【課題】キャップ部とセンサ部との接合不良や導通不良が起こらないようにすることができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌの第２配線層２５の上にＧｅの導体層６０を形成し、該導体層６０を第２配線層２５とセンサ部１０の配線層１４とで挟んだ状態で加熱する。これにより、導体層６０を溶かして第２配線層２５の一部と導体層６０とを共晶合金化させると共に、配線層１４と導体層６０とを共晶合金化させる。溶けた導体層６０は、第２配線層２５の表面の凹凸および配線層１４の表面の凹凸を埋めると共に、第２配線層２５の表面と導体層６０との間の空間、および配線層１４の表面と導体層６０との間の空間が無くなるように両者を共晶接合するので、第２配線層２５と配線層１４との接合面積の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】加速度と角加速度のうち少なくとも一方を検出でき、高感度で共振周波数の最適化を図ることができる慣性センサを提供する。
【解決手段】重り部１を支持梁５によって両側から支持して固定部３に固定する。支持梁５は互いに一直線上に形成し、重り部１よりも肉薄に形成する。支持梁５の少なくとも一方を間隔を介して挟む両側に、重り部１と固定部３とを連結する検出梁６を設ける。検出梁６は、重り部１よりも肉薄で、支持梁５よりも幅狭に形成する。重り部１の周りと上下には重り部１の可動空間を形成し、重り部１の重心と支持梁５の重心とは厚み方向の位置がずれるようにする。支持梁５の伸長方向と交わる水平方向から加えられる加速度に応じて、重り部１が支持梁５を軸として変位し、検出梁６が変位するものとし、検出梁６の変位に伴って検出梁６に生じる応力を検知し、その検知応力に基づいて前記加速度を検知する。 （もっと読む）

例示的な音響変換器を提供する。モノリシック半導体層は、プレート、２以上の可撓性伸長部、及び支持構造の少なくとも一部を規定する。プレートに伝達される音圧により、可撓性伸長部に引っ張り歪みが発生する。可撓性伸長部は、引っ張り歪みに応じて変化する電気特性を示す。音圧に対応する電気信号は、変化する電気特性から導出することができ、さらなる目的のために処理される。 （もっと読む）

【課題】ハウジング内に配置されるセンサチップの配線部を測定媒体に曝すことなくハウジングの配線部に容易かつ確実に接続し得るセンサ装置の製造方法およびセンサ装置を提供する。
【解決手段】中空部１１ａが形成される略円筒状のハウジング１１に対して、この中空部１１ａ内に環状凸部１５を形成するとともにこの環状凸部１５の第１環状面１５ｂに絶縁膜１６を介して各ハウジング側配線部１７を形成する。そして、センサチップ２０に対して、各配線２７の一部である露出配線部２７ａを一側面２０ｂのうち外縁を除く部位にて露出するように形成する。そして、センサチップ２０を、一側面２０ｂの外縁にて第２環状面１５ｃに接合してハウジング１１の中空部１１ａ内に配置する。そして、各露出配線部２７ａおよび各ハウジング側配線部１７を電気的に接続する電極３０を両配線部２７ａ，１７上にそれぞれ蒸着（堆積）させる。 （もっと読む）

【課題】半導体層に対して良好にトレンチエッチングを行うことができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層に複数の方向のパターン１，２のトレンチが交差して形成されている半導体素子を製造する際に、複数の方向のパターン１，２のうち少なくとも１つの方向のパターン１に角度の変化点を１つ以上設けて、少なくとも１つの方向のパターン１を延長した箇所から複数の方向のパターン１，２の交差部をずらす（パターン３，４）ように、半導体層上にマスクパターンを形成する工程と、このマスクパターンを使用して、エッチングにより半導体層にトレンチを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板における材料除去を適切に制御することである。
【解決手段】伝導性の基板（１２０）を用いており、かつ伝導性の工具（１００）を用いており、工具は表面構造（１３０）を有しており、前記基板の加工を前記工具を用いて電気化学的なエッチング工程を介して行い、前記エッチング工程を介して前記工具の表面構造に基づき基板の表面から材料を除去する、基板を電気化学的に加工する方法において、電気化学的なエッチング工程中に、前記基板及び前記工具を互いに運動させるようにし、また、上記方法に基づいて基板を電気化学的に加工する装置において、電気化学的なエッチング工程中に前記基板と前記工具とを互いに運動させる運動手段が設けられているようにした。 （もっと読む）

【課題】キャップ部の配線層とセンサ部との接合不良や導通不良が起こらないようにすることができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ部２０に第２配線層２５を形成し、該第２配線層２５を配線部２５ａと気密封止部２５ｂとにパターニングする。そして、配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂに配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂよりも硬く、高さが揃った複数の支柱部２７を設けた後、配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂの各表面を平坦化する。これにより、各支柱部２７よりも配線部２５ａや気密封止部２５ｂが一方的に削れてしまうことを防止し、配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂの各表面を均一に平坦化する。 （もっと読む）

【課題】センシング部からの信号を処理する回路部を保護するとともに組付作業性を向上させ得るセンサチップおよびその製造方法並びに圧力センサを提供する。
【解決手段】センシング部４０ａは、基準室用凹部４１ｂおよび歪みゲージ４４を近接させるように第１のシリコン基板４１の一側面４１ａと第２のシリコン基板４２の一側面４２ａとを貼り合わせることで基準室用凹部４１ｂおよび一側面４２ａにより密閉されて形成される圧力基準室４６を備えるとともに、この圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づくダイアフラム４７の変位に応じた信号が歪みゲージ４４から回路部４５に入力されるように構成される。そして、第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂには、回路部４５からの信号を取り出すための貫通電極４８が形成される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で加圧点の位置を検出できる接触センサを提供する。
【解決手段】梁部と、前記梁部の両端を支持する支持部と、前記梁部の両端近傍に設けられた一対の抵抗素子と、前記抵抗素子を可変抵抗とするブリッジ回路を有し、前記ブリッジ回路の出力電圧に相関する信号を前記梁部の加圧点の位置に対応する信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】振動子を備えた半導体装置において、振動子のキャップ側と支持基板側とのダンピングの効果を均一にすることにより振動子の不要振動を低減する。
【解決手段】キャップ部２０は、第２シリコン層１２の面方向に振動子１６が移動する領域に対向する位置にダミーパターン２６を備えている。これによると、振動子１６とダミーパターン２６との間の間隔が、第２シリコン層１２と振動子１６との間の一定の間隔と同じになるので、振動子１６のキャップ部２０側の封止媒体４１によるダンピング効果と第２シリコン層１２側の封止媒体４１によるダンピング効果とを均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 電極を形成した後に可動部を形成し、その後に電極を保護する保護膜を除去する場合において、既に形成されている可動部が損傷を受けることを抑制する技術を提供する。
【解決手段】 ベース層１４の上方に配置されている半導体層１０に、ベース層１４に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層１４に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法において、固定部と可動部となる領域以外の半導体層１０を除去する半導体層除去工程を実施し、除去された半導体層１０に対応する位置の絶縁体層１２（中間層）と、可動部となる領域とベース層１４の間にある絶縁体層１２とを除去する中間層除去工程を実施し、半導体層除去工程によって半導体層１０に形成された空間内にレジストＰ１を充填するレジスト充填工程を実施する。その後に、電極８０を被覆している保護膜７を除去し、レジストＰ１を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体力学量センサについて、センサの構造の簡略化、チップサイズの低減を図る。
【解決手段】半導体力学量センサのうちキャップ部２０においてセンサ部１０と対向する一面に第１絶縁膜２２、第１配線層２３、第２絶縁膜２４、および第２配線層２５によって構成される配線構造を設け、他方、センサ部１０にセンサ構造体１５〜１７を設ける。そして、キャップ部２０とセンサ部１０とを接合することで、配線構造をセンサ構造体１５〜１７に接続しつつ、センサ構造体１５〜１７を封止する構造とする。第２絶縁膜２４における開口部２４ａは、センサ構造体１５〜１７と第２配線層２４とのコンタクト領域１４ａとは異なる位置にずらされている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とキャップ部材との接合面に印加される応力により半導体装置の特性の精度が低下することを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１０のうちキャップ部材４０と接合される領域に形成された凹部１７、もしくはキャップ部材４０のうち半導体基板１０と接合される領域に形成された凹部４６、４７、もしくはキャップ部材４０のうち半導体基板１０と接合される領域と反対側の領域に形成された凹部４８の少なくとも一つの凹部１７、４６〜４８を備えて半導体装置を構成する。このような半導体装置では、凹部１７、４６〜４８が膨張・収縮が可能となり、応力を緩和することができるため、半導体装置の特性の精度が低下することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】感圧抵抗体及び感温抵抗体を備えるＳｉ半導体基板を用いた圧力検出素子において、コンタクトホールを介した、抵抗体と配線層とを確実に接続するとともに、信頼性の高い配線層を形成した圧力検出素子を提供する。
【解決手段】圧力検出素子１００は、感圧抵抗体１１３及び感温抵抗体１１４と、コンタクトホール１１５Ｃ，１１５Ｄが穿孔された絶縁層と、抵抗体の上面１１３Ｕ，１１４Ｕに接続する配線層１１６と、を有するＳｉ半導体基板を備える。絶縁層は、配線層形成部位１１５ＣＷが、複数の斜面部１１５ＣＳ１，１１５ＣＳ２と、隣り合う２つの斜面部の間に位置する平面部１１５ＣＰと、を有する複数段形状とされている。配線層の厚みＴｈは、絶縁層の全段差Ｄｚの１．２倍より小さく、各々の斜面部１１５ＣＳ１，１１５ＣＳ２で形成される段差Ｄｓ１，Ｄｓ２の１．２倍よりも大きくされている。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサの低背化を実現する。
【解決手段】半導体圧力センサ１が、エッチングによって形成された凹部２１を表面に有する第１半導体基板２と、この第１半導体基板２の表面に貼り合わせられ、当該第１半導体基板２の凹部２１に対応する部分がダイヤフラム部３１として機能する薄膜化された第２半導体基板３とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】単一の半導体基板に半導体圧力センサを形成することで半導体圧力センサの低背化を達成することを課題とする。
【解決手段】半導体の基板１０１に形成されたエッチング用開口部２０５を介して半導体の基板１０１が選択的にエッチング除去されて中空に形成されたチャンバー部１０５と、チャンバー部１０５の上部に形成されて圧力を受けて検知するダイヤフラム部１０７と、エッチング用開口部２０５を閉塞してチャンバー部を封止する封止部１０６とで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 湾曲した半導体層と他部材の接触状態を長期間に亘って維持させる。
【解決手段】 半導体構造体１０は、第１半導体層１１と、第１半導体層１１に対向する第２半導体層１５と、第１半導体層１１と第２半導体層１５の間の一部に介在している中間層１２を備えている。第２半導体層１５は、中間層１２の端部より側方に延びている延長部１５ｄを有し、その延長部１５ｄが第１半導体層１１側に湾曲している。第２半導体層１５の延長部１５ｄの一部と第１半導体層１１の接触範囲において、第２半導体層１５に貫通孔１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】パッドとバンプとの接触端を起点にクラックが発生したとしても、該クラックによって半導体基板が受けるダメージを低減することができる構造を提供する。
【解決手段】第１半導体チップ１０において第１パッド部１２を貫通して第１絶縁層１１ｃに達する第１トレンチ１３を設け、第２半導体チップ２０において第２パッド部２２を貫通して第２半導体基板２１に達する第２トレンチ２３を設ける。そして、バンプ３０によって第１半導体チップ１０と第２半導体チップ２０とをフリップチップ接合する。このとき、各トレンチ１３、２３が、各パッド部１２、２２にバンプ３０が接触した接触面のうちの外縁部に配置されるようにする。これにより、該接触面において各トレンチ１３、２３よりも内側に進展するクラック１５、２５を阻止することができる。 （もっと読む）

【課題】経時変化が少ない高信頼性の半導体力学量検出センサを提供する。
【解決手段】力学量の印加により変位する可動電極を静電力によって初期変位させることで、印加される力学量の大きさや方向を検出している。そのため、従来の圧縮応力膜によって初期変位を与える方法に比べ、経時変化が少ない高信頼性の半導体力学量検出センサを提供することができる。 （もっと読む）

装置は基板上の入力装置を含む基板と、入力装置の領域の外で基板上に形成される少なくとも１つのピエゾ抵抗センサと、を含むかもしれない。装置は、基板上で形成されるディスプレイ、基板上で作られる少なくとも１つのピエゾ抵抗センサと加えられた力を計算して、計算された加えられた力に基づく力反応を起動させるプロセッサを含むかもしれない。方法は、表示装置に印加される力の変化を検出する一つ以上のピエゾ抵抗センサと関連した抵抗をモニターすること、一つ以上のピエゾ抵抗センサと関連した抵抗の変化を検出すること、抵抗の変化の検出に基づいて表示装置に印加される力を計算すること、計算された加えられた力に比例した力反応を起動させること、及び、表示装置によって力反応の結果を示すことを含むかもしれない。 （もっと読む）