【課題】新規な構造の力学量センサを提供することにある。
【解決手段】基板１の凹部２の側壁から第１の梁３，４，５，６が延設され、その第１の梁３，４，５，６には中間支持体７が設けられている。この中間支持体７には第１の梁３，４，５，６にほぼ直交する方向に延びる第２の梁８，９，１０，１１が延設され、第２の梁８，９，１０，１１には錘１２が設けられている。そして、対向電極１７，１９及び対向電極１８，２０を励振用電極とするとともに対向電極１３，１５及び対向電極１４，１６を角速度検出用電極とし、角速度の印加に伴う錘１２の動きが検出される。 （もっと読む）

基板（１）上には、互いに隣接して成長する単結晶シリコンと多結晶シリコンとを備えたエピタキシ層（３，５）が析出されている。この場合、エッチングにより、１つの領域（５，６）が、特に圧力センサのための鉛直方向で変位可能な多結晶ダイヤフラムとして露出させられる。ダイヤフラムの両側での多結晶・単結晶移行領域は、それぞれ１つの傾斜したプロフィールを有しており、単結晶のシリコンが、オーバーハング（６）として多結晶シリコンの上側でダイヤフラム領域（５，６）内へと延びている。オーバーハング（６）にはピエゾエレメント（１０）が埋め込まれている。
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【課題】 接着材を介して積層されるとともにボンディングワイヤを介して接続された回路チップおよびセンサチップを有するセンサ装置において、センサチップが過大変位することで生じるワイヤ接続部の機械的な変形やそれに付随して生じるセンサ特性の変動を抑制する。
【解決手段】 回路チップ３００の上に接着材４００を介してセンサチップ２００が積層され接着されており、センサチップ２００と回路チップ３００とがボンディングワイヤ５００を介して接続されてなるセンサ装置Ｓ１において、接着材４００の変形によるセンサチップ２００の変位を規制するためのストッパとして、回路チップ３００のうちセンサチップ２００の外周に位置する部位に設けられたボンディングワイヤからなるワイヤ１が設けられている。 （もっと読む）

本発明は、物理的な測定に用いるための測定デバイス、とりわけ容量性センサーに関する。本発明によるセンサーでは、固定電極（３）、（４）、（１２）、（１７−２０）、（２７−２８）の形状は、階段状にされる。本発明によって、改善された線形性を有する容量性センサーを製造する方法が達成されるとともに、とりわけ微小な容量性センサーソリューションに用いるのに適する容量性センサーも達成される。 （もっと読む）

【課題】より小型化された加速度センサチップパッケージ及びその製造方法。
【解決手段】加速度センサチップパッケージ１０は、フレーム部１３、開口部１６内に延在している梁部１４ａと、梁部により可動に支持されている可動部１４ｂを含む可動構造体１５、この可動構造体１５の変位を検出する検出素子１９を有する加速度センサチップ１１と、閉環状のリング部２０と、リング部の上面２０ａに接合され、可動構造体を開口部の上面側から封止する薄板状部材３０と、フレーム部の外側領域１３ａから露出する複数の電極パッド１８と、複数の配線部１７ａを有する再配線層１７と、外側領域上に設けられている外部端子７０と、外部端子を露出させて設けられていて、リング部、薄板状部材、電極パッド及び再配線層を封止する封止部５０と、加速度センサチップの下面に接して、開口部を下面側から封止する基板１２とを具えている。 （もっと読む）

【課題】ゼロ点を高真空時に設定する必要のある絶対圧静電容量式圧力センサにおいて、高真空を維持するために使用するゲッター材料から生じる破片等の不純物に起因するダイアフラムと対向する固定電極との導通現象が防止できる静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】ダイアフラム３と固定電極６が対向配置され、両者間の静電容量変化により圧力を測定する静電容量型圧力センサ素子において、ゲッター室２と圧力検出部１とを非直線通路で接続する。このような構造にすることにより、ゲッター材５から飛散した破片等が圧力検出部１に進入することを防ぐことができ、その結果、ダイアフラム３と対向固定電極６との導通現象を防止できる。 （もっと読む）

【課題】圧力変化を正確に検知することができる静電容量型圧力センサ用のガラス基板を提供すること。
【解決手段】ガラス基板１１は、互いに対向する一対の主面１１ａ，１１ｂを有する。ガラス基板１１には、シリコンで構成された島状体１２ａ，１２ｂが埋設されている。島状体１２ａ，１２ｂは、ガラス基板１１の両主面でそれぞれ露出している。ガラス基板１１の主面１１ａ上には、島状体１２ａの一方の露出部分と電気的に接続するように電極１３ａが形成されており、島状体１２ｂの一方の露出部分と電気的に接続するように電極１３ｂが形成されている。ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、島状体１２ａの他方の露出部分と電気的に接続するように電極１４が形成されている。ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、感圧ダイヤフラム１５ａを有するシリコン基板１５が接合されている。 （もっと読む）

【課題】 犠牲層エッチングの際に所望の部位のみを残して他を除去することにより支持基板の上に幅狭なる固定部を作ることができる半導体力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン層４における空洞となる部位にシリコン酸化膜４７を埋め込んだ積層基板１を用意し、基板１におけるシリコン層４の上面からトレンチエッチングを行い、縦方向に延びシリコン酸化膜４７に達する溝４９を形成する。溝４９の底面からシリコン酸化膜４７のみを選択的にエッチングして横方向に延びる空洞を形成して可動部を区画形成する。 （もっと読む）

【課題】 静水圧による圧縮歪を改善して、耐圧性が向上された振動式圧力センサを実現する。
【解決手段】 測定圧が加えられるダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、
前記振動梁の両端側にそれぞれ一端がほぼ直交して設けられ他端がダイアフラム面にほぼ直交して設けられた柱状の第１，第２の支持部を具備したことを特徴とする振動式圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】 部品点数を削減しつつ、腐食防止を図ることができる圧力センサを提供する。
【解決手段】 ポリイミドアミド（ＰＥＡＩ）もしくはポリイミド（ＰＩＱ）などの有機系材料で構成される保護膜１４によって、少なくともＡｕ膜１３の表面および保護膜１１における開口部近傍を覆う。これにより、保護膜１４によって、Ａｕ膜１３の表面および保護膜１１における開口部近傍からの腐食媒体の通過を防ぐことが可能となる。したがって、Ａｌ膜１０が腐食媒体に触れることを防止することができ、Ａｌ膜１０が腐食されてしまうことを防止することが可能となる。このような圧力センサでは、メタルダイヤフラムやオイル、オイルをシールするためのＯリングといった部品が必要ないため、部品点数を削減しつつ、Ａｌ膜１０の腐食防止を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 基板に振動体を設けてなり当該基板と垂直な軸回りの角速度を検出するようにした角速度検出素子を、回路基板上に接着剤を介して積層してなる角速度検出装置において、接着剤の接着面積を小さくし構造体の共振周波数を低下させるとともに、ワイヤボンディングを容易に可能にする。
【解決手段】 基板１０に当該基板１０と水平な面内にて振動可能な振動体を設け、当該振動体の振動に基づいて基板１０と垂直な軸回りの角速度を検出するようにした角速度検出素子１００を備え、角速度検出素子１００が、回路基板２００上に接着剤３００を介して積層されている角速度検出装置Ｓ１において、角速度検出素子１００の基板１０の上面と回路基板２００とをボンディングワイヤ７０により結線し、接着剤３００を、角速度検出素子１００の基板１０におけるボンディングワイヤ７０の接続部の下方に、部分的に配置する。 （もっと読む）

【課題】 振動型の角速度センサにおいて、重力による振動子の変位をキャンセルして振動子の適切な振動状態を実現する。
【解決手段】 基部２０と、基部２０に連結された振動子３０、４０と、振動子３０、４０をｘ方向へ駆動振動させるための加振手段３４、４４、２１１〜２１４、２２０と、振動子３０、４０の駆動振動のもと角速度が印加されたときにｘ方向と直交するｙ方向への振動子３０、４０の振動に基づいて角速度を検出する検出手段６０、７０、２３１〜２３４とを備える角速度センサ１００において、重力によって振動子３０、４０が重力方向へ変位した変位量をキャンセルするように、振動子３０、４０の位置を調整する位置調整手段８１、８２、２５０が備えられている。 （もっと読む）

振動する回転センサは、「ｚ軸」周りの回転を感知するために記述される。それは、構造的結合、及び２つのプルーフ・マスの基本的な反位相振動が機械的結合により実現されるような力学を有するチューニングフォークである。

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本明細書にて提供されるトランスデューサは不釣合いのプルーフマス（５１）を備え、それは、互いに直交する少なくとも２方向の加速を感知するように構成されている。プルーフマス（５１）は、互いに対向する第１側部（６５）及び第２側部（６７）を備えており、それらは異なる重量をそれぞれ有している。
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本発明は、第１主要面および第２主要面とを有する、絶縁性材料からなる第１ウェハーを提供する工程と、第１ウェハーの第１主要面に２つ以上のキャビティをエッチングして形成する工程と、第１ウェハーの第１主要面上の金属層をパターニングして、第３加速度計用の電気接点を形成する工程と、半導体材料からなる第２ウェハーを提供する工程と、第２ウェハーの第１主要面の一部をエッチングする工程と、第２ウェハーのエッチングされた部分の少なくとも一部分が、第１ウェハー上の金属層の一部分の上に少なくとも重なるように第１ウェハーの第１主要面を第２ウェハーの第１主要面に接合する工程と、第２ウェハーの第２主要面上に金属層を堆積してパターニングする工程と、第１ウェハーの第１主要面にエッチングで形成されたキャビティの上に第１加速度計および第２加速度計が形成されるように第１加速度計、第２加速度計、および第３加速度計を画定するマスク層を第２ウェハーの第２主要面上に堆積してパターニングする工程と、第２ウェハーの第２主要面をエッチングして、第１加速度計および第２加速度計の各々が独立した２以上の梁の組を有するように加速度計を形成する工程と、第２ウェハーの第２主要面からマスク層を除去する工程とを有する三軸加速度計の製造方法に係る。
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本明細書には多数の発明が説明及び図示される。１つの態様において、本発明は、最終的なパッケージングの前にチャンバー（２６）に封入される機械的構造（１２）と、少なくとも部分的にチャンバーの外に配置されたコンタクト領域（２４）とを有するＭＥＭＳ装置、及びＭＥＭＳ装置の組み立て又は製造の方法を目的とする。コンタクト領域（２４）は、コンタクト領域の周囲に置かれた誘電分離トレンチ（４６）により、近くの導電領域から電気的に分離される。機械的構造を封止する素材（２８）は、堆積された際に、１つ又はそれ以上の以下の属性を備える。即ち、引張応力が低く、良好なステップカバレージを有し、その後の処理において完全性を維持し、チャンバー内の機械的構造の性能特性に大きな及び／又は悪い影響を与えず（堆積期間に素材でコーティングされた場合）、及び／又は、高性能集積回路の統合を可能とする。１つの実施の形態において、機械的構造を封止する素材は、例えば、シリコン（多結晶、アモルファス、又は多孔性の不純物を添加された又はされないシリコン）、炭化シリコン、シリコン・ゲルマニウム、ゲルマニウム又はヒ化ガリウムである。

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【解決手段】１軸の加速度検知及び２軸の角速度検知を与える微細加工マルチセンサである。この微細加工マルチセンサを製造する方法は、犠牲材料又は構造材料の層を基板表面上に堆積する。犠牲又は構造材料の堆積層は、複数の水平及び垂直の空間を有する直線状グリッドを使用して形成された所定のマスクパターンでマスクされる。このマスクパターンは、センサ装置の機能部品を規定する。このマルチセンサが、少なくとも１つの機能部品を有し、その基板上のアラインメントがセンサの最適性能に対して重要である場合、その重要な部品は、その縦軸がマスクの水平又は垂直軸と実質的に平行になるように規定される。このマルチセンサが、少なくとも１つの機能部品を有し、その基板上のアラインメントが最適センサ性能に対して重要でない場合、その重要でない部品は、その縦軸がマスクの水平及び垂直軸と平行にならないように規定される。
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【課題】接合強度がさらに向上し、充分な歩留まりが得られるようになる力学的物理量変換器の製造方法およびその変換器の提供。
【解決手段】陽極接合においては、シリコン酸化膜11に含まれる酸素イオンの数と接合強度とが密接な関係にあるので、上ガラス30の表面に非晶質のシリコン酸化膜11を成膜するにあたり、モノシランガスに対して適度な量の亜酸化窒素ガスを加えてシリコン酸化膜11の成膜を行えば、陽極接合時に移動する酸素イオンの数が増え、シリコン酸化膜11が形成された上ガラス30とシリコン基板２との接合強度が向上し、これにより変換器の歩留まりが改善される。 （もっと読む）