【課題】異なる厚さを有する少なくとも２つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第１の基板と異なる厚さの第１及び第２の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、ａ）第１の基板の前面を加工して第１の基板よりも薄い第１の厚さの少なくとも１つの第１の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、ｂ）懸架領域下部の第１の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第１の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、ｃ）第１の基板の前面上に犠牲層を形成し、ｄ）第１の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも１つの第２の懸架領域を形成し、第１の懸架領域の停止層に到達させ、ｅ）第１及び第２の懸架領域をリリースする段階を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基板上に第１層目のハードマスク層１２、エッチストッパ層１３、第２層目のハードマスク層２２を形成し、該ハードマスク層及びエッチストッパ層をパターニングし、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板１１に異方性エッチングを行う。複数の段差を備えた微細な３次元構造パターン形成方法及びパターン形成体。 （もっと読む）

【課題】 特に、安定して高精細の流路部を形成することが可能な流路デバイスの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明の流路デバイスの製造方法は、第１基材１の基材表面に流路の形状パターンからなるマスク層３を形成する工程、前記基材表面から前記マスク層の表面にかけて第２基材２を接合する工程、前記第１基材あるいは前記第２基材の少なくとも一方に前記マスク層３にまで貫通する貫通孔４を形成する工程、前記貫通孔４から前記マスク層３を除去して前記流路を形成する工程、
を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１の貫通口と連通する複数の第２の貫通口が形状精度よく形成された構造体を歩留まりよく得ることが可能なシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】第１のシリコン基板１０２と、第２のシリコン基板１０１と、第１のシリコン基板１０２と、第２のシリコン基板１０１との間に設けられ、複数の凹部１０９が設けられた中間層１０３と、の組を用意し、第１のシリコン基板１０２の中間層１０３との接合面の裏の面側から、第１のマスクを使用して第１のシリコン基板１０２をエッチングして第１の貫通口１０７を形成し、中間層１０３の複数の凹部１０９に対応する部分を露出させ、凹部１０９の底部部分を除去して中間層に複数の開口を形成し、開口が形成された中間層をマスクとして第２のシリコン基板１０１に第２のエッチングを行うことにより第２の貫通口１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】圧電膜の膜応力によるメンブレンの不均一な撓みが原因の圧電素子特性のばらつきを抑制し、圧電素子の感度や信頼性を向上させることが可能な圧電ＭＥＭＳ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電ＭＥＭＳ素子であって、基板の表面側に形成され、不純物がドープされており下部電極として機能する支持体１１１と、基板の裏面側に形成され支持体の下部に位置する裏面空洞１２１と、が設けられた基板１０１と、支持体１１１上に形成された圧電膜１１２と、圧電膜上に形成された上部電極１１３とを備える。支持体１１１は、少なくとも、第１の厚さを有する第１の支持体部分Ｍと、第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２の支持体部分Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】均一な膜を備えたＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】膜によって覆われる凹部を有するＭＥＭＳベースデバイスに関する。凹部の上の膜は、高均一性のエピタキシャル層である層のスタックによって形成されているため、非常に均一である。ハンドル層等のスタックの不要な層は、所望の厚さの膜を達成するために、デバイスの完成前に除去される。 （もっと読む）

【課題】機能素子の寸法を精度よく求めることができ、精度よく機能素子の周波数特性を推定することのできる機能素子の寸法の測定方法を提供すること。
【解決手段】 機能素子の寸法の測定方法は、基板２と、基板２上に設けられた固定電極３１および可動電極３２を有する機能素子３とを有する機能素子付き基板１に対し、機能素子３の寸法を測定する方法であって、固定電極３１の形成と同時に、固定電極３１と同様の方法で第１の検査用膜４１を形成する工程と、可動電極３２の形成と同時に、可動電極３２の形成と同様の方法で第２の検査用膜４２を形成する工程と、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２とからなる検査体４の所定の部位の寸法を測定する工程と、測定の結果から、機能素子３の所定の部位の寸法を求める工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】備える機能素子を直接測定することなく、機能素子の寸法を精度よく測定することにより、機能素子の状態が把握されることができる電子装置を提供すること。
【解決手段】電子装置１は、基板２と、基板２上に配置され、固定電極３１および固定電極３１と空隙を隔てて対向配置された可動板３２２を備える可動電極３２を有する機能素子３と、基板２上に設けられ、機能素子３が配置された空洞部６を画成する素子周囲構造体５と、基板２上の空洞部６の外部に設けられ、固定電極３１に対応する第１の検査用膜４１と、可動電極３２に対応する第２の検査用膜４２とを有する検査体４とを有し、検査体４は、所定の部位の寸法が測定されることにより、機能素子３の所定の部位の寸法を求めるために用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンでできたＭＥＭＳ／ＮＥＭＳをＳＯＩ技術を利用して形成する方法を提供する。
【解決手段】第１の基板の単結晶層上に第１の単結晶ストップ層を形成するステップ、ストップ層の材料とは異なる少なくとも１種の材料から、第１のストップ層上に、単結晶機械層３をエピタキシャル成長させるステップ、機械層３と比較して選択的にエッチングするのに適した材料から、機械層３上に、犠牲層４を形成するステップ、犠牲層４上に接着層５０を形成するステップ、前記接着層５０上に第２の基板６を接着するステップ、犠牲層４の反対側の機械層３の表面３_１を露出させるために、第１の基板およびストップ層を除去するステップであって、機械層３の少なくとも一部分によってアクティブ素子が形成される。 （もっと読む）

【課題】突起の先端径について高い寸法精度を得たり、各突起を均一に形成することができるシリコン基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｋの表面に形成されたレジスト膜６０に、先端部５４を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第１工程と、シリコン基板Ｋの表面を異方性エッチングして溝６１を形成する第２工程と、シリコン基板Ｋの表面に形成されたレジスト膜６２に、基部５３を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第３工程と、溝６１内に埋め込まれた当該溝底部のレジスト６２が露出するまでシリコン基板Ｋの表面を等方性エッチングする第４工程と、シリコン基板Ｋの表面を異方性エッチングし、基部５３を形成する第５工程と、シリコン基板Ｋのレジスト膜６２を除去する第６工程とを順次実施することにより、基部５３と先端部５４とを備えた複数の突起５２をシリコン基板Ｋに形成する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ溶液を用いたエッチングを行なうことなくダイヤフラム構造を形成でき、微細化を実現できる半導体センサ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上にＬＯＣＯＳ酸化膜３が形成され、さらにその上にゲート−メタル層間膜５が形成されている。ゲート−メタル層間膜５の上面からシリコン基板１に到達して、ＬＯＣＯＳ酸化膜３と比べてエッチング選択比の大きい材料からなる枠状部材９が形成されている。枠状部材９の内側に位置するゲート−メタル層間膜５及びその上の絶縁膜１７，２３に枠状部材９よりも小さい平面寸法で開口部２５が形成されている。枠状部材９の内側に位置するＬＯＣＯＳ酸化膜３が除去されて空洞９が形成されている。空洞９は開口部２５と連通している。枠状部材９の内側に位置するゲート−メタル層間膜５の下面に検出部１１が設けられている。検出部１１の一部分は開口部２５に露出している。 （もっと読む）

【課題】部分的な単結晶アンカーを含むＭＥＭＳ／ＮＥＭＳ構造体を製造する。
【解決手段】本発明は、基板の一表面に保護層を形成する段階であって、前記保護層が、前記基板の材料と異なる単結晶材料で作られる段階と、少なくとも１つのキャビティを形成するために前記保護層及び前記基板をエッチングする段階であって、前記エッチングが、前記キャビティの端部における前記保護層の材料で作られる突出部を残すように行われる段階と、絶縁アンカー部分を得るために電気絶縁材料で前記キャビティを満たす段階と、フレキシブルな機械的要素の製造のために設計される層を得るために前記保護層及び前記電気絶縁材料からの半導体材料のエピタキシャル成長段階と、前記突出部の少なくとも１つの部分を残すことを可能にしながら前記フレキシブルな機械的要素を開放する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】固定部から伸びる可動梁で反射面を支持するマイクロメカニカル構造体において固定部を高くして反射面の揺動可能角度度を拡大する。
【解決手段】犠牲エッチング層を除去して形成したマイクロメカニカル構造体であり、基板４２と、基板から垂直方向に立ち上がっている固定部１１３と、固定部に連なっているとともに基板から間隙Ｈを隔てた高さを基板に平行に伸びている可動梁１１２ａ，１１２ｂと、可動梁の先端に連なっているとともに基板となす角度が変化する揺動板１１１と、揺動板の表面に形成されている反射面１６１を備えている。可動梁１１２ａ，１１２ｂが伸びている方向に測定した固定部１３１の幅Ｌが、基板１０に垂直方向に測定した可動梁１１２ａ，１１２ｂの厚みＴよりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、単結晶シリコン基板から作られるMEMS又はNEMS構造の機械部品の製造方法に関する。
【解決手段】 当該方法は：前記機械部品を画定するために前記基板の一面に固定領域を形成する工程；シリコン以外の材料で作られ、かつ前記の基板の一面からのエピタキシャル成長によって得られる下部保護層を前記の基板の一面上に形成する工程；前記下部保護層からのエピタキシャル成長によって得られるシリコン層を前記下部保護層上に形成する工程；前記シリコン層上に上部保護層を形成する工程；前記機械部品を画定するパターンに従って、前記上部保護層、前記シリコン層、及び前記下部保護層をエッチングし、前記基板に到達して、該基板へのアクセス路が供されるまで前記エッチングを行う工程；前記のエピタキシャル成長したシリコン層内に前記機械部品のパターンをエッチングすることによって形成される壁上に保護層を形成する工程；並びに、前記基板へのアクセス路から前記基板まで該基板を等方性エッチングすることによって、前記機械部品を分離する工程であって、前記等方性エッチングは、前記下部層、前記上部層、及び前記壁の保護層を侵襲しない、工程；を有する。 （もっと読む）

【課題】振動トランスデューサのスティクションを防止する。
【解決手段】堆積膜からなり、導電性を有し、中央部と前記中央部から外側に放射状に延びる複数の腕部とを備えるダイヤフラムと、堆積膜からなり導電性を有するプレートと、絶縁膜からなり、前記ダイヤフラムの複数の前記腕部のそれぞれに接合され、前記プレートとの間に空隙を挟んで前記ダイヤフラムを支持するダイヤフラム支持部と、を備え、前記ダイヤフラムの前記腕部は、前記ダイヤフラムの前記中央部の近傍において、前記ダイヤフラムの前記中央部に接近するほど前記ダイヤフラムの周方向に長くなり、前記ダイヤフラムが前記プレートに対して振動することにより前記ダイヤフラムと前記プレートとで形成される静電容量が変化する、振動トランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】メンブレンの機械強度がより向上した薄膜式半導体センサを製造することのできる薄膜式半導体センサの製造方法及び薄膜式半導体センサを提供する。
【解決手段】準備工程にて準備された半導体基板１０の上表面１２に熱酸化膜３０を形成するストッパ膜形成工程、エッチングマスク形成工程にて形成されたエッチングマスク２０を用いて半導体基板１０を下表面１１側からエッチングし凹部３０ｂを形成する第１エッチング工程、及び、半導体基板１０と熱酸化膜３０とのエッチングレート比が「２：１」に設定されたエッチング液及びエッチングマスク２０を用いて半導体基板１０及び熱酸化膜３０をエッチングすることで、熱酸化膜３０における凹部３０ｂ側の平坦面３０ｃの端部Ｔを、半導体基板１０の下表面１１側に向けて一定の勾配で傾斜した側面断面視テーパ状に形成し、この熱酸化膜３０をメンブレン３０ａとする第２エッチング工程を備える。 （もっと読む）

【課題】１つの設計によるＭＥＭＳ素子で、特性値を可変可能で、可変後の特性値を維持
可能なＭＥＭＳ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】フローティングゲート２の他に、可動電極でもある可動部１３を駆動する駆
動電極１６を備えているので、フローティングゲート２に電荷を注入し可動部１３との間
に静電気力を生じさせた状態で可動部１３を可動できる。したがって、ＭＥＭＳ素子１０
は力が加わった状態で可動状態に応じた特性値を有する。フローティングゲート２に注入
する電荷量は調整できるので、注入した電荷量に応じて可動部１３に加わる力も可変でき
、ＭＥＭＳ素子１０の特性値も可変できる。フローティングゲート２に注入した電荷量が
変化しない限り、ＭＥＭＳ素子１０の特性値を維持できる。 （もっと読む）

【課題】メンブレンの破損を抑制することが可能なメンブレン構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板内に配置され、自立薄膜を有するメンブレン構造体の製造方法において、前記半導体基板の加工に付される面に所定のパターンを有するマスクを形成する工程と、前記半導体基板の加工に付される面の逆側の面に保護層を配設する工程と、前記半導体基板を前記保護層と一体の状態で、前記マスクを加工用マスク材として用いて前記半導体基板の厚み方向にエッチングして所定の厚さの自立薄膜を形成する工程と、前記自立薄膜形成後に前記保護層を除去する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基体の表面に凹部又は孔部を形成するに際して、その内側面を傾斜させることができ、しかもコストや生産性を良好にした、傾斜形状の加工方法を提供する。
【解決手段】基体１０上に第１マスク１１を形成する工程と、第１マスク１１を用いてエッチングし、開口部を形成する工程と、ポリマー膜を形成する堆積工程と、ポリマー膜を全面エッチバックし、第１マスク１１の内側面及び開口部の内側面に第２マスク１６（１４）を形成するエッチバック工程と、第１マスク１１及び第２マスク１６を用いて開口部内をエッチングする開口部内エッチング工程と、を備える。堆積工程とエッチバック工程とを繰り返すことにより、第２マスク１６（１８）の厚さを所望の厚さに調整し、この第２マスクの厚さの調整と、開口部内エッチング工程とを繰り返すことにより、開口部（凹部１９）の内側面を実質的に傾斜させる、傾斜形状の加工方法。 （もっと読む）

【課題】基板の反りの発生が防止された可動素子を提供する。
【解決手段】チルトミラー素子１００はミラー基板１１０とＭＣＭ基板１３０とから構成されている。ミラー基板１１０とＭＣＭ基板１３０はパッド１５０によって接合されている。ミラー基板１１０は、ミラー支持外枠１１１と、ミラー支持外枠１１１の内側に位置しているミラー支持内枠１１３と、ミラー支持外枠１１１とミラー支持内枠１１３を接続している二本のねじりばね１１２と、ミラー支持内枠１１３の内側に位置しているミラープレート１１５と、ミラー支持内枠１１３とミラープレート１１５を接続している二本のねじりばねとから構成されている。ミラー支持外枠１１１は二つのシリコン層１２１，１２２と酸化シリコン膜１２３とから構成されている。酸化シリコン膜１２３は、ミラープレート１１５に面したミラー支持外枠１１１の端面の近傍のみに形成されている。 （もっと読む）