【課題】１つのチップへの集積回路との混載が可能でありながら、コンデンサを構成する第１電極および第２電極への外部からの直流電圧の印加が不要である、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコン基板２上には、第１電極９が設けられている。第１電極９は、複数の不揮発性メモリセル５からなる。各不揮発性メモリセル５のフローティングゲート６には、電荷が蓄積されている。第１電極９に対してシリコン基板２側と反対側には、第２電極１６が設けられている。第２電極１６は、第１電極９に対して間隔を空けて対向し、第１電極９との対向方向に振動可能とされている。 （もっと読む）

【課題】Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向の加速度を精度よく検出することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサ５は、４つの振動体ペア７および４つの下薄膜６を備える。２つの振動体ペア７のそれぞれ一方の振動体７Ａには、Ｘ方向に並べて設けられた複数の櫛歯部を有する第１Ｘ方向電極が備えられ、それぞれ他方の振動体７Ｂには、Ｘ方向に並べて設けられた複数の櫛歯部を有する第２Ｘ方向電極が備えられている。他の２つの振動体ペア７のそれぞれ一方の振動体７Ａには、Ｙ方向に並べて設けられた複数の櫛歯部を有する第１Ｙ方向電極が備えられ、それぞれ他方の振動体７Ｂには、Ｙ方向に並べて設けられた複数の櫛歯部を有する第２Ｘ方向電極が備えられている。振動体７Ａ，７Ｂは、第１Ｘ方向電極または第１Ｙ方向電極の各櫛歯部と、第１Ｙ方向電極または第２Ｙ方向電極の各櫛歯部とが噛み合うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの寸法精度を高めることが可能なトランスデューサ用基板の製造方法およびトランスデューサ用基板、並びにトランスデューサを提供する。
【解決手段】半導体基板１０の一表面側に形成するダイヤフラム２０（図１（ｆ））の仮想投影領域を取り囲む不純物ドーピング領域１３を半導体基板１０の上記一表面側に形成し（図１（ｂ））、半導体基板１０の上記一表面側にダイヤフラム２０の基礎となる薄膜１４を形成した後、半導体基板１０の他表面側にダイヤフラム２０の平面形状に応じてパターン設計した開孔部１５ａを有するマスク層１５を形成し（図１（ｄ））、その後、マスク層１５をエッチングマスクとするとともに薄膜１４をエッチングストッパ層として半導体基板１０を上記他表面側から薄膜１４に達する深さまでエッチングすることにより薄膜１４の一部からなるダイヤフラム２０を形成する（図１（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】加速度センサや角速度センサのようにバルクマイクロマシニング技術により形成したＭＥＭＳセンサとＬＳＩ回路からなる半導体装置の小型化や薄型化と、高感度化を両立しつつ、ＭＥＭＳセンサとＬＳＩ回路からなる半導体装置の実装構造を簡易化する。
【解決手段】ＳＯＩ基板のシリコン層１０２上にＭＩＳＦＥＴや配線を有する集積回路を形成し、ＳＯＩ基板の基板層１００を加工して、構造体１２５を含むＭＥＭＳセンサを形成している。すなわち、ＳＯＩ基板の両面を使用して、１つのＳＯＩ基板に集積回路とＭＥＭＳセンサを搭載する。そして、集積回路とＭＥＭＳセンサとは、ＳＯＩ基板の内部に設けられている貫通電極１２１によって電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高い検出感度を得ることができるとともに梁部の破壊を防止することのできる物理量センサとその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサ１は、枠形状の支持部１１と、錘部２０と、支持部１１と錘部２０と所定間隔をおいて連結する肉薄で可撓性の梁部３０とを有する。梁部３０上には、検出素子であるゲージ抵抗が配設されている。また、物理量センサ１は、支持部１１の錘部２０と向かい合う面Ｌに、衝撃緩和部４１が設けられている。物理量センサ１に過度な加速度が印加された場合には、錘部２０と支持部１１の面Ｌが衝突し、支持部１１に与えられた衝撃が梁部３０に向かう。しかし、物理量センサ１においては、衝撃緩和部４１によってその衝撃は吸収され、梁部３０に伝達される衝撃が軽減される。すなわち、本発明の物理量センサ１では、支持部１１と錘部２０の衝突による梁部３０の損傷を防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 特に、ＳＯＩ基板を用いて形成した加速度センサ等の物理量センサにおいて、気密性の向上と、電極パッドと可動部の変位量を検出するための検出部との間の電気抵抗の低減を同時に得ることが可能な物理量センサを提供することを目的としている。
【解決手段】 ＳＯＩ層５には、可動部６と、前記可動部を支持する支持部１０と、前記可動部６の変位量を検出するための検出部１２が形成されている。金属で形成された配線層１３が前記検出部との電気的な接続位置から前記絶縁層上に前記ＳＯＩ層より薄い膜厚で延出し、前記配線層の先端部に電極パッド１４が接続されている。蓋体１７の側壁部１７ａが前記ＳＯＩ層５の周囲にある絶縁性の保護層１６上及び、前記配線層１３上を横断する位置に接合されて、前記蓋体１７の側壁部１７ａの外側に前記電極パッド１４が露出している。 （もっと読む）

ヨーレートセンサにおいて、基板と、多数の可動の部分構造体とが設けられており、該部分構造体が、基板の表面の上に配置されており、可動の部分構造体が、１つの共通の、特に中央のばねエレメントに連結されており、可動の部分構造体を励振させて、基板の表面に対して平行な平面内でのカップリングされた振動を生ぜしめるための手段が設けられており、可動の部分構造体が、コリオリ素子を有しており、該コリオリ素子の、コリオリ力によって生ぜしめられた変位を検出するための手段が設けられており、第１のコリオリ素子が、第１の軸回りの回転角速度を検出するために設けられており、第２のコリオリ素子が、第２の軸回りの回転角速度を検出するために設けられており、第２の軸が、第１の軸に対して特に直角に向けられていることを特徴とするヨーレートセンサ。
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【課題】放射形状のプレートを備える振動トランスデューサにおいて空隙層への異物の進入を防止する。
【解決手段】バックキャビティの開口を形成している基板と、前記基板上の膜からなり導電性を有し前記開口を覆うダイヤフラムと、前記ダイヤフラム上の膜からなり導電性を有し前記ダイヤフラムに対向する対向部と前記対向部から放射状に伸びる複数の接合部とを備えるプレートと、前記接合部に接合され、前記ダイヤフラムと前記プレートとの間に空隙層を挟んで前記ダイヤフラムから絶縁しながら前記プレートを支持し、前記空隙層を囲む環状端面を備える絶縁支持層と、前記プレートの少なくとも一部を構成している膜からなり、前記絶縁支持層に接合されるとともに前記環状端面の内側に突出して前記プレートを囲み、前記空隙層を間に挟んで前記ダイヤフラムに対向しているカバーと、を備え、前記ダイヤフラムが前記プレートに対して振動する振動トランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】 １つの半導体チップに半導体集積回路部分と可動部を有する可動部分とを作り込んだＭＥＭＳ構造を有し、チップの縮小化が可能になると共に動作感知と動作方向検知とが可能になる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳ部分の可動部１０は、半導体層１３上の梁２８の上に形成される。梁２８は絶縁膜２６及びポリシリコン膜２７から構成され、抵抗等を利用できる。可動部１０は、層間絶縁膜８、１４に形成された凹部６に配置され、下端が梁２８のポリシリコン膜２７に接合され、上端はフリーである。梁２８が形成された部分には空洞７が形成されており、更に梁部分は中空構造になっている。可動部１０は、チップの加速によって応力を受けて先端部が移動する。チップの移動により、可動部１０と各電極９１〜９８との間の空間の距離が変化し、各電極と可動部１０との間の容量の変化を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】３つすべての空間的方向で検出精度が改善され、なおかつ、コンパクトかつ簡単に製造可能なケーシング内に挿入できる加速度センサを提供すること。
【解決手段】質量体（１５）に設けられた第１の電極と、離隔して配置された第２の電極（３）とが、時間に依存する該質量体の位置変化を検出するための容量センサを構成し、該質量体の該容量センサに対向する側に少なくとも１つのばねエレメント（１２，１７）が設けられており、該質量体が静止位置から偏向した場合に該ばねエレメントは復元力を生成する加速度センサにおいて、該質量体が材料層（８）から輪郭分離されることによって得られ、少なくとも側面において該材料（１６）によって包囲されている加速度センサ。 （もっと読む）

【課題】加速度センサおよび圧力センサとして使用可能なＭＥＭＳセンサを備える、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１では、半導体基板２上に、４つの下薄膜６（下電極８）および１つの上薄膜７（上電極１１）を備えるＭＥＭＳセンサ５が設けられている。上薄膜７は、振動可能に設けられ、４つの下薄膜６は、上薄膜７に対して所定の間隔を空けて対向配置されている。 （もっと読む）

【課題】加速度センサおよび圧力センサとして使用可能なＭＥＭＳセンサを備える、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１では、半導体基板２上に、４つの下薄膜６（下電極８）および４つの上薄膜７（上電極１１）を備えるＭＥＭＳセンサ５が設けられている。上薄膜７は、それぞれ振動可能に設けられ、下薄膜６は、それぞれ上薄膜７に対して所定の間隔を空けて対向配置されている。 （もっと読む）

【課題】振動トランスデューサの感度を高める。
【解決手段】基板と、前記基板上の堆積膜からなり導電性を有するダイヤフラムと、前記基板上の堆積膜からなり導電性を有するプレートと、前記ダイヤフラムを構成している導電膜からなり前記ダイヤフラムから切り離されているガード部と、上層絶縁膜からなり、前記プレートと前記ガード部とに接合され、前記ダイヤフラムとの間に空隙を挟んで前記プレートを支持する、プレートスペーサと、前記基板と前記ガード部とに接合されている下層絶縁膜と、を備え、前記ダイヤフラムが前記プレートに対して振動することにより前記ダイヤフラムと前記プレートとで形成される静電容量が変化する、振動トランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】振動トランスデューサの感度を高めつつダイヤフラムのスティクションを防止する。
【解決手段】基板と、前記基板上の堆積膜からなり、導電性を有し、中央部と前記中央部から外側に放射状に延びる複数の腕部とを備えるダイヤフラムと、前記基板上の堆積膜からなり、導電性を有するプレートと、前記基板上の堆積膜からなり、複数の前記腕部のそれぞれに接合され、前記プレートとの間に空隙を挟んで前記ダイヤフラムを支持するダイヤフラム支持部と、を備え、前記基板または前記プレートに前記ダイヤフラムが付着することを防止する複数の突起が前記ダイヤフラムの腕部に形成され、前記ダイヤフラムが前記プレートに対して振動することにより前記ダイヤフラムと前記プレートとで形成される静電容量が変化する、振動トランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】強度低下やスティクションの問題を回避しつつ振動トランスデューサの感度を高める。
【解決手段】堆積膜からなり、導電性を有し、中央部と前記中央部から外側に放射状に延びる複数の腕部とを備えるダイヤフラムと、堆積膜からなり導電性を有するプレートと、絶縁膜からなり、前記ダイヤフラムの複数の前記腕部のそれぞれに接合され、前記プレートとの間に空隙を挟んで前記ダイヤフラムを支持するダイヤフラム支持部と、を備え、前記腕部の前記ダイヤフラム支持部との接合領域より前記中央部に近い領域における輪郭は屈曲部がない曲線であり、前記ダイヤフラムが前記プレートに対して振動することにより前記ダイヤフラムと前記プレートとで形成される静電容量が変化する、振動トランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】圧力媒体による配線の腐食を防止できる圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサチップ３を貫通するように配線部４を設け、配線部４が保護キャップ５によって覆われるようにすると共に、配線部４のうちセンサチップ３の裏面から露出する第２埋込配線４ｃとケース２の搭載面２ａから露出するターミナル２ｃとを接続するバンプ４ｄを封止材７にて囲み、圧力媒体と大気とから分離されるようにする。配線部４は、センサチップ３を構成する半導体基板３ａのうちゲージ抵抗３ｃ以外の部分とは絶縁されるようにする。これにより、配線部４が圧力媒体と接触するような場所に露出しない構造となり、配線部４が腐食されることを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】小型化に寄与する半導体加速度センサ及びその製造方法を提供すること。また、構造の簡素化又は搭載工程の簡略化によりコストの低減に寄与する半導体加速度センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板を用いて製造される半導体加速度センサにおいて、加速度の発生により変位する平板状の錘と；前記半導体基板から突出し、前記錘と当該半導体基板とを連結する錘ポストと；半導体基板上に形成され、前記錘ポストと連結され、前記錘の動きに応じて加速度を検知する検知素子と；前記半導体基板に形成され、前記検知素子に接続された第１の配線と；前記半導体基板から前記錘ポストと同じ方向に突出し、前記第１の配線と電気的に接続された外部端子とを備える。そして、前記外部端子は、実装基板に対して直接実装される。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳ部材を備えた半導体装置において、薄型化する。
【解決手段】 絶縁膜３およびシリコン基板１の上面中央部に設けられた凹部５内には、ＭＥＭＳ部材を構成する片持ち状の可動電極９が可動可能に配置されている。凹部５の周囲における絶縁膜３の上面には空間形成膜１０の下面周辺部が接着剤等を介して固着されている。この状態では、空間形成膜１０下における凹部５内には、可動電極９の可動を許容するための空間１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置５０は、ＭＥＭＳ技術を用いて形成されたシリコンからなるセンサ素子１０と、センサ素子１０を収納するパッケージ２０とを備えている。そして、センサ素子１０は、枠体部１１と、枠体部１１の内側に配置される重り部１２と、重り部１２を枠体部１１に揺動可能に支持する撓み部１３とを含んでいる。また、重り部１２の上面領域１ｄおよび枠体部１１の上面領域１ｅには、センサ素子１０と電気的に接続される集積回路１５（１５ａ、１５ｂ）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造に要する時間の短縮を図ることができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳＦＥＴ３が形成された半導体基板２上に、下薄膜１０および上薄膜１１を備えるＳｉマイク９が設けられている。半導体基板２上には、表面が平坦面である平坦部８を有する配線層７が積層されており、下薄膜１０は、その平坦部８の表面と平行をなして対向している。すなわち、半導体基板２上に積層される配線層７において、下薄膜１０が対向する平坦部８の表面は、凹部を有していない平坦面となっている。上薄膜１１は、下薄膜１０に対して配線層７と反対側に所定の間隔を空けて対向している。これにより、上薄膜１１は、下薄膜１０との対向方向に振動可能となっている。したがって、上薄膜１１を振動可能とするために、半導体基板２や配線層７に凹部を形成する必要がない。 （もっと読む）