【課題】梁部の強度やダイアフラムの支持強度を低下させることなく、梁部のアンカーで固定されていない部分の長さを長くすることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板３２の上面において、ポリシリコンからなる第１犠牲層４８の延出部４８ａの上に、シリコン酸化膜からなる第２犠牲層４７を介してポリシリコンからなるダイアフラム３３の梁部３６ａを形成する。延出部４８ａは、梁部３６ａの先端部を除く領域の下に形成されている。シリコン基板３２に設けたバックチャンバ３５から延出部４８ａをエッチング除去して梁部３６ａの下面の先端部を除く領域に空洞部５０を形成した後、さらに第２犠牲層４７をエッチングにより除去する。このとき、梁部３６ａの先端部下面に第２犠牲層４７を残してアンカー３７とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。また、絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３５１、３５２を含む中空筒状の第２壁部３５０と第２壁部３５０の開口部３５６を閉じる第２蓋部３２２とを有する第２電極３０２を設ける。そして、第１壁部３４０の一方のダイヤフラム３４１と第２壁部３５０の一方のダイヤフラム３５１とを対向配置させる。これにより、各電極３０１、３０２が絶縁層２００の上で電気的に分離されるので、各壁部３４０、３５０の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 （もっと読む）

【課題】加速度センサの体格の増大が抑制され、加速度センサにおける電気的な接続部材の配置やその形状が変更されない加速度センサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度を電気信号に変換するセンシング部が形成されたセンサ基板と、センシング部を気密封止するための凹部が形成されたパッケージ基板と、が接合されて成るセンサ部を有し、センサ基板におけるパッケージ基板との対向面側に、配線パターンを介してセンシング部と電気的に接続された内部電極が複数形成され、パッケージ基板の内部に、内部電極と同数の貫通電極が形成され、パッケージ基板におけるセンサ基板との対向面の裏面に、外部電極と補助配線が複数形成されている。そして、外部電極は、内部電極と同数の電極が一方向に並んで成る第１外部電極群及び第２外部電極群を有し、これら電極群の並ぶ方向が直交している。 （もっと読む）

【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】変位測定範囲を増加させた可動ゲート型加速度センサを提供することにある。
【解決手段】複数のソース電極１７ａ，１７ｂとドレイン電極１８ａ，１８ｂの組みを設け、ソース電極１７ａ，１７ｂそれぞれにソース配線部１９ａ，１９ｂを接続し、ドレイン電極１８ａ，１８ｂそれぞれにドレイン配線部２０ａ，２０ｂを接続し、それぞれの組のチャネル形成領域２１の上方に矩形状の可動ゲート１５が共通に配置される可動ゲート型加速度センサとした。 （もっと読む）

【課題】可動ゲート電極の変位を制御可能な可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１７とドレイン電極１８との上に導電シールド電極２０が配置される可動ゲート型電界効果トランジスタ１とした。そして導電シールド電極２０の電位を固定することとした。導電シールド電極２０が配置されることにより、可動ゲート１５とドレイン電極１８またはソース電極１７との間に発生する静電力を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】簡便にセンサの耐圧性能を向上させた振動式圧力センサを実現することにある。
【解決手段】 ダイアフラムに振動子が設けられた検出素子を備えた振動式圧力センサにおいて、
前記検出素子の上面に設けられた圧力保護部材と、
前記検出素子の下面に設けられた支持部材と
を具備し、
前記圧力保護部材は、前記ダイアフラムと所定の間隔を保つように形成され、
前記ダイアフラムは過大圧力が印加されることにより変位して前記圧力保護部材に押圧されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】振動膜及び基板の間に介在する介在部材、該振動膜及び該基板の間の固定部分、該振動膜及び該基板の全体にて応力発生が抑制できると共に、犠牲層を形成する工程及び孔をあける工程を省くことができ、ガスエッチングに起因する振動膜の損傷のおそれがなく、高い再現性及び信頼性、かつ簡略化された工程にて製造することが可能な超音波振動子ユニット及び超音波プローブを提供する。
【解決手段】基板の一面側に設けられた基板側電極と、該基板側電極と一面が対向するように配置された振動膜と、該振動膜の他面に設けられた膜側電極とを備える超音波振動子を、基板上に複数設けた超音波振動子ユニットにおいて、基板側電極の一部が該基板の一面に露出するように、該基板側電極を該基板に埋設し、静電引力及び化学結合によって、該振動膜及び該基板の間に、金属性の介在部材を固定する。 （もっと読む）

【課題】音響検知部と振動検知部との間における機械的振動の伝達効率を向上させることによって音響センサのノイズ除去効果を高めることにある。
【解決手段】シリコン基板２８に２つのバックチャンバ３１ａ、３１ｂを形成する。シリコン基板２８の上面には、一方のバックチャンバ３１ａを覆うように形成された振動電極板３３ａと振動電極板３３ａに対向する固定電極板３４ａによって音響検知部２９が作製されている。また、他方のバックチャンバ３１ｂを覆うように形成された振動電極板３３ｂと振動電極板３３ｂに対向する固定電極板３４ｂによって振動検知部３０が作製されている。また、音響検知部２９の固定電極板３４ａには、音響振動を通過させるための音響孔４３を設ける。振動検知部３０の固定電極板３４ｂは振動電極板３３ｂを覆うように形成されており、固定電極板３４ｂは音響孔その他の孔を有していない。 （もっと読む）

【課題】印加される加速度が大きい域で構成部材を接触させずに広い範囲の加速度を検出できる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、基板１と、基板１に対して基板１の厚み方向に変位可能に基板１の表面に支持され、かつ可動電極７を有する変位部材３と、可動電極７と対向するよう配置され、かつ可動電極７との間に静電力を発生させるための固定電極６とを備え、加速度が小さい域では、変位部材３が基板１の厚み方向に変位しても可動電極７と固定電極６との対向面積が一定であり、かつ加速度が大きい域で変位部材３が基板１の厚み方向に変位すると可動電極７と固定電極６との対向面積が変化するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】引き出し電極の抵抗値が小さく、引き出し電極の周りで寄生容量が形成され難い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなるベース基板Ｂ４であって、絶縁分離された複数個のベース半導体領域Ｂｓが上面の表層部の所定領域Ｒ１に形成されてなるベース基板Ｂ４と、シリコンからなるキャップ基板Ｃ４であって、ベース基板Ｂ４の所定領域Ｒ１において、下面がベース基板Ｂ４の上面に貼り合わされるキャップ基板Ｃ４とを有してなる半導体装置１００において、下面が所定のベース半導体領域Ｂｓに接続し、キャップ基板Ｃ４を貫通するようにして、上面がキャップ基板Ｃ４の上面まで伸びる、金属４０で構成された引き出し電極Ｄｅ１が、当該引き出し電極Ｄｅ１の周りにおいて、キャップ基板Ｃ４との間に溝３５を有するように形成されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】従来の領域分割基板と較べて部分領域を引き出し導電領域として利用した場合の抵抗値が小さく、導電性、半導電性または絶縁性の任意の基板材料を用いることができ、適用制限の少ない領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅに分割され、トレンチ３１ａによって形成された部分領域Ｃｅの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、導電層３５を介して、トレンチ３１ａ内に絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ１０とする。 （もっと読む）

【課題】慣性センサと半導体電子回路とを有する半導体装置において、慣性センサの感度を向上させる。
【解決手段】第１半導体層、第１絶縁体層及び基板層の順に積層された支持部と、第１半導体層、第１絶縁体層及び基板層の順に積層された可動錘部と、第１半導体層を有し支持部によって可動錘部を支えるための梁部と、梁部に位置する第１半導体層に形成された歪み検出素子と、支持部に位置する第１半導体層及び可動錘部に位置する第１半導体層の少なくともいずれか一方に形成された半導体素子と、を具備する。このように、支持部及び可動錘部が第１半導体層、第１絶縁体層及び基板層を共通に含むので、可動錘部の質量を大きくし、感度の優れた慣性センサを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 占有面積の縮小、容量の増大、ブラウンノイズの低減及び可動部の質量の増大等の二律背反の要請をバランスよく満足して検出精度を向上することができるＭＥＭＳセンサー及びその製造方法並びに電子機器を提供すること。
【解決手段】 ＭＥＭＳセンサー１０は、固定部２０と、弾性変形部３０と、弾性変形部を介して固定部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部４０と、固定部に第１の方向Ａに沿って配列固定され、第１の方向と直交する第２の方向Ｂに沿って突出する複数の固定電極部５０と、可動錘部より第２の方向に沿って突出形成されて、複数の固定電極部５０にそれぞれ対向して配置され、第１の方向に沿って配列された複数の可動電極部６０とを有する。可動錘部４０は、複数の可動電極部と同一の層に形成され、複数の可動電極部を連結する連結部４２と、複数の可動電極部及び連結部とは異なる層に形成され、連結部に接続された付加錘部４６とを含む。 （もっと読む）

【課題】低加速度領域から高加速度領域までの広い加速度範囲を１つのセンサ素子で高精度に計測できる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、基板部材１と、基板部材１の表面に対して面外に変位可能に基板部材１に支持された検出プレート部２と、基板部材１の厚み方向に変位可能に、検出プレート部２にリンク梁部材３で支持された慣性質量体４とを備え、検出プレート部２は、基板部材１側に向けて突出するストッパ部材５とを含み、ストッパ部材５が基板部材１に接触することにより、加速度に対する検出プレート部２の変位の変化率が変化するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】梁部材を接触させることなく、広範囲の加速度を検出できる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１０は、基板１と、基板１に支持された梁部材２と、基板１に対して移動可能に梁部材２に支持され、可動電極４を有する慣性質量体３と、可動電極４と対向するように配置された固定電極５とを備え、梁部材２は、慣性質量体３にかかる加速度の方向に伸びており、梁部材２は、加速度が大きくなるにつれて変位の変化率が小さくなり、かつ梁部材２が縮んで梁部材２自体が接触するまでの加速度の方向の梁部材２の変位量が加速度がかかった場合の加速度の方向の梁部材２の伸びる部分の変位量より大きい。 （もっと読む）

【課題】水晶基板の結晶欠陥に起因する貫通孔を抑制した積層基板の製造方法、ダイアフラムの製造方法、圧力センサーの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の積層基板４００の製造方法は、第１及び第２の水晶基板１００，２００を接合し基板間に接合層１０５を形成する工程と、前記第１又は／及び第２の水晶基板１００，２００を前記接合層１０５に向かってエッチングして薄肉部２０５を形成する工程と、からなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りつつ高性能化が可能な静電容量型センサを提供する。
【解決手段】可動電極１５，１５と固定電極２５，２５とで構成される２つのコンデンサを有するセンサ部Ｅ１と、センサ部Ｅ１と空間的に分離して配置されセンサ部Ｅ１と協働するＩＣ部Ｅ２と、センサ部Ｅ１およびＩＣ部Ｅ２を厚さ方向の両側から封止するための第１のカバー基板２および第２のカバー基板３とを備える。各カバー基板２，３は、低誘電率基板であるガラス基板２０，３０を用いて形成され、センサ部Ｅ１とＩＣ部Ｅ２とは、第１のカバー基板２に形成されセンサ部Ｅ１に電気的に接続された第１貫通配線２１と、第１のカバー基板２に形成されＩＣ部Ｅ２に電気的に接続された第２貫通配線２２と、第１のカバー基板２におけるセンサ部Ｅ１およびＩＣ部Ｅ２とは反対側の表面に設けられ第１貫通配線２１と第２貫通配線２２とを繋ぐ表面配線２６とで電気的に接続されている。 （もっと読む）

本発明は、一方向（Ｙ１）に沿った向きの変位を測定するための面内ＭＥＭＳ又はＮＥＭＳ検出デバイスであって、基板に対して懸架された振動質量（２０２）であって、前記基板の面に垂直な軸（Ｚ）周りに旋回可能な振動質量（２０２）と、振動質量（２０２）及び基板に機械的に接続された少なくとも一つのピエゾ抵抗歪みゲージとを備え、ピエゾ歪みゲージ（８）が振動質量の厚さよりも小さな厚さを有し、ピエゾ抵抗歪みゲージ（８）の軸（Ｙ）が、振動質量（２０２）の旋回軸（Ｚ）及び重心（Ｇ）を含む面に直交していて、該面が、測定される方向（Ｙ１）に直交している、面内ＭＥＭＳ又はＮＥＭＳ検出デバイスに関する。
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【課題】圧力センサにおいて２枚の単結晶シリコン基板を張り合わせたものやＳＯＩ基板を適用せずに、圧力センサにおいて十分な性能（感度等）を確保すると共に、そのコストをより抑制する。
【解決手段】シリコン基板１の一端面側に形成された酸化膜（またはシリコン窒化膜）２表面に対し膜成長によってポリシリコン膜３が形成される。また、ポリシリコン膜３中には、拡散領域５と、その拡散領域５と接触するようにピエゾ抵抗素子７が形成される。そして、前記シリコン基板１他端面側からエッチングされて形成され前記酸化膜におけるピエゾ抵抗素子７の位置に対して、ダイアフラム１０１が形成される。 （もっと読む）