と、を備える。センサ薄膜３０は、キャビティ２５に通ずるスリット３６を有している。キャビティ２５の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ２５の表面Ａは、原子層堆積法により形成された膜Ｘで被覆されている。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 急峻な立ち上がり構造を有する凸形状パターンを所望の幅で形成できるパターン形成方法と、センサーのアクティブ面側に保護材を備えたセンサーチップを簡便に、かつ小型化可能に製造できるセンサーチップの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】 凸形状パターンの形成方法を、塗布液の温度を被パターン形成体の温度よりも高く設定しておき、塗布液を被パターン形成体上に所望のパターンで塗布し、その後、塗布パターンを硬化させて凸形状パターンを形成するものとし、センサーチップの製造装置を、塗布装置と接合硬化装置とを備えたものとし、塗布装置はセンサー本体のアクティブ面の外側領域に、センサー本体よりも高温の塗布液を塗布してリブ用塗布パターンを形成するものとし、接合硬化装置はリブ用塗布パターンに保護材を当接させ、かつ、保護材とアクティブ面との間に空隙部を設けた状態でリブ用塗布パターンを硬化させて凸形状パターンからなるリブを形成するものとする。 （もっと読む）

【課題】外圧の大きさおよび方向を高感度で検出することができるとともに製造が容易な触覚センサ、およびその製造方法ならびに触覚センサユニットを提供することである。
【解決手段】触覚センサ１００は、カンチレバーＣＬおよびエラストマー層１０５を有する。カンチレバーＣＬは、ノンドープ層１０３ａおよびドープ層１０３ｂを有する。ドープ層１０３ｂの格子定数はノンドープ層１０３ａの格子定数より小さい。これにより、カンチレバーＣＬは湾曲している。ドープ層１０３ｂは、結晶シリコン膜にホウ素を添加することにより形成されている。エラストマー層１０５に外圧が加わることにより、カンチレバーＣＬが変形する。カンチレバーＣＬが変形することにより、ドープ層１０３ｂのピエゾ抵抗が変化する。したがって、ドープ層１０３ｂのピエゾ抵抗の変化を検出することにより、触覚センサ１００に作用する外圧の大きさおよび方向を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板からなるひずみ測定装置によりひずみを測定する場合、シリコン基板の剛性が大きいため、ひずみ感度のばらつきが大きい。
【解決手段】シリコン基板の主面に少なくともひずみ検出部が設けられており、前記ひずみ検出部の上面に絶縁膜、さらにその上面に保護層が設けられており、前記保護層には、ひずみ検出部と電気的に接続された電気配線が設けられ、かつ、前記保護層の表面に実装面が設けられることにより達成される。
【効果】剛性が大きいシリコン基板を介すことなくひずみ検出部を被測定物に近づけられるため、ひずみ追従性が安定する領域が拡大され、ひずみ感度のばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板からなる力学量測定装置の大きなひずみによる破壊を防止する。
【解決手段】ひずみ検出部を有する半導体単結晶基板からなるセンサチップの裏面にひずみ測定用の実装板を設ける。
【効果】被測定物に大きなひずみが発生した場合でも、実装板により半導体単結晶基板に生じるひずみを制御することが可能であるため、半導体単結晶基板が破壊することが無く、信頼性の高い力学量測定装置が提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術等を用いて形成される可動構造を有する微小３次元構造体要素が膜状弾性体内へ配置された３次元構造体において、上記膜状弾性体の柔軟性を阻害することなく効果的に活用できるような構造を提供する。
【解決手段】可動構造を有する複数の微小３次元構造体要素としてのカンチレバー２を膜状弾性体３の内部に、各カンチレバーの変形の方向が互いに異なるように配置し、かつこのカンチレバー２に外力検知機能を持たせることで、外力の作用により膜状弾性体３に生じた弾性変形を検知できる構造とする。 （もっと読む）

本発明は、基板（１、１１）に設けられた有機電界効果トランジスタ（１０）を備える力センサに関するものである。本発明によれば、該トランジスタへの機械的な作用力は、ソース−ドレイン電圧またはソース−ドレイン電流（Ｉ_Ｄ）の対応する変化を引き起こす。これにより、該変化は、印加される力に対する測定変数（Ｖ_測定、Ｉ_測定）として、それぞれ検出される。また、本発明は、このタイプの力センサを用いる膜ベースの圧力センサ、このタイプの力センサを複数用いる一次元または二次元の位置センサ、並びにこのタイプの力センサを複数用いる指紋センサに関する。
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