半導体装置の製造方法
【課題】 電極を形成した後に可動部を形成し、その後に電極を保護する保護膜を除去する場合において、既に形成されている可動部が損傷を受けることを抑制する技術を提供する。
【解決手段】 ベース層１４の上方に配置されている半導体層１０に、ベース層１４に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層１４に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法において、固定部と可動部となる領域以外の半導体層１０を除去する半導体層除去工程を実施し、除去された半導体層１０に対応する位置の絶縁体層１２（中間層）と、可動部となる領域とベース層１４の間にある絶縁体層１２とを除去する中間層除去工程を実施し、半導体層除去工程によって半導体層１０に形成された空間内にレジストＰ１を充填するレジスト充填工程を実施する。その後に、電極８０を被覆している保護膜７を除去し、レジストＰ１を除去する。
【解決手段】 ベース層１４の上方に配置されている半導体層１０に、ベース層１４に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層１４に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法において、固定部と可動部となる領域以外の半導体層１０を除去する半導体層除去工程を実施し、除去された半導体層１０に対応する位置の絶縁体層１２（中間層）と、可動部となる領域とベース層１４の間にある絶縁体層１２とを除去する中間層除去工程を実施し、半導体層除去工程によって半導体層１０に形成された空間内にレジストＰ１を充填するレジスト充填工程を実施する。その後に、電極８０を被覆している保護膜７を除去し、レジストＰ１を除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベース層の上方に配置されている半導体層に、ベース層に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体装置としては、例えばＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)センサが知られている。図１５に示すＭＥＭＳセンサ１００は、ベース層１１４と、ベース層１１４の上方に配置された半導体層１１０を備えている。半導体層１１０には、ベース層１１４に対して移動不能に固定されている固定部１８２と、ベース層１１４に対して移動可能な可動部１３１が形成されている。固定部１８２は、絶縁層１１２を介してベース層１１４に固定されている。固定部１８２の表面には、電極１８０が形成されている。可動部１３１は、ベース層１１４との間に空間が形成されている。可動部１３１は図示していない断面で、固定部１８２と連結している。ＭＥＭＳセンサ１００は、例えば、加速度や角速度などの力学量の検出に利用される。すなわち、ＭＥＭＳセンサ１００に加速度が作用すると、ベース層１１４に対する可動部１３１の相対位置が変位する。これによる静電容量の変化を電極１８０を介して検出することで、加速度を検出する。
【０００３】
特許文献１には、ＭＥＭＳセンサ１００の製造方法が開示されている。特許文献１の製造方法では、まず、半導体層１１０の表面のうち固定部１８２となる領域の表面に電極１８０を形成する。次に、電極１８０をＳｉＮ等の保護膜で被覆する。次に、固定部１８２と可動部１３１となる領域以外の半導体層１１０をエッチングして除去する。その後に、除去された半導体層１１０に対応する位置の絶縁層１１２と、可動部１３１となる領域とベース層１１４の間にある絶縁層１１２を除去する。これにより、可動部１３１がベース層１１４に対して移動可能な状態（浮き上がった状態）となる。次に、電極１８０を被覆している保護膜を除去する。半導体層１１０や絶縁層１１２を除去する前に電極１８０を保護膜で被覆することにより、エッチング等による電極１８０の損傷を防止している。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２８３４７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電極１８０を被覆している保護膜は、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の異方性エッチングによって除去する。反応性イオンエッチングでは、プラズマ内にＭＥＭＳセンサ１００を載置する。すると、既に形成されている可動部１３１がプラズマ内において帯電し、可動部１３１同士か可動部１３１とベース層１１４とが衝突することがある。これにより、可動部１３１が損傷することがあった。
また、保護膜は、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）等の等方性エッチングによって除去することもある。この場合には、既に形成されている可動部１３１がエッチングによって削れてしまうことがあった。
【０００６】
可動部１３１を形成した後に電極１８０を形成すれば、可動部１３１の損傷と電極１８０の損傷の双方を回避することができる。しかしながら、半導体層１１０の表面に電極１８０を形成するためには、通常、まず表面の全域に金属膜を形成し、その後に、不要な領域の金属膜を除去することで電極１８０を形成する。可動部１３１を形成した後には、半導体層１１０の一部が除去されており、また、可動部１３１とベース層１１４との間に空間が設けられているため、従来の方法で電極１８０を形成することは困難である。
本発明は、電極を形成した後に可動部を形成し、その後に電極を保護する保護膜を除去する場合において、既に形成されている可動部が損傷を受けることを抑制する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書で開示される製造方法は、ベース層の上方に配置されている半導体層に、ベース層に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法である。この製造方法では、電極形成工程と保護膜被覆工程と半導体層除去工程と中間層除去工程とレジスト充填工程と保護膜除去工程とレジスト除去工程をこの順で実施する。電極形成工程では、ベース層と半導体層の間に中間層が配置された状態で、半導体層の表面のうち固定部となる領域の表面に電極を形成する。保護膜被覆工程では、電極を保護膜で被覆する。半導体層除去工程では、固定部と可動部となる領域以外の半導体層を除去する。中間層除去工程では、半導体層除去工程で除去された半導体層に対応する位置の中間層と、可動部となる領域とベース層の間にある中間層とを除去する。レジスト充填工程では、半導体層除去工程によって半導体層に形成された空間内にレジストを充填する。保護膜除去工程では、電極を被覆している保護膜を除去する。レジスト除去工程では、充填したレジストを除去する。
なお、レジスト充填工程では、半導体層除去工程によって半導体層に形成された空間の全てがレジストで充填されていなくてもよい。また、レジスト充填工程を実施した後には、可動部同士又は可動部と他の部材（ベース層や中間層等）とが、レジストを介して仮に固定されるとともに、少なくとも可動部の側面がレジストで被覆されていることが好ましい。可動部の側面は、上記半導体装置の性能と関連が深い。
【０００８】
上記した製造方法では、保護膜除去工程を実施する前に、レジスト充填工程で、半導体層に形成された空間内にレジストを充填することを特徴としている。これにより、可動部の表面をレジストで保護することができる。あるいは、可動部同士又は可動部と他の部材（ベース層や中間層等）とを、レジストを介して仮に固定することができる。したがって、保護膜除去工程で、例えばケミカルドライエッチングを利用して電極の保護膜を除去する場合は、レジストで保護された可動部の表面が削れない。保護膜除去工程で、例えば反応性イオンエッチングを利用して電極の保護膜を除去する場合には、可動部が帯電して何れかの部材と衝突することが防止される。さらに、充填したレジストは、可動部や固定部に損傷を与えることなく簡単に除去することができる。これによって、電極を保護する保護膜を除去する際に、可動部が損傷を受けることを抑制することができる。
【０００９】
上記した半導体装置の製造方法は、さらにＳＯＩ(Silicon on Insulator)基板を準備する工程を有していてもよい。この場合には、ベース層と半導体層の間の「中間層」が絶縁層となる。ＳＯＩ基板を用いることで、簡単に半導体装置を製造することができる。また、上記した製造方法は、ベース層上に配置された中間層の上に半導体層を積層する工程をさらに有していてもよい。この場合には、電極形成工程では、積層された半導体層上に電極を形成する。この方法によると、半導体層の厚みを任意の厚みとすることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本明細書で開示された製造方法によると、半導体層の表面に形成された電極を保護する保護膜を除去する時に、既に形成されている可動部が損傷を受けることを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本明細書で開示される技術の特徴を整理しておく。
（１）半導体装置は、ＭＥＭＳセンサである。
（２）空間を充填するレジストとしては、ノボラック型レジストやポリイミド等を用いる。
【実施例】
【００１２】
図１に、本実施例の半導体装置１の要部を平面視した図を示す。図２は、図１のII-II線断面図である。
半導体装置１は加速度センサとして機能する。半導体装置１は、図１の上部に配置されている検出領域５と、図１の下部に配置されている振動力付与領域３を備えている。
まず、検出領域５の構成について説明する。検出領域５は、一対の電極８０と、各々の電極８０が形成されている電極台座部８２と、各々の電極台座部８２から配線されている２本のアーム部２０と、中央に配置されている第１格子部４０と、第１格子部４０と各々のアーム部２０との間に形成されている櫛歯電極部３０を備えている。
【００１３】
電極８０は、図１の左右両端に形成されている。電極８０はアルミニウム等の金属によって電極台座部８２の表面に形成されている。図２に示すように、電極台座部８２とベース層１４の間には絶縁体層１２が配されている。電極台座部８２は、半導体層１０によって形成されている。
各々の電極台座部８２から中央に向けてアーム部２０が伸びている。アーム部２０は絶縁体層１２を介してベース層１４に固定されている。
第１格子部４０には、平面視すると多数の孔が形成されている。第１格子部４０とベース層１４の間には空間が形成されており、第１格子部４０はベース層１４に対して移動可能となっている。第１格子部４０は、梁５２によって後述する振動力付与領域３の第２格子部４２に連結している。
【００１４】
櫛歯電極部３０は、図１の第１格子部４０の左右両側に形成されている。櫛歯電極部３０は、アーム部２０と接続しているアーム部側櫛歯３２と、第１格子部４０と接続している格子部側櫛歯３１を備えている。アーム部側櫛歯３２を構成する複数個の歯がアーム部２０に等間隔に形成されており、各々の歯がアーム部２０の支持部２１から第１格子部４０側に向けて伸びている。アーム部側櫛歯３２と第１格子部４０との間には所定の間隔が形成され、両者は接触していない。格子部側櫛歯３１を構成する複数個の歯が第１格子部４０に等間隔に配置されており、各々の歯が第１格子部４０からアーム部２０側に向けて伸びている。格子部側櫛歯３１とアーム部２０との間には所定の間隔が形成され、両者は接触していない。アーム部側櫛歯３２の歯と格子部側櫛歯３１の歯は互い違いに間隔を空けて組み合わせられている。図２に示すように、格子部側櫛歯３１とベース層１４の間には空間が形成されており、格子部側櫛歯３１はベース層１４に対して移動可能となっている。また、図示していないがアーム部側櫛歯３２とベース層１４の間にも空間が形成されており、アーム部側櫛歯３２もベース層１４に対して移動可能となっている。半導体装置１に加速度が加わると、アーム部側櫛歯３２に対する格子部側櫛歯３１の位置が変化する。
【００１５】
次に振動力付与領域３の構成について説明する。前述した検出領域５と同一の構成要素には、同一の符号を付与することで詳細な説明を省略する。
振動力付与領域３は、一対の電極８０と、各々の電極８０が形成されている電極台座部８２と、各々の電極台座部８２から配線されている２本のアーム部２０と、中央に配置されている第２格子部４２と、第２格子部４２と各々のアーム部２０との間に形成されている２個の櫛歯電極部３０と、アンカー部６０を備えている。
【００１６】
第２格子部４２も、検出領域５の第１格子部４０と同様に、平面視すると多数の孔が形成されている。第２格子部４２も、ベース層１４との間に空間が形成されており、ベース層１４に対して移動可能となっている。第２格子部４２は、梁５２によって第１格子部４０と連結されている。梁５２も、ベース層１４との間に空間が形成されており、ベース層１４に対して移動可能となっている。
また、第２格子部４２は、梁５０によってアンカー部６０の支持部６１と連結している。梁５０も、ベース層１４との間に空間が形成されており、ベース層１４に対して移動可能となっている。アンカー部６０は、絶縁体層１２を介してベース層１４に固定されている。
【００１７】
したがって、第１格子部４０と、第１格子部４０に形成されている格子部側櫛歯３１と、梁５２と、第２格子部４２と、第２格子部４２に形成されている格子部側櫛歯３１は、梁５０を介してアンカー部６０の支持部６１に連結している。
【００１８】
半導体装置１で加速度を検出する際は、振動力付与領域３の一対の電極８０間に交流電圧が印加される。これにより、振動力付与領域３側の櫛歯電極部３０に力が発生し、第２格子部４２が図１の左右に振動する。この振動の振動力や振動幅は、第２格子部４２とアンカー部６０を連結する梁５０の剛性によって決まる。振動は、梁５２を介して検出領域５の第１格子部４０に伝わる。これにより、第１格子部４０も図１の左右方向に振動する。図１の上下方向に加速度が発生すると、検出領域５の櫛歯電極部３０の格子部側櫛歯３１とアーム部側櫛歯３２の間隔が変化する。これにより、検出領域５の櫛歯電極部３０の静電容量が変化する。この静電容量の変化量を検出領域５の一対の電極８０を介して検出し、検出した静電容量の変化量から加速度の大きさを算出する。
【００１９】
図３〜図１４を参照して半導体装置１の製造方法を説明する。図３〜図１２と図１４は図１のII-II線断面について各工程が実施された状態を示している。
まず図３に示すように、ベース層１４と半導体層１０の間に絶縁体層１２が配されたＳＯＩ基板２を準備する。ベース層１４と半導体層１０の材料にはシリコンが用いられている。絶縁体層１２の材料には酸化シリコンが用いられている。ベース層１４の厚みは６２５μｍであり、絶縁体層１２の厚みは４．５μｍであり、半導体層１０の厚みは４０μｍである。
【００２０】
次に図４に示すように、半導体層１０の表面全体にアルミニウム膜８を堆積する。アルミニウム膜８の厚みは１．０μｍとする。
次に図５に示すように、図４のアルミニウム膜８の一部を除去し、検出領域５と振動力付与領域３の電極８０を形成する。
【００２１】
次に図６に示すように、電極８０を保護膜７で被覆する。保護膜７の材料にはＳｉＮを用いる。保護膜７の厚みは２．０μｍとする。
次に図７に示すように、基板２の表面側全体にマスクＭ１を塗布し、その後にマスクＭ１をパターニングする。これにより、保護膜７で被覆された電極８０上と、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）を形成する領域（可動部形成領域）と、固定部（２０，６０，８２）を形成する領域（固定部形成領域）上のマスクＭ１が残り、その他の領域上に形成されたマスクＭ１が除去される。なお、第１格子部４０と第２格子部４２を形成する領域（可動部形成領域の一部）内では、多数の孔（図１参照）を形成する部分でマスクＭ１を開口する。
【００２２】
次に図８に示すように、マスクＭ１の開口から絶縁体層１２に至るまで半導体層１０をエッチングする。これにより、半導体層１０のうち、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）と固定部（２０，６０，８２）が残存する。図８では、格子部側櫛歯３１と電極台座部８２が残存している状態を示している。
次に図９に示すように、アッシングによってマスクＭ１を除去する。
【００２３】
次に図１０に示すように、基板２をフッ酸薬液処理し、露出している絶縁体層１２を除去する。この際に、絶縁体層１２は等方的に除去される。したがって、露出している絶縁体層１２に加え、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）や固定部（２０，６０，８２）の下方に残存している絶縁体層１２も、側方から薬液によって侵食される。例えば、図１０に示す格子部側櫛歯３１では、格子部側櫛歯３１の下方に残存している絶縁体層１２が、図示左側と右側の両側から薬液に侵食されて除去される。格子部側櫛歯３１は幅が狭いので、格子部側櫛歯３１の下方の絶縁体層１２は全て除去される。同様に、アーム部側櫛歯３２及び梁５０，５２も幅が狭いので、それらの下方の絶縁体層１２は全て除去される。第１格子部４０と第２格子部４２には多数の孔を形成したことにより、それぞれの孔に導入された薬液でそれぞれの孔の周囲の絶縁体層１２が除去される。これにより、第１格子部４０と第２格子部４２の下方の絶縁体層１２も全て除去される。その結果、櫛歯電極部３０と梁５０，５２と第１格子部４０と第２格子部４２は、ベース層１４から離間して可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）となる。
【００２４】
一方、電極台座部８２と、アーム部２０と、アンカー部６０は、側面の面積に比して平面視したときの占有面積が広い。このため、これらの領域の下方の絶縁体層１２も側方から侵食されるが、これらの領域がベース層１４から離間するまでには至らない。したがって、アーム部２０とアンカー部６０と電極台座部８２は、絶縁体層１２を介してベース層１４に固定されている。
【００２５】
次に図１１に示すように、基板２の上面全体にレジストＰ１を塗布する。レジストＰ１はスピンコート法によって塗布する。これにより、残存させた半導体層１０の側方の空間がレジストＰ１で充填される。この際、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）の側面の側方の空間がレジストＰ１で充填されていればよく、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）の下方（ベース層１４との間）が完全にレジストＰ１で充填されている必要はない。なお、充填したレジストＰ１は固化される。
【００２６】
次に図１２に示すように、表面側に形成されたレジストＰ１を除去する。これにより、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）の表面Ｓ１と、電極８０を保護している保護膜７と、電極台座部８２以外の固定部（２０，６０，８２）の表面が露出する。図１３は、この状態を上面視した図であり、理解し易くするために、レジストＰ１と保護膜７にハッチングを付している。また、図１３では明確に示されていないが、第１格子部４０と第２格子部４２の多数の孔にもレジストＰ１が充填されている。
【００２７】
次に図１４に示すように、エッチングによって電極８０を保護していた保護膜７を除去する。保護膜７を除去するエッチングには、ケミカルドライエッチングを実施してもよいし、反応性イオンエッチングを実施してもよい。次にアッシングによってレジストＰ１を除去する。
【００２８】
半導体装置１を平面視すると、半導体層１０の可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）や固定部（２０，６０，８２）に設けられている空間は、面積が広いところもあれば狭いところもある。例えばケミカルドライエッチングを利用して保護膜７を除去すると、既に形成してある可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）や固定部（２０，６０，８２）の側面や表面も削れる。表面はほぼ一様に削れるので、削れる予定の量を見込んで可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）や固定部（２０，６０，８２）の寸法を決定すればよい。しかしながら、側面が削れる量は、その側面が露出している空間の広さに依存するので、削れる量を予測することが難しい。保護膜７を除去する際に、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）のうちの櫛歯（３１，３２）の側面Ｓ２が削れてしまうと、隣接する櫛歯（３１，３２）の間隔の変化によって櫛歯電極部３０において検出する静電容量の値が変化してしまう。これによって、加速度の検出精度が低下してしまう。
【００２９】
本実施例の半導体装置１の製造方法では、電極８０を被覆している保護膜７を除去するのに先立って、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）の側面が露出している空間をレジストＰ１で充填することを特徴としている。これにより、櫛歯電極部３０の櫛歯（３１，３２）の側面Ｓ２がレジストＰ１で保護される。したがって、保護膜７を除去する際に、側面Ｓ２が損傷されることを抑制することができる。櫛歯電極部３０の櫛歯（３１，３２）の側面Ｓ２が損傷されることを抑制するので、加速度の検出精度を向上させることができる。
【００３０】
また、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）のうちの梁５０，５２の側面が削れると、梁５０，５２の幅（剛性）が変化してしまう。これにより、梁５０を介してアンカー部６０に連結している第２格子部４２の振動力や振動周波数が変化してしまう。また、梁５２を介して振動を伝えている第１格子部４０に伝わる振動力や振動周波数が変化してしまう。また、第１格子部４０と第２格子部４２の側面が削れると、第１格子部４０と第２格子部４２の重量が変化してしまう。第１格子部４０と第２格子部４２は、半導体装置１に加速度がかかったときに変位する格子部側櫛歯３１の錘の役割をしている。その重量が変化してしまうと、格子部側櫛歯３１の変位量が変化してしまう。
本実施例の半導体装置１の製造方法では、保護膜７を除去する際に、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）の側面が露出している空間をレジストＰ１で充填するため、梁５０，５２の側面と第１格子部４０の側面と第２格子部４２の側面がレジストＰ１で保護され、損傷され難くなっている。したがって、加速度の検出精度を向上させることができる。
【００３１】
また、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）の側面が露出している空間をレジストＰ１で充填することにより、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）とベース層１４の相対位置が一時的に固定される。このため、例えば反応性イオンエッチングを利用して保護膜７を除去する場合であっても、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）が帯電して何れかの部材と衝突し難くなっている。また、充填したレジストＰ１は、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）に損傷を与えることなく簡単に除去することができる。
本実施例の製造方法によると、反応性イオンエッチングを利用して保護膜７を除去する場合でも、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）が損傷を受けることを抑制することができる。
【００３２】
本実施例では、半導体装置１が加速度センサである場合について説明した。本実施例の製造方法は、ベース層上に半導体層が配置されており、ベース層と半導体層の少なくとも一部の間に空間が設けられることで半導体層に可動部が形成されている他の半導体装置の製造方法にも適用することができる。
【００３３】
本実施例では、ＳＯＩ基板を用いて半導体装置１を形成する場合について説明したが、ＳＯＩ基板を用いなくても半導体装置１を製造することができる。たとえば、以下の工程を実施することで、半導体装置１を製造することができる。
すなわち、半導体ウェハ上に犠牲層膜を堆積し、犠牲層膜上に半導体層を堆積する。次いで、堆積した半導体層のうち固定部となる領域の表面に電極を形成する。以降は、上述した実施例と同様、保護膜被覆工程、半導体層除去工程、犠牲層膜除去工程、レジスト充填工程、保護膜除去工程、レジスト除去工程を実施する。
あるいは、以下の工程を実施してもよい。
すなわち、半導体ウェハの表面の固定部となる領域上に電極を形成し、その電極上に保護膜を形成する。次いで、可動部を形成する領域にのみ半導体ウェハ上に犠牲層膜を堆積し、その堆積した犠牲層膜上にのみ半導体層を堆積する。次いで、犠牲層膜を除去する。以降は、上述した実施例と同様、保護膜除去工程、レジスト除去工程を実施する。
【００３４】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）を備えている半導体装置１を平面視した図である。
【図２】図１のII-II線断面図であり、格子部側櫛歯３１が形成されている領域の要部断面を示す。
【図３】半導体装置１の製造方法を示す。
【図４】半導体装置１の製造方法を示す。
【図５】半導体装置１の製造方法を示す。
【図６】半導体装置１の製造方法を示す。
【図７】半導体装置１の製造方法を示す。
【図８】半導体装置１の製造方法を示す。
【図９】半導体装置１の製造方法を示す。
【図１０】半導体装置１の製造方法を示す。
【図１１】半導体装置１の製造方法を示す。
【図１２】半導体装置１の製造方法を示す。
【図１３】半導体装置１の製造方法を示す
【図１４】半導体装置１の製造方法を示す。
【図１５】従来の半導体装置１００の要部断面を示す。
【符号の説明】
【００３６】
１：半導体装置
２：基板
３：振動力付与領域
５：検出領域
７：保護膜
８：アルミニウム膜
１０：半導体層
１２：絶縁体層
１４：ベース層
２０：アーム部
３０：櫛歯電極部
３１：格子部側櫛歯
３２：アーム部側櫛歯
４０：第１格子部
４２：第２格子部
５０，５２：梁
６０：アンカー部
８０：電極
８２：電極台座部
Ｍ１：マスク
Ｐ１：レジスト
Ｓ２：側面
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベース層の上方に配置されている半導体層に、ベース層に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体装置としては、例えばＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)センサが知られている。図１５に示すＭＥＭＳセンサ１００は、ベース層１１４と、ベース層１１４の上方に配置された半導体層１１０を備えている。半導体層１１０には、ベース層１１４に対して移動不能に固定されている固定部１８２と、ベース層１１４に対して移動可能な可動部１３１が形成されている。固定部１８２は、絶縁層１１２を介してベース層１１４に固定されている。固定部１８２の表面には、電極１８０が形成されている。可動部１３１は、ベース層１１４との間に空間が形成されている。可動部１３１は図示していない断面で、固定部１８２と連結している。ＭＥＭＳセンサ１００は、例えば、加速度や角速度などの力学量の検出に利用される。すなわち、ＭＥＭＳセンサ１００に加速度が作用すると、ベース層１１４に対する可動部１３１の相対位置が変位する。これによる静電容量の変化を電極１８０を介して検出することで、加速度を検出する。
【０００３】
特許文献１には、ＭＥＭＳセンサ１００の製造方法が開示されている。特許文献１の製造方法では、まず、半導体層１１０の表面のうち固定部１８２となる領域の表面に電極１８０を形成する。次に、電極１８０をＳｉＮ等の保護膜で被覆する。次に、固定部１８２と可動部１３１となる領域以外の半導体層１１０をエッチングして除去する。その後に、除去された半導体層１１０に対応する位置の絶縁層１１２と、可動部１３１となる領域とベース層１１４の間にある絶縁層１１２を除去する。これにより、可動部１３１がベース層１１４に対して移動可能な状態（浮き上がった状態）となる。次に、電極１８０を被覆している保護膜を除去する。半導体層１１０や絶縁層１１２を除去する前に電極１８０を保護膜で被覆することにより、エッチング等による電極１８０の損傷を防止している。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２８３４７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電極１８０を被覆している保護膜は、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の異方性エッチングによって除去する。反応性イオンエッチングでは、プラズマ内にＭＥＭＳセンサ１００を載置する。すると、既に形成されている可動部１３１がプラズマ内において帯電し、可動部１３１同士か可動部１３１とベース層１１４とが衝突することがある。これにより、可動部１３１が損傷することがあった。
また、保護膜は、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）等の等方性エッチングによって除去することもある。この場合には、既に形成されている可動部１３１がエッチングによって削れてしまうことがあった。
【０００６】
可動部１３１を形成した後に電極１８０を形成すれば、可動部１３１の損傷と電極１８０の損傷の双方を回避することができる。しかしながら、半導体層１１０の表面に電極１８０を形成するためには、通常、まず表面の全域に金属膜を形成し、その後に、不要な領域の金属膜を除去することで電極１８０を形成する。可動部１３１を形成した後には、半導体層１１０の一部が除去されており、また、可動部１３１とベース層１１４との間に空間が設けられているため、従来の方法で電極１８０を形成することは困難である。
本発明は、電極を形成した後に可動部を形成し、その後に電極を保護する保護膜を除去する場合において、既に形成されている可動部が損傷を受けることを抑制する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書で開示される製造方法は、ベース層の上方に配置されている半導体層に、ベース層に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法である。この製造方法では、電極形成工程と保護膜被覆工程と半導体層除去工程と中間層除去工程とレジスト充填工程と保護膜除去工程とレジスト除去工程をこの順で実施する。電極形成工程では、ベース層と半導体層の間に中間層が配置された状態で、半導体層の表面のうち固定部となる領域の表面に電極を形成する。保護膜被覆工程では、電極を保護膜で被覆する。半導体層除去工程では、固定部と可動部となる領域以外の半導体層を除去する。中間層除去工程では、半導体層除去工程で除去された半導体層に対応する位置の中間層と、可動部となる領域とベース層の間にある中間層とを除去する。レジスト充填工程では、半導体層除去工程によって半導体層に形成された空間内にレジストを充填する。保護膜除去工程では、電極を被覆している保護膜を除去する。レジスト除去工程では、充填したレジストを除去する。
なお、レジスト充填工程では、半導体層除去工程によって半導体層に形成された空間の全てがレジストで充填されていなくてもよい。また、レジスト充填工程を実施した後には、可動部同士又は可動部と他の部材（ベース層や中間層等）とが、レジストを介して仮に固定されるとともに、少なくとも可動部の側面がレジストで被覆されていることが好ましい。可動部の側面は、上記半導体装置の性能と関連が深い。
【０００８】
上記した製造方法では、保護膜除去工程を実施する前に、レジスト充填工程で、半導体層に形成された空間内にレジストを充填することを特徴としている。これにより、可動部の表面をレジストで保護することができる。あるいは、可動部同士又は可動部と他の部材（ベース層や中間層等）とを、レジストを介して仮に固定することができる。したがって、保護膜除去工程で、例えばケミカルドライエッチングを利用して電極の保護膜を除去する場合は、レジストで保護された可動部の表面が削れない。保護膜除去工程で、例えば反応性イオンエッチングを利用して電極の保護膜を除去する場合には、可動部が帯電して何れかの部材と衝突することが防止される。さらに、充填したレジストは、可動部や固定部に損傷を与えることなく簡単に除去することができる。これによって、電極を保護する保護膜を除去する際に、可動部が損傷を受けることを抑制することができる。
【０００９】
上記した半導体装置の製造方法は、さらにＳＯＩ(Silicon on Insulator)基板を準備する工程を有していてもよい。この場合には、ベース層と半導体層の間の「中間層」が絶縁層となる。ＳＯＩ基板を用いることで、簡単に半導体装置を製造することができる。また、上記した製造方法は、ベース層上に配置された中間層の上に半導体層を積層する工程をさらに有していてもよい。この場合には、電極形成工程では、積層された半導体層上に電極を形成する。この方法によると、半導体層の厚みを任意の厚みとすることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本明細書で開示された製造方法によると、半導体層の表面に形成された電極を保護する保護膜を除去する時に、既に形成されている可動部が損傷を受けることを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本明細書で開示される技術の特徴を整理しておく。
（１）半導体装置は、ＭＥＭＳセンサである。
（２）空間を充填するレジストとしては、ノボラック型レジストやポリイミド等を用いる。
【実施例】
【００１２】
図１に、本実施例の半導体装置１の要部を平面視した図を示す。図２は、図１のII-II線断面図である。
半導体装置１は加速度センサとして機能する。半導体装置１は、図１の上部に配置されている検出領域５と、図１の下部に配置されている振動力付与領域３を備えている。
まず、検出領域５の構成について説明する。検出領域５は、一対の電極８０と、各々の電極８０が形成されている電極台座部８２と、各々の電極台座部８２から配線されている２本のアーム部２０と、中央に配置されている第１格子部４０と、第１格子部４０と各々のアーム部２０との間に形成されている櫛歯電極部３０を備えている。
【００１３】
電極８０は、図１の左右両端に形成されている。電極８０はアルミニウム等の金属によって電極台座部８２の表面に形成されている。図２に示すように、電極台座部８２とベース層１４の間には絶縁体層１２が配されている。電極台座部８２は、半導体層１０によって形成されている。
各々の電極台座部８２から中央に向けてアーム部２０が伸びている。アーム部２０は絶縁体層１２を介してベース層１４に固定されている。
第１格子部４０には、平面視すると多数の孔が形成されている。第１格子部４０とベース層１４の間には空間が形成されており、第１格子部４０はベース層１４に対して移動可能となっている。第１格子部４０は、梁５２によって後述する振動力付与領域３の第２格子部４２に連結している。
【００１４】
櫛歯電極部３０は、図１の第１格子部４０の左右両側に形成されている。櫛歯電極部３０は、アーム部２０と接続しているアーム部側櫛歯３２と、第１格子部４０と接続している格子部側櫛歯３１を備えている。アーム部側櫛歯３２を構成する複数個の歯がアーム部２０に等間隔に形成されており、各々の歯がアーム部２０の支持部２１から第１格子部４０側に向けて伸びている。アーム部側櫛歯３２と第１格子部４０との間には所定の間隔が形成され、両者は接触していない。格子部側櫛歯３１を構成する複数個の歯が第１格子部４０に等間隔に配置されており、各々の歯が第１格子部４０からアーム部２０側に向けて伸びている。格子部側櫛歯３１とアーム部２０との間には所定の間隔が形成され、両者は接触していない。アーム部側櫛歯３２の歯と格子部側櫛歯３１の歯は互い違いに間隔を空けて組み合わせられている。図２に示すように、格子部側櫛歯３１とベース層１４の間には空間が形成されており、格子部側櫛歯３１はベース層１４に対して移動可能となっている。また、図示していないがアーム部側櫛歯３２とベース層１４の間にも空間が形成されており、アーム部側櫛歯３２もベース層１４に対して移動可能となっている。半導体装置１に加速度が加わると、アーム部側櫛歯３２に対する格子部側櫛歯３１の位置が変化する。
【００１５】
次に振動力付与領域３の構成について説明する。前述した検出領域５と同一の構成要素には、同一の符号を付与することで詳細な説明を省略する。
振動力付与領域３は、一対の電極８０と、各々の電極８０が形成されている電極台座部８２と、各々の電極台座部８２から配線されている２本のアーム部２０と、中央に配置されている第２格子部４２と、第２格子部４２と各々のアーム部２０との間に形成されている２個の櫛歯電極部３０と、アンカー部６０を備えている。
【００１６】
第２格子部４２も、検出領域５の第１格子部４０と同様に、平面視すると多数の孔が形成されている。第２格子部４２も、ベース層１４との間に空間が形成されており、ベース層１４に対して移動可能となっている。第２格子部４２は、梁５２によって第１格子部４０と連結されている。梁５２も、ベース層１４との間に空間が形成されており、ベース層１４に対して移動可能となっている。
また、第２格子部４２は、梁５０によってアンカー部６０の支持部６１と連結している。梁５０も、ベース層１４との間に空間が形成されており、ベース層１４に対して移動可能となっている。アンカー部６０は、絶縁体層１２を介してベース層１４に固定されている。
【００１７】
したがって、第１格子部４０と、第１格子部４０に形成されている格子部側櫛歯３１と、梁５２と、第２格子部４２と、第２格子部４２に形成されている格子部側櫛歯３１は、梁５０を介してアンカー部６０の支持部６１に連結している。
【００１８】
半導体装置１で加速度を検出する際は、振動力付与領域３の一対の電極８０間に交流電圧が印加される。これにより、振動力付与領域３側の櫛歯電極部３０に力が発生し、第２格子部４２が図１の左右に振動する。この振動の振動力や振動幅は、第２格子部４２とアンカー部６０を連結する梁５０の剛性によって決まる。振動は、梁５２を介して検出領域５の第１格子部４０に伝わる。これにより、第１格子部４０も図１の左右方向に振動する。図１の上下方向に加速度が発生すると、検出領域５の櫛歯電極部３０の格子部側櫛歯３１とアーム部側櫛歯３２の間隔が変化する。これにより、検出領域５の櫛歯電極部３０の静電容量が変化する。この静電容量の変化量を検出領域５の一対の電極８０を介して検出し、検出した静電容量の変化量から加速度の大きさを算出する。
【００１９】
図３〜図１４を参照して半導体装置１の製造方法を説明する。図３〜図１２と図１４は図１のII-II線断面について各工程が実施された状態を示している。
まず図３に示すように、ベース層１４と半導体層１０の間に絶縁体層１２が配されたＳＯＩ基板２を準備する。ベース層１４と半導体層１０の材料にはシリコンが用いられている。絶縁体層１２の材料には酸化シリコンが用いられている。ベース層１４の厚みは６２５μｍであり、絶縁体層１２の厚みは４．５μｍであり、半導体層１０の厚みは４０μｍである。
【００２０】
次に図４に示すように、半導体層１０の表面全体にアルミニウム膜８を堆積する。アルミニウム膜８の厚みは１．０μｍとする。
次に図５に示すように、図４のアルミニウム膜８の一部を除去し、検出領域５と振動力付与領域３の電極８０を形成する。
【００２１】
次に図６に示すように、電極８０を保護膜７で被覆する。保護膜７の材料にはＳｉＮを用いる。保護膜７の厚みは２．０μｍとする。
次に図７に示すように、基板２の表面側全体にマスクＭ１を塗布し、その後にマスクＭ１をパターニングする。これにより、保護膜７で被覆された電極８０上と、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）を形成する領域（可動部形成領域）と、固定部（２０，６０，８２）を形成する領域（固定部形成領域）上のマスクＭ１が残り、その他の領域上に形成されたマスクＭ１が除去される。なお、第１格子部４０と第２格子部４２を形成する領域（可動部形成領域の一部）内では、多数の孔（図１参照）を形成する部分でマスクＭ１を開口する。
【００２２】
次に図８に示すように、マスクＭ１の開口から絶縁体層１２に至るまで半導体層１０をエッチングする。これにより、半導体層１０のうち、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）と固定部（２０，６０，８２）が残存する。図８では、格子部側櫛歯３１と電極台座部８２が残存している状態を示している。
次に図９に示すように、アッシングによってマスクＭ１を除去する。
【００２３】
次に図１０に示すように、基板２をフッ酸薬液処理し、露出している絶縁体層１２を除去する。この際に、絶縁体層１２は等方的に除去される。したがって、露出している絶縁体層１２に加え、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）や固定部（２０，６０，８２）の下方に残存している絶縁体層１２も、側方から薬液によって侵食される。例えば、図１０に示す格子部側櫛歯３１では、格子部側櫛歯３１の下方に残存している絶縁体層１２が、図示左側と右側の両側から薬液に侵食されて除去される。格子部側櫛歯３１は幅が狭いので、格子部側櫛歯３１の下方の絶縁体層１２は全て除去される。同様に、アーム部側櫛歯３２及び梁５０，５２も幅が狭いので、それらの下方の絶縁体層１２は全て除去される。第１格子部４０と第２格子部４２には多数の孔を形成したことにより、それぞれの孔に導入された薬液でそれぞれの孔の周囲の絶縁体層１２が除去される。これにより、第１格子部４０と第２格子部４２の下方の絶縁体層１２も全て除去される。その結果、櫛歯電極部３０と梁５０，５２と第１格子部４０と第２格子部４２は、ベース層１４から離間して可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）となる。
【００２４】
一方、電極台座部８２と、アーム部２０と、アンカー部６０は、側面の面積に比して平面視したときの占有面積が広い。このため、これらの領域の下方の絶縁体層１２も側方から侵食されるが、これらの領域がベース層１４から離間するまでには至らない。したがって、アーム部２０とアンカー部６０と電極台座部８２は、絶縁体層１２を介してベース層１４に固定されている。
【００２５】
次に図１１に示すように、基板２の上面全体にレジストＰ１を塗布する。レジストＰ１はスピンコート法によって塗布する。これにより、残存させた半導体層１０の側方の空間がレジストＰ１で充填される。この際、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）の側面の側方の空間がレジストＰ１で充填されていればよく、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）の下方（ベース層１４との間）が完全にレジストＰ１で充填されている必要はない。なお、充填したレジストＰ１は固化される。
【００２６】
次に図１２に示すように、表面側に形成されたレジストＰ１を除去する。これにより、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）の表面Ｓ１と、電極８０を保護している保護膜７と、電極台座部８２以外の固定部（２０，６０，８２）の表面が露出する。図１３は、この状態を上面視した図であり、理解し易くするために、レジストＰ１と保護膜７にハッチングを付している。また、図１３では明確に示されていないが、第１格子部４０と第２格子部４２の多数の孔にもレジストＰ１が充填されている。
【００２７】
次に図１４に示すように、エッチングによって電極８０を保護していた保護膜７を除去する。保護膜７を除去するエッチングには、ケミカルドライエッチングを実施してもよいし、反応性イオンエッチングを実施してもよい。次にアッシングによってレジストＰ１を除去する。
【００２８】
半導体装置１を平面視すると、半導体層１０の可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）や固定部（２０，６０，８２）に設けられている空間は、面積が広いところもあれば狭いところもある。例えばケミカルドライエッチングを利用して保護膜７を除去すると、既に形成してある可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）や固定部（２０，６０，８２）の側面や表面も削れる。表面はほぼ一様に削れるので、削れる予定の量を見込んで可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）や固定部（２０，６０，８２）の寸法を決定すればよい。しかしながら、側面が削れる量は、その側面が露出している空間の広さに依存するので、削れる量を予測することが難しい。保護膜７を除去する際に、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）のうちの櫛歯（３１，３２）の側面Ｓ２が削れてしまうと、隣接する櫛歯（３１，３２）の間隔の変化によって櫛歯電極部３０において検出する静電容量の値が変化してしまう。これによって、加速度の検出精度が低下してしまう。
【００２９】
本実施例の半導体装置１の製造方法では、電極８０を被覆している保護膜７を除去するのに先立って、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）の側面が露出している空間をレジストＰ１で充填することを特徴としている。これにより、櫛歯電極部３０の櫛歯（３１，３２）の側面Ｓ２がレジストＰ１で保護される。したがって、保護膜７を除去する際に、側面Ｓ２が損傷されることを抑制することができる。櫛歯電極部３０の櫛歯（３１，３２）の側面Ｓ２が損傷されることを抑制するので、加速度の検出精度を向上させることができる。
【００３０】
また、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）のうちの梁５０，５２の側面が削れると、梁５０，５２の幅（剛性）が変化してしまう。これにより、梁５０を介してアンカー部６０に連結している第２格子部４２の振動力や振動周波数が変化してしまう。また、梁５２を介して振動を伝えている第１格子部４０に伝わる振動力や振動周波数が変化してしまう。また、第１格子部４０と第２格子部４２の側面が削れると、第１格子部４０と第２格子部４２の重量が変化してしまう。第１格子部４０と第２格子部４２は、半導体装置１に加速度がかかったときに変位する格子部側櫛歯３１の錘の役割をしている。その重量が変化してしまうと、格子部側櫛歯３１の変位量が変化してしまう。
本実施例の半導体装置１の製造方法では、保護膜７を除去する際に、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）の側面が露出している空間をレジストＰ１で充填するため、梁５０，５２の側面と第１格子部４０の側面と第２格子部４２の側面がレジストＰ１で保護され、損傷され難くなっている。したがって、加速度の検出精度を向上させることができる。
【００３１】
また、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）の側面が露出している空間をレジストＰ１で充填することにより、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）とベース層１４の相対位置が一時的に固定される。このため、例えば反応性イオンエッチングを利用して保護膜７を除去する場合であっても、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）が帯電して何れかの部材と衝突し難くなっている。また、充填したレジストＰ１は、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）に損傷を与えることなく簡単に除去することができる。
本実施例の製造方法によると、反応性イオンエッチングを利用して保護膜７を除去する場合でも、可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）が損傷を受けることを抑制することができる。
【００３２】
本実施例では、半導体装置１が加速度センサである場合について説明した。本実施例の製造方法は、ベース層上に半導体層が配置されており、ベース層と半導体層の少なくとも一部の間に空間が設けられることで半導体層に可動部が形成されている他の半導体装置の製造方法にも適用することができる。
【００３３】
本実施例では、ＳＯＩ基板を用いて半導体装置１を形成する場合について説明したが、ＳＯＩ基板を用いなくても半導体装置１を製造することができる。たとえば、以下の工程を実施することで、半導体装置１を製造することができる。
すなわち、半導体ウェハ上に犠牲層膜を堆積し、犠牲層膜上に半導体層を堆積する。次いで、堆積した半導体層のうち固定部となる領域の表面に電極を形成する。以降は、上述した実施例と同様、保護膜被覆工程、半導体層除去工程、犠牲層膜除去工程、レジスト充填工程、保護膜除去工程、レジスト除去工程を実施する。
あるいは、以下の工程を実施してもよい。
すなわち、半導体ウェハの表面の固定部となる領域上に電極を形成し、その電極上に保護膜を形成する。次いで、可動部を形成する領域にのみ半導体ウェハ上に犠牲層膜を堆積し、その堆積した犠牲層膜上にのみ半導体層を堆積する。次いで、犠牲層膜を除去する。以降は、上述した実施例と同様、保護膜除去工程、レジスト除去工程を実施する。
【００３４】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】可動部（３１，３２，４０，４２，５０，５２）を備えている半導体装置１を平面視した図である。
【図２】図１のII-II線断面図であり、格子部側櫛歯３１が形成されている領域の要部断面を示す。
【図３】半導体装置１の製造方法を示す。
【図４】半導体装置１の製造方法を示す。
【図５】半導体装置１の製造方法を示す。
【図６】半導体装置１の製造方法を示す。
【図７】半導体装置１の製造方法を示す。
【図８】半導体装置１の製造方法を示す。
【図９】半導体装置１の製造方法を示す。
【図１０】半導体装置１の製造方法を示す。
【図１１】半導体装置１の製造方法を示す。
【図１２】半導体装置１の製造方法を示す。
【図１３】半導体装置１の製造方法を示す
【図１４】半導体装置１の製造方法を示す。
【図１５】従来の半導体装置１００の要部断面を示す。
【符号の説明】
【００３６】
１：半導体装置
２：基板
３：振動力付与領域
５：検出領域
７：保護膜
８：アルミニウム膜
１０：半導体層
１２：絶縁体層
１４：ベース層
２０：アーム部
３０：櫛歯電極部
３１：格子部側櫛歯
３２：アーム部側櫛歯
４０：第１格子部
４２：第２格子部
５０，５２：梁
６０：アンカー部
８０：電極
８２：電極台座部
Ｍ１：マスク
Ｐ１：レジスト
Ｓ２：側面
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース層の上方に配置されている半導体層に、ベース層に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法であり、
ベース層と半導体層の間に中間層が配置された状態で、半導体層の表面のうち固定部となる領域の表面に電極を形成する電極形成工程と、
電極形成工程後に、電極を保護膜で被覆する保護膜被覆工程と、
保護膜被覆工程後に、固定部と可動部となる領域以外の半導体層を除去する半導体層除去工程と
半導体層除去工程後に、半導体層除去工程で除去された半導体層に対応する位置の中間層と、可動部となる領域とベース層の間にある中間層とを除去する中間層除去工程と、
中間層除去工程後に、半導体層除去工程によって半導体層に形成された空間内にレジストを充填するレジスト充填工程と、
レジスト充填工程後に、電極を被覆している保護膜を除去する保護膜除去工程と、
保護膜除去工程後に、充填したレジストを除去するレジスト除去工程を備えている半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ＳＯＩ基板を準備する工程をさらに有しており、
電極形成工程では、ＳＯＩ基板上に電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ベース層上に配置された中間層の上に半導体層を積層する工程をさらに有しており、
電極形成工程では、積層された半導体層上に電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
ベース層の上方に配置されている半導体層に、ベース層に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法であり、
ベース層と半導体層の間に中間層が配置された状態で、半導体層の表面のうち固定部となる領域の表面に電極を形成する電極形成工程と、
電極形成工程後に、電極を保護膜で被覆する保護膜被覆工程と、
保護膜被覆工程後に、固定部と可動部となる領域以外の半導体層を除去する半導体層除去工程と
半導体層除去工程後に、半導体層除去工程で除去された半導体層に対応する位置の中間層と、可動部となる領域とベース層の間にある中間層とを除去する中間層除去工程と、
中間層除去工程後に、半導体層除去工程によって半導体層に形成された空間内にレジストを充填するレジスト充填工程と、
レジスト充填工程後に、電極を被覆している保護膜を除去する保護膜除去工程と、
保護膜除去工程後に、充填したレジストを除去するレジスト除去工程を備えている半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ＳＯＩ基板を準備する工程をさらに有しており、
電極形成工程では、ＳＯＩ基板上に電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ベース層上に配置された中間層の上に半導体層を積層する工程をさらに有しており、
電極形成工程では、積層された半導体層上に電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１０−１４７０６９（Ｐ２０１０−１４７０６９Ａ）
【公開日】平成２２年７月１日（２０１０．７．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３１９６１５（Ｐ２００８−３１９６１５）
【出願日】平成２０年１２月１６日（２００８．１２．１６）
【出願人】（０００００３２０７）トヨタ自動車株式会社 (59,920)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月１日（２０１０．７．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月１６日（２００８．１２．１６）
【出願人】（０００００３２０７）トヨタ自動車株式会社 (59,920)
【Ｆターム（参考）】
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