【課題】耐クラック性に優れ、しかもＭＥＭＳ等の深堀された微細凹凸に対する樹脂の埋め込み性能が良好であり、保護膜の粘着性を抑えた基板表面保護膜用組成物及びそれを用いた基板の製造方法を提供する。
【解決手段】環球法で測定した軟化点が１４０℃以上であるフェノール樹脂と、Ｔｇが７０℃以下である熱可塑性樹脂と、有機溶媒とを含有し、フェノール樹脂と熱可塑性樹脂との含有質量比が１００：４０〜１００：３００であって、２５℃における粘度が４〜１００００ｍＰａ・ｓである基板表面保護膜用組成物、及び、それを用いて微細加工された凹凸を有する基板表面を被覆保護し、次に、その裏面を加工する工程を含む基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 複雑で高価な工法を用いることなく、光スキャナ素子構造の破損を防止しながら光スキャナ素子を個片として加工できる光スキャナの製造方法を提供する。
【解決手段】 光スキャナ素子１を形成する加工ウエハ１１の表面を加工する際に、光スキャナ素子１をチップとして個片化するためのダイシングストリート１２を形成する工程と、加工ウエハ１１が光スキャナ素子１の可動部に対応したキャビティ１３を有する支持基板１４を加工ウエハ１１の一方の表面に仮接合する工程と、加工ウエハ１１の仮接合面と反対側の面を粘着フィルム１６に貼り付け、仮接合に用いた部材１５の接合力を消失させて加工ウエハから支持基板１４を剥離する工程と、粘着フィルム１６をエキスパンドさせた後、光スキャナ素子１をピックアップしてパッケージングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を低減して、ノイズの増大、帯域幅の減少や感度の低下を防止することができる電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、基板７と、振動膜４と、基板７と振動膜４との間に間隙５が形成されるように振動膜４を支持する振動膜支持部６と、から構成されるセル１と、基板７に絶縁物１１を介して配置されたセル１の引き出し配線１２と、を有する。電気機械変換装置において、絶縁物１１は振動膜支持部６の厚さよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】ハニカムの繋ぎ目での変形が少ない高アスペクト比のハニカム構造体を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】所定の条件で塑性変形する薄膜層３０を、複数の凹部を有するテンプレート２５に密着させる工程と、凹部と薄膜層３０との間の空間のガス圧力により薄膜層３０を膨張延性させることで、複数個の隔壁３５を一定方向に形成し、複数個の隔壁３５及び各隔壁を連結する天井部３０Ｂからなる中空体を硬化させる工程と、天井部３０Ｂを除去する工程と、有し、天井部３０Ｂを除去した中空体の隔壁３５間を補強材により把持する工程と、中空体の天井部３０Ｂを除去した側に、新たに薄膜層８０を圧着して、再び中空体（隔壁）形成を行う。 （もっと読む）

【課題】エアダンピング効果の影響を低減でき、さらに効率よく製造することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面２１および裏面２２を有し、振動膜７と、当該振動膜７を支持し、当該振動膜７の直下に空間６を区画するフレーム部８と、振動膜７に保持された錘９とを有するＳＯＩ基板２において、フレーム部８の底面（底壁）８３に、そのフレーム部８の内側面８２から外側面８１に至る溝１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子線照射によるレジストパターンのドライエッチング耐性を向上させる手段において、酸素が存在する雰囲気中でも、レジストパターンの形状劣化を防止し、微細な転写パターンを形成することを可能とするナノインプリント用モールドの製造方法およびレジストパターンの形成方法を提供する
【解決手段】レジストパターン２を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜３を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線４を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

本発明は、蛍光アッセイに適したシリコン微小担体並びにかかる微小担体の製造方法を開示している。本方法は、単結晶シリコンの下層、絶縁層及び単結晶シリコンの上層を含むＳＯＩウェーハを提供する工程、微小粒子を描画する工程、絶縁層をエッチング除去する工程、次に最終的に微小粒子をリフトオフする前に微小粒子を保持し続けるウェーハ上に酸化物層を堆積させる工程を含む。
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【課題】針状、円錐あるいは台形状等種々の形状の貫通孔を明けることができ、バリや穴底の丸まりや形状不良がほとんど無く、形状・寸法精度に優れ、大面積にわたり均一な性状の微細孔を有する樹脂シートを製造する方法を提案する。
【解決手段】本発明に係る樹脂シートの微細貫通孔成形方法は、微細突起を有する加熱されたスタンパ上に樹脂シートを供給する段階と、前記樹脂シート上に溶融樹脂媒体を供給する段階と、前記溶融樹脂媒体を介して軟化した前記樹脂シートを押圧し、前記微細突起によりその樹脂シートを穿孔する段階と、前記溶融樹脂媒体及び前記樹脂シートを押圧しつつ冷却する段階と、固化した前記溶融樹脂媒体及び前記加工された樹脂シートを前記スタンパから剥離する段階と、前記加工された樹脂シートと前記固化した溶融樹脂媒体とを剥離する段階と、を有している。 （もっと読む）

【課題】表面に反応性を付与することで機能性に優れ、安価で量産性の高い樹脂製の微細構造体の提供を目的とする。
【解決手段】１個の重合性二重結合を有しフリーラジカル重合により重合しエポキシ基、カルボキシル基、アミド基、アミノ基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、メチロール基のいずれか一つ以上を有する単量体Ｚ、単量体Ｚと混合した時に均一な液体となり１個の重合性二重結合を有しフリーラジカル重合により重合し単量体Ｚを含まない単量体Ｘ、および単量体Ｘと混合した時に均一な液体となり２個以上の重合性二重結合を有しフリーラジカル重合により重合する単量体Ｙからなり、（単量体Ｘ＋単量体Ｚ）と単量体Ｙの重量比が９０／１０〜５５／４５の範囲にある単量体Ｘ，Ｙ及びＺの重合体Ａ、および単量体Ｘと単量体Ｙと単量体Ｚとの混合液体に溶解またはコロイド状に分散する重合体Ｂを主たる成分とする重合体組成物からなり、表面にミクロな凹凸構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハンドリング部材に載置される基板の熱膨張係数と違いすぎる熱膨張係数を有する物質からなるハンドリング部材の使用を避けることができる技術を提供することを目的として、マイクロエレクトロニクス用機能ウェハーのためのハンドリングウェハーを作成する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハンドリングウェハーは、厚みを貫通する１つ以上の視認用の透明な窓を含んでおり、このハンドリングウェハーを作成する方法は、ａ）ハンドリングウェハーに少なくとも１つの空洞部を形成するステップと、ｂ）位置合わせ表面又は受け取り表面上であって、かつ形成された少なくとも１つの空洞部中に、少なくとも１つの視認用窓を形成するステップと、を含んでいる。 （もっと読む）

安定的かつ音響的感度が高いマイクロフォン構造体を有する素子と、このようなマイクロフォン構造体を有する素子を簡単かつ低コストで製造する方法とを提供する。このマイクロフォン素子は、音響的に動作するダイヤフラム（１１）と、音響透過性であり固定された対向エレメント（１２）とを有する。前記ダイヤフラムは、マイクロフォンコンデンサの変位可能な電極として機能し、前記対向エレメントは、該マイクロフォンコンデンサの対向電極として機能する。さらに前記マイクロフォン構造体は、前記マイクロフォンコンデンサの容量変化を検出および評価するための手段を有する。前記ダイヤフラム（１１）は、前記素子の半導体基板（１）上のダイヤフラム層（３）で実現され、該半導体基板の裏面に設けられた音響空洞（１３）上に架かるように形成されている。前記対向エレメント（１２）は、前記ダイヤフラム（１１）上の別の層（５）で実現されている。本発明では、前記別の層（５）が実質的に素子面全体にわたって延在し、該別の層（５）に応じて素子表面が十分に平坦になるように該別の層（５）は高低差を補償する。このことにより、ウェハ結合体において露出されたマイクロフォン構造体の層構成体上に膜を設けることができ、この膜により、本発明の複数の素子の分離を標準的なソーイング法で行うことができる。
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【課題】保護シートがセンサ構造体に触れないようにし、センサ構造体が破損することを防止する。
【解決手段】治具４によって保護シート１のキャップ部５の形状を保持した状態でダイシング装置への搬送およびダイシング工程を行う。そして、半導体基板１１の裏面側からダイシングカットを行う。これにより、搬送時やダイシング工程の際に保護シート１が変形することを防止でき、保護シート１がセンサ構造体１０に触れないようにできるため、センサ構造体１０が破損することを防止することができる。そして、半導体基板１１の裏面側からダイシングカットを行っているため、治具４を保護シート１から取り外さなくても、治具４がダイシングブレード１３と干渉して邪魔になることなく、確実にダイシング工程を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体層に対して良好にトレンチエッチングを行うことができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層に複数の方向のパターン１，２のトレンチが交差して形成されている半導体素子を製造する際に、複数の方向のパターン１，２のうち少なくとも１つの方向のパターン１に角度の変化点を１つ以上設けて、少なくとも１つの方向のパターン１を延長した箇所から複数の方向のパターン１，２の交差部をずらす（パターン３，４）ように、半導体層上にマスクパターンを形成する工程と、このマスクパターンを使用して、エッチングにより半導体層にトレンチを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電極を形成した後に可動部を形成し、その後に電極を保護する保護膜を除去する場合において、既に形成されている可動部が損傷を受けることを抑制する技術を提供する。
【解決手段】 ベース層１４の上方に配置されている半導体層１０に、ベース層１４に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層１４に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法において、固定部と可動部となる領域以外の半導体層１０を除去する半導体層除去工程を実施し、除去された半導体層１０に対応する位置の絶縁体層１２（中間層）と、可動部となる領域とベース層１４の間にある絶縁体層１２とを除去する中間層除去工程を実施し、半導体層除去工程によって半導体層１０に形成された空間内にレジストＰ１を充填するレジスト充填工程を実施する。その後に、電極８０を被覆している保護膜７を除去し、レジストＰ１を除去する。 （もっと読む）

【課題】錘部となるウエハが損傷しにくいＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む （もっと読む）

【課題】可動部と、フレームと、これらを連結する連結部とを有するマイクロ可動素子において可動部とフレームを一時的に架橋するサポート構造体を切断や除去するのに適し、且つ、サポート構造体由来の材料片を介した短絡に起因する動作不良を回避するのに適した、マイクロ可動素子製造方法、これによって製造されるマイクロ可動素子、および、そのようなマイクロ可動素子を含む光スイッチング素子を提供する。
【解決手段】本発明は、材料基板に可動部１０、フレーム２０、および連結部４０を作り込む成形工程と、成形工程の途中において、材料基板の表面にフィルム材料を貼り合せ、当該フィルム材料をパターニングすることにより、可動部１０およびフレーム２０を架橋するためのサポート構造体７１を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 機械電気変換装置の製造時に、素子の物理的強度を補強でき、素子の加工後には容易に短時間で剥離することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 基板とメンブレンとからなるエレメントを有する被処理基板に対し、後の裏面加工に耐えうるような流路を設けたハンドリング部材を用意し、前記素子内の少なくとも一部が前記ハンドリング部材により支持されるように、前記ハンドリング部材を前記被処理基板に固定する。 （もっと読む）

【課題】広いガス吸収面積と低い熱慣性をもたらす、知られているゲッター材料構造を熱的に活性化するために必要な熱活性化出力よりも低い熱活性化出力で済むゲッター材料ベース構造を提供すること。
【解決手段】ゲッター構造（１００）は、基材（１０２）と、少なくとも１つの支持材（１１０、１１２）を使って基材（１０２）に機械的に接続された少なくとも１つのゲッター材料ベース層（１０８）とを備え、基材（１０２）と接触する支持材（１１０、１１２）の表面はゲッター材料層（１０８）の、支持材（１１０、１１２）と接触している第１の面（１０７）の表面よりも小さく、前記第１の面の反対側の、ゲッター材料層（１０８）の第２の面（１０９）は少なくとも部分的に露出されている。 （もっと読む）

本発明は、マイクロマシニング型の構成素子のための製造方法、相応の構成素子複合体、及び相応のマイクロマシニング型の構成素子に関する。本発明に係る方法は、以下のステップ、すなわち、第１の前面側の表面（Ｖ１；Ｖ１′；Ｖ１′′；Ｖ１′′′）及び第１の背面側の表面（Ｒ１；Ｒ１′；Ｒ１′′；Ｒ１′′′）を備える、多数の半導体チップ（ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３；ＳＣ２′′；ＳＣ１′′′，ＳＣ２′′′；ＳＣ３′′′）の第１の複合体（Ｗ１；Ｗ１′；Ｗ１′′；Ｗ１′′′）を用意するステップと、第２の前面側の表面（Ｖ２；Ｖ２′′′）及び第２の背面側の表面（Ｒ２；Ｒ２′′′）を備える、対応する多数のキャリア基板（ＳＳ１，ＳＳ２，ＳＳ３；ＳＳ１′′′，ＳＳ２′′′，ＳＳ３′′′）の第２の複合体（Ｗ２；Ｗ２′）を用意するステップと、前記第１の前面側の表面（Ｖ１；Ｖ１′；Ｖ１′′；Ｖ１′′′）及び／又は前記第２の前面側の表面（Ｖ２；Ｖ２′′′）に、排気通路（ＳＫ，ＫＧ）を備える構造化された付着層（ＳＧ）を印刷するステップと、前記第１の前面側の表面（Ｖ１；Ｖ１′；Ｖ１′′；Ｖ１′′′）と、前記第２の前面側の表面（Ｖ２；Ｖ２′′′）とを、それぞれ１つの半導体チップ（ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３；ＳＣ２′′；ＳＣ１′′′，ＳＣ２′′′；ＳＣ３′′′）及び対応するキャリア基板（ＳＳ１，ＳＳ２，ＳＳ３；ＳＳ１′′′，ＳＳ２′′′，ＳＳ３′′′）を備える多数のマイクロマシニング型の構成素子に対応するようにアライメント調整するステップと、前記第１の前面側の表面（Ｖ１；Ｖ１′；Ｖ１′′；Ｖ１′′′）と、前記第２の前面側の表面（Ｖ２；Ｖ２′′′）とを、前記構造化された付着層（ＳＧ）を介して、圧力を印加した状態で結合するステップであって、各々の半導体チップ（ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３；ＳＣ２′′；ＳＣ１′′′，ＳＣ２′′′；ＳＣ３′′′）が前記対応するキャリア基板（ＳＳ１，ＳＳ２，ＳＳ３；ＳＳ１′′′，ＳＳ２′′′，ＳＳ３′′′）に、それぞれのマイクロマシニング型の構成素子に対応するように結合され、このとき、周囲雰囲気のガスが前記排気通路（ＳＫ，ＫＧ）を通して外部に逃げることができるように結合するステップと、マイクロマシニング型の構成素子を個別化するステップと、を有する。
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【課題】脆弱な部分を有する構造の半導体装置を製造する際に、半導体装置の破損を避けてダイシングを行なう。
【解決手段】本発明の半導体装置１００の製造方法は、複数のチップを有する半導体ウェーハ１０１における各チップの所定の領域上に、振動膜１０３を形成する工程（ａ）と、各チップの振動膜１０３上に位置する犠牲層１１３を含む中間膜１０２を半導体ウェーハ上に形成する工程（ｂ）と、中間膜１０２上に固定膜１０４を形成する工程（ｃ）と、半導体ウェーハ１０１をブレードダイシングすることにより、各チップ１００ａを分離する工程（ｄ）と、各チップ１００ａに対するエッチングにより、犠牲層１１３を除去して振動膜１０３と固定膜１０４との間に空隙を設ける工程（ｅ）とを備える。 （もっと読む）