【課題】円形板状基台に滴下する液体樹脂の外周側に反りが発生することを防止して、液体樹脂の表面にワークを載置して樹脂硬化しても、ワークの外周に反りが発生しないようにすることを目的とする。
【解決手段】円形板状基台２は、外周部に所定の角度で切り欠いたスカート部２０が形成されており、保持テーブル４に保持された円形板状基台２の上方から樹脂供給ノズル５によって円形板状基台２の中心に液体樹脂６を滴下する。保持テーブル４の回転による遠心力で液体樹脂６を均一の厚さに引き伸ばし、円形板状基台２の中心から外周方向に移動する液体樹脂６をスカート部２０に溜めるとともに、液体樹脂６の外周部６０に発生する表面張力による外周部６０の盛り上がりを防止することができる。そのため、樹脂硬化によって円形板状基台２とワークＷとを貼り合わせた際に、ワークＷの外周部Ｗｓに反りが発生することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の生産性の向上を図ることができ、且つキャリアの洗浄回数を減らすことができる等のキャリアの管理コストの低減に寄与する真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、ロードロックチャンバＬＬとプロセスチャンバＰＣの間で移送されるキャリア７と、プロセスチャンバＰＣ内に移送されたキャリア７から基板７を受け取るフック１９を備えており、基板５への真空処理はキャリア７がロードロックチャンバＬＬに退避した後に行われる。 （もっと読む）

【課題】複数のウェーハを自動的に搬送して連続的に加工を行うための搬出入装置について、部品点数が少なく、簡易な構成にて実現可能であり、更に、安価な製作コストを実現できる搬出入装置を提供する。
【解決手段】ユニット支持部は、ターンテーブルの回転中心から外周部に渡って放射状に形成された立上り部と、立上り部から隣接する立上り部の下端にかけて傾斜する扇状の載置面を有して構成されることで、ターンテーブルの周回方向に複数のユニット支持部が形成され、ユニット支持部の載置面には、被加工物ユニットが１つずつ載置されて、隣り合うユニット支持部に載置される被加工物ユニット同士は接触せずに上下方向に重なる位置関係に載置可能であり、載置面には、フレームを保持するためのフレーム保持手段が配設される。 （もっと読む）

【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第１組の前処理室，成膜処理室，後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封，成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、１つ若しくは複数の密封材（Ｏリング等）を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】粘着シート５から基板Ｗを剥離する際に、基板Ｗが破損してしまうといった問題の発生を抑制する。
【解決手段】粘着シート５と基板Ｗとの間に気体（窒素ガス）を圧入することで、粘着シート５から基板Ｗを剥離している。したがって、基板Ｗに対して局所的に大きな力を作用させることなく、圧入した気体（窒素ガス）が基板Ｗに及ぼす比較的分散化された力によって、粘着シート５から基板Ｗを剥離することができる。その結果、粘着シート５から基板Ｗを剥離する際に、基板Ｗが破損してしまうといった問題の発生を抑制することが可能となっている。 （もっと読む）

【課題】ワークの処理面に傷や損傷を与えることなく、かつ、パーティクル等による汚染のおそれを排除しながらワークを確実に粘着保持させることができる粘着チャック装置、及びこれを用いたワークの粘着保持方法を提供する。
【解決手段】保持板の表面に有した第１の粘着部材を介してワークを粘着保持する粘着チャック装置であって、保持板の表面に対して相対的に上下し、かつ、先端に第２の粘着部材を有したリフトピンを備えて、該リフトピンを第１の粘着部材からなる基準面より突出させてワークを受け取り、第２の粘着部材にワークを粘着させながら前記基準面よりリフトピンを下げることで、ワークを第１の粘着部材に加圧させて粘着保持する粘着チャック装置であり、また、これを用いたワークの粘着保持方法である。 （もっと読む）

【課題】接合後のウエハの主面が平行となり生産性を向上させるウエハの接合方法を提供する。
【解決手段】一方のウエハの一方の主面に接着剤を塗布し、一方のウエハと他方のウエハとが対向するように接着剤をウエハの主面間で挟んだ状態でウエハを重ね合わせてワークを形成し、第一のプレス板と第二のプレス板と第二のプレス板から第一のプレス板に向かう方向に所定の圧力を加えることができる加圧手段とを備えたプレス装置の、第二のプレス板側を向く第一のプレス板の面に一方のウエハの他方の主面が接触するようにワークを配置するワーク配置工程と、加圧手段により第一のプレス板と第二のプレス板とでワークに加圧するワーク加圧工程と、プレス装置の第一のプレス板からワークを取り出した後、ウエハ間に存在する接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、低背化あるいは小型化することができる接合装置を提供する。
【解決手段】加圧機構１３と、加圧機構１３から加圧力が付与され加圧力の作用方向に複数配置される熱盤部２０と、加圧力の作用方向に隣接する熱盤部２０同士が相互に積み重なることにより当該熱盤部２０間に形成された真空チャンバＣと、を有し、真空チャンバＣ内で貼り合せ用基材Ｔ同士を熱盤部２０により熱圧着させて接合する接合装置１０であって、加圧機構１３は、加圧方向と平行に配置された２本の駆動軸１４と、駆動軸１４を介して熱盤部２０に加圧力を付与する駆動源１６と、を有し、貼り合せ用基材Ｔの接合中心部Ｚが２本の駆動軸１４を結んだ線Ｍ上に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブレーク溝で切断した後、ピックアップテーブルの上面に移動され、大判の姿をなしている（大判状態で縦横に並ぶ）セラミック配線基板個片群から、基板個片ごとピックアップしてトレー等、別の位置に移載（移動）する場合に好適な、セラミック配線基板個片の移載方法を得る。
【解決手段】テーブル２１の上面を、伸縮するシート３１で覆っておき、このシート３１の上面に、切断後、大判における配線基板部位の配列状態のままのセラミック配線基板個片群１０を載置し、各基板個片１１を吸着してピックアップする際、隣接する縦横の各基板個片１１相互における切断面間に間隔Ｓができるように、シート３１をテーブル２１の上面に沿って引き伸ばしておく。シート３１の上面に載置したとき、間隔がなかったとしても、この引き伸ばしにより、基板個片相１１互間に間隔Ｓができるから、引っかかりのない円滑なピックアップができる。 （もっと読む）

【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽１１にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送してエッチング液が貯留された処理槽１１内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板１００の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板１００を搬送ローラ２１より上方で、かつ、処理槽１１に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板１００を搬送ローラ２１と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽２１に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送して処理槽１１より退出させる基板搬出工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを傷つけることなく安定した状態で確実に持ち上げて搬送でき、また、半導体パッケージを搬送する搬送装置の製造コストや維持費も低く抑えることができるようにする。
【解決手段】半導体チップ４を含む板状のパッケージ本体２を備え、当該パッケージ本体２の側部に、パッケージ本体２の板厚方向に段差が形成されることで、搬送用の治具１００をパッケージ本体２の板厚方向の一方側から当接させる支持用段差部８が画成され、この支持用段差部８が、少なくとも平面視したパッケージ本体２を側部から挟み込むような位置に形成された半導体パッケージ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】シート体における傷や変形の発生を防止しつつシート体を支持し得るシート体支持装置を提供する。
【解決手段】連続的に移動している長尺のシート体１００を支持可能に構成され、多孔質の板状体３１と、板状体３１に気体を送り込む圧送機構３２とを備え、板状体３１の表面からの気体の吹き出しによって移動状態のシート体１００を板状体３１から浮上させた状態で支持する。この場合、板状体３１は、多孔質のセラミックスで形成されている。 （もっと読む）

【課題】粘着部材と剥離部材のユニット化を構成し易くしながら剥離性能を向上させる。
【解決手段】支持部材３の側面３ｂと環状部材４の係止凹部４ａとの間に、剥離部材２の取付凸部２ｃを変形部２ａの変形方向へ移動不能に挟み込むとともに、環状部材４の取付面４ｂに、変形部２ａの外縁と隣接して粘着部材１を取り付けることにより、環状部材４を介して剥離部材２及び支持部材３と粘着部材１が一体的に組み付けられる。さらに変形部２ａと粘着面１ａが互いに隣り合って限りなく接近して配置されるため、粘着面１ａに粘着保持された板状ワークＷを変形部２ａの変形で剥離する際に、大きな剥離力が得られ、剥離時において板状ワークＷに生ずる撓みが最小限に抑えられる。 （もっと読む）

【課題】吸着パッドが半導体チップの上面に接触する高さ位置を、簡単な構成で高精度に求めることができるハンドラのティーチング方法及びハンドラを提供する。
【解決手段】吸着パッドを検査用ソケットに配置されたＩＣチップに向かって下動させるとき、吸着パッドからエアーを噴射させながら下動させる。そして、検査用ソケットにＩＣチップの上面に接触するとき、吸着パッドから噴射しているエアーが、ＩＣチップにて塞がれるようにした。従って、エアーの噴射が塞がれることにより、吸引管内のエアーの圧力の上昇を圧力検出センサが検出することによって、吸着パッドが検査用ソケット内のＩＣチップに接触する高さを求めることができる。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、支持基材と基材との間に仮固定剤を用いて成膜される薄膜を、これら支持基材および基材に対して優れた密着性で形成して、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、加熱により熱分解することで溶融または気化する樹脂成分を含む樹脂組成物で構成される仮固定剤を基材および支持基材のうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、薄膜を介して、基材と支持基材とを貼り合わせる第２の工程と、基材の支持基材と反対側の面を加工する第３の工程と、薄膜を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、基材を支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、前記第２の工程において、ＴＭＡ軟化点より５０〜１００℃高い範囲内で前記薄膜を加熱して基材と支持基材とを貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工したのち支持基材から基材を脱離させる際に、基材の支持基材側に形成されている銅を含有する導電部の導電率の低下を抑制し得る基材の加工方法を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート系樹脂を主材料とする樹脂成分を含む仮固定剤２を、銅を含有する導電部を有する機能面を備える基材３と、支持基材１とのうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、薄膜を介して、基材と支持基材とを、機能面を支持基材側にして貼り合わせる第２の工程と、基材の機能面と反対側の面を加工する第３の工程と、薄膜を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、基材を支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、前記第４の工程において、基材を支持基材から０．１ｐｐｍ以上、３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、基材を冷却する基材の加工方法。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工したのち支持基材から基材を脱離させる際に、基材の支持基材側に形成されている銅を含有する導電部の導電率の低下を抑制し得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、ノルボルネン系樹脂を主材料とする樹脂成分を含む仮固定剤を、銅を含有する導電部を有する機能面を備える基材と、支持基材とのうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、薄膜を介して、基材と支持基材とを、機能面を支持基材側にして貼り合わせる第２の工程と、基材の機能面と反対側の面を加工する第３の工程と、薄膜を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、基材を支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、第４の工程において、基材を支持基材から３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、前記基材を冷却する。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に仮固定剤を用いて均一な膜厚の薄膜を形成して精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、仮固定剤を基材および支持基材のうちの少なくとも一方にスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、薄膜を介して、基材と支持基材とを貼り合わせる第２の工程と、基材の支持基材と反対側の面を加工する第３の工程と、薄膜を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、基材を支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、第１の工程において、仮固定剤の粘度（２５℃）を３０００〜３００００ｍＰａ・ｓとし、かつ仮固定剤を供給する基材および／または支持基材の回転数を４００〜４０００ｒｐｍとすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との距離を一定に保持して、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、半導体ウエハ（基材）３と、支持基材１と、樹脂成分を含む樹脂組成物で構成される仮固定剤とを用意する工程と、支持基材１の一方の面に、仮固定剤をスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２１を形成するとともに、半導体ウエハ３の一方の面に、仮固定剤をスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２２を形成する工程と、犠牲層２１と犠牲層２２とを接触させることで、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる工程と、半導体ウエハ３の他方の面を加工する工程と、犠牲層２１、２２を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基材へのダメージを低減させつつ、精度の高い加工が可能であり、加工後の支持基材からの基材の脱離を低い加熱温度で容易に行い得る仮固定剤、およびかかる仮固定剤を用いた基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の仮固定剤は、半導体ウエハ（基材）３を加工するために、この半導体ウエハ３を支持基材１に仮固定し、半導体ウエハ３の加工後に、活性エネルギー線を照射したのち加熱することで半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させるために用いられ、前記活性エネルギー線の照射後における１８０℃での溶融粘度が０．０１〜１００ｍＰａ．ｓであるものである。 （もっと読む）