【課題】静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積と可動錘部の質量の設計に関して、さらに好ましくはバネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーは、基板に形成された固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部より空洞部に向けて突出形成された固定電極部１５０と、可動錘部と一体的に移動し、固定電極部と対向する可動電極部１４０と、を有し、可動錘部１２０は、多層の積層構造体により形成される第１可動錘部１２０Ａと、第１可動錘部の下方に位置し、前記基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造工程によりクラックなどの形状不良が生じない微小デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】一表面側に凹所２２を形成することにより凹所２２に囲まれる機能部と凹所２２の外側にフレーム部１１とが設けられた半導体基板１とこの半導体基板１の一表面側に固着され凹所２２を閉塞するベース３とを備え、半導体基板１の凹所２２の底面と前記一表面側と反対側の他表面側との間の部位は薄肉部２３であり、薄肉部２３は梁部形成予定領域２４とエッチング予定領域２５とを備え、エッチング予定領域２５にエッチングを施し梁部形成予定領域２４に梁部１４が形成される微小デバイスの製造方法であって、エッチング予定領域２５の前記他表面側には凹部２１が形成されエッチング予定領域２５にエッチングを施すことにより凹部２１の底部をエッチングにより貫通させた後にエッチング予定領域２５を除去し、梁部１４を形成する工程を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造工程によりクラックなどの形状不良が生じない微小デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】一表面側に凹所２２が形成された半導体基板１と、この半導体基板１の一表面側に固着され前記凹所２２を閉塞するベース３とを備え、半導体基板１の凹所２２の底面と一表面側と反対側の他表面側との間の部位は薄肉部２３であり、薄肉部２３は梁部形成予定領域２４と、エッチング予定領域２５と、を備え、エッチング予定領域２５にエッチングを施し、梁部形成予定領域２４に梁部１４が形成される微小デバイスの製造方法であって、エッチング予定領域２５内に全体に亘って薄肉部２３を貫通させてなる貫通孔２７を複数形成することにより、網目状部２６を薄肉部２３に形成する工程と、前記工程の後、エッチング予定領域２５にエッチングを施し、網目状部２６を除去し、梁部１４を形成する工程と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】磁束を導いてＭＥＭＳデバイスを通過させるための磁極片の使用を提供すること。
【解決手段】磁性材料で充填された１つまたは複数の凹部（１２２、１３０）をそれぞれが有する、２つの対向する基板層（１２８、１２４）が、閉ループ動作をもたらすために、磁束の流れを導いてＭＥＭＳデバイス層（６０）内のコイル（４４）を通過させる。磁束は、１つの磁極片からコイルを通過して第２の磁極片へ流れる。また、リソグラフィ・エッチング技術を用いた製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】キャップ部の剛性確保とキャップ部に設けられた貫通電極の平面サイズを小さくすることとを両立する。
【解決手段】各凹部２１ａ、２１ｂの各底部２１ｃ、２１ｄの一部に溝部３０を設け、この溝部３０に配線部２４を設ける。また、溝部３０の底面３１よりも小さいサイズの貫通孔３２内に、配線部２４に接触すると共に電気的に接続された貫通電極２５を設ける。これによると、キャップ部２０に溝部３０が設けられたことにより、キャップ部２０において貫通孔３２が形成される部位の厚みが小さくなるので、貫通孔３２の平面サイズを小さくすることができる。また、溝部３０によりキャップ部２０のうち貫通孔３２が形成される部位のみを薄くしているので、キャップ部２０のうち貫通孔３２が形成されない部分の厚みを維持でき、ひいてはキャップ部２０の剛性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、導電路の機能劣化を抑制しつつ、寄生容量を低減させる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、電気装置を提供する。この電気装置は、導電性の基板層と、基板層の表面に積層されている絶縁層と、絶縁層の表面に積層されており、導電路を形成する平面形状にパターニングされているとともに、導電性の単結晶で形成されている導電層を備える。この電気装置では、その導電層の表面から裏面に達する側壁が、前記導電層の表面に対して、前記導電層の裏面側表面積が前記導電層の表面側表面積よりも縮小する方向に傾斜していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサを大型化することなく、支持部と錘部とのスティッキングを抑制することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】開口部２３を有する支持部２１と、支持部２１の開口部２３の内側に位置し、支持部２１の内側面２８に対向する外側面２７を有する錘部２２と、支持部２１の各内側面２８と錘部２２の各外側面２７との間にそれぞれ位置し、錘部２２を揺動自在に支持する複数の梁部１３と、複数の梁部１３の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する複数の検出素子１７とを備え、平面視において、錘部２２の各外側面２７と支持部２１の各内側面２８との間隔が、それぞれ錘部２２の外側面２７と支持部２１の内側面２８との間に位置する梁部１３の揺動時の支点となる位置から離間方向に広くなるように形成した。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、かつ、他軸感度比率が小さく、正確に力学量を検出することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサは、枠体と、前記枠体の内側に位置する変位部と、前記枠体に対し前記変位部を揺動可能に支持する梁部とが形成された第１の半導体基板と、開口部を有し、前記枠体に接続された支持部と、前記開口部内で前記変位部に接続された錘部とが形成されており、前記第１の半導体基板に絶縁層を介して積層された第２の半導体基板と、前記第１の半導体基板上に設けられており、前記梁部の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子とを備え、前記梁は、一端が前記枠体に固定され、他端が前記変位部に固定されると共に、前記変位部の外周面との間に所定の間隔をとって前記変位部の外周面に沿って延設されており、前記梁の他端が相対的に太いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、小型化可能な力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】
矩形枠状の枠体１１と、枠体１１の内側に配置された変位部１２と、枠体１１の一辺から対向辺に向かって延在する長尺部１５と長尺部１５に連なり、変位部１２の四隅に接続される接続部１６とを有し、枠体１１の四辺と変位部１２とを接続する４つの梁部１３と、枠体１１との接続部分に位置する検出素子１７とを有し、梁部の１３の撓みを検出素子１７によって検出することにより、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸方向の加速度を検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加速度センサ全体の大きさの増大を抑制しつつ、電極部を臨む開口部を上基板に形成することができる加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る加速度センサの製造方法では、第二基板２０は、次の（Ａ）から（Ｅ）の工程により作成される。（Ａ）ガラスを構成要素として含み、第一基板１より厚さの薄い第一の層２０Ｄを用意する。（Ｂ）ガラスを構成要素として含み、第一の層２０Ｄよりも横幅の狭い、第二の層２０Ｕを用意する。（Ｃ）サンドブラスト加工処理により、第一の層２０Ｄに開口部２０ａを形成する。（Ｄ）工程（Ｃ）の後に、第一の層２０Ｄ上面におけるセンサ部の上方となる位置に、第二の層２０Ｕを配設する。（Ｅ）工程（Ｄ）の後、加熱による溶融接合または陽極接合により、第一の層２０Ｄと第二の層２０Ｕとを接合する。 （もっと読む）

【課題】一体化されたＭＥＭＳおよび半導体電気回路センサを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサであって、第一の層と、基層と、該第一の層と該基層との間に配置された第一の絶縁層と、該第一の層と該基層と該第一の絶縁層のうちの任意の層に形成された空洞であって、該第一の層は半導体電気回路の基板であり、アクティブなＭＥＭＳ要素として存在する、空洞とを備えている、ＭＥＭＳセンサ。本発明の一実施形態において、上記第一の層内にインプラントエリアがさらに備えられ得る。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、梁の破損を防止できる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】矩形枠状の枠体１１と、枠体１１の内側に配置された変位部１２と、枠体１２と変位部１２との間にそれぞれ位置し、変位部１２を揺動自在に支持する複数の梁部１３と、複数の梁部１３の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する複数の検出素子１７とを備え、平面視において、梁部１３の外側面と枠体１１との内側面との間隔が、それぞれ変位部１２と枠体１１との間に位置する梁部１３の揺動時の支点となる位置から離間方向に狭くなるように形成した。 （もっと読む）

【課題】高い感度を示すことができる力学量検出センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサの製造方法は、活性層、ベース層及び前記活性層と前記ベース層との間に挟持された絶縁層で構成されたＳＯＩ基板の前記ベース層を加工して、枠体と、前記枠体の内側に位置する錘と、前記枠体に対し前記錘を揺動可能に支持する梁部と、を形成する工程と、前記梁部の厚さを薄くする工程と、前記活性層上に、前記梁部の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子を形成する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】感度を低下させることなく、多軸方向の感度差を小さくすることができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】開口部２３を有する支持部２１と、支持部２１の開口部２３の内側に位置する錘部２２と、錘部２２を揺動自在に支持する梁部１３と、梁部１３に設けられ、梁部１３の撓み量に基づいて多軸方向の力学量に応じた信号を出力する検出素子１５、１６とを備え、梁部１３の延在方向の少なくとも一部分は、他の部分よりも細く形成し、検出素子１５、１６の出力によって検出される多軸方向の力学量に対する感度差が所定の範囲内に収まるようにした。 （もっと読む）

【課題】加工プロセスに起因したセンサ感度のばらつきを抑えて製造時の歩留まりを向上することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】枠体１１の内側に梁部１３により変位部１２を揺動可能に支持する第１の基板２と、開口部２３を有する支持部２１、変位部１２に接続した錘部２２が形成された第２の基板３と、梁部１３の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子１７とを備え、平面視において、第１の基板２および第２の基板３が、少なくとも枠体１１の内縁１１ａにおける梁部１３との接続部分が支持部２１の開口縁２１ａの外側に位置すると共に、少なくとも変位部１２の外縁１２ａにおける梁部１３との接続部分が錘部２２の外縁２２ａの内側に位置するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】検出素子に対する配線の引き回しが簡易である力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサは、枠体と、変位部と、前記枠体に対し前記変位部を揺動可能に支持する梁部とを有する第１の半導体基板と；前記枠体に接続された支持部と、前記変位部に接続された錘部とが形成されており、前記第１の半導体基板に絶縁層を介して積層された第２の半導体基板と；上部電極と、下部電極と、前記上部電極及び下部電極間に挟持された圧電薄膜とで構成され、前記梁部の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子とを備え、前記下部電極が前記第１の基板と電気的に導通されており、前記変位部が第１のコンタクトホールを介して前記錘部と電気的に導通されており、前記枠体の一つの電極パッドが第２のコンタクトホールを介して前記支持部と電気的に導通されており、前記錘部、前記変位部、前記梁部、前記下部電極、前記枠体及び前記支持部が導通されてアースとなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサ性能のばらつきを抑えることができる半導体物理量センサを提供する。
【解決手段】エッチングを行う際のプラズマによるばね部４４の浸食を防ぐ保護壁７を支持部４５，４６の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】小さい電圧で自己診断を行う加速度検出装置を提供する。
【解決手段】加速度検出装置１は、可撓部を有する基板５と、基板５に接続され、金属からなる導電部を有する重り部７と、を有し、可撓部の撓みに応じて加速度を検出する加速度検出素子３と、重り部７と所定の間隔を隔てて設けられた固定電極２０と、を備え、
貫通導体６を介して重り部７に電圧を印加することにより、重り部７と固定電極２０との間に静電引力が働くようにして自己診断をおこなう。 （もっと読む）

【課題】センサ部と半導体基板との間の膜を等方的にエッチング除去した後の洗浄及び乾燥工程の際にセンサ部下面と半導体基板が固着して離れなくなる現象を回避する。
【解決手段】半導体基板１上に空洞９を介して配置された梁構造のセンサ部７を備えている。半導体基板１の一表面１ａに形成された凹部５の底面とセンサ部７との間に空洞９が形成されている。空洞９にセンサ部７の下面の一部分が露出している。空洞９は凹部５とＬＯＣＯＳ酸化膜の開口部３ａによって形成されている。空洞９の深さはＬＯＣＯＳ酸化膜３の厚みよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】プレーナー技術を用いて作られる小型化されたセンサーを提案する。
【解決手段】（ａ）少なくとも１つの可動性の塊を形成する第１の厚さを示す、厚い領域と呼ばれる半導体材料の第１の領域、（ｂ）基板に対して可動性の塊における少なくとも１つのピボットリンクを形成する、半導体材料の第２の領域であって、基板の平面に平行に走るピボットリンクの軸を有する第２の領域、（ｃ）ピボットリンクの軸の周りにおける可動性の塊の運動の検出用の吊るされたタイプの歪みゲージを形成する第２の領域の厚さより薄い厚さを有する、薄い領域と呼ばれる第３の領域であって、ピボットリンクの軸を含まない、基板の面に平行な平面において延長し、ピボットのねじり軸に垂直な平面において延長し、一側部において可動性の塊に結合され、他側部において基板に結合される第３の領域、を有するという事実によって特徴づけられる表面タイプのＭＥＭＳセンサーを含む。 （もっと読む）