【課題】ＭＥＭＳセンサーなどの物理量センサー、および、物理量センサーを比較的容易に製造できる物理量センサーの製造方法、および、物理量センサーを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】静電容量型加速度センサー１００は、固定部としての固定枠部１１０と、可動錘部１２０と、固定電極を有する固定電極部（固定腕部）１５０（１５０ａ，１５０ｂ）と、可動電極を有する少なくとも一つの可動電極部（可動腕部）１４０（１４０ａ，１４０ｂ）と、を有し、固定電極部１５０（１５０ａ，１５０ｂ）は、第１積層構造体ＡＩＳの側面に形成された、固定電極としての第１側面導体膜ＣＱ１（ＣＱ１ａ，ＣＱ１ｂ）および第１接続電極部Ｌ４（Ｌ４ａ，Ｌ４ｂ）と、を有し、可動電極部１４０（１４０ａ，１４０ｂ）は、第２積層構造体層構造体ＢＩＳの側面に形成された、可動電極としての第２側面導体膜ＣＱ２（ＣＱ２ａ，ＣＱ２ｂ）および第２接続電極部Ｌ５（Ｌ５ａ，Ｌ５ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】駆動錘と検出錘とを有する振動子を２つ備えた振動型角速度センサにおいて、外部衝撃に対する各駆動錘の同調性および各検出錘の同調性を高める。
【解決手段】駆動錘１５０、２５０は、当該駆動錘１５０、２５０がそれぞれ対向する部分に開口部１５２、２５２をそれぞれ備えている。また、検出錘１４０、２４０は、駆動錘１５０、２５０の内側にそれぞれ配置されている。そして、駆動連成梁４００は、第１振動子１００の駆動錘１５０と第２振動子２００の駆動錘２５０とを直接連結している。一方、検出連成梁５００は、駆動錘１５０、２５０の開口部１５２、２５２を介して第１振動子１００の検出錘１４０と第２振動子２００の検出錘２４０とを直接連結している。これにより、外部からの衝撃に対する各駆動錘１５０、２５０の同調性および各検出錘１４０、２４０の同調性の両方を高めることができる。 （もっと読む）

応力分離部を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス２０は、第１の構造層２４に形成された要素２８，３０，３２、第２の構造層２６に形成された要素６８，７０、第１の構造層２４から離間された層２６を含む。製造方法は、層２４と２６との間に接合部７２，７４を形成する工程９２，９４，１０４を含む。接合部７２，７４は、第１層２４の相当する要素３０，３２を第２層２６の要素６８，７０に接続される。製造方法８０は、すべての要素３０，３２，６８，７０がＭＥＭＳデバイス２０の基板２２上に吊らされるように下にある基板２２から構造層２４，２６を解放する工程をさらに含む。ここで、要素３０，３２，６８，７０と基板２２との取付は基板２２の中央領域４６のみに起こる。
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【課題】気密室の内圧のばらつきを抑制しながらも、小型化が可能な気密構造体の製造方法および気密構造体を提供することにある。
【解決手段】気密構造体の製造方法は、シリコン基板により形成され且つ厚み方向の一面側に凹部１ａが形成された第１の基板１と、ガラス基板からなり且つ一表面２ｃに固着ベース３が形成された第２の基板２と、第１の基板１と第２の基板２との間に形成され且つ内部が気密に保たれた気密室Ｃとを備える気密構造体の製造方法であり、第２の基板２に排気孔２ａを形成し固着ベース３に貫通孔３ａを形成した後に、第２の基板２が第１の基板１の前記一面側を覆う形で第２の基板２と第１の基板１における凹部１ａの外周部とを減圧下の真空中で陽極接合により接合し、その後、第２の基板２の排気孔２ａおよび貫通孔３ａを封止するための封止用部材４を真空中で固着ベース３に固着する。 （もっと読む）

駆動信号および／または駆動信号の加速度計感知電子部品への電子パススルーに関連する同相オフセット誤差等の、慣性センサの共振器に印加される駆動信号に関連する誤差源は、駆動信号を変調し、変調した駆動信号によって誘発される加速度計信号を感知することによって検出される。慣性センサ共振器の空気力学に関連する誤差源は、共振器と下側の基板との間の距離を変調し、そのような変調によって誘発される加速度計信号を感知することによって検出される。そのような誤差源によって引き起こされる誤差を実質的に相殺するために、補償信号が提供され得る。
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【課題】メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。
【解決手段】メンブレン部５１と梁部５２〜５５は、Ｓｉ（１００）基板の＜１００＞方向に形成され、梁部５２〜５５はメンブレン部５１の対向する二辺上でのみメンブレン部５１を支持し、梁部５２〜５５の最短部分の長さが幅よりも長い構成となっている。メンブレン部５１上には赤外線を検出するための感熱部９０（赤外線センサーの場合）と赤外線吸収膜９１が形成され、検出した赤外線によって発生される信号を、配線９２、９３が感熱部９０からメンブレン部５１、梁部５３、５５を通って外部へと導いている。メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサの一例であるシリコンマイク１は、開口５が貫通して形成されたシリコン基板２と、開口５に対向して設けられ、その対向方向に振動可能な振動膜６と、振動膜６に形成された圧電素子９とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】振動子エレメントの両端に溝部を設けた静電容量型超音波振動子において、全体に占めるセル領域の面積比率を低下させず、かつ発生させる超音波の出力低下のない静電容量型超音波振動子を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、該シリコン基板の上面に配設された第１の電極と、該第１の電極と対向し所定の空隙を隔てて配設された第２の電極と、該第２の電極を支持するメンブレンとからなる振動子セルから構成され、駆動制御信号を入出力する最小単位である振動子エレメントと、前記シリコン基板の背面に電極パッドを介して接合したフレキシブルプリント基板とから構成される静電容量型超音波振動子において、隣接する前記振動子エレメント間に溝部が設けられ、該溝部に導電膜が形成されていることにより、上記課題の解決を図る。 （もっと読む）

【課題】線形性および応答範囲を改善するために、２つのステータ歯のセットを備える二方向性平面外静電櫛駆動装置を提供する。
【解決手段】電気的に独立した、ステータ櫛歯の第１のセット（１３２）は、ステータ櫛歯の第２セット（１３６）からずれている。ローター櫛歯（１２４）のセットが、ステータ櫛歯の両方のセットに挟み込まれる。ステータ櫛歯の第１セットに付与される第１電圧は、ローター櫛歯をステータ櫛歯の第１セットに方に向けて引くように作用する。ステータ櫛歯の第２セットに付与される第２電圧は、ローター櫛歯をステータ櫛歯の第２セットの方に向けて引くように作用する。これにより、二方向動作が可能になる。機械的および電気的に独立であり、ローター櫛歯にはさみこまれるステータ歯の第１セットおよび第２セットの製造を可能にする製造方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】集積化センサ装置を提供すること。
【解決手段】集積化センサ装置は、表面部分を含む第１の基板および積層構成で第１の基板の表面部分に結合される第２の基板を備え、そこでは空洞が、第１の基板と第２の基板との間に規定される。集積化センサ装置はまた、第１の基板内に少なくとも部分的に設置される１つまたは複数の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサを備え、そこではＭＥＭＳセンサは空洞と連通する。集積化センサ装置はさらに、１つまたは複数のセンサを備える。 （もっと読む）

【課題】初期の製造工程において、電気的な接触なくとも機械的励起の試験を行う。
【解決手段】微細構造の共鳴エレメント（１４）を励起する方法に関し、このエレメントは１つの自由度に従って可動する。その方法は、当該微細構造に荷電粒子ビーム（５１）を作用する工程を備えており、そのビームは、エレメントの自由度に依存して交互運動に当該エレメントを動かすように構成されている。
１つの変形では、粒子ビームは前記自由度と平行な成分を持つ入射角で前記エレメントに作用される。 （もっと読む）

【課題】シリコンマイクロホンモジュール、およびＭＥＭＳチップの小型化に伴い、背気室の体積容量が小さくなり、感度およびＳ／Ｎ比の低下が発生する。
【解決手段】基板に形成された第１の空洞部と、第２の空洞部と、第１および第２の空洞部を接続する空隙部を有し、前記第１の空洞部および第２の空洞部の直上にＭＥＭＳ素子が形成される。２つの空洞部が空隙部を介して接続されることにより形成される空間が、ＭＥＭＳ素子の背気室として機能するため、１つの空洞部で形成される従来の背気室と比較して体積を大きくすることができ、ＭＥＭＳ素子の感度とＳ／Ｎ比を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板と垂直なＺ方向に変位する可動錘部の質量を増大させることができ、ＣＭＯＳプロセスを用いて自在かつ容易に製造可能なＭＥＭＳセンサーを提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部が、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層と、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。可動電極部１４０Ａは積層構造体にて形成され、これと対向する固定電極部１５０Ａとの間の対向面積が可動錘部のＺ方向変位に応じて変化する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ周縁部にフォトレジストを形成することなく半導体ウェハ周縁部の半導体層に不純物イオンが注入されるのを防止し、電解エッチング処理の際に半導体ウェハの表面側と裏面側で電気的に短絡するのを防止する。
【解決手段】半導体ウェハ１の周縁部に、後工程のイオン注入工程でＮ型領域５に注入されるＰ型不純物イオンが突き抜けない程度の膜厚で周縁部絶縁膜１３を形成する。半導体ウェハ１の主表面上にＰ型不純物イオンの注入領域を画定するためにフォトレジスト１７を形成する。イオン注入法により、フォトレジスト１７及び周縁部絶縁膜１３をマスクにして半導体ウェハ１のＮ型領域５の所定の領域にＰ型不純物イオンを注入してＰ型領域１９を形成する。フォトレジスト１７を除去し、半導体ウェハ１の主表面に配線処理を行なった後、半導体ウェハ１のＰ型シリコン基板３に対して電解エッチング処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結され、周囲に第１，第２空隙部１１１，１１２が形成されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部１２０Ａが、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された層間絶縁層と、層間絶縁層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有する。プラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。複数の導電層の一つが可動電極面を有する可動電極部１４０Ａとなり、これと対向する固定電極部１５０Ａが設けられる。 （もっと読む）

【課題】 容量型機械電気変換素子において、大面積かつ狭電極間隔（ギャップ）の犠牲層エッチング速度を高速かつ安定にでき、アレイ素子の生産性（均一性、歩留まり）を向上する。
【解決手段】 基板と、該基板上に配置された支持部によって基板と所定の間隔を保って保持される振動膜から形成されるキャビティと、表面がキャビティに露出した第１の電極と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われた第２の電極とを有し、第１の電極は基板の表面または振動膜の下表面に設けられ、第２の電極は第１の電極と対向して振動膜の表面または基板表面に設けられた容量型機械電気変換素子であって、
第１の電極の表面にその第１の電極を形成する物質の酸化膜からなる微粒子が配置され、この微粒子の直径が２ｎｍから２００ｎｍの範囲であることを特徴とする容量型機械電気変換素子、およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボンディング作業を過度に困難にすることなく、寄生容量を低減させる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、ボンディングパッドが形成されている半導体基板を提供する。この半導体基板は、導電性の基板層と、基板層の表面の一部に積層されている絶縁性の絶縁体と、絶縁体の表面に積層されている固定部と、絶縁体の存在範囲を超えて伸びる張り出し部と、を有するボンディングパッドと、を備える。張り出し部は、張り出し部の裏面が基板層の表面に接するまで弾性変形可能である。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサーの感度の検出に影響を与える可動錘の質量と、容量電極のダンピング係数、弾性変形部のバネ特性等の設計の自由度を向上させる。
【解決手段】多層配線構造を加工して形成されるＭＥＭＳセンサーは、弾性変形部１３０によって固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部が形成されている可動錘部１２０と、固定枠部１１０に固定された固定電極部１５０と、可動錘部１２０に接続され、固定電極部１５０に対向して配置される可動電極部１４０とを含む容量電極部１４５と、可動錘部１２０の質量、可動電極部１４０のダンピング係数および弾性変形部１３０におけるバネ特性の少なくとも一つを調整するための調整層ＣＢＬ（ＣＢＬ１〜ＣＢＬ３）とを含み、調整層ＣＢＬは、多層配線構造の構成要素である、少なくとも一層の絶縁層を含む。 （もっと読む）

【課題】振動による装置の特性劣化を抑制しつつ、配線の寄生容量を低減させる技術を提供する。
【解決手段】本装置は、導電層と、その導電層の一部に積層されている絶縁層を備えている基板と、絶縁層上に固定されている固定部分と、その固定部分から絶縁層が存在しない範囲に伸びているとともに導電層から遊離している遊離部分を有しており、その遊離部分が基板に対して振動する構造体と、絶縁層上に固定されている電極パッドと、固定部分と電極パッドを接続している配線路を備えている。その配線路は、絶縁層上に固定されている支持部分と、その支持部分から絶縁層が存在しない範囲に伸びている差渡し部分を備えている。その差渡し部分の共振振動数が遊離部分の共振振動数よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）