視認用窓を有するハンドリングウェハー
【課題】ハンドリング部材に載置される基板の熱膨張係数と違いすぎる熱膨張係数を有する物質からなるハンドリング部材の使用を避けることができる技術を提供することを目的として、マイクロエレクトロニクス用機能ウェハーのためのハンドリングウェハーを作成する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハンドリングウェハーは、厚みを貫通する１つ以上の視認用の透明な窓を含んでおり、このハンドリングウェハーを作成する方法は、ａ）ハンドリングウェハーに少なくとも１つの空洞部を形成するステップと、ｂ）位置合わせ表面又は受け取り表面上であって、かつ形成された少なくとも１つの空洞部中に、少なくとも１つの視認用窓を形成するステップと、を含んでいる。
【解決手段】本発明に係るハンドリングウェハーは、厚みを貫通する１つ以上の視認用の透明な窓を含んでおり、このハンドリングウェハーを作成する方法は、ａ）ハンドリングウェハーに少なくとも１つの空洞部を形成するステップと、ｂ）位置合わせ表面又は受け取り表面上であって、かつ形成された少なくとも１つの空洞部中に、少なくとも１つの視認用窓を形成するステップと、を含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミクロ電子工学の方法又はマイクロシステムの適用に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような方法においては、位置合わせが、例えば一時的な支持部材（いわゆるハンドリング部材（ｈａｎｄｌｅ））又はケーシングによって遮蔽されてしまうパターンによって行わなければならない場合がある。
【０００３】
このような場合は例えば、半導体物質からなる薄化されたウェハーが３００μｍ未満の厚みで使用される場合に生じる。このようなウェハーはこの薄さによって非常に壊れやすく、既存のマイクロエレクトロニクス装置においては取り扱うことができない。
【０００４】
位置合わせを必要とする典型例の方法は、フォトリソグラフィーである。フォトリソグラフィー用マスクによる位置合わせは、半導体ウェハーに刻まれたパターンによって達成される。ここでもまた、一時的な支持部材（ハンドリング部材）はこれら位置あわせ用目印を遮蔽する。
【０００５】
図１Ａは、その表面４に位置合わせ領域６、６’を含むウェハー２を図示している。
【０００６】
これら領域は、位置合わせ用目印又はパターンを含み、部品、及び／又は例えば別のウェハーのような別の半導体要素の、基板２の表面４に対する所定の位置への位置決めを可能にする。このウェハー２は、ハンドリングウェハー８の上にその前面が載るように移送される（図１Ｂ）。しかし、これによってハンドリングウェハーは位置決め用目印又はパターン６、６’を遮蔽し、望ましい位置決めの達成を妨げる。図１Ｃは、薄化工程後の同じウェハー２を図示しており、目印は常に視認できない。
【０００７】
生じ得る別の場合は図２に図示されているものであり、ケーシング１２が、保護されるべき機能領域（例えば、ＭＥＭＳ、又はＮＥＭＳ、又はＭＯＥＭＳ等）を含むウェハー１０の表面に移送される。
【０００８】
この場合、前述の場合と同様に、位置合わせ領域６、６’はケーシング１２によって遮蔽されて、もはや視認できない状態にある。
【０００９】
今日に至るまで、提供された解決法は透明なハンドリングウェハー８又は透明なケーシング１２の使用を提案している。
【００１０】
しかし、異なる性質のウェハーが高温で組み立てられる場合には、２つのウェハーの熱膨張差によって、室温に戻された際に組立体の変形がもたらされてしまう。これは、透明な物質からなるウェハーを使用する場合である。
【００１１】
図３Ａは、高温における透明なハンドリングウェハー１６のウェハー１８との組立をまさしく図示している。
【００１２】
室温に戻った後の状況が図３Ｂに図示されており、そこには変形が現れている。
【００１３】
この変形は、マイクロエレクトロニクス装置における取り扱いの問題を生じさせる。さらに、変形はフォトリソグラフィーによって得られるパターンの解像度を低下させる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
したがって課題は、ハンドリング部材に載置される基板の熱膨張係数と違いすぎる熱膨張係数を有する物質からなるハンドリング部材の使用を避けることができる、別の技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は第一に、基板、マイクロエレクトロニクス部品、又はマイクロエレクトロニクス機能ウェハーのためのハンドリングウェハーを作成する方法に関し、このハンドリングウェハーは、厚みを貫通する少なくとも１つの視認用窓を含んでおり、この方法は、
ａ）ハンドリングウェハーに少なくとも１つの空洞部を形成するステップと、
ｂ）位置合わせ表面又は受け取り表面上に、若しくはこの表面に面するこの空洞中に少なくとも１つの視認用窓を形成するステップと、
を含んでいる。
【００１６】
「機能ウェハー」は、微小寸法を有する部品を含む例えばウェハーのような、いずれかのマイクロエレクトロニック構造を意味している。
【００１７】
さらに、「視認用窓」は、位置合わせ領域における目印を認識させるように、殆どの場合に可視領域において使用される波長に対して透明である物質からなるいずれかの要素として理解される。この物質は、例えば空気又は液体、さらには固体とすることができる。結局、位置合わせ領域は１つ以上の位置合わせ用目印を含むことができる。
【００１８】
ウェハーの平面における空洞部の区画は任意の区画とすることができ、空洞部は円形状又は多角形状の区画を有することができる。
【００１９】
この区画は、数平方ミリメータ〜数平方センチメータ、例えば５ｍｍ２〜１０ｃｍ２とすることができる表面領域を有することができる。
【００２０】
空洞部のそれぞれは、ハンドリングウェハーの第１の面に孔（ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有し、この孔を通じて透明な窓の材料が導入され、空洞部の底部は閉じられているとともに好ましくは平坦であるか、又は好ましくは平坦であり、かつハンドリングウェハーの第２の面に一致するとともに、第１の面に実質的に平行な表面上にある。したがってそこには、空洞部それぞれに配置することができる窓若しくはその物質との位置合わせ表面がある。
【００２１】
１つの実施形態においては、貫通空洞部がステップａ）の間であってステップｂ）の前に形成され、ハンドリングウェハーが支持基板と組み立てられ、この基板がステップｂ）の後に除去される。この支持基板は次いで位置合わせ若しくは受け入れ表面、又はこの位置合わせ若しくは受け入れ表面に平行な表面を提供する。ウェハーと支持基板とは両面接着結合剤の手段によって組み立てることができ、この場合、位置合わせ若しくは受け入れ表面を形成するのは接着結合剤層である。
【００２２】
支持基板はステップｂ）の後に、ハンドリングウェハーのせん断方向の動きと支持基板のせん断方向の動きとによって除去することができる。この目的のために、熱可溶性ポリマータイプの接着結合剤が好都合に使用される。
【００２３】
代替的に、非貫通空洞部をステップａ）の間に形成することができる。したがって位置合わせ若しくは受け入れ表面を形成するのは空洞部の底面である。この場合、ウェハーの厚み部分はステップｂ）の後に除去されて、少なくとも１つの空洞部は薄化されたウェハーにおける貫通空洞部となる。
【００２４】
ステップｂ）の間に、透明若しくは視認用の液体物質をこの空洞部の中に挿入することができ、この物質は次いで固化される。
【００２５】
代替的に、ステップｂ）の間に、固体物質からなる少なくとも１つの透明窓部若しくは視認用窓部がこの空洞部の深さの全体又は一部分に挿入される。
【００２６】
また、本発明はマイクエレクトロニクス用基板又はマイクロエレクトロニクス用機能ウェハーのためのハンドリングウェハーに関し、このハンドリングウェハーは、少なくとも１つの透明窓部若しくは視認用窓部及び／又はこのハンドリングウェハーの厚みを貫通する空洞部を含んでいる。
【００２７】
本発明による方法又は装置においては、
‐窓部は、ほう珪酸ガラス、ソドカルシックガラス、溶融ガラス、フューズドシリカ、シリコーン、又はポリマー物質から形成することができ、及び／又は、
‐ウェハーは、半導体物質、又はセラミック若しくはポリマー物質とすることができる。
【００２８】
また本発明は、少なくとも１つのアラインメント用マーク若しくは領域を含むウェハー、又は機能ウェハーを処理する若しくはハンドリングするための方法に関し、この方法は、このウェハーの、本発明に係る若しくは本発明による方法によって得られるハンドリングウェハーとのアセンブリーを含み、ハンドリングウェハーの窓部によって、ハンドリングウェハーを貫通する少なくとも１つのアラインメントマークの全て又は一部を視認することができ、したがって、前記ウェハー又は機能ウェハーの処理を可能にする。この処理は例えば少なくとも薄化及び／又は別のウェハーとのアセンブリーを含むことができる。機能ウェハーを処理した後、ハンドリングウェハーは除去されるか又はそのまま残される。ハンドリングウェハーがそのまま残された場合には、このハンドリングウェハーは次いでケーシングの役目を果たす。
【００２９】
ウェハーは、少なくとも１つの部品、例えばＭＥＭＳ、ＮＥＭＳ、又はＭＯＥＭＳタイプをさらに含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１Ａ】従来技術による方法を示す図である。
【図１Ｂ】従来技術による方法を示す図である。
【図１Ｃ】従来技術による方法を示す図である。
【図２】ＭＥＭＳを支持する基板によるケーシングのアセンブリーを示す図である。
【図３Ａ】ＴＥＣ（熱膨張係数）の差による問題を示す図である。
【図３Ｂ】ＴＥＣの差による問題を示す図である。
【図４Ａ】本発明による基板のアセンブリー及びハンドリングウェハーのアセンブリーを示す図である。
【図４Ｂ】本発明による基板のアセンブリー及びハンドリングウェハーのアセンブリーを示す図である。
【図４Ｃ】本発明による基板のアセンブリー及びハンドリングウェハーのアセンブリーを示す図である。
【図４Ｄ】本発明による基板のアセンブリー及びハンドリングウェハーのアセンブリーを示す図である。
【図５Ａ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図５Ｂ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図５Ｃ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図５Ｄ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図５Ｅ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図５Ｆ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図５Ｇ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図６Ａ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第２の方法を示す図である。
【図６Ｂ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第２の方法を示す図である。
【図６Ｃ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第２の方法を示す図である。
【図６Ｄ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第２の方法を示す図である。
【図７Ａ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第３の方法を示す図である。
【図７Ｂ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第３の方法を示す図である。
【図７Ｃ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第３の方法を示す図である。
【図７Ｄ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第３の方法を示す図である。
【図７Ｅ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第３の方法を示す図である。
【図７Ｆ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第３の方法を示す図である。
【図８】本発明によるハンドリング装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明によるハンドリングウェハー２０’の第１の例示的な使用が図４Ａ〜４Ｄに図示されている。
【００３２】
ウェハー２は、図１Ａにおけるアラインメントマークと同様のアラインメントマーク６，６’をその表面４に含んでいる。このウェハーは、その表面を通じて、いわゆるハンドリングウェハーと称されるウェハー２０に接続されているが、ウェハー２０には窓部２２，２４が設けられており、この窓部によってアラインメントパターン６，６’の視認が可能とされている。
【００３３】
図４Ｂは代替例を図示しており、この図において基板は図２に図示したタイプであり、この基板の表面はアラインメントマーク６，６’だけでなく、例えばＭＥＭＳ、ＮＥＭＳ、ＭＯＥＭＳなどの構成部品をも組み込んでいる。このウェハーは、その表面を通じて、いわゆるハンドリングウェハーと称されるウェハー２０’に接続されており、この場合もまたウェハー２０’には窓部２２，２４が設けられており、この窓部によってアラインメントパターン６，６’の視認が可能とされている。
【００３４】
図４Ａの場合には、ウェハー２は次いで薄化することができ、次いで図４Ｃの構造を形成するように背面２’を処理される。同じ結果を図４Ｂのウェハー１０によって得ることができる。ウェハー２の別の処理を、代替的に又は薄化と組み合わせて、例えば図４Ｂの基板のような別の基板１００にアセンブリーすることによって行うことができる。
【００３５】
図４Ａ〜４Ｃにおいては、窓部と、窓部が形成されるウェハーに形成された穴部２１，２３の端部との間の空隙は、コーティング２２’、２４’によって充填される。
【００３６】
図４Ｄにおいて検討される代替例においては、窓部の導入又は形成、特にこれら穴における固体の窓部は除外されている。
【００３７】
本発明によるハンドリングウェハーのいくつかの例示的な実施形態が、以下に記載される。これら全ての例の最初に、例えばシリコン又はＡｓＧａのような別の半導体物質、又はセラミック又はポリマーからなる当初のウェハー２０（図５Ａ，６Ａ，７Ａ）が検討される。よって、窓部が一体化されるウェハーは、処理されるウェハー（又はさらなる機能ウェハー）の熱膨張係数（ＴＥＣ）と同等の又はそれに近い熱膨張係数を有し、処理されるウェハーは次いで窓を設けられたウェハー上に移動される。通常は、処理されるウェハーは例えばシリコンのような半導体物質からなる。
【００３８】
ハンドリングウェハーの形成が可能であるウェハーは、ｘｙ平面に拡がりを有している。このｘｙ平面に垂直な方向ｚに沿って測定された厚みＩは小さく、例えば数百マイクロメータ〜数ミリメータ、例えば１００μｍ〜１ｍｍ又は５ｍｍである。
【００３９】
空洞部２１，２３，４１，４３，６１，６３がエッチングによってウェハー２０に形成される（図５Ｂ，６Ｂ，７Ｂ）。このエッチングに使用することができる技術の中には、レーザー技術又は超音波機械加工によるもの、又は研磨（ｓａｎｄｉｎｇ）によるもの、又はプラズマ技術若しくは化学的技術（とりわけＫＯＨ、ＴＭＡＨ、又はフッ化キセノンによるエッチング）によるものが挙げられる。
【００４０】
多岐に亘る所与の例においては、窓部は例えば固体又は固体化された物質、例えばホウ珪酸ガラス、ソドカルシックガラス、可溶ガラス、フューズドシリカ、シリコーン、又はエポキシからなっていても良い。
【００４１】
第１の例が図５Ａ〜５Ｆに関連して記載される。
【００４２】
上述のように、空洞部２１、２３はハンドリングウェハー２０にエッチングによって形成されている（図５Ｂ）。得られた空洞部部２１、２３は貫通していて、したがって実際のウェハーの厚みＥと同一の厚みを有している。
【００４３】
空洞部を設けられたこのウェハーは、接着剤層３２を設けられた平らな表面を有する支持部材３０上に一時的に移動される（図５Ｃ）。この接着剤層は例えば熱可溶タイプであって、その接着力は加熱によって抑制される。
【００４４】
空洞部それぞれは、当初はハンドリングウェハーの第１の主面２０１にアパーチャー２１’、２３’を含んでおり、このアパーチャー２１’、２３’を通じて透明な窓部の材料が次いで導入される。支持ウェハー３０上への移送によって、空洞部それぞれの第２のアパーチャー２１”、 ２３”が閉じられる。したがって、空洞部の底は、ハンドリングウェハー２０の第２面２０２に位置合わせされた、第１面２０１にほぼ平行な平面上にある。
【００４５】
例えばガラス、石英、又はポリマーの透明な窓部は、次いで空洞部部２１、２３の中に配置されるか又は導入することができる（図５Ｄ）。支持部材３０又は支持部材３０の接着層の支持部材上に存在しているのとは反対側の面は、窓部を、ウェハー２０のｘｙ平面に垂直な垂直方向ｚにある空洞部の中に適切に位置付けするための平坦な受け入れ面若しくは位置合わせ面を提供している。しかし、窓部は空洞部部を充填することなく、特に、この受け入れ面に対して後退させることができる。
【００４６】
次いで、窓部をこれら空洞部部中にシールする。シール材は図５Ｅにおいて参照符号３１’、 ３３’によって示されている。
【００４７】
次いで、接着剤層を取り除くことによって支持部材３０（図５Ｆ）を除去することができ、ウェハーの第２面２０２を解放する。窓部３１、３３は次いで、２つの面２０１、２０２それぞれに露出される。
【００４８】
また、得られたウェハー２０’の表面及び背面の研磨を行い、光学的特性を持たせることができる。
【００４９】
窓部３１、３３を有するウェハー２０’は次いで、既知の技術、例えば樹脂３５の手段によるウェハーボンディングのタイプ、共晶タイプの溶融材料、又は陽極シーリングによって別のウェハー４０上に移送することができる。このウェハー４０は、それぞれ図１Ａ及び２に関して上述された、既に説明したようにアラインメントパターン又はマークを含むウェハー２又はウェハー１０のタイプとすることができる。表面に配置されたこれらパターン又はマークは、ハンドリングウェハーの窓部を通して視認することができ、よって背面の位置合わせを可能とするように使用される。
【００５０】
別の典型的な実施形態が図６Ａ〜６Ｄに図示されている。
【００５１】
当初のウェハー２０（図６Ａ）においては、空洞部４１、４３もまたこのウェハーにエッチングすることによって形成される。上述の実施形態とは異なり、得られた空洞部部４１、４３はここでは貫通しておらず、したがって実際のウェハーの厚みＥよりも小さい深さｅを有している。
【００５２】
次いで、透明な物質５１、５３によってこれら空洞部を充填するが、前述の例における窓部３１、３３は固体状態で空洞部部２１、２３に導入されていたのに対し、この場合には透明な物質は液体又はペーストタイプである。ここでは例えば溶融ガラス又は溶融シリカ又はＵＶポリマー若しくは熱ポリマーを選択することができる。この物質は次いで、固化を可能とする温度条件下に置いて固化される。
【００５３】
空洞部のそれぞれは、ハンドリングウェハー２０の第１主面２０１にアパーチャー４１’、４３ ’を含み、これらアパーチャー４１’、４３ ’を通じて透明な窓部の材料が導入される。空洞部４１、４３それぞれのエッチングされていない底部４１”、 ４３”は、窓部それぞれの材料を、ウェハー２０のｘｙ平面に平行な平面内の、ウェハー２０のｘｙ平面に垂直な垂直方向ｚに沿って、対応する空洞部部中に適切に配置するための平坦な面を形成する。
【００５４】
次いで、ウェハーの薄化が少なくとも空洞部それぞれの底部４１”、 ４３”まで行われて、ウェハーの２つの主面２０１、２０２のそれぞれ上に露出させ、よって透明な窓部を生成する。ここでは透明な物質は固体である。これによって、ウェハーと空洞部４１、４３との間の厚みの違いはほぼ無くなる。薄化されたウェハーの表面及び背面の研磨をさらに行うことができ、よって光学的特性を得ることができる。
【００５５】
この実施形態は、前述の実施形態のウェハー３０のようなバックアップ（又は支持用）ウェハーの使用を必要としない。ハンドリングウェハーの第２面における窓部の位置合わせは、空洞部それぞれの底部４１”、４３”によって好都合に達成される。この実施形態によれば、当初は液体である物質を使用することが特に可能となる。
【００５６】
別の例示の実施形態は、図７Ａ〜７Ｆに示されている。
【００５７】
ここでもまた、当初のウェハー２０から始まり、空洞部６１、６３がこのウェハーにエッチングによって形成される。前述の実施形態とは異なり、得られた空洞部６１、６３はここでも貫通しており、したがって実際のウェハーの厚みＥと同じ深さｅを有している。
【００５８】
空洞部を有するこのウェハーは、接着剤３２’（図７Ｃ）を有する支持ウェハー上に移送されて、平坦な位置合わせ表面又は受け入れ表面を形成する。例えば接着剤は熱可溶タイプであり、その接着力は加熱によって抑制することができ、例えば一時的なウェハー接着ボンディング用にＢｒｅｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅによって開発されたタイプとすることができる。
【００５９】
支持ウェハーに垂直な軸ｚに沿って窓部を位置合わせするか又は位置決めするための、この支持ウェハー３０及び／又は接着剤３２’の役割は、図５Ａ〜５Ｇに関連して上述された実施形態の場合と同じである。
【００６０】
次いで、例えばエポキシ又はシリコーンのタイプの透明なポリマーのような液体状態の透明な物質７１、７３によってこれら空洞部が充填される。この物質は次いで、この物質を固化する温度条件下に置いて固化される。
【００６１】
次いで、層３２’の高温でのせん断によって、支持ウェハー３０を取り除くことができる（図７Ｅ）。
【００６２】
また、こうして得られたウェハー２０’の表面及び背面の洗浄及び／又は研磨を行って、光学的特性を有させることが可能である。
【００６３】
いずれの実施形態を選択しても、窓部はいずれのタイプの位置合わせ装置、その他の用途専用の装置、又は特定の装置の部分によって視認することができるように十分に広くすることができる。例えば、窓部は、基板２０の表面に平行な方向に沿って測定された場合に、数十マイクロメータ〜数百マイクロメータ若しくは数ミリメータ、例えば１００μｍ〜３ｍｍ若しくは５ｍｍの幅又は最大サイズを有する。
【００６４】
有利には、本発明によるハンドリングウェハーの窓部は研磨された表面を有し、分解能を悪化させることが無い。
【００６５】
本発明によるハンドリング基板の視認用窓部は、視認用スペクトルの範囲における照射に対する透明度を有し、このスペクトルは少なくとも可視スペクトル（可視光の範囲にある高感度カメラを含むフォトリソグラフィーの殆どの装置部分）の一部、又は例えば、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、又は５００ｎｍ〜６００ｎｍ、７００ｎｍ、又は７５０ｎｍを含む。透明な窓部の物質は例えばガラス又はポリマーとすることができる。
【００６６】
本発明は、上述した実施形態の例えば少なくとも１つのような視認用装置若しくは画像化装置を有するか、又は少なくとも１つのスペクトル範囲に敏感なカメラを有する、例えば上述に開示されたような少なくとも１つの基板又はウェハーを備える、特にフォトリソグラフィー用の装置にさらに関しており、基板又はウェハーの窓部のうちの少なくとも１つは少なくとも部分的に透明とされている。
【符号の説明】
【００６７】
２・・・機能ウェハー
６、６’・・・アラインメント用領域
１４・・・部品
２０’・・・ハンドリングウェハー
２１、３１、４１、４３、６１、６３・・・空洞部
２１、２３、６３・・・貫通空洞部
３１、３３、５１、５３、６１、６３・・・窓部
３１、３３、５１、５３、７１、７３・・・視認用窓部
３２、４１”、４３”、３２’・・・位置合わせ又は受け取り表面
３０・・・支持基板
３２、３２’・・・両面接着結合剤
５１、５３、７１、７３・・・視認用物質
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミクロ電子工学の方法又はマイクロシステムの適用に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような方法においては、位置合わせが、例えば一時的な支持部材（いわゆるハンドリング部材（ｈａｎｄｌｅ））又はケーシングによって遮蔽されてしまうパターンによって行わなければならない場合がある。
【０００３】
このような場合は例えば、半導体物質からなる薄化されたウェハーが３００μｍ未満の厚みで使用される場合に生じる。このようなウェハーはこの薄さによって非常に壊れやすく、既存のマイクロエレクトロニクス装置においては取り扱うことができない。
【０００４】
位置合わせを必要とする典型例の方法は、フォトリソグラフィーである。フォトリソグラフィー用マスクによる位置合わせは、半導体ウェハーに刻まれたパターンによって達成される。ここでもまた、一時的な支持部材（ハンドリング部材）はこれら位置あわせ用目印を遮蔽する。
【０００５】
図１Ａは、その表面４に位置合わせ領域６、６’を含むウェハー２を図示している。
【０００６】
これら領域は、位置合わせ用目印又はパターンを含み、部品、及び／又は例えば別のウェハーのような別の半導体要素の、基板２の表面４に対する所定の位置への位置決めを可能にする。このウェハー２は、ハンドリングウェハー８の上にその前面が載るように移送される（図１Ｂ）。しかし、これによってハンドリングウェハーは位置決め用目印又はパターン６、６’を遮蔽し、望ましい位置決めの達成を妨げる。図１Ｃは、薄化工程後の同じウェハー２を図示しており、目印は常に視認できない。
【０００７】
生じ得る別の場合は図２に図示されているものであり、ケーシング１２が、保護されるべき機能領域（例えば、ＭＥＭＳ、又はＮＥＭＳ、又はＭＯＥＭＳ等）を含むウェハー１０の表面に移送される。
【０００８】
この場合、前述の場合と同様に、位置合わせ領域６、６’はケーシング１２によって遮蔽されて、もはや視認できない状態にある。
【０００９】
今日に至るまで、提供された解決法は透明なハンドリングウェハー８又は透明なケーシング１２の使用を提案している。
【００１０】
しかし、異なる性質のウェハーが高温で組み立てられる場合には、２つのウェハーの熱膨張差によって、室温に戻された際に組立体の変形がもたらされてしまう。これは、透明な物質からなるウェハーを使用する場合である。
【００１１】
図３Ａは、高温における透明なハンドリングウェハー１６のウェハー１８との組立をまさしく図示している。
【００１２】
室温に戻った後の状況が図３Ｂに図示されており、そこには変形が現れている。
【００１３】
この変形は、マイクロエレクトロニクス装置における取り扱いの問題を生じさせる。さらに、変形はフォトリソグラフィーによって得られるパターンの解像度を低下させる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
したがって課題は、ハンドリング部材に載置される基板の熱膨張係数と違いすぎる熱膨張係数を有する物質からなるハンドリング部材の使用を避けることができる、別の技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は第一に、基板、マイクロエレクトロニクス部品、又はマイクロエレクトロニクス機能ウェハーのためのハンドリングウェハーを作成する方法に関し、このハンドリングウェハーは、厚みを貫通する少なくとも１つの視認用窓を含んでおり、この方法は、
ａ）ハンドリングウェハーに少なくとも１つの空洞部を形成するステップと、
ｂ）位置合わせ表面又は受け取り表面上に、若しくはこの表面に面するこの空洞中に少なくとも１つの視認用窓を形成するステップと、
を含んでいる。
【００１６】
「機能ウェハー」は、微小寸法を有する部品を含む例えばウェハーのような、いずれかのマイクロエレクトロニック構造を意味している。
【００１７】
さらに、「視認用窓」は、位置合わせ領域における目印を認識させるように、殆どの場合に可視領域において使用される波長に対して透明である物質からなるいずれかの要素として理解される。この物質は、例えば空気又は液体、さらには固体とすることができる。結局、位置合わせ領域は１つ以上の位置合わせ用目印を含むことができる。
【００１８】
ウェハーの平面における空洞部の区画は任意の区画とすることができ、空洞部は円形状又は多角形状の区画を有することができる。
【００１９】
この区画は、数平方ミリメータ〜数平方センチメータ、例えば５ｍｍ２〜１０ｃｍ２とすることができる表面領域を有することができる。
【００２０】
空洞部のそれぞれは、ハンドリングウェハーの第１の面に孔（ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有し、この孔を通じて透明な窓の材料が導入され、空洞部の底部は閉じられているとともに好ましくは平坦であるか、又は好ましくは平坦であり、かつハンドリングウェハーの第２の面に一致するとともに、第１の面に実質的に平行な表面上にある。したがってそこには、空洞部それぞれに配置することができる窓若しくはその物質との位置合わせ表面がある。
【００２１】
１つの実施形態においては、貫通空洞部がステップａ）の間であってステップｂ）の前に形成され、ハンドリングウェハーが支持基板と組み立てられ、この基板がステップｂ）の後に除去される。この支持基板は次いで位置合わせ若しくは受け入れ表面、又はこの位置合わせ若しくは受け入れ表面に平行な表面を提供する。ウェハーと支持基板とは両面接着結合剤の手段によって組み立てることができ、この場合、位置合わせ若しくは受け入れ表面を形成するのは接着結合剤層である。
【００２２】
支持基板はステップｂ）の後に、ハンドリングウェハーのせん断方向の動きと支持基板のせん断方向の動きとによって除去することができる。この目的のために、熱可溶性ポリマータイプの接着結合剤が好都合に使用される。
【００２３】
代替的に、非貫通空洞部をステップａ）の間に形成することができる。したがって位置合わせ若しくは受け入れ表面を形成するのは空洞部の底面である。この場合、ウェハーの厚み部分はステップｂ）の後に除去されて、少なくとも１つの空洞部は薄化されたウェハーにおける貫通空洞部となる。
【００２４】
ステップｂ）の間に、透明若しくは視認用の液体物質をこの空洞部の中に挿入することができ、この物質は次いで固化される。
【００２５】
代替的に、ステップｂ）の間に、固体物質からなる少なくとも１つの透明窓部若しくは視認用窓部がこの空洞部の深さの全体又は一部分に挿入される。
【００２６】
また、本発明はマイクエレクトロニクス用基板又はマイクロエレクトロニクス用機能ウェハーのためのハンドリングウェハーに関し、このハンドリングウェハーは、少なくとも１つの透明窓部若しくは視認用窓部及び／又はこのハンドリングウェハーの厚みを貫通する空洞部を含んでいる。
【００２７】
本発明による方法又は装置においては、
‐窓部は、ほう珪酸ガラス、ソドカルシックガラス、溶融ガラス、フューズドシリカ、シリコーン、又はポリマー物質から形成することができ、及び／又は、
‐ウェハーは、半導体物質、又はセラミック若しくはポリマー物質とすることができる。
【００２８】
また本発明は、少なくとも１つのアラインメント用マーク若しくは領域を含むウェハー、又は機能ウェハーを処理する若しくはハンドリングするための方法に関し、この方法は、このウェハーの、本発明に係る若しくは本発明による方法によって得られるハンドリングウェハーとのアセンブリーを含み、ハンドリングウェハーの窓部によって、ハンドリングウェハーを貫通する少なくとも１つのアラインメントマークの全て又は一部を視認することができ、したがって、前記ウェハー又は機能ウェハーの処理を可能にする。この処理は例えば少なくとも薄化及び／又は別のウェハーとのアセンブリーを含むことができる。機能ウェハーを処理した後、ハンドリングウェハーは除去されるか又はそのまま残される。ハンドリングウェハーがそのまま残された場合には、このハンドリングウェハーは次いでケーシングの役目を果たす。
【００２９】
ウェハーは、少なくとも１つの部品、例えばＭＥＭＳ、ＮＥＭＳ、又はＭＯＥＭＳタイプをさらに含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１Ａ】従来技術による方法を示す図である。
【図１Ｂ】従来技術による方法を示す図である。
【図１Ｃ】従来技術による方法を示す図である。
【図２】ＭＥＭＳを支持する基板によるケーシングのアセンブリーを示す図である。
【図３Ａ】ＴＥＣ（熱膨張係数）の差による問題を示す図である。
【図３Ｂ】ＴＥＣの差による問題を示す図である。
【図４Ａ】本発明による基板のアセンブリー及びハンドリングウェハーのアセンブリーを示す図である。
【図４Ｂ】本発明による基板のアセンブリー及びハンドリングウェハーのアセンブリーを示す図である。
【図４Ｃ】本発明による基板のアセンブリー及びハンドリングウェハーのアセンブリーを示す図である。
【図４Ｄ】本発明による基板のアセンブリー及びハンドリングウェハーのアセンブリーを示す図である。
【図５Ａ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図５Ｂ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図５Ｃ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図５Ｄ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図５Ｅ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図５Ｆ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図５Ｇ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第１の方法を示す図である。
【図６Ａ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第２の方法を示す図である。
【図６Ｂ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第２の方法を示す図である。
【図６Ｃ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第２の方法を示す図である。
【図６Ｄ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第２の方法を示す図である。
【図７Ａ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第３の方法を示す図である。
【図７Ｂ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第３の方法を示す図である。
【図７Ｃ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第３の方法を示す図である。
【図７Ｄ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第３の方法を示す図である。
【図７Ｅ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第３の方法を示す図である。
【図７Ｆ】本発明によるハンドリングウェハーを作成する第３の方法を示す図である。
【図８】本発明によるハンドリング装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明によるハンドリングウェハー２０’の第１の例示的な使用が図４Ａ〜４Ｄに図示されている。
【００３２】
ウェハー２は、図１Ａにおけるアラインメントマークと同様のアラインメントマーク６，６’をその表面４に含んでいる。このウェハーは、その表面を通じて、いわゆるハンドリングウェハーと称されるウェハー２０に接続されているが、ウェハー２０には窓部２２，２４が設けられており、この窓部によってアラインメントパターン６，６’の視認が可能とされている。
【００３３】
図４Ｂは代替例を図示しており、この図において基板は図２に図示したタイプであり、この基板の表面はアラインメントマーク６，６’だけでなく、例えばＭＥＭＳ、ＮＥＭＳ、ＭＯＥＭＳなどの構成部品をも組み込んでいる。このウェハーは、その表面を通じて、いわゆるハンドリングウェハーと称されるウェハー２０’に接続されており、この場合もまたウェハー２０’には窓部２２，２４が設けられており、この窓部によってアラインメントパターン６，６’の視認が可能とされている。
【００３４】
図４Ａの場合には、ウェハー２は次いで薄化することができ、次いで図４Ｃの構造を形成するように背面２’を処理される。同じ結果を図４Ｂのウェハー１０によって得ることができる。ウェハー２の別の処理を、代替的に又は薄化と組み合わせて、例えば図４Ｂの基板のような別の基板１００にアセンブリーすることによって行うことができる。
【００３５】
図４Ａ〜４Ｃにおいては、窓部と、窓部が形成されるウェハーに形成された穴部２１，２３の端部との間の空隙は、コーティング２２’、２４’によって充填される。
【００３６】
図４Ｄにおいて検討される代替例においては、窓部の導入又は形成、特にこれら穴における固体の窓部は除外されている。
【００３７】
本発明によるハンドリングウェハーのいくつかの例示的な実施形態が、以下に記載される。これら全ての例の最初に、例えばシリコン又はＡｓＧａのような別の半導体物質、又はセラミック又はポリマーからなる当初のウェハー２０（図５Ａ，６Ａ，７Ａ）が検討される。よって、窓部が一体化されるウェハーは、処理されるウェハー（又はさらなる機能ウェハー）の熱膨張係数（ＴＥＣ）と同等の又はそれに近い熱膨張係数を有し、処理されるウェハーは次いで窓を設けられたウェハー上に移動される。通常は、処理されるウェハーは例えばシリコンのような半導体物質からなる。
【００３８】
ハンドリングウェハーの形成が可能であるウェハーは、ｘｙ平面に拡がりを有している。このｘｙ平面に垂直な方向ｚに沿って測定された厚みＩは小さく、例えば数百マイクロメータ〜数ミリメータ、例えば１００μｍ〜１ｍｍ又は５ｍｍである。
【００３９】
空洞部２１，２３，４１，４３，６１，６３がエッチングによってウェハー２０に形成される（図５Ｂ，６Ｂ，７Ｂ）。このエッチングに使用することができる技術の中には、レーザー技術又は超音波機械加工によるもの、又は研磨（ｓａｎｄｉｎｇ）によるもの、又はプラズマ技術若しくは化学的技術（とりわけＫＯＨ、ＴＭＡＨ、又はフッ化キセノンによるエッチング）によるものが挙げられる。
【００４０】
多岐に亘る所与の例においては、窓部は例えば固体又は固体化された物質、例えばホウ珪酸ガラス、ソドカルシックガラス、可溶ガラス、フューズドシリカ、シリコーン、又はエポキシからなっていても良い。
【００４１】
第１の例が図５Ａ〜５Ｆに関連して記載される。
【００４２】
上述のように、空洞部２１、２３はハンドリングウェハー２０にエッチングによって形成されている（図５Ｂ）。得られた空洞部部２１、２３は貫通していて、したがって実際のウェハーの厚みＥと同一の厚みを有している。
【００４３】
空洞部を設けられたこのウェハーは、接着剤層３２を設けられた平らな表面を有する支持部材３０上に一時的に移動される（図５Ｃ）。この接着剤層は例えば熱可溶タイプであって、その接着力は加熱によって抑制される。
【００４４】
空洞部それぞれは、当初はハンドリングウェハーの第１の主面２０１にアパーチャー２１’、２３’を含んでおり、このアパーチャー２１’、２３’を通じて透明な窓部の材料が次いで導入される。支持ウェハー３０上への移送によって、空洞部それぞれの第２のアパーチャー２１”、 ２３”が閉じられる。したがって、空洞部の底は、ハンドリングウェハー２０の第２面２０２に位置合わせされた、第１面２０１にほぼ平行な平面上にある。
【００４５】
例えばガラス、石英、又はポリマーの透明な窓部は、次いで空洞部部２１、２３の中に配置されるか又は導入することができる（図５Ｄ）。支持部材３０又は支持部材３０の接着層の支持部材上に存在しているのとは反対側の面は、窓部を、ウェハー２０のｘｙ平面に垂直な垂直方向ｚにある空洞部の中に適切に位置付けするための平坦な受け入れ面若しくは位置合わせ面を提供している。しかし、窓部は空洞部部を充填することなく、特に、この受け入れ面に対して後退させることができる。
【００４６】
次いで、窓部をこれら空洞部部中にシールする。シール材は図５Ｅにおいて参照符号３１’、 ３３’によって示されている。
【００４７】
次いで、接着剤層を取り除くことによって支持部材３０（図５Ｆ）を除去することができ、ウェハーの第２面２０２を解放する。窓部３１、３３は次いで、２つの面２０１、２０２それぞれに露出される。
【００４８】
また、得られたウェハー２０’の表面及び背面の研磨を行い、光学的特性を持たせることができる。
【００４９】
窓部３１、３３を有するウェハー２０’は次いで、既知の技術、例えば樹脂３５の手段によるウェハーボンディングのタイプ、共晶タイプの溶融材料、又は陽極シーリングによって別のウェハー４０上に移送することができる。このウェハー４０は、それぞれ図１Ａ及び２に関して上述された、既に説明したようにアラインメントパターン又はマークを含むウェハー２又はウェハー１０のタイプとすることができる。表面に配置されたこれらパターン又はマークは、ハンドリングウェハーの窓部を通して視認することができ、よって背面の位置合わせを可能とするように使用される。
【００５０】
別の典型的な実施形態が図６Ａ〜６Ｄに図示されている。
【００５１】
当初のウェハー２０（図６Ａ）においては、空洞部４１、４３もまたこのウェハーにエッチングすることによって形成される。上述の実施形態とは異なり、得られた空洞部部４１、４３はここでは貫通しておらず、したがって実際のウェハーの厚みＥよりも小さい深さｅを有している。
【００５２】
次いで、透明な物質５１、５３によってこれら空洞部を充填するが、前述の例における窓部３１、３３は固体状態で空洞部部２１、２３に導入されていたのに対し、この場合には透明な物質は液体又はペーストタイプである。ここでは例えば溶融ガラス又は溶融シリカ又はＵＶポリマー若しくは熱ポリマーを選択することができる。この物質は次いで、固化を可能とする温度条件下に置いて固化される。
【００５３】
空洞部のそれぞれは、ハンドリングウェハー２０の第１主面２０１にアパーチャー４１’、４３ ’を含み、これらアパーチャー４１’、４３ ’を通じて透明な窓部の材料が導入される。空洞部４１、４３それぞれのエッチングされていない底部４１”、 ４３”は、窓部それぞれの材料を、ウェハー２０のｘｙ平面に平行な平面内の、ウェハー２０のｘｙ平面に垂直な垂直方向ｚに沿って、対応する空洞部部中に適切に配置するための平坦な面を形成する。
【００５４】
次いで、ウェハーの薄化が少なくとも空洞部それぞれの底部４１”、 ４３”まで行われて、ウェハーの２つの主面２０１、２０２のそれぞれ上に露出させ、よって透明な窓部を生成する。ここでは透明な物質は固体である。これによって、ウェハーと空洞部４１、４３との間の厚みの違いはほぼ無くなる。薄化されたウェハーの表面及び背面の研磨をさらに行うことができ、よって光学的特性を得ることができる。
【００５５】
この実施形態は、前述の実施形態のウェハー３０のようなバックアップ（又は支持用）ウェハーの使用を必要としない。ハンドリングウェハーの第２面における窓部の位置合わせは、空洞部それぞれの底部４１”、４３”によって好都合に達成される。この実施形態によれば、当初は液体である物質を使用することが特に可能となる。
【００５６】
別の例示の実施形態は、図７Ａ〜７Ｆに示されている。
【００５７】
ここでもまた、当初のウェハー２０から始まり、空洞部６１、６３がこのウェハーにエッチングによって形成される。前述の実施形態とは異なり、得られた空洞部６１、６３はここでも貫通しており、したがって実際のウェハーの厚みＥと同じ深さｅを有している。
【００５８】
空洞部を有するこのウェハーは、接着剤３２’（図７Ｃ）を有する支持ウェハー上に移送されて、平坦な位置合わせ表面又は受け入れ表面を形成する。例えば接着剤は熱可溶タイプであり、その接着力は加熱によって抑制することができ、例えば一時的なウェハー接着ボンディング用にＢｒｅｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅによって開発されたタイプとすることができる。
【００５９】
支持ウェハーに垂直な軸ｚに沿って窓部を位置合わせするか又は位置決めするための、この支持ウェハー３０及び／又は接着剤３２’の役割は、図５Ａ〜５Ｇに関連して上述された実施形態の場合と同じである。
【００６０】
次いで、例えばエポキシ又はシリコーンのタイプの透明なポリマーのような液体状態の透明な物質７１、７３によってこれら空洞部が充填される。この物質は次いで、この物質を固化する温度条件下に置いて固化される。
【００６１】
次いで、層３２’の高温でのせん断によって、支持ウェハー３０を取り除くことができる（図７Ｅ）。
【００６２】
また、こうして得られたウェハー２０’の表面及び背面の洗浄及び／又は研磨を行って、光学的特性を有させることが可能である。
【００６３】
いずれの実施形態を選択しても、窓部はいずれのタイプの位置合わせ装置、その他の用途専用の装置、又は特定の装置の部分によって視認することができるように十分に広くすることができる。例えば、窓部は、基板２０の表面に平行な方向に沿って測定された場合に、数十マイクロメータ〜数百マイクロメータ若しくは数ミリメータ、例えば１００μｍ〜３ｍｍ若しくは５ｍｍの幅又は最大サイズを有する。
【００６４】
有利には、本発明によるハンドリングウェハーの窓部は研磨された表面を有し、分解能を悪化させることが無い。
【００６５】
本発明によるハンドリング基板の視認用窓部は、視認用スペクトルの範囲における照射に対する透明度を有し、このスペクトルは少なくとも可視スペクトル（可視光の範囲にある高感度カメラを含むフォトリソグラフィーの殆どの装置部分）の一部、又は例えば、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、又は５００ｎｍ〜６００ｎｍ、７００ｎｍ、又は７５０ｎｍを含む。透明な窓部の物質は例えばガラス又はポリマーとすることができる。
【００６６】
本発明は、上述した実施形態の例えば少なくとも１つのような視認用装置若しくは画像化装置を有するか、又は少なくとも１つのスペクトル範囲に敏感なカメラを有する、例えば上述に開示されたような少なくとも１つの基板又はウェハーを備える、特にフォトリソグラフィー用の装置にさらに関しており、基板又はウェハーの窓部のうちの少なくとも１つは少なくとも部分的に透明とされている。
【符号の説明】
【００６７】
２・・・機能ウェハー
６、６’・・・アラインメント用領域
１４・・・部品
２０’・・・ハンドリングウェハー
２１、３１、４１、４３、６１、６３・・・空洞部
２１、２３、６３・・・貫通空洞部
３１、３３、５１、５３、６１、６３・・・窓部
３１、３３、５１、５３、７１、７３・・・視認用窓部
３２、４１”、４３”、３２’・・・位置合わせ又は受け取り表面
３０・・・支持基板
３２、３２’・・・両面接着結合剤
５１、５３、７１、７３・・・視認用物質
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス部品のためのハンドリングウェハーを作成する方法であって、
前記ハンドリングウェハーが、該ハンドリングウェハーの厚みを通して視認するための、固体物質又は固化された物質からなる少なくとも１つの窓部（３１、３３、５１、５３、６１、６３）を含む方法において、
ａ）前記ハンドリングウェハーに少なくとも１つの空洞部（２１、３１、４１、４３、６１、６３）を形成するステップと、
ｂ）この空洞部中であって、かつ位置合わせ又は受け取り表面（３２、４１”、４３”、３２’）上に、少なくとも１つの視認用窓（３１、３３、５１、５３、７１、７３）を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
ステップａ）の間に貫通空洞部（２１、２３、６３）が形成され、
ステップｂ）の前に、前記ハンドリングウェハーが、前記位置合わせ又は受け入れ表面、又は前記位置合わせ又は受け入れ表面に平行な表面を形成する支持基板（３０）と組み立てられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記支持基板（３０）はステップ（ｂ）の後に取り除かれることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ハンドリングウェハー及び前記支持基板（３０）は、前記位置合わせ又は受け入れ表面を形成する両面接着結合剤（３２、３２’）の手段によって組み立てられることを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記支持基板（３０）は、ステップｂ）の後に、前記ハンドリングウェハーと前記支持基板とのせん断動作によって取り除かれることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ステップａ）の間に、前記受け入れ表面を形成する平坦な底（４１”、４３”）を有する非貫通空洞部（４１、４３）が形成され、
ステップｂ）の後に、ウェハーの厚みの所定の部分が除去されて、前記少なくとも１つの空洞部は薄化されたウェハー（２０’）における貫通空洞部となることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ステップｂ）の間に、液体状の視認用物質（５１、５３、７１、７３）が前記空洞部に挿入され、次いで固化されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ステップｂ）の間に、固体物質の少なくとも１つの視認用窓部（３１、３３）が前記空洞部の全体又は一部分に挿入されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
マイクロエレクトロニクス用機能ウェハーのためのハンドリングウェハー（２０’）であって、
該ウェハーの厚みを貫通する少なくとも１つの空洞部を含み、該空洞部は固体物質又は固化された物質からなる視認用窓部を含んでいることを特徴とするハンドリングウェハー（２０’）。
【請求項１０】
前記窓部はホウ酸ガラス、ソドカルシックガラス、溶融ガラス、溶融シリカ、シリコーン、又はポリマーであることを特徴とする請求項９に記載のウェハー（２０’）。
【請求項１１】
前記ウェハーは、半導体物質、セラミック、又はポリマー物質であることを特徴とする請求項９又は１０に記載のウェハー（２０’）。
【請求項１２】
少なくとも１つのアラインメント用領域（６、６’）を含む機能ウェハー（２）を処理する方法であって、前記機能ウェハー（２）を請求項９〜１１のいずれか一項に記載のハンドリングウェハー（２０’）と組み立てて、窓部によって前記少なくとも１つのアラインメント用領域の全て又は一部を、前記ハンドリングウェハーを通じて視認し、よって前記機能ウェハーの処理を可能にするステップを含む方法。
【請求項１３】
前記機能ウェハー（２）は少なくとも１つの部品（１４）をさらに含んでいることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記部品（１４）は、ＭＥＭＳ、ＮＥＭＳ、又はＭＯＥＭＳであることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記機能ウェハーの処理の後、前記ハンドリングウェハーが取り除かれることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス部品のためのハンドリングウェハーを作成する方法であって、
前記ハンドリングウェハーが、該ハンドリングウェハーの厚みを通して視認するための、固体物質又は固化された物質からなる少なくとも１つの窓部（３１、３３、５１、５３、６１、６３）を含む方法において、
ａ）前記ハンドリングウェハーに少なくとも１つの空洞部（２１、３１、４１、４３、６１、６３）を形成するステップと、
ｂ）この空洞部中であって、かつ位置合わせ又は受け取り表面（３２、４１”、４３”、３２’）上に、少なくとも１つの視認用窓（３１、３３、５１、５３、７１、７３）を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
ステップａ）の間に貫通空洞部（２１、２３、６３）が形成され、
ステップｂ）の前に、前記ハンドリングウェハーが、前記位置合わせ又は受け入れ表面、又は前記位置合わせ又は受け入れ表面に平行な表面を形成する支持基板（３０）と組み立てられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記支持基板（３０）はステップ（ｂ）の後に取り除かれることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ハンドリングウェハー及び前記支持基板（３０）は、前記位置合わせ又は受け入れ表面を形成する両面接着結合剤（３２、３２’）の手段によって組み立てられることを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記支持基板（３０）は、ステップｂ）の後に、前記ハンドリングウェハーと前記支持基板とのせん断動作によって取り除かれることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ステップａ）の間に、前記受け入れ表面を形成する平坦な底（４１”、４３”）を有する非貫通空洞部（４１、４３）が形成され、
ステップｂ）の後に、ウェハーの厚みの所定の部分が除去されて、前記少なくとも１つの空洞部は薄化されたウェハー（２０’）における貫通空洞部となることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ステップｂ）の間に、液体状の視認用物質（５１、５３、７１、７３）が前記空洞部に挿入され、次いで固化されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ステップｂ）の間に、固体物質の少なくとも１つの視認用窓部（３１、３３）が前記空洞部の全体又は一部分に挿入されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
マイクロエレクトロニクス用機能ウェハーのためのハンドリングウェハー（２０’）であって、
該ウェハーの厚みを貫通する少なくとも１つの空洞部を含み、該空洞部は固体物質又は固化された物質からなる視認用窓部を含んでいることを特徴とするハンドリングウェハー（２０’）。
【請求項１０】
前記窓部はホウ酸ガラス、ソドカルシックガラス、溶融ガラス、溶融シリカ、シリコーン、又はポリマーであることを特徴とする請求項９に記載のウェハー（２０’）。
【請求項１１】
前記ウェハーは、半導体物質、セラミック、又はポリマー物質であることを特徴とする請求項９又は１０に記載のウェハー（２０’）。
【請求項１２】
少なくとも１つのアラインメント用領域（６、６’）を含む機能ウェハー（２）を処理する方法であって、前記機能ウェハー（２）を請求項９〜１１のいずれか一項に記載のハンドリングウェハー（２０’）と組み立てて、窓部によって前記少なくとも１つのアラインメント用領域の全て又は一部を、前記ハンドリングウェハーを通じて視認し、よって前記機能ウェハーの処理を可能にするステップを含む方法。
【請求項１３】
前記機能ウェハー（２）は少なくとも１つの部品（１４）をさらに含んでいることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記部品（１４）は、ＭＥＭＳ、ＮＥＭＳ、又はＭＯＥＭＳであることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記機能ウェハーの処理の後、前記ハンドリングウェハーが取り除かれることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図５Ｅ】
【図５Ｆ】
【図５Ｇ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図７Ｆ】
【図８】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図５Ｅ】
【図５Ｆ】
【図５Ｇ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図７Ｆ】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−１８９０７（Ｐ２０１１−１８９０７Ａ）
【公開日】平成２３年１月２７日（２０１１．１．２７）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１０−１５５６８４（Ｐ２０１０−１５５６８４）
【出願日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【出願人】（５０２１２４４４４）コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ (383)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月２７日（２０１１．１．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１５５６８４（Ｐ２０１０−１５５６８４）
【出願日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【出願人】（５０２１２４４４４）コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ (383)
【Ｆターム（参考）】
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