電子装置、電子装置の製造方法および機能素子の寸法の測定方法
【課題】備える機能素子を直接測定することなく、機能素子の寸法を精度よく測定することにより、機能素子の状態が把握されることができる電子装置を提供すること。
【解決手段】電子装置１は、基板２と、基板２上に配置され、固定電極３１および固定電極３１と空隙を隔てて対向配置された可動板３２２を備える可動電極３２を有する機能素子３と、基板２上に設けられ、機能素子３が配置された空洞部６を画成する素子周囲構造体５と、基板２上の空洞部６の外部に設けられ、固定電極３１に対応する第１の検査用膜４１と、可動電極３２に対応する第２の検査用膜４２とを有する検査体４とを有し、検査体４は、所定の部位の寸法が測定されることにより、機能素子３の所定の部位の寸法を求めるために用いられることを特徴とする。
【解決手段】電子装置１は、基板２と、基板２上に配置され、固定電極３１および固定電極３１と空隙を隔てて対向配置された可動板３２２を備える可動電極３２を有する機能素子３と、基板２上に設けられ、機能素子３が配置された空洞部６を画成する素子周囲構造体５と、基板２上の空洞部６の外部に設けられ、固定電極３１に対応する第１の検査用膜４１と、可動電極３２に対応する第２の検査用膜４２とを有する検査体４とを有し、検査体４は、所定の部位の寸法が測定されることにより、機能素子３の所定の部位の寸法を求めるために用いられることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置、電子装置の製造方法および機能素子の寸法の測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を利用し、半導体基板にＭＥＭＳ素子を備えたセンサ、共振器、通信用デバイスなどの電子装置が注目されている。このような電子装置として、基板と、この基板上に形成された機能素子（ＭＥＭＳ素子）と、基板上に設けられ、機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体とを有する電子装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
このような電子装置において、機能素子の周波数特性は、当該機能素子の寸法に依存し、特に、機能素子が有する可動板の形状、大きさ、形成位置等に大きく依存する。このため、機能素子が所望の周波数特性を有していない場合には、その原因を調査するために電子機器の機能素子の寸法を測定することが考えられる。
しかしながら、このような電子装置に備えられた機能素子の寸法を測定するには、密封された空洞部を開封しなければならず、この場合、機能素子を破損させる恐れがある。また、空洞部を開封した場合であっても、可動板の寸法を測定する場合、例えば、可動板の境界が把握しづらく、正確に寸法を測定することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２２１４３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、備える機能素子を直接測定することなく、機能素子の寸法を精度よく測定することにより、機能素子の状態が把握されることができる電子装置、該電子装置の製造方法、および電子装置が備える機能素子を直接測定することなく、該機能素子の寸法を精度よく測定することのできる機能素子の寸法の測定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の電子装置は、基板と、
前記基板上に配置され、固定電極および前記固定電極と空隙を隔てて対向配置された可動部を備える可動電極を有する機能素子と、
前記基板上に設けられ、前記機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体と、
前記基板上の前記空洞部の外部に設けられ、前記固定電極に対応する第１の検査用膜と、前記可動電極に対応する第２の検査用膜とを有する検査体とを有し、
前記検査体は、前記検査体の所定の部位の寸法が測定されることにより、前記機能素子の所定の部位の寸法を求めるために用いられることを特徴とする。
これにより、備える機能素子を直接測定することなく、機能素子の寸法を精度よく測定することにより、機能素子の状態が把握されることができる電子装置を提供することができる。
【０００７】
本発明の電子装置では、前記第１の検査用膜は、前記固定電極と同じ材料を用いて同様の方法により形成されたものであり、
前記第２の検査用膜は、前記可動電極と同じ材料を用いて同様の方法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、第１の検査用膜は、固定電極の製造時における誤差が十分に反映されたものとなり、第２の検査用膜は、可動電極の製造時における誤差が、十分に反映されたものとなる。この結果、機能素子は寸法を精度よく測定されることができ、電子装置は、機能素子の状態がより確実に把握できるものとなる。
【０００８】
本発明の電子装置では、前記基板上に前記検査体を２以上有し、
前記２以上の検査体のうち、一対の前記検査体が、前記機能素子を介して対向するように配置されていることが好ましい。
これにより、例えば２つの検査体についてそれぞれ、実測部位が測定されることにより、機能素子の希望測定部位の寸法の測定の精度がより高いものとなる。また、ひとつの検査体が破損していた場合であっても、他の検査体を用いることができるため、電子装置は、機能素子の状態が確実に把握できるものとなる。
また、電子装置１は、一対の検査体において、各検査体における第１の検査用膜と第２の検査用膜との位置関係が比較されることにより、可動電極の固定電極に対する配置角度が推定されるものとなる。
【０００９】
本発明の電子装置では、前記検査体は、前記機能素子の寸法が求められる所定の部位の設計された寸法をＡ［μｍ］、前記検査体の測定される所定の部位の目的とする寸法をＢ［μｍ］としたとき、０．１≦Ａ／Ｂ≦１０００の関係を満足するものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、機能素子の寸法がより精度よく測定され、機能素子の状態がより確実に把握されることのできるものとなる。
【００１０】
本発明の電子装置では、前記検査体は、略長方形状の前記第１の検査用膜と略長方形状の前記第２の検査用膜とが直交するように交差しており、
前記検査体は、前記第１の検査用膜の前記第２の検査用膜が重なっていない辺と、前記第２の検査用膜の前記第１の検査用膜が重なっている辺とが寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、機能素子の固定電極および可動電極の形状、大きさ等のずれ、および固定電極と可動電極の位置関係が総合的に把握されるものとなる。
【００１１】
本発明の電子装置では、前記第２の検査用膜は、前記第１の検査用膜と重なるようにして設けられ、前記第１の検査用膜の端部の少なくとも一部が露出するようにして形成された開口部を有し、
前記検査体は、前記開口部から露出した前記第１の検査用膜の端部と、前記第２の検査用膜の外周部の一端とが寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、機能素子の寸法がより精度よく測定され、機能素子の状態がより確実に把握されることのできるものとなる。
【００１２】
本発明の電子装置では、前記可動電極は、前記固定電極を挟んで対向して設けられ、可動部を支持する一対の支持部と、前記各支持部と可動部とを連結する一対の連結部と有し、
前記第２の検査用膜は、前記第１の検査用膜と重なるようにして設けられ、前記第１の検査用膜の一端の少なくとも一部が露出するようにして形成された第１の開口部と、前記第１の検査用膜の前記一端と対向する他端の少なくとも一部とが露出するようにして形成された第２の開口部とを有し、
前記検査体は、前記第１の開口部から露出した前記第１の検査用膜の前記一端と、前記第２の開口部から露出した前記第１の検査用膜の前記他端とが寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、可動板が両持ち支持された機能素子の寸法が精度よく測定され、機能素子の状態が確実に把握されることのできるものとなる。
【００１３】
本発明の電子装置では、前記素子周囲構造体は、基板上に設けられ、前記検査体を埋設する絶縁膜を有し、
前記空洞部は、絶縁膜と同一の材料を除去することによって形成されたものであり、
前記検査体は、前記絶縁膜の少なくとも一部を前記空洞部の形成と同様の方法により除去して、前記検査体を露出させ、前記検査体の所定の部位の寸法が測定されるものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、機能素子の寸法がより精度よく測定され、機能素子の状態がより確実に把握されることのできるものとなる。
【００１４】
本発明の電子装置では、前記検査体は、前記機能素子との離間距離が０．１〜１０００μｍの位置に配置されることが好ましい。
このように、検査体を十分に機能素子から近い部位に配置することにより、検査体が機能素子３の寸法の誤差（位置ずれ、機能素子３の形状等による誤差）を反映しやすいものとなり、電子装置は、機能素子の所望の部位の寸法をより精度よく測定でき、機能素子の状態がより確実に把握できるものとなる。また、前記上限値以上の離間距離を有することにより、検査体が機能素子の寄生容量となり、機能素子の周波数特性に影響を与えることが防止される。
【００１５】
本発明の電子装置では、前記検査体は、前記検査体の前記所定の部位の目的とする寸法と、測定された寸法とを比較することにより、前記機能素子の所定の部位の寸法の設計された値からの誤差を推定するのに用いられるものであることが好ましい。
これにより、機能素子の寸法精度よく測定することができ、機能素子の状態がより確実に把握されることのできる電子装置を提供することができる。
【００１６】
本発明の電子装置では、前記検査体は、前記機能素子の誤差が推定される所定の部位の寸法の方向と平行に、前記検査体の前記所定の部位の寸法が測定されるものであることが好ましい。
これにより、検査体の測定される部位が、機能素子の誤差が推定される所定の部位により対応しやすいものとなり、電子装置は、機能素子の寸法がより正確に把握されるものとなる。
【００１７】
本発明の電子装置では、前記検査体は、少なくとも前記第１の検査用膜の一端が前記検査体の寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、固定電極に対応する第１の検査用膜の位置、形状、大きさ等に関する誤差が把握されるものとなり、機能素子の所定の部位の寸法の測定精度が高いものとなる。
【００１８】
本発明の電子装置では、前記検査体は、前記第１の検査用膜の一端と、前記第２の検査用膜の一端とが前記検査体の寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。
これにより、電子装置１は、固定電極および可動電極の位置、形状、大きさ等に関する誤差が把握されるものとなると同時に、機能素子の可動電極と固定電極との位置関係が把握されるものとなる。
【００１９】
本発明の電子装置では、前記検査体は、前記第２の検査用膜の形成と同時に、前記第２の検査用膜と同様の方法で形成された第３の検査用膜を、前記第２の検査用膜付近に有するものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、機能素子の可動電極で生じている形状、位置ずれ等の誤差が、より正確に把握されるものとなる。
【００２０】
本発明の電子装置の製造方法は、基板上に、固定電極と第１の検査用膜とを、同様の方法により形成する工程と、
前記基板上に、可動電極と第２の検査用膜とを、同様の方法により形成する工程と、
前記固定電極と前記前記可動電極からなる機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体を、前記第１の検査用膜と前記第２の検査用膜とを含んで形成された検査体が前記空洞体に配置されないように形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、備える機能素子を直接測定することなく、機能素子の寸法を精度よく測定することにより、機能素子の状態が把握されることができる電子装置の製造方法を提供することができる。
【００２１】
本発明の機能素子の寸法の測定方法は、基板と、前記基板上に設けられた固定電極および前記固定電極と空隙を隔てて対向配置された可動部を備える可動電極を有する機能素子と、前記基板上に設けられ、前記機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体を有する電子装置において、前記機能素子の寸法を測定する方法であって、
前記電子装置は、前記基板上の前記空洞部の外部に前記素子周囲構造体中に埋設されて設置された、前記固定電極と対応する第１の検査用膜と、前記可動電極と対応する第２の検査用膜とを有する検査体を有し、
前記検査体を露出させた後に、前記検査体の所定の部位の寸法を測定し、測定の結果より、前記機能素子の所定の部位の寸法を求めることを特徴とする。
これにより、電子装置が備える機能素子を直接測定することなく、該機能素子の寸法のを精度よく測定することのできる機能素子の寸法の測定方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子装置の平面図である。
【図２】図１に示す電子装置の断面図（ｙ−ｙ線断面図）である。
【図３】図１に示す電子装置が備える機能素子の断面図（ｘ−ｘ線断面図）および図１に示す機能素子の平面図である。
【図４】図１の電子装置が備える検査体の平面図である。
【図５】図１に示す電子装置の製造方法を示す断面図（ｙ−ｙ線断面図）である。
【図６】図１に示す電子装置の製造方法を示す断面図（ｙ−ｙ線断面図）である。
【図７】図１に示す電子装置の製造方法を示す断面図（ｙ−ｙ線断面図）である。
【図８】本発明の機能素子の寸法の測定方法を示す断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る電子装置が備える検査体を示す拡大平面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る電子装置を示す平面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る電子装置を示す平面図である。
【図１２】図１１に示す電子装置の断面図（ｘ’−ｘ’線断面図）である。
【図１３】図１１の電子装置が備える検査体の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を添付図面に示す各実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置の平面図、図２は、図１に示す電子装置の断面図（ｙ−ｙ線断面図）、図３は、図１に示す電子装置が備える機能素子の断面図（ｘ−ｘ線断面図）および図１に示す機能素子の平面図、図４は、図１の電子装置が備える検査体の平面図、図５〜図７は、図１に示す電子装置の製造方法を示す断面図（ｙ−ｙ線断面図）、図８は、本発明の機能素子の寸法の測定方法を示す断面図（図１のｙ−ｙ線断面図）である。なお、以下では、説明の便宜上、図１〜図８の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
【００２４】
まず、本発明の電子装置について説明する。
図１、２に示すように、電子装置１は、基板２と、機能素子３と、検査体４と、素子周囲構造体５と、半導体回路（図示せず）とを有する。なお、図１においては、理解を容易とするため、素子周囲構造体５を省略した。以下これら各部について順次説明する。
基板２は、平面視形状が例えば、略長方形状を有する板部材である。このような基板２は、半導体で構成された半導体基板２１上に、絶縁膜２２と、窒化膜２３とをこの順に積層することにより構成されている。なお、基板２は、平面視形状が略正方形状や略円形状、略楕円形状等の任意の他の形状であってもよい。
【００２５】
図３に示すように、機能素子３は、基板２上に形成された固定電極３１と、可動電極３２とを有している。
固定電極３１は、平面視で略長方形となっており、一方の長辺の中央付近からは、他の回路と導通するための配線（図示せず）が配されている。
可動電極３２は、平面視で略長方形となっており、その一方（図１中右側）の長辺が固定電極３１上に配されるように、一部が固定電極３１と重複している。可動電極３２は、基板２の窒化膜２３上に形成された支持部３２１と、固定電極３１と空隙を隔てて対向配置された可動板（可動部）３２２と、支持部３２１と可動板３２２とを連結する連結部３２３とを有している。可動板３２２は、連結部３２３を介して支持部３２１に片持ち支持されている。
可動板３２２と固定電極３１の間に、可動板３２２の固有振動数と同等の周波数を持つ高周波電圧を印加すると、可動板３２２が振動（共振）し、容量変化がおきることで、固定電極３１および可動板３２２間に電流が流れ、固定電極３１から前記電流が出力（検出）される。
なお、図３では、理解を容易とするため、素子周囲構造体５の記載を省略した。
【００２６】
図１、図２に示すように、検査体４は、機能素子３と所定の離間距離を置いて配置されており、２つの検査体４が、可動電極３２の可動板３２２にある長辺の方向と平行な方向に、機能素子３を介して対向して配置されている。なお、上記の２つの検査体４は、同一の構成となっている。
検査体４は、後述するように、所定の部位の寸法を測定されることにより、機能素子３の所定の部位の寸法を求めるのに用いられる。すなわち、機能素子３の本来寸法を測定したい部位（以下、「希望測定部位」ともいう。）の代わりに、検査体４の所定の部位（以下、「実測部位」ともいう。）について寸法を測定することにより、機能素子３の希望測定部位の寸法が推定される。
また、検査体４は、機能素子３と所定の離間距離を置いて配置されている。これにより、機能素子３の駆動時において検査体４が機能素子３の寄生容量となり、機能素子３の周波数特性に影響を与えるのを防止することができる。
【００２７】
また、本実施形態においては、検査体４と機能素子３との離間距離は、０．１〜１０００μｍであることが好ましい。このように、検査体４を十分に機能素子３から近い部位に配置することにより、検査体４が機能素子３の寸法の誤差（位置ずれ、機能素子３の形状等による誤差）を反映しやすいものとなる。また、前記上限値以上の離間距離を有することにより、検査体４が機能素子３の寄生容量となり、機能素子３の周波数特性に影響を与えることが防止される。
【００２８】
また、上述したように、本実施形態では、１つの機能素子３につき２つの検査体４が配置されている。このため、例えば２つの検査体４についてそれぞれ、実測部位が測定されることにより、機能素子３の希望測定部位の寸法が測定の精度がより高いものとなる。また、一方の検査体４が破損していた場合であっても、他方の検査体４を用いることができるため、機能素子の希望測定部位の寸法の誤差が好適に行われることができる。
【００２９】
特に、本実施形態では、上述したように、一対の検査体４が、機能素子３を介して対向するように形成されている。このため、一対の検査体４において、各検査体４における第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２との位置関係が比較されることにより、可動電極３２の固定電極３１に対する配置角度が推定される。これにより、より厳密な機能素子３の寸法管理が可能となる。
【００３０】
また、検査体４は、機能素子３を直接測定するのに比べ、寸法の測定に適した形状をなしている。
また、検査体４は、検査体４の所定の部位の目的とする寸法からの誤差が十分に精度よく測定されるような大きさとなっており、機能素子３よりも平面視における面積が小さいものとなっている。
【００３１】
また、機能素子３の希望測定部位の設計された寸法をＡ［μｍ］、検査体４の実測部位の設計された寸法をＢ［μｍ］としたとき、０．１≦Ａ／Ｂ≦１０００の関係を満足することが好ましく、１．０≦Ａ／Ｂ≦１０の関係を満足することがより好ましい。これにより、検査体４の測定される寸法において、機能素子３の寸法のをより正確に把握することができる。
【００３２】
また、検査体４は、機能素子３の寸法が測定される所定の部位（希望測定部位）の寸法の方向と平行に、検査体４の所定の部位（実測部位）の寸法が測定されることが好ましい。これにより、検査体４の測定される部位が、機能素子３の寸法が測定される所定の部位により対応しやすいものとなり、電子装置１は、機能素子３の寸法がより正確に把握されるものとなる。
【００３３】
このような検査体４は、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２とを有している。
図１、図４に示すように、第１の検査用膜４１は、略長方形をなしており、長辺方向が可動電極３２の可動板３２２にある長辺の方向と垂直になるように配されている。
また、第１の検査用膜４１は、固定電極３１に対応するものである。言い換えると、第１の検査用膜４１は、固定電極３１と同様の材料で構成されており、固定電極３１と同様の方法により形成されている。これにより、第１の検査用膜４１は、固定電極３１の製造時における誤差が、十分に反映されたものとなり、電子装置１は、機能素子３の状態がより確実に把握できるものとなる。
【００３４】
第２の検査用膜４２は、略長方形をなしており、長辺方向が可動電極３２の可動板３２２にある長辺の方向と平行になるように、かつ、第１の検査用膜４１と直交して交差するように配されている。
また、第２の検査用膜４２は、可動電極３２に対応するものである。言い換えると、第２の検査用膜４２は、可動電極３２と同様の材料で構成されており、可動電極３２と同様の方法により形成されている。これにより、第２の検査用膜４２は、可動電極３２の製造時における誤差が、十分に反映されたものとなり、電子装置１は、機能素子３の状態がより確実に把握できるものとなる。
【００３５】
以上のような検査体４は、少なくとも第１の検査用膜４１の一端が検査体４の寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。これにより、電子装置１は、固定電極３１に対応する第１の検査用膜４１の位置、形状、大きさ等に関する誤差が把握されるものとなり、精度よく機能素子３の希望測定部位の寸法を求めることができる。
また、検査体４は、少なくとも第２の検査用膜４２の一端が検査体４の寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。これにより、電子装置１は、可動電極３２に対応する第２の検査用膜４２の位置、形状、大きさ等に関する誤差が把握されるものとなる。
また、特に、検査体４の実測部位として、第１の検査用膜４１の一端と、第２の検査用膜４２の一端とを用いた場合、上述した効果に加えて、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２の位置関係が把握されることから、機能素子３の可動電極３２と固定電極３１との位置関係が把握されるものとなる。
【００３６】
また、以上のような観点から、検査体４の実測部位が、第１の検査膜４１の一方の短辺４１１（図４中左側の短辺）上の点Ｄと、第２の検査膜４２の短辺４１１とは反対側にある長辺４２１（図４中右側の長辺）上の点Ｅを測定に用いることにより、電子装置１は、機能素子３の固定電極３１および可動電極３２の形状、大きさ等のずれ、および固定電極３１と可動電極３２の位置関係が総合的に把握できるものとなる。
なお、検査体４は、第２の検査用膜４２の周囲に後述する犠牲層２２０を有する。図１、図４では、理解を容易とするために犠牲層２２０および素子周囲構造体５の記載を省略した。
【００３７】
素子周囲構造体５は、機能素子３が配置された空洞部６を画成するように形成されている。このような素子周囲構造体５は、基板２上に機能素子３を取り囲むように形成された層間絶縁膜５１と、層間絶縁膜５１上に形成された配線層５２と、配線層５２および層間絶縁膜５３上に形成された層間絶縁膜５３と、層間絶縁膜５３上に形成され、複数の細孔（開孔）を備えた被覆層５４１を有する配線層５４と、配線層５４および層間絶縁膜５３上に形成された表面保護層５５と、被覆層５４１上に設けられた封止層５６とを有している。
【００３８】
このような素子周囲構造体５において、検査体４は、素子周囲構造体５が画成した空洞部６の外部に設けられ、層間絶縁膜５１と層間絶縁膜５３とによって埋設されている。これにより、検査体４の寸法を測定する際に、空洞部６を開封する必要がなく、機能素子３が損傷することが防止される。また、検査体４が素子周囲構造体５によって埋設されていない場合、検査体４が基板２から剥離してしまい、空洞部６内を移動可能になる結果、例えば、検査体４が機能素子３の可動電極３２と固定電極３１との間に挟まることにより、機能素子３に不具合を与える問題が考えられるが、本実施形態では、このような問題が、防止されている。
【００３９】
また、このような構成の素子周囲構造体５には、一部欠損した図示しない開口部が形成されている。機能素子３の固定電極３１および可動電極３２には、それぞれ、電極配線（図示せず）が接続されており、これら配線は、前記開口部を介して素子周囲構造体５の外側へ引き出される。
また、図１〜図４において、半導体基板２１上およびその上方には、図示しない半導体回路が作り込まれている。この半導体回路は、必要に応じて形成されたＭＯＳトランジスタ等の能動素子、コンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線（前記電極配線、配線層４２、４４を含む）等の回路要素を有している。
【００４０】
以上のような電子装置１は、後述するような方法で検査体４の所定の部位の寸法を測定することにより、備える機能素子３を直接測定することなく、機能素子３の目的とする部位の寸法を精度よく測定することができる。このため、例えば、機能素子３が所望の周波数特性を有していない場合には、その原因を調査するために検査体４の所定の部位の寸法を測定することにより、電子装置１の機能素子３の所定の部位の寸法を測定することができる。また、その他の例として、例えば、電子装置１の製造時において、品質チェック等を行うため、検査体４の寸法を測定することができる。
【００４１】
次に、本発明の電子装置の製造方法について説明する。
また、本実施形態の電子装置の製造方法は、固定電極と第１の検査用膜とを、同時に、同様の方法により形成する固定電極形成工程と、前記基板上に、可動電極と第２の検査用膜とを、同様の方法により形成する可動電極形成工程と、前記固定電極と前記前記可動電極からなる機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体を、前記第１の検査用膜と前記第２の検査用膜とを含んで形成された検査体が前記空洞体に配置されないように形成する素子周囲構造体形成工程とを有している。
【００４２】
以下、各工程について順次説明する。
［基板準備工程］
固定電極形成工程に先立ち、基板２を準備する。
まず、図５（ａ）に示すように、シリコン基板等の半導体よりなる半導体基板１００を用意する。なお、半導体基板１００の代わりに、セラミックス基板、ガラス基板、サファイア基板、ダイヤモンド基板、合成樹脂基板等を用いてもよい。次いで、用意した半導体基板１００の表面（上面）を熱酸化することによりシリコン酸化膜（絶縁膜）１１０を形成し、さらに、シリコン酸化膜１１０上にシリコン窒化膜１２０をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。これにより基板２が得られる。
【００４３】
シリコン酸化膜１１０は、半導体基板１００およびその上方に半導体回路を形成する際の素子間分離膜として機能する。また、シリコン窒化膜１２０は、後に行われるリリース工程において実施されるエッチングに対する耐久性を有しており、いわゆるエッチングストップ層として機能する。なお、シリコン窒化膜１２０は、パターニング処理によって、機能素子３および検査体４を形成する平面範囲を含む範囲に限定して形成する。これにより、基板１００およびその上方に半導体回路を形成する際の障害となることがなくなる。なお、シリコン窒化膜１２０は、必要に応じて、コンデンサ等の回路要素を形成するために、範囲を限定せずに形成することもできる。
【００４４】
［固定電極形成工程］
次いで、図５（ｂ）に示すように、シリコン窒化膜１２０上に、固定電極３１および第１の検査用膜４１を形成するためのシリコン膜２００をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、このシリコン膜２００にリンイオン、ボロン、ヒ素等の不純物イオンをドープして導電性を付与する。そして、シリコン膜２００上にフォトレジストを塗布し、固定電極３１および第１の検査用膜４１の形状（平面視形状）にパターニングしフォトレジスト膜２１０を形成する。なお、シリコン膜２００を構成するシリコンは、多結晶シリコンであってもよいし、非結晶シリコンであってもよい。
【００４５】
次いで、図５（ｃ）に示すように、パターニングしたフォトレジスト膜２１０をマスクとしてシリコン膜２００をエッチングした後、フォトレジスト膜２１０を除去する。
次いで、図５（ｄ）に示すように、固定電極３１および第１の検査用膜４１を覆うようにシリコン酸化膜、またはＰＳＧ（リンドープガラス）等からなる犠牲層２２０を熱酸化法、スパッタリング法またはＣＶＤ法等により形成する。
これにより、固定電極３１と第１の検査用膜４１とが、同様の方法により同時に形成される。また、固定電極３１と第１の検査用膜４１とは、このように同様の方法により同時に形成されることで、同じ材料によって構成されるものとなる。
【００４６】
［可動電極形成工程］
次いで、図５（ｅ）に示すように、シリコン窒化膜１２０および犠牲層２２０上に、可動電極３２および第２の検査用膜４２を形成するためのシリコン膜２３０をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、形成したシリコン膜にリンイオン、ボロン、ヒ素等の不純物イオンをドープして導電性を付与する。そして、シリコン膜２３０上からフォトレジストを塗布し、可動電極３２の形状（平面視形状）および第２の検査用膜４２の形状（平面視形状）にパターニングしフォトレジスト膜２４０を形成する。なお、シリコン膜２３０を構成するシリコンは、多結晶シリコンであってもよいし、非結晶シリコンであってもよい。
【００４７】
次いで、図５（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜２４０をマスクとしてシリコン膜２３０をエッチングした後、フォトレジスト膜２４０を除去する。これにより、可動電極３２および第２の検査用膜４２が同様の方法により同時に形成される。なお、可動電極３２は、支持部３２１、可動板３２２および連結部３２３が一体的に形成される。また、可動電極３２と第２の検査用膜４２とは、このように同様の方法により同時に形成されることで、同じ材料によって構成されるものとなる。
【００４８】
［絶縁膜形成工程］
次いで、図６（ａ）に示すように、シリコン窒化膜１２０、機能素子３および検査体４上に、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜３００をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。また、層間絶縁膜３００に、半導体基板１００の平面視にて機能素子３を取り巻く環状の開口部３０１をパターニング処理（例えば、前述したようなフォトレジストを用いたパターニング処理）等により形成する。また、このとき、検査体４が、上記の環状の開口部３０１の外部となるように、パターニング処理を行う。なお、開口部３０１は、半導体基板１００の平面視にて、環状をなしてなくてもよく、その一部が欠損していてもよい。
【００４９】
次いで、図６（ｂ）に示すように、層間絶縁膜３００上に、例えばアルミニウムよりなる層をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成した後、パターニング処理することにより配線層３１０を形成する。配線層３１０は、開口部３０１に対応するように、半導体基板１００の平面視にて環状をなしている。また、配線層３１０の一部は、開口部３０１を通して半導体基板１００上およびその上方に形成された配線（図示しない半導体回路の一部を構成する配線）に電気的に接続される。なお、配線層３１０は、機能素子３を取り巻く部分にのみ存在するように形成されているが、一般的には、図示しない半導体回路の一部を構成する配線層の一部が、配線層３１０を構成している。
【００５０】
次いで、図６（ｃ）に示すように、層間絶縁膜３００および配線層３１０上に、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜３２０をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。また、層間絶縁膜３２０に、半導体基板１００の平面視にて機能素子３を取り巻く環状の開口部３２４をパターニング処理等により形成する。また、このとき、検査体４が、上記の環状の開口部３２４の外部となるように、パターニング処理を行う。なお、開口部３２４は、開口部３０１と同様に、半導体基板１００の平面視にて、環状をなしてなくてもよく、その一部が欠損していてもよい。
このような層間絶縁膜と配線層との積層構造は、通常のＣＭＯＳプロセスにより形成され、その積層数は、必要に応じて適宜に設定される。すなわち、必要に応じてさらに多くの配線層が層間絶縁膜を介して積層される場合もある。
【００５１】
［被覆層形成工程］
図７（ａ）に示すように、層間絶縁膜３２０上に、例えばアルミニウムよりなる層をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成した後、パターニング処理することにより配線層３３０を形成する。この配線層３３０の一部は、開口部３２４を通して配線層３１０に電気的に接続される。また、配線層３３０の一部は、機能素子３の上方に位置し、複数の細孔３３２が形成された被覆層３３１を構成している。このような配線層３３０も、前述した配線層３１０と同様に、一般的には、図示しない半導体回路の一部を構成する配線層の一部で構成されている。
【００５２】
次いで、図７（ｂ）に示すように、配線層３３０および層間絶縁膜３２０上に、例えばシリコン窒化膜、レジストその他の樹脂材料よりなる表面保護層３４０をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。また、この表面保護層３４０は、被覆層３３１の細孔３３２を封止してしまわないように形成する。なお、表面保護層３４０の構成材料としては、後述するリリース工程において行われるエッチング処理に対する耐性を有するものであれば、特に限定されない。
【００５３】
［リリース工程］
図７（ｃ）に示すように、被覆層３３１に形成された複数の細孔３３２を通して、機能素子３上にある層間絶縁膜３００、３２０を除去するとともに、固定電極３１と可動板３２２との間にある犠牲層２２０を除去する。これにより、機能素子３が配置された空洞部６が形成されるとともに、固定電極３１と可動板３２２とが離間し、機能素子３が駆動し得る状態となる。
層間絶縁膜３００、３２０および犠牲層２２０の除去は、例えば、複数の細孔３３２からエッチング液としてのフッ酸、緩衝フッ酸等を供給するウェットエッチングや、複数の細孔３３２からエッチングガスとしてフッ化水素酸ガス等を供給するドライエッチングにより行うことができる。
【００５４】
なお、このときに検査体４は、層間絶縁膜３００に埋設されているため、基板２から剥離することが防止されている。この結果、基板２から剥離した検査体４が機能素子３の可動電極３２と固定電極３１との間に挟まって機能素子３に不具合を及ぼすことが防止されている。
なお、層間絶縁膜３００、３２０および犠牲層２２０を除去した後に、必要に応じて、空洞部６内の洗浄を行ってもよい。
【００５５】
［封止工程］
最後に、図７（ｄ）に示すように、配線層３３０上に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ等の金属膜等からなる封止層３５０をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、各細孔３３２を封止する。
【００５６】
以上のような工程により、電子装置１を製造することができる。
すなわち、絶縁膜形成工程と、被覆層形成工程と、リリース工程と、封止工程とで素子周囲構造体形成工程を構成しているとも言える。
なお、電子装置１が有する半導体回路が有するＭＯＳトランジスタ等の能動素子、コンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線等の回路要素は、上述した適宜の工程中（例えば、絶縁膜形成工程、被覆層形成工程、封止層形成工程）途中において作り込んでおくことができる。例えば、シリコン酸化膜１１０とともに回路素子間分離膜を形成したり、固定電極３１や可動電極３２とともにゲート電極、容量電極、配線等を形成したり、犠牲層２２０や層間絶縁膜３００、３２０とともにゲート絶縁膜、容量誘電体層、層間絶縁膜を形成したり、配線層３１０、３３０とともに回路内配線を形成したりすることができる。
【００５７】
次に、本発明の機能素子の寸法の測定方法について説明する。
まず、機能素子の寸法を測定する場合としては、上述したような例が挙げられるが、特に、電子装置の機能素子が所定の周波数を有さない場合、その原因を解明するために検査体の寸法を測定し、機能素子の寸法を測定することが考えられる。
本実施形態の機能素子の寸法の測定方法は、上述したような電子装置について、素子周囲構造体に埋設された検査体を露出させる検査体露出工程と、前記第１の検査用膜と前記第２の検査用膜とからなる検査体の所定の部位の寸法を測定する検査体測定工程と、前記測定の結果から、前記機能素子の所定の部位の寸法を求める寸法測定工程とを有する。
【００５８】
［検査体露出工程］
まず、電子装置１を準備する。
次に、図８（ａ）に示すように、検査体４上の表面保護層５５を除去する。
表面保護層３４０の除去は、半導体のエッチング工程でよく用いられているウエットエッチングや、ドライエッチング等の加工方法を用いて行うことができる。例えば、ウエットエッチングでは、フッ酸系の溶液を使い、ドライエッチングでは、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６等のフッ素系のガスが用いられる。
【００５９】
次に、図８（ｂ）に示すように、リリース工程と同様の方法により、検査体４上にある層間絶縁膜５１、５３を除去する。これにより、検査体４が露出する。なお、このとき同時に検査体４の第１の検査膜４１と第２の検査膜４２との間に存在する犠牲層２２０が除去される。
このように、リリース工程と同様の方法によって層間絶縁膜５１、５３が除去されることにより、機能素子３の形成（空洞部６の形成）と同様の方法で素子周囲構造体から検査体４が露出することとなり、検査体４と機能素子３との寸法の誤差の生じ方がより近いものとなる。
【００６０】
［検査体測定工程］
次に、検査体４の所定の部位の寸法を測定する。
検査体４の第１の検査用膜４１は、固定電極３１に対応するものであり、固定電極３１についての位置、形状、大きさの理想の値からのずれに対応する同程度のずれ（誤差）を有していると仮定される。また、第２の検査用膜４２は、可動電極３２に対応するものであり、可動電極３２についての位置、形状、大きさの理想の値からのずれに対応する同程度のずれ（誤差）を有していると仮定される。
【００６１】
すなわち、検査体４と機能素子３とは同時に同様の方法で形成されたものであるため、例えば、パターニング時のマスク等のずれによって、固定電極３１と可動電極３２との位置ずれが起きた場合、その位置ずれの距離、方向は、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２との間で起きた位置ずれの距離、方向とほぼ同様である。
同様に、例えば固定電極３１が過度にエッチングされた場合、固定電極３１が過度にエッチングされる度合いと、第１の検査用膜４１が過度にエッチングされる度合いとはほぼ同じである。
【００６２】
以上より、機能素子３と検査体４とは、その大きさ、形状の違いに関わらず、位置ずれ、エッチングの過不足による影響を同程度に受けている。特に第１の検査用膜４１と固定電極３１との構成材料が同じであり、第２の検査用膜４２と可動電極３２との構成材料が同一である場合、このような傾向は顕著になる。
このため、機能素子３の本来寸法を測定したい部位（以下、「希望測定部位」ともいう。）の代わりに、検査体４の所定の部位（以下、「実測部位」ともいう。）について寸法を測定することにより、後述するように、機能素子３の希望測定部位の寸法の目的とする値（設計値）からの誤差を推定することができ、これから機能素子３の希望測定部位の寸法を求めることができる。
【００６３】
本工程では、まず、検査体４の実測部位の決定前に、対応する機能素子３の希望測定部位を決定する。機能素子３の平面視でおいて、希望測定部位は、２点の基点を有する線分である。
機能素子３の希望測定部位としては、周波数特性に影響を与えやすい部位とすることが好ましい。このため、固定電極３１と可動電極３２との位置ずれ、可動電極３２の振動部分（特に可動板３２２）の形状、大きさを総合的に判断する指標として、例えば、図３（ａ）、（ｂ）中で、固定電極３１の可動電極３２側（図３左側）にある長辺を通る線を線Ａ、可動電極３２の固定電極３１上にある長辺（図３右側の長辺）を通る線を線Ｂとしたとき、線Ａ−線Ｂの距離を測定することが考えられ、本実施形態では、線Ａを通る点Ａ１と線Ｂを通る点Ｂ１との間を希望測定部位とする。このような希望測定部位において設計された寸法からの誤差が生じ、固定電極３１と可動電極３２との位置がずれたり、可動電極３２が大きさが変化したりする場合、可動電極３２の振動部分の質量および質量分布の変化が大きく、機能素子３の周波数特性に影響が大きい。
【００６４】
次に、機能素子３の希望測定部位に対応する検査体４の実測部位を決定する。
本実施形態では、図４に示す機能素子３付近に設けられた検査体４について、実測部位として、第１の検査膜４１の一方の短辺４１１（図４中左側の短辺）と、第２の検査膜４２の短辺４１１とは反対側にある長辺４２１（図４中右側の長辺）との距離を測定することとし、短辺４１１上にある点Ｄと長辺４２１上にある点Ｅとを基点とする実測部位とする。係る実測部位は、上述した希望実測部位と平行な線分である。また、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２とを測定に用いることから、実測部位で測定される寸法に、その実測部位の測定方向における、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２との位置関係が反映されるとともに、第１の検査用膜４１の大きさ、形状のずれ（形成時よるエッチング等のずれ）、第２の検査用膜４２の大きさ、形状のずれ（形成時よるエッチング等のずれ）が反映される。また、上述した点Ｄは、第１の検査用膜４１と基板２との境界にあり、点Ｅは、第２の検査用膜４２と第１の検査用膜４１との境界にあることから、これらの点は、明確に認識でき測定の基点として用いることができる。
【００６５】
なお、検査体４を観察する手段としては、各種電子顕微鏡、光学顕微鏡、ＣＣＤカメラ等の観察手段を用いることができる。
また、検査体４上の素子周囲構造体５が透明である場合、上述したような検査体露出工程を省略して検査体４を露出されることなく、直接検査体４の実測部位の測定を行ってもよい。また、例えば、検査体４上の素子周囲構造体５について、層間絶縁膜５１のみが透明である場合、表面保護層５５および層間絶縁膜５３のみを除去して検査用膜４２の実測部位の測定を行ってもよい。
【００６６】
［寸法測定工程］
次に、上記の測定の結果から、実測部位の目的とする寸法（設計された寸法）と、測定された寸法とを比較することにより、機能素子３の実測部位の寸法の設計された値からの誤差（寸法誤差）を推定し、さらに、機能素子３の希望測定部位の寸法を求める。
形成された検査体４の測定部位の目的とする（設計した）寸法（Ｓｉ［μｍ］）と、測定された寸法（Ｓａ［μｍ］）との比較は、例えば、誤差（Ｓａ−Ｓｉ［μｍ］）を求めることにより行うことができる。
また、本実施形態において、機能素子３の寸法誤差は、例えば、検査体４での誤差（Ｓａ−Ｓｉ［μｍ］）とすることができる。
また、機能素子３の希望測定部位の寸法は、例えば、希望測定部位の設計された寸法に機能素子３の寸法誤差を加えることにより得られる。
【００６７】
また、本実施形態では、上述したように、一対の検査体４が、機能素子３を介して対向するように形成されているため、以下のような手順により、可動電極３２の固定電極３１に対する配置角度を推定することができる。
まず、各検査体４の実測部位における誤差を算出する。そして、各検査体４の実測部位における誤差同士に差があった場合、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２の位置関係が２つの各検査体４で異なることが推定されるため、可動電極３２の固定電極３１に対する配置角度について、例えば、可動電極３２の長辺が固定電極３１の長辺と平行であるかそうでないか、またどの程度の角度を有しているのか等を推定することができる。
以上のように、機能素子３の寸法が反映され、寸法の測定が容易な検査体４の寸法を基準とすることにより、機能素子３の寸法を直接測定することなく、機能素子３の寸法を精度よく求めることができ、機能素子３の寸法の管理が容易となる。この結果、電子装置１において機能素子３の性能が十分に発揮されない場合に原因の解析を行うことができる。
【００６８】
以上のような方法は、機能素子３の希望測定部位の設計される寸法と、希望測定部位の許容される寸法誤差の範囲とで、スケール（桁数）が大きく異なる場合には、従来機能素子３を直接測定した場合に検出できなかった寸法誤差が、より誤差を検出しやすい検査体４を測定することにより検出できるため、特に有効である。
また、特に、機能素子３の希望測定部位が測定しにくい部位であった場合でも、検査体４の対応する実測部位を測定することにより、希望測定部位の寸法が精度よく求められる。
【００６９】
［得られた機能素子の測定された寸法に基づいた対処］
次に、上記のような方法により得られた機能素子３の希望測定部位の寸法から、電子装置１に備えられた機能素子３について検討を行う。
機能素子３希望測定部位の寸法が許容範囲内である場合、機能素子３の寸法については問題がないものとして取り扱うことができる。そして、例えば、機能素子３の周波数特性が所望のものでない場合には、機能素子３の寸法以外が不具合の原因とみなすことができる。また、検査体４を再び埋設して素子周囲構造体５を再度形成して、電子装置１を製品として取り扱うことができる。
【００７０】
一方、機能素子３の希望測定部位の寸法が許容範囲内にない場合、必要に応じて、例えば、機能素子３を作成しなおしたり、機能素子３を有する電子装置１を廃棄したり、空洞部６を開封して機能素子３が所望の周波数特性を有するように機能素子３に対し調整を加えたりすることができる。調整方法の一例としては、可動板３２２の一部をレーザ照射等により除去して質量を減少させる方法、逆に、可動板３２２に重りを付与して重量を増大させる方法が挙げられる。可動板３２２の重量の増減の程度は、上記の求められた希望測定部位の寸法から判断する。
【００７１】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図９は、本発明の第２実施形態に係る電子装置が備える検査体を示す平面図である。
以下、本発明の第２実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第２実施形態では、検査体の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７２】
図９に示すように、電子装置１Ａは、検査体４Ａを有している。
検査体４Ａは、第１の検査用膜４１Ａと、第２の検査用膜４２Ａと、第３の検査用膜４３Ａ、４３Ｂとを有している。
第１の検査用膜４１Ａは、略長方形をなしており、長辺方向が可動電極３２の可動板３２２にある長辺の方向と垂直になるように配されている。
第２の検査用膜４２Ａは、略長方形をなしており、長辺方向が可動電極３２の可動板３２２にある長辺の方向と平行になるように、かつ、第１の検査用膜４１Ａと直交するように配されている。
【００７３】
第３の検査用膜４３Ａ、４３Ｂは、それぞれ第２の検査用膜４２Ａと同様の形状をなしており、第２の検査用膜４２Ａを介して対向して、第２の検査用膜４２Ａと平行となるように配置されている。第３の検査用膜４３Ａは、第２の検査用膜４２Ａの左側に配され、第１の検査用膜４１Ａと重複しないように、基板２上に直接設けられている。一方、第３の検査用膜４３Ｂは、第２の検査用膜４２Ａの右側に設けられ、かつ、第１の検査用膜４１Ａと直交するように配されている。
【００７４】
また、第３の検査用膜４３Ａ、４３Ｂと第２の検査用膜４２Ａとは、電子装置１Ａの製造におけるデザインルールに従って、所定の間隔が設けられている。
また、第３の検査用膜４３Ａ、４３Ｂは、可動電極３２および第２の検査用膜４２Ａと同様の材料で構成されており、可動電極３２および第２の検査用膜４２Ａと同様の方法により形成されている。
【００７５】
検査体４Ａは、このような第３の検査用膜４３Ａ、４３Ｂを有することにより、第２の検査用膜４２Ａ形成時における形状、大きさの誤差が、可動電極３２の形成時における形状、大きさの誤差とより対応しやすいものとなる。例えば、第２の検査用膜４２Ａ形成時における第２の検査用膜４２Ａのエッチングによる誤差の影響と、可動電極３２形成時のける可動電極３２のエッチングによる誤差の影響が近いものとなる。この結果、機能素子３の希望測定部位の寸法の測定の精度が向上する。
【００７６】
なお、機能素子３の希望測定部位が第１実施形態と同様の部位である場合、検査体４Ａにおける実測部位は、第１実施形態と同様に、第１の検査用膜４１の一方の短辺４１１Ａと、第２の検査用膜４２Ａの短辺４１１Ａとは反対側の短辺に近い長辺４２１Ａとの距離を測定することのできる短辺４１１Ａ上の点Ｆと長辺４２１Ａ上の点Ｇとを基点とすることができる。
以上のような第２実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
図９では、理解を容易とするために犠牲層２２０および素子周囲構造体５の記載を省略した。
【００７７】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図１０は、本発明の第３実施形態に係る電子装置を示す平面図である。
以下、本発明の第３実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第３実施形態では、検査体の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７８】
図１０に示すように、電子装置１Ｂは、機能素子３を介して対向配置された２つの検査体４Ｂを有している。なお、図１０では、理解を容易にするために犠牲層２２０および素子周囲構造体５の記載を省略した。
検査体４Ｂは、第１の検査用膜４１Ｂと、第２の検査用膜４２Ｂとを有している。
第１の検査用膜４１Ｂは、固定電極３１と略相似をなしており、略長方形をなし、その長辺が固定電極３１の長辺と平行になるように配置されている。
【００７９】
第２の検査用膜４２Ｂは、その外形が可動電極３２と略相似をなしており、略長方形をなし、その長辺が可動電極３２の長辺と平行になるように、かつ、右側の長辺４２１Ｂが第１の検査用膜４１Ｂ上に配されるように、第１の検査用膜４１Ｂと重なって配置されている。
また、第２の検査用膜４２Ｂは、開口部４２３Ｂを有している。開口部４２３Ｂは、その長辺が長辺４２１Ｂと平行な略長方形をなしている。そして、開口部４２３Ｂからは、第１の検査用膜４１Ｂの左側の長辺４１２Ｂの一部が露出している。
【００８０】
このように、機能素子３の形状とより近い形状の検査体４Ｂを用いることにより、第１実施形態の検査体４を用いる場合と比較して、機能素子３の希望測定部位の寸法の測定精度が向上する。
また、検査体４Ｂが機能素子３の形状と同一の形状である場合には、実測部位の設定が困難であるが、検査体４Ｂに開口部４２３Ｂが設けられていることにより、好適に実測部位の設定ができる。
【００８１】
なお、機能素子３の希望測定部位が第１実施形態と同様の部位である場合、検査体４Ｂにおける実測部位は、開口部４２３Ｂから露出している第１の検査用膜４１Ａの長辺４１２Ｂと、第２の検査用膜４２Ｂの長辺４２１Ｂとの距離を測定するために、長辺４１２Ｂ上の点Ｈと長辺４２１上の点Ｉとを基点とすることができる。なお、検査体４Ｂの実測部位である点Ｈ−点Ｉは、機能素子３の希望測定部位である点Ａ１−点Ｂ１に対応する個所となる。
以上のような第３実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８２】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１１は、本発明の第４実施形態に係る電子装置を示す平面図、図１２は、図１０に示す電子装置が備える機能素子の断面図（ｘ’−ｘ’線断面図）、図１３は、図１０の電子装置が備える検査体の拡大平面図である。
【００８３】
以下、本発明の第４実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第４実施形態では、機能素子および検査体の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００８４】
電子装置１Ｃは、基板２と、機能素子３Ａと、検査体４Ｃと素子周囲構造体５とを有している。図１０〜図１２では、理解を容易にするために犠牲層２２０および素子周囲構造体５の記載を省略した。
機能素子３Ａは、基板２上に形成された固定電極３１Ａと、可動電極３２Ａとを有している。
【００８５】
固定電極３１Ａは、平面視で略長方形となっており、一方の短辺の中央付近からは、他の回路と導通するための配線（図示せず）が配されている。
可動電極３２Ａは、平面視で略長方形となっており、固定電極３１Ａと直交するように配されている。
可動電極３２Ａは、その短辺付近で構成され、基板２の窒化膜２３上に形成された一対の支持部３２１Ａと、固定電極３１Ａと空隙を隔てて対向配置された可動板（可動部）３２２Ａと、各支持部３２１Ａと可動板３２２Ａとを連結する２つの連結部３２３Ａとを有している。可動板３２２Ａは、各連結部３２３Ａを介して各支持部３２１Ａに両持ち支持されている。
【００８６】
図１０、図１２に示すように、検査体４Ｃは、基板２上の空洞部６の外部に設けられ、第１の検査用膜４１Ｃと第２の検査用膜４２Ｃとを有している。また、１つの機能素子３Ａに対し２つの検査体４Ｃが、可動電極３２Ａの短辺の方向と平行な方向に、機能素子３Ａを介して対向して配置されている。なお、上記の２つの検査体４Ｃは、同一の構成となっている。
【００８７】
第１の検査用膜４１Ｃは、平面視で略長方形をなしており、その長辺が固定電極３１Ａの長辺と平行になるように配されている。また、第１の検査用膜４１Ｃは、固定電極３１Ａとその外形が略相似である。
第２の検査用膜４２Ｃは、平面視でその外形が略長方形をなしており、第１の検査用膜４１Ｃと直交して重複するように配されている。また、第２の検査用膜４２Ｃは、平面視でその外形が可動電極３２Ａと略相似である。
【００８８】
また、第２の検査用膜４２Ｃは、２つの開口部４２３Ｃを有している。開口部４２３Ｃは、それぞれ、その長辺が第１の検査用膜４１Ｃの長辺４１１Ｃと平行な略長方形をなしている。また、左側の開口部４２３Ｃからは、第１の検査用膜４１Ｃの長辺４１１Ｃが寸法の測定の基点として利用可能程度に露出している。右側の開口部４２３Ｃからは、第１の検査用膜４１Ｃの長辺４１２Ｃが寸法の測定の基点として利用可能程度に露出している。
このように、機能素子３Ａの形状と近い形状の検査体Ｃを用いることにより、機能素子３Ａの希望測定部位の寸法の測定の精度を比較的高いものとすることができる。
【００８９】
なお、本実施形態においては、機能素子３Ａの希望測定部位としては、例えば、固定電極３１Ａの長辺同士の距離を測定するために、固定電極３１Ａの左側の長辺上にある点Ｊと右側にある長辺上にある点Ｋとを基点とすることができる。第１実施形態で詳述したように、機能素子３Ａは、固定電極３１Ａを形成し、固定電極３１Ａ上に犠牲層２２０を介して可動電極３２Ａを形成することにより、製造される。このため、機能素子３Ａにおいては、固定電極３１Ａの点Ｊ−点Ｋ間の距離を測定することにより、固定電極３１Ａの幅が測定されるとともに、固定電極３１Ａの上に形成された可動電極３２Ａの可動板３２２Ａの幅も間接的に測定される。これによって、可動電極３２Ａの重量、可動電極３２Ａと固定電極３１Ａとの重複面積とが、ある程度推定可能であり、機能素子３Ａの周波数特性の傾向を推定することができると考えられる。
【００９０】
また、上記の希望測定部位の寸法の測定に用いることのできる検査体４Ｃの実測部位としては、例えば、第１の検査用膜４１の長辺４１１Ｃと長辺４１２Ｃとの距離を測定することを目的として、長辺４１１Ｃ上の点Ｌと長辺４１２Ｃ上の点Ｍとを基点とすることができる。なお、検査体４Ｃの実測部位である点Ｌ−点Ｍは、相似する機能素子３の希望測定部位である点Ｊ−点Ｋに対応する個所である。
以上のような第４実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９１】
以上、本発明について図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、本発明の電子装置の製造方法は、前記各実施形態のうち、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
また、例えば、前述した実施形態では、検査体は、１つの機能素子につき、２つ設けられるものとして説明したが、基板上に１以上の検査体があればよい。
【符号の説明】
【００９２】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ……電子装置 ２……基板 ２１……半導体基板 ２２……絶縁膜 ２３……窒化膜 ３、３Ａ……機能素子 ３１、３１Ａ……固定電極 ３２、３２Ａ……可動電極 ３２１、３２１Ａ……支持部 ３２２、３２２Ａ……可動板 ３２３、３２３Ａ……連結部 ４、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ……検査体 ４１、４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ……第１の検査用膜 ４１１、４１１Ａ……短辺 ４１１Ｃ、４１２Ｂ、４１２Ｃ、４１４Ｃ……長辺 ４２、４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ……第２の検査用膜 ４２１、４２１Ａ、４２１Ｂ……長辺 ４２３Ｂ、４２３Ｃ……開口部 ４３Ａ、４３Ｂ……第３の検査用膜 ５……素子周囲構造体 ５１、５３……層間絶縁膜 ５２、５４……配線層 ５４１……被覆層 ５５……表面保護層 ５６……封止層 ６……空洞部 １００……半導体基板 １１０……シリコン酸化膜 １２０……シリコン窒化膜 ２００、２３０……シリコン膜 ２１０、２４０……フォトレジスト膜 ２２０……犠牲層 ３００、３２０……層間絶縁膜 ３０１、３２４……開口部 ３１０、３３０……配線層 ３３１……被覆層 ３３２……細孔 ３４０……表面保護層 ３５０……封止層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置、電子装置の製造方法および機能素子の寸法の測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を利用し、半導体基板にＭＥＭＳ素子を備えたセンサ、共振器、通信用デバイスなどの電子装置が注目されている。このような電子装置として、基板と、この基板上に形成された機能素子（ＭＥＭＳ素子）と、基板上に設けられ、機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体とを有する電子装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
このような電子装置において、機能素子の周波数特性は、当該機能素子の寸法に依存し、特に、機能素子が有する可動板の形状、大きさ、形成位置等に大きく依存する。このため、機能素子が所望の周波数特性を有していない場合には、その原因を調査するために電子機器の機能素子の寸法を測定することが考えられる。
しかしながら、このような電子装置に備えられた機能素子の寸法を測定するには、密封された空洞部を開封しなければならず、この場合、機能素子を破損させる恐れがある。また、空洞部を開封した場合であっても、可動板の寸法を測定する場合、例えば、可動板の境界が把握しづらく、正確に寸法を測定することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２２１４３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、備える機能素子を直接測定することなく、機能素子の寸法を精度よく測定することにより、機能素子の状態が把握されることができる電子装置、該電子装置の製造方法、および電子装置が備える機能素子を直接測定することなく、該機能素子の寸法を精度よく測定することのできる機能素子の寸法の測定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の電子装置は、基板と、
前記基板上に配置され、固定電極および前記固定電極と空隙を隔てて対向配置された可動部を備える可動電極を有する機能素子と、
前記基板上に設けられ、前記機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体と、
前記基板上の前記空洞部の外部に設けられ、前記固定電極に対応する第１の検査用膜と、前記可動電極に対応する第２の検査用膜とを有する検査体とを有し、
前記検査体は、前記検査体の所定の部位の寸法が測定されることにより、前記機能素子の所定の部位の寸法を求めるために用いられることを特徴とする。
これにより、備える機能素子を直接測定することなく、機能素子の寸法を精度よく測定することにより、機能素子の状態が把握されることができる電子装置を提供することができる。
【０００７】
本発明の電子装置では、前記第１の検査用膜は、前記固定電極と同じ材料を用いて同様の方法により形成されたものであり、
前記第２の検査用膜は、前記可動電極と同じ材料を用いて同様の方法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、第１の検査用膜は、固定電極の製造時における誤差が十分に反映されたものとなり、第２の検査用膜は、可動電極の製造時における誤差が、十分に反映されたものとなる。この結果、機能素子は寸法を精度よく測定されることができ、電子装置は、機能素子の状態がより確実に把握できるものとなる。
【０００８】
本発明の電子装置では、前記基板上に前記検査体を２以上有し、
前記２以上の検査体のうち、一対の前記検査体が、前記機能素子を介して対向するように配置されていることが好ましい。
これにより、例えば２つの検査体についてそれぞれ、実測部位が測定されることにより、機能素子の希望測定部位の寸法の測定の精度がより高いものとなる。また、ひとつの検査体が破損していた場合であっても、他の検査体を用いることができるため、電子装置は、機能素子の状態が確実に把握できるものとなる。
また、電子装置１は、一対の検査体において、各検査体における第１の検査用膜と第２の検査用膜との位置関係が比較されることにより、可動電極の固定電極に対する配置角度が推定されるものとなる。
【０００９】
本発明の電子装置では、前記検査体は、前記機能素子の寸法が求められる所定の部位の設計された寸法をＡ［μｍ］、前記検査体の測定される所定の部位の目的とする寸法をＢ［μｍ］としたとき、０．１≦Ａ／Ｂ≦１０００の関係を満足するものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、機能素子の寸法がより精度よく測定され、機能素子の状態がより確実に把握されることのできるものとなる。
【００１０】
本発明の電子装置では、前記検査体は、略長方形状の前記第１の検査用膜と略長方形状の前記第２の検査用膜とが直交するように交差しており、
前記検査体は、前記第１の検査用膜の前記第２の検査用膜が重なっていない辺と、前記第２の検査用膜の前記第１の検査用膜が重なっている辺とが寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、機能素子の固定電極および可動電極の形状、大きさ等のずれ、および固定電極と可動電極の位置関係が総合的に把握されるものとなる。
【００１１】
本発明の電子装置では、前記第２の検査用膜は、前記第１の検査用膜と重なるようにして設けられ、前記第１の検査用膜の端部の少なくとも一部が露出するようにして形成された開口部を有し、
前記検査体は、前記開口部から露出した前記第１の検査用膜の端部と、前記第２の検査用膜の外周部の一端とが寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、機能素子の寸法がより精度よく測定され、機能素子の状態がより確実に把握されることのできるものとなる。
【００１２】
本発明の電子装置では、前記可動電極は、前記固定電極を挟んで対向して設けられ、可動部を支持する一対の支持部と、前記各支持部と可動部とを連結する一対の連結部と有し、
前記第２の検査用膜は、前記第１の検査用膜と重なるようにして設けられ、前記第１の検査用膜の一端の少なくとも一部が露出するようにして形成された第１の開口部と、前記第１の検査用膜の前記一端と対向する他端の少なくとも一部とが露出するようにして形成された第２の開口部とを有し、
前記検査体は、前記第１の開口部から露出した前記第１の検査用膜の前記一端と、前記第２の開口部から露出した前記第１の検査用膜の前記他端とが寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、可動板が両持ち支持された機能素子の寸法が精度よく測定され、機能素子の状態が確実に把握されることのできるものとなる。
【００１３】
本発明の電子装置では、前記素子周囲構造体は、基板上に設けられ、前記検査体を埋設する絶縁膜を有し、
前記空洞部は、絶縁膜と同一の材料を除去することによって形成されたものであり、
前記検査体は、前記絶縁膜の少なくとも一部を前記空洞部の形成と同様の方法により除去して、前記検査体を露出させ、前記検査体の所定の部位の寸法が測定されるものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、機能素子の寸法がより精度よく測定され、機能素子の状態がより確実に把握されることのできるものとなる。
【００１４】
本発明の電子装置では、前記検査体は、前記機能素子との離間距離が０．１〜１０００μｍの位置に配置されることが好ましい。
このように、検査体を十分に機能素子から近い部位に配置することにより、検査体が機能素子３の寸法の誤差（位置ずれ、機能素子３の形状等による誤差）を反映しやすいものとなり、電子装置は、機能素子の所望の部位の寸法をより精度よく測定でき、機能素子の状態がより確実に把握できるものとなる。また、前記上限値以上の離間距離を有することにより、検査体が機能素子の寄生容量となり、機能素子の周波数特性に影響を与えることが防止される。
【００１５】
本発明の電子装置では、前記検査体は、前記検査体の前記所定の部位の目的とする寸法と、測定された寸法とを比較することにより、前記機能素子の所定の部位の寸法の設計された値からの誤差を推定するのに用いられるものであることが好ましい。
これにより、機能素子の寸法精度よく測定することができ、機能素子の状態がより確実に把握されることのできる電子装置を提供することができる。
【００１６】
本発明の電子装置では、前記検査体は、前記機能素子の誤差が推定される所定の部位の寸法の方向と平行に、前記検査体の前記所定の部位の寸法が測定されるものであることが好ましい。
これにより、検査体の測定される部位が、機能素子の誤差が推定される所定の部位により対応しやすいものとなり、電子装置は、機能素子の寸法がより正確に把握されるものとなる。
【００１７】
本発明の電子装置では、前記検査体は、少なくとも前記第１の検査用膜の一端が前記検査体の寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、固定電極に対応する第１の検査用膜の位置、形状、大きさ等に関する誤差が把握されるものとなり、機能素子の所定の部位の寸法の測定精度が高いものとなる。
【００１８】
本発明の電子装置では、前記検査体は、前記第１の検査用膜の一端と、前記第２の検査用膜の一端とが前記検査体の寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。
これにより、電子装置１は、固定電極および可動電極の位置、形状、大きさ等に関する誤差が把握されるものとなると同時に、機能素子の可動電極と固定電極との位置関係が把握されるものとなる。
【００１９】
本発明の電子装置では、前記検査体は、前記第２の検査用膜の形成と同時に、前記第２の検査用膜と同様の方法で形成された第３の検査用膜を、前記第２の検査用膜付近に有するものであることが好ましい。
これにより、電子装置は、機能素子の可動電極で生じている形状、位置ずれ等の誤差が、より正確に把握されるものとなる。
【００２０】
本発明の電子装置の製造方法は、基板上に、固定電極と第１の検査用膜とを、同様の方法により形成する工程と、
前記基板上に、可動電極と第２の検査用膜とを、同様の方法により形成する工程と、
前記固定電極と前記前記可動電極からなる機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体を、前記第１の検査用膜と前記第２の検査用膜とを含んで形成された検査体が前記空洞体に配置されないように形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、備える機能素子を直接測定することなく、機能素子の寸法を精度よく測定することにより、機能素子の状態が把握されることができる電子装置の製造方法を提供することができる。
【００２１】
本発明の機能素子の寸法の測定方法は、基板と、前記基板上に設けられた固定電極および前記固定電極と空隙を隔てて対向配置された可動部を備える可動電極を有する機能素子と、前記基板上に設けられ、前記機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体を有する電子装置において、前記機能素子の寸法を測定する方法であって、
前記電子装置は、前記基板上の前記空洞部の外部に前記素子周囲構造体中に埋設されて設置された、前記固定電極と対応する第１の検査用膜と、前記可動電極と対応する第２の検査用膜とを有する検査体を有し、
前記検査体を露出させた後に、前記検査体の所定の部位の寸法を測定し、測定の結果より、前記機能素子の所定の部位の寸法を求めることを特徴とする。
これにより、電子装置が備える機能素子を直接測定することなく、該機能素子の寸法のを精度よく測定することのできる機能素子の寸法の測定方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子装置の平面図である。
【図２】図１に示す電子装置の断面図（ｙ−ｙ線断面図）である。
【図３】図１に示す電子装置が備える機能素子の断面図（ｘ−ｘ線断面図）および図１に示す機能素子の平面図である。
【図４】図１の電子装置が備える検査体の平面図である。
【図５】図１に示す電子装置の製造方法を示す断面図（ｙ−ｙ線断面図）である。
【図６】図１に示す電子装置の製造方法を示す断面図（ｙ−ｙ線断面図）である。
【図７】図１に示す電子装置の製造方法を示す断面図（ｙ−ｙ線断面図）である。
【図８】本発明の機能素子の寸法の測定方法を示す断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る電子装置が備える検査体を示す拡大平面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る電子装置を示す平面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る電子装置を示す平面図である。
【図１２】図１１に示す電子装置の断面図（ｘ’−ｘ’線断面図）である。
【図１３】図１１の電子装置が備える検査体の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を添付図面に示す各実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置の平面図、図２は、図１に示す電子装置の断面図（ｙ−ｙ線断面図）、図３は、図１に示す電子装置が備える機能素子の断面図（ｘ−ｘ線断面図）および図１に示す機能素子の平面図、図４は、図１の電子装置が備える検査体の平面図、図５〜図７は、図１に示す電子装置の製造方法を示す断面図（ｙ−ｙ線断面図）、図８は、本発明の機能素子の寸法の測定方法を示す断面図（図１のｙ−ｙ線断面図）である。なお、以下では、説明の便宜上、図１〜図８の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
【００２４】
まず、本発明の電子装置について説明する。
図１、２に示すように、電子装置１は、基板２と、機能素子３と、検査体４と、素子周囲構造体５と、半導体回路（図示せず）とを有する。なお、図１においては、理解を容易とするため、素子周囲構造体５を省略した。以下これら各部について順次説明する。
基板２は、平面視形状が例えば、略長方形状を有する板部材である。このような基板２は、半導体で構成された半導体基板２１上に、絶縁膜２２と、窒化膜２３とをこの順に積層することにより構成されている。なお、基板２は、平面視形状が略正方形状や略円形状、略楕円形状等の任意の他の形状であってもよい。
【００２５】
図３に示すように、機能素子３は、基板２上に形成された固定電極３１と、可動電極３２とを有している。
固定電極３１は、平面視で略長方形となっており、一方の長辺の中央付近からは、他の回路と導通するための配線（図示せず）が配されている。
可動電極３２は、平面視で略長方形となっており、その一方（図１中右側）の長辺が固定電極３１上に配されるように、一部が固定電極３１と重複している。可動電極３２は、基板２の窒化膜２３上に形成された支持部３２１と、固定電極３１と空隙を隔てて対向配置された可動板（可動部）３２２と、支持部３２１と可動板３２２とを連結する連結部３２３とを有している。可動板３２２は、連結部３２３を介して支持部３２１に片持ち支持されている。
可動板３２２と固定電極３１の間に、可動板３２２の固有振動数と同等の周波数を持つ高周波電圧を印加すると、可動板３２２が振動（共振）し、容量変化がおきることで、固定電極３１および可動板３２２間に電流が流れ、固定電極３１から前記電流が出力（検出）される。
なお、図３では、理解を容易とするため、素子周囲構造体５の記載を省略した。
【００２６】
図１、図２に示すように、検査体４は、機能素子３と所定の離間距離を置いて配置されており、２つの検査体４が、可動電極３２の可動板３２２にある長辺の方向と平行な方向に、機能素子３を介して対向して配置されている。なお、上記の２つの検査体４は、同一の構成となっている。
検査体４は、後述するように、所定の部位の寸法を測定されることにより、機能素子３の所定の部位の寸法を求めるのに用いられる。すなわち、機能素子３の本来寸法を測定したい部位（以下、「希望測定部位」ともいう。）の代わりに、検査体４の所定の部位（以下、「実測部位」ともいう。）について寸法を測定することにより、機能素子３の希望測定部位の寸法が推定される。
また、検査体４は、機能素子３と所定の離間距離を置いて配置されている。これにより、機能素子３の駆動時において検査体４が機能素子３の寄生容量となり、機能素子３の周波数特性に影響を与えるのを防止することができる。
【００２７】
また、本実施形態においては、検査体４と機能素子３との離間距離は、０．１〜１０００μｍであることが好ましい。このように、検査体４を十分に機能素子３から近い部位に配置することにより、検査体４が機能素子３の寸法の誤差（位置ずれ、機能素子３の形状等による誤差）を反映しやすいものとなる。また、前記上限値以上の離間距離を有することにより、検査体４が機能素子３の寄生容量となり、機能素子３の周波数特性に影響を与えることが防止される。
【００２８】
また、上述したように、本実施形態では、１つの機能素子３につき２つの検査体４が配置されている。このため、例えば２つの検査体４についてそれぞれ、実測部位が測定されることにより、機能素子３の希望測定部位の寸法が測定の精度がより高いものとなる。また、一方の検査体４が破損していた場合であっても、他方の検査体４を用いることができるため、機能素子の希望測定部位の寸法の誤差が好適に行われることができる。
【００２９】
特に、本実施形態では、上述したように、一対の検査体４が、機能素子３を介して対向するように形成されている。このため、一対の検査体４において、各検査体４における第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２との位置関係が比較されることにより、可動電極３２の固定電極３１に対する配置角度が推定される。これにより、より厳密な機能素子３の寸法管理が可能となる。
【００３０】
また、検査体４は、機能素子３を直接測定するのに比べ、寸法の測定に適した形状をなしている。
また、検査体４は、検査体４の所定の部位の目的とする寸法からの誤差が十分に精度よく測定されるような大きさとなっており、機能素子３よりも平面視における面積が小さいものとなっている。
【００３１】
また、機能素子３の希望測定部位の設計された寸法をＡ［μｍ］、検査体４の実測部位の設計された寸法をＢ［μｍ］としたとき、０．１≦Ａ／Ｂ≦１０００の関係を満足することが好ましく、１．０≦Ａ／Ｂ≦１０の関係を満足することがより好ましい。これにより、検査体４の測定される寸法において、機能素子３の寸法のをより正確に把握することができる。
【００３２】
また、検査体４は、機能素子３の寸法が測定される所定の部位（希望測定部位）の寸法の方向と平行に、検査体４の所定の部位（実測部位）の寸法が測定されることが好ましい。これにより、検査体４の測定される部位が、機能素子３の寸法が測定される所定の部位により対応しやすいものとなり、電子装置１は、機能素子３の寸法がより正確に把握されるものとなる。
【００３３】
このような検査体４は、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２とを有している。
図１、図４に示すように、第１の検査用膜４１は、略長方形をなしており、長辺方向が可動電極３２の可動板３２２にある長辺の方向と垂直になるように配されている。
また、第１の検査用膜４１は、固定電極３１に対応するものである。言い換えると、第１の検査用膜４１は、固定電極３１と同様の材料で構成されており、固定電極３１と同様の方法により形成されている。これにより、第１の検査用膜４１は、固定電極３１の製造時における誤差が、十分に反映されたものとなり、電子装置１は、機能素子３の状態がより確実に把握できるものとなる。
【００３４】
第２の検査用膜４２は、略長方形をなしており、長辺方向が可動電極３２の可動板３２２にある長辺の方向と平行になるように、かつ、第１の検査用膜４１と直交して交差するように配されている。
また、第２の検査用膜４２は、可動電極３２に対応するものである。言い換えると、第２の検査用膜４２は、可動電極３２と同様の材料で構成されており、可動電極３２と同様の方法により形成されている。これにより、第２の検査用膜４２は、可動電極３２の製造時における誤差が、十分に反映されたものとなり、電子装置１は、機能素子３の状態がより確実に把握できるものとなる。
【００３５】
以上のような検査体４は、少なくとも第１の検査用膜４１の一端が検査体４の寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。これにより、電子装置１は、固定電極３１に対応する第１の検査用膜４１の位置、形状、大きさ等に関する誤差が把握されるものとなり、精度よく機能素子３の希望測定部位の寸法を求めることができる。
また、検査体４は、少なくとも第２の検査用膜４２の一端が検査体４の寸法の測定に用いられるものであることが好ましい。これにより、電子装置１は、可動電極３２に対応する第２の検査用膜４２の位置、形状、大きさ等に関する誤差が把握されるものとなる。
また、特に、検査体４の実測部位として、第１の検査用膜４１の一端と、第２の検査用膜４２の一端とを用いた場合、上述した効果に加えて、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２の位置関係が把握されることから、機能素子３の可動電極３２と固定電極３１との位置関係が把握されるものとなる。
【００３６】
また、以上のような観点から、検査体４の実測部位が、第１の検査膜４１の一方の短辺４１１（図４中左側の短辺）上の点Ｄと、第２の検査膜４２の短辺４１１とは反対側にある長辺４２１（図４中右側の長辺）上の点Ｅを測定に用いることにより、電子装置１は、機能素子３の固定電極３１および可動電極３２の形状、大きさ等のずれ、および固定電極３１と可動電極３２の位置関係が総合的に把握できるものとなる。
なお、検査体４は、第２の検査用膜４２の周囲に後述する犠牲層２２０を有する。図１、図４では、理解を容易とするために犠牲層２２０および素子周囲構造体５の記載を省略した。
【００３７】
素子周囲構造体５は、機能素子３が配置された空洞部６を画成するように形成されている。このような素子周囲構造体５は、基板２上に機能素子３を取り囲むように形成された層間絶縁膜５１と、層間絶縁膜５１上に形成された配線層５２と、配線層５２および層間絶縁膜５３上に形成された層間絶縁膜５３と、層間絶縁膜５３上に形成され、複数の細孔（開孔）を備えた被覆層５４１を有する配線層５４と、配線層５４および層間絶縁膜５３上に形成された表面保護層５５と、被覆層５４１上に設けられた封止層５６とを有している。
【００３８】
このような素子周囲構造体５において、検査体４は、素子周囲構造体５が画成した空洞部６の外部に設けられ、層間絶縁膜５１と層間絶縁膜５３とによって埋設されている。これにより、検査体４の寸法を測定する際に、空洞部６を開封する必要がなく、機能素子３が損傷することが防止される。また、検査体４が素子周囲構造体５によって埋設されていない場合、検査体４が基板２から剥離してしまい、空洞部６内を移動可能になる結果、例えば、検査体４が機能素子３の可動電極３２と固定電極３１との間に挟まることにより、機能素子３に不具合を与える問題が考えられるが、本実施形態では、このような問題が、防止されている。
【００３９】
また、このような構成の素子周囲構造体５には、一部欠損した図示しない開口部が形成されている。機能素子３の固定電極３１および可動電極３２には、それぞれ、電極配線（図示せず）が接続されており、これら配線は、前記開口部を介して素子周囲構造体５の外側へ引き出される。
また、図１〜図４において、半導体基板２１上およびその上方には、図示しない半導体回路が作り込まれている。この半導体回路は、必要に応じて形成されたＭＯＳトランジスタ等の能動素子、コンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線（前記電極配線、配線層４２、４４を含む）等の回路要素を有している。
【００４０】
以上のような電子装置１は、後述するような方法で検査体４の所定の部位の寸法を測定することにより、備える機能素子３を直接測定することなく、機能素子３の目的とする部位の寸法を精度よく測定することができる。このため、例えば、機能素子３が所望の周波数特性を有していない場合には、その原因を調査するために検査体４の所定の部位の寸法を測定することにより、電子装置１の機能素子３の所定の部位の寸法を測定することができる。また、その他の例として、例えば、電子装置１の製造時において、品質チェック等を行うため、検査体４の寸法を測定することができる。
【００４１】
次に、本発明の電子装置の製造方法について説明する。
また、本実施形態の電子装置の製造方法は、固定電極と第１の検査用膜とを、同時に、同様の方法により形成する固定電極形成工程と、前記基板上に、可動電極と第２の検査用膜とを、同様の方法により形成する可動電極形成工程と、前記固定電極と前記前記可動電極からなる機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体を、前記第１の検査用膜と前記第２の検査用膜とを含んで形成された検査体が前記空洞体に配置されないように形成する素子周囲構造体形成工程とを有している。
【００４２】
以下、各工程について順次説明する。
［基板準備工程］
固定電極形成工程に先立ち、基板２を準備する。
まず、図５（ａ）に示すように、シリコン基板等の半導体よりなる半導体基板１００を用意する。なお、半導体基板１００の代わりに、セラミックス基板、ガラス基板、サファイア基板、ダイヤモンド基板、合成樹脂基板等を用いてもよい。次いで、用意した半導体基板１００の表面（上面）を熱酸化することによりシリコン酸化膜（絶縁膜）１１０を形成し、さらに、シリコン酸化膜１１０上にシリコン窒化膜１２０をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。これにより基板２が得られる。
【００４３】
シリコン酸化膜１１０は、半導体基板１００およびその上方に半導体回路を形成する際の素子間分離膜として機能する。また、シリコン窒化膜１２０は、後に行われるリリース工程において実施されるエッチングに対する耐久性を有しており、いわゆるエッチングストップ層として機能する。なお、シリコン窒化膜１２０は、パターニング処理によって、機能素子３および検査体４を形成する平面範囲を含む範囲に限定して形成する。これにより、基板１００およびその上方に半導体回路を形成する際の障害となることがなくなる。なお、シリコン窒化膜１２０は、必要に応じて、コンデンサ等の回路要素を形成するために、範囲を限定せずに形成することもできる。
【００４４】
［固定電極形成工程］
次いで、図５（ｂ）に示すように、シリコン窒化膜１２０上に、固定電極３１および第１の検査用膜４１を形成するためのシリコン膜２００をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、このシリコン膜２００にリンイオン、ボロン、ヒ素等の不純物イオンをドープして導電性を付与する。そして、シリコン膜２００上にフォトレジストを塗布し、固定電極３１および第１の検査用膜４１の形状（平面視形状）にパターニングしフォトレジスト膜２１０を形成する。なお、シリコン膜２００を構成するシリコンは、多結晶シリコンであってもよいし、非結晶シリコンであってもよい。
【００４５】
次いで、図５（ｃ）に示すように、パターニングしたフォトレジスト膜２１０をマスクとしてシリコン膜２００をエッチングした後、フォトレジスト膜２１０を除去する。
次いで、図５（ｄ）に示すように、固定電極３１および第１の検査用膜４１を覆うようにシリコン酸化膜、またはＰＳＧ（リンドープガラス）等からなる犠牲層２２０を熱酸化法、スパッタリング法またはＣＶＤ法等により形成する。
これにより、固定電極３１と第１の検査用膜４１とが、同様の方法により同時に形成される。また、固定電極３１と第１の検査用膜４１とは、このように同様の方法により同時に形成されることで、同じ材料によって構成されるものとなる。
【００４６】
［可動電極形成工程］
次いで、図５（ｅ）に示すように、シリコン窒化膜１２０および犠牲層２２０上に、可動電極３２および第２の検査用膜４２を形成するためのシリコン膜２３０をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、形成したシリコン膜にリンイオン、ボロン、ヒ素等の不純物イオンをドープして導電性を付与する。そして、シリコン膜２３０上からフォトレジストを塗布し、可動電極３２の形状（平面視形状）および第２の検査用膜４２の形状（平面視形状）にパターニングしフォトレジスト膜２４０を形成する。なお、シリコン膜２３０を構成するシリコンは、多結晶シリコンであってもよいし、非結晶シリコンであってもよい。
【００４７】
次いで、図５（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜２４０をマスクとしてシリコン膜２３０をエッチングした後、フォトレジスト膜２４０を除去する。これにより、可動電極３２および第２の検査用膜４２が同様の方法により同時に形成される。なお、可動電極３２は、支持部３２１、可動板３２２および連結部３２３が一体的に形成される。また、可動電極３２と第２の検査用膜４２とは、このように同様の方法により同時に形成されることで、同じ材料によって構成されるものとなる。
【００４８】
［絶縁膜形成工程］
次いで、図６（ａ）に示すように、シリコン窒化膜１２０、機能素子３および検査体４上に、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜３００をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。また、層間絶縁膜３００に、半導体基板１００の平面視にて機能素子３を取り巻く環状の開口部３０１をパターニング処理（例えば、前述したようなフォトレジストを用いたパターニング処理）等により形成する。また、このとき、検査体４が、上記の環状の開口部３０１の外部となるように、パターニング処理を行う。なお、開口部３０１は、半導体基板１００の平面視にて、環状をなしてなくてもよく、その一部が欠損していてもよい。
【００４９】
次いで、図６（ｂ）に示すように、層間絶縁膜３００上に、例えばアルミニウムよりなる層をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成した後、パターニング処理することにより配線層３１０を形成する。配線層３１０は、開口部３０１に対応するように、半導体基板１００の平面視にて環状をなしている。また、配線層３１０の一部は、開口部３０１を通して半導体基板１００上およびその上方に形成された配線（図示しない半導体回路の一部を構成する配線）に電気的に接続される。なお、配線層３１０は、機能素子３を取り巻く部分にのみ存在するように形成されているが、一般的には、図示しない半導体回路の一部を構成する配線層の一部が、配線層３１０を構成している。
【００５０】
次いで、図６（ｃ）に示すように、層間絶縁膜３００および配線層３１０上に、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜３２０をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。また、層間絶縁膜３２０に、半導体基板１００の平面視にて機能素子３を取り巻く環状の開口部３２４をパターニング処理等により形成する。また、このとき、検査体４が、上記の環状の開口部３２４の外部となるように、パターニング処理を行う。なお、開口部３２４は、開口部３０１と同様に、半導体基板１００の平面視にて、環状をなしてなくてもよく、その一部が欠損していてもよい。
このような層間絶縁膜と配線層との積層構造は、通常のＣＭＯＳプロセスにより形成され、その積層数は、必要に応じて適宜に設定される。すなわち、必要に応じてさらに多くの配線層が層間絶縁膜を介して積層される場合もある。
【００５１】
［被覆層形成工程］
図７（ａ）に示すように、層間絶縁膜３２０上に、例えばアルミニウムよりなる層をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成した後、パターニング処理することにより配線層３３０を形成する。この配線層３３０の一部は、開口部３２４を通して配線層３１０に電気的に接続される。また、配線層３３０の一部は、機能素子３の上方に位置し、複数の細孔３３２が形成された被覆層３３１を構成している。このような配線層３３０も、前述した配線層３１０と同様に、一般的には、図示しない半導体回路の一部を構成する配線層の一部で構成されている。
【００５２】
次いで、図７（ｂ）に示すように、配線層３３０および層間絶縁膜３２０上に、例えばシリコン窒化膜、レジストその他の樹脂材料よりなる表面保護層３４０をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。また、この表面保護層３４０は、被覆層３３１の細孔３３２を封止してしまわないように形成する。なお、表面保護層３４０の構成材料としては、後述するリリース工程において行われるエッチング処理に対する耐性を有するものであれば、特に限定されない。
【００５３】
［リリース工程］
図７（ｃ）に示すように、被覆層３３１に形成された複数の細孔３３２を通して、機能素子３上にある層間絶縁膜３００、３２０を除去するとともに、固定電極３１と可動板３２２との間にある犠牲層２２０を除去する。これにより、機能素子３が配置された空洞部６が形成されるとともに、固定電極３１と可動板３２２とが離間し、機能素子３が駆動し得る状態となる。
層間絶縁膜３００、３２０および犠牲層２２０の除去は、例えば、複数の細孔３３２からエッチング液としてのフッ酸、緩衝フッ酸等を供給するウェットエッチングや、複数の細孔３３２からエッチングガスとしてフッ化水素酸ガス等を供給するドライエッチングにより行うことができる。
【００５４】
なお、このときに検査体４は、層間絶縁膜３００に埋設されているため、基板２から剥離することが防止されている。この結果、基板２から剥離した検査体４が機能素子３の可動電極３２と固定電極３１との間に挟まって機能素子３に不具合を及ぼすことが防止されている。
なお、層間絶縁膜３００、３２０および犠牲層２２０を除去した後に、必要に応じて、空洞部６内の洗浄を行ってもよい。
【００５５】
［封止工程］
最後に、図７（ｄ）に示すように、配線層３３０上に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ等の金属膜等からなる封止層３５０をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、各細孔３３２を封止する。
【００５６】
以上のような工程により、電子装置１を製造することができる。
すなわち、絶縁膜形成工程と、被覆層形成工程と、リリース工程と、封止工程とで素子周囲構造体形成工程を構成しているとも言える。
なお、電子装置１が有する半導体回路が有するＭＯＳトランジスタ等の能動素子、コンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線等の回路要素は、上述した適宜の工程中（例えば、絶縁膜形成工程、被覆層形成工程、封止層形成工程）途中において作り込んでおくことができる。例えば、シリコン酸化膜１１０とともに回路素子間分離膜を形成したり、固定電極３１や可動電極３２とともにゲート電極、容量電極、配線等を形成したり、犠牲層２２０や層間絶縁膜３００、３２０とともにゲート絶縁膜、容量誘電体層、層間絶縁膜を形成したり、配線層３１０、３３０とともに回路内配線を形成したりすることができる。
【００５７】
次に、本発明の機能素子の寸法の測定方法について説明する。
まず、機能素子の寸法を測定する場合としては、上述したような例が挙げられるが、特に、電子装置の機能素子が所定の周波数を有さない場合、その原因を解明するために検査体の寸法を測定し、機能素子の寸法を測定することが考えられる。
本実施形態の機能素子の寸法の測定方法は、上述したような電子装置について、素子周囲構造体に埋設された検査体を露出させる検査体露出工程と、前記第１の検査用膜と前記第２の検査用膜とからなる検査体の所定の部位の寸法を測定する検査体測定工程と、前記測定の結果から、前記機能素子の所定の部位の寸法を求める寸法測定工程とを有する。
【００５８】
［検査体露出工程］
まず、電子装置１を準備する。
次に、図８（ａ）に示すように、検査体４上の表面保護層５５を除去する。
表面保護層３４０の除去は、半導体のエッチング工程でよく用いられているウエットエッチングや、ドライエッチング等の加工方法を用いて行うことができる。例えば、ウエットエッチングでは、フッ酸系の溶液を使い、ドライエッチングでは、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６等のフッ素系のガスが用いられる。
【００５９】
次に、図８（ｂ）に示すように、リリース工程と同様の方法により、検査体４上にある層間絶縁膜５１、５３を除去する。これにより、検査体４が露出する。なお、このとき同時に検査体４の第１の検査膜４１と第２の検査膜４２との間に存在する犠牲層２２０が除去される。
このように、リリース工程と同様の方法によって層間絶縁膜５１、５３が除去されることにより、機能素子３の形成（空洞部６の形成）と同様の方法で素子周囲構造体から検査体４が露出することとなり、検査体４と機能素子３との寸法の誤差の生じ方がより近いものとなる。
【００６０】
［検査体測定工程］
次に、検査体４の所定の部位の寸法を測定する。
検査体４の第１の検査用膜４１は、固定電極３１に対応するものであり、固定電極３１についての位置、形状、大きさの理想の値からのずれに対応する同程度のずれ（誤差）を有していると仮定される。また、第２の検査用膜４２は、可動電極３２に対応するものであり、可動電極３２についての位置、形状、大きさの理想の値からのずれに対応する同程度のずれ（誤差）を有していると仮定される。
【００６１】
すなわち、検査体４と機能素子３とは同時に同様の方法で形成されたものであるため、例えば、パターニング時のマスク等のずれによって、固定電極３１と可動電極３２との位置ずれが起きた場合、その位置ずれの距離、方向は、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２との間で起きた位置ずれの距離、方向とほぼ同様である。
同様に、例えば固定電極３１が過度にエッチングされた場合、固定電極３１が過度にエッチングされる度合いと、第１の検査用膜４１が過度にエッチングされる度合いとはほぼ同じである。
【００６２】
以上より、機能素子３と検査体４とは、その大きさ、形状の違いに関わらず、位置ずれ、エッチングの過不足による影響を同程度に受けている。特に第１の検査用膜４１と固定電極３１との構成材料が同じであり、第２の検査用膜４２と可動電極３２との構成材料が同一である場合、このような傾向は顕著になる。
このため、機能素子３の本来寸法を測定したい部位（以下、「希望測定部位」ともいう。）の代わりに、検査体４の所定の部位（以下、「実測部位」ともいう。）について寸法を測定することにより、後述するように、機能素子３の希望測定部位の寸法の目的とする値（設計値）からの誤差を推定することができ、これから機能素子３の希望測定部位の寸法を求めることができる。
【００６３】
本工程では、まず、検査体４の実測部位の決定前に、対応する機能素子３の希望測定部位を決定する。機能素子３の平面視でおいて、希望測定部位は、２点の基点を有する線分である。
機能素子３の希望測定部位としては、周波数特性に影響を与えやすい部位とすることが好ましい。このため、固定電極３１と可動電極３２との位置ずれ、可動電極３２の振動部分（特に可動板３２２）の形状、大きさを総合的に判断する指標として、例えば、図３（ａ）、（ｂ）中で、固定電極３１の可動電極３２側（図３左側）にある長辺を通る線を線Ａ、可動電極３２の固定電極３１上にある長辺（図３右側の長辺）を通る線を線Ｂとしたとき、線Ａ−線Ｂの距離を測定することが考えられ、本実施形態では、線Ａを通る点Ａ１と線Ｂを通る点Ｂ１との間を希望測定部位とする。このような希望測定部位において設計された寸法からの誤差が生じ、固定電極３１と可動電極３２との位置がずれたり、可動電極３２が大きさが変化したりする場合、可動電極３２の振動部分の質量および質量分布の変化が大きく、機能素子３の周波数特性に影響が大きい。
【００６４】
次に、機能素子３の希望測定部位に対応する検査体４の実測部位を決定する。
本実施形態では、図４に示す機能素子３付近に設けられた検査体４について、実測部位として、第１の検査膜４１の一方の短辺４１１（図４中左側の短辺）と、第２の検査膜４２の短辺４１１とは反対側にある長辺４２１（図４中右側の長辺）との距離を測定することとし、短辺４１１上にある点Ｄと長辺４２１上にある点Ｅとを基点とする実測部位とする。係る実測部位は、上述した希望実測部位と平行な線分である。また、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２とを測定に用いることから、実測部位で測定される寸法に、その実測部位の測定方向における、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２との位置関係が反映されるとともに、第１の検査用膜４１の大きさ、形状のずれ（形成時よるエッチング等のずれ）、第２の検査用膜４２の大きさ、形状のずれ（形成時よるエッチング等のずれ）が反映される。また、上述した点Ｄは、第１の検査用膜４１と基板２との境界にあり、点Ｅは、第２の検査用膜４２と第１の検査用膜４１との境界にあることから、これらの点は、明確に認識でき測定の基点として用いることができる。
【００６５】
なお、検査体４を観察する手段としては、各種電子顕微鏡、光学顕微鏡、ＣＣＤカメラ等の観察手段を用いることができる。
また、検査体４上の素子周囲構造体５が透明である場合、上述したような検査体露出工程を省略して検査体４を露出されることなく、直接検査体４の実測部位の測定を行ってもよい。また、例えば、検査体４上の素子周囲構造体５について、層間絶縁膜５１のみが透明である場合、表面保護層５５および層間絶縁膜５３のみを除去して検査用膜４２の実測部位の測定を行ってもよい。
【００６６】
［寸法測定工程］
次に、上記の測定の結果から、実測部位の目的とする寸法（設計された寸法）と、測定された寸法とを比較することにより、機能素子３の実測部位の寸法の設計された値からの誤差（寸法誤差）を推定し、さらに、機能素子３の希望測定部位の寸法を求める。
形成された検査体４の測定部位の目的とする（設計した）寸法（Ｓｉ［μｍ］）と、測定された寸法（Ｓａ［μｍ］）との比較は、例えば、誤差（Ｓａ−Ｓｉ［μｍ］）を求めることにより行うことができる。
また、本実施形態において、機能素子３の寸法誤差は、例えば、検査体４での誤差（Ｓａ−Ｓｉ［μｍ］）とすることができる。
また、機能素子３の希望測定部位の寸法は、例えば、希望測定部位の設計された寸法に機能素子３の寸法誤差を加えることにより得られる。
【００６７】
また、本実施形態では、上述したように、一対の検査体４が、機能素子３を介して対向するように形成されているため、以下のような手順により、可動電極３２の固定電極３１に対する配置角度を推定することができる。
まず、各検査体４の実測部位における誤差を算出する。そして、各検査体４の実測部位における誤差同士に差があった場合、第１の検査用膜４１と第２の検査用膜４２の位置関係が２つの各検査体４で異なることが推定されるため、可動電極３２の固定電極３１に対する配置角度について、例えば、可動電極３２の長辺が固定電極３１の長辺と平行であるかそうでないか、またどの程度の角度を有しているのか等を推定することができる。
以上のように、機能素子３の寸法が反映され、寸法の測定が容易な検査体４の寸法を基準とすることにより、機能素子３の寸法を直接測定することなく、機能素子３の寸法を精度よく求めることができ、機能素子３の寸法の管理が容易となる。この結果、電子装置１において機能素子３の性能が十分に発揮されない場合に原因の解析を行うことができる。
【００６８】
以上のような方法は、機能素子３の希望測定部位の設計される寸法と、希望測定部位の許容される寸法誤差の範囲とで、スケール（桁数）が大きく異なる場合には、従来機能素子３を直接測定した場合に検出できなかった寸法誤差が、より誤差を検出しやすい検査体４を測定することにより検出できるため、特に有効である。
また、特に、機能素子３の希望測定部位が測定しにくい部位であった場合でも、検査体４の対応する実測部位を測定することにより、希望測定部位の寸法が精度よく求められる。
【００６９】
［得られた機能素子の測定された寸法に基づいた対処］
次に、上記のような方法により得られた機能素子３の希望測定部位の寸法から、電子装置１に備えられた機能素子３について検討を行う。
機能素子３希望測定部位の寸法が許容範囲内である場合、機能素子３の寸法については問題がないものとして取り扱うことができる。そして、例えば、機能素子３の周波数特性が所望のものでない場合には、機能素子３の寸法以外が不具合の原因とみなすことができる。また、検査体４を再び埋設して素子周囲構造体５を再度形成して、電子装置１を製品として取り扱うことができる。
【００７０】
一方、機能素子３の希望測定部位の寸法が許容範囲内にない場合、必要に応じて、例えば、機能素子３を作成しなおしたり、機能素子３を有する電子装置１を廃棄したり、空洞部６を開封して機能素子３が所望の周波数特性を有するように機能素子３に対し調整を加えたりすることができる。調整方法の一例としては、可動板３２２の一部をレーザ照射等により除去して質量を減少させる方法、逆に、可動板３２２に重りを付与して重量を増大させる方法が挙げられる。可動板３２２の重量の増減の程度は、上記の求められた希望測定部位の寸法から判断する。
【００７１】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図９は、本発明の第２実施形態に係る電子装置が備える検査体を示す平面図である。
以下、本発明の第２実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第２実施形態では、検査体の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７２】
図９に示すように、電子装置１Ａは、検査体４Ａを有している。
検査体４Ａは、第１の検査用膜４１Ａと、第２の検査用膜４２Ａと、第３の検査用膜４３Ａ、４３Ｂとを有している。
第１の検査用膜４１Ａは、略長方形をなしており、長辺方向が可動電極３２の可動板３２２にある長辺の方向と垂直になるように配されている。
第２の検査用膜４２Ａは、略長方形をなしており、長辺方向が可動電極３２の可動板３２２にある長辺の方向と平行になるように、かつ、第１の検査用膜４１Ａと直交するように配されている。
【００７３】
第３の検査用膜４３Ａ、４３Ｂは、それぞれ第２の検査用膜４２Ａと同様の形状をなしており、第２の検査用膜４２Ａを介して対向して、第２の検査用膜４２Ａと平行となるように配置されている。第３の検査用膜４３Ａは、第２の検査用膜４２Ａの左側に配され、第１の検査用膜４１Ａと重複しないように、基板２上に直接設けられている。一方、第３の検査用膜４３Ｂは、第２の検査用膜４２Ａの右側に設けられ、かつ、第１の検査用膜４１Ａと直交するように配されている。
【００７４】
また、第３の検査用膜４３Ａ、４３Ｂと第２の検査用膜４２Ａとは、電子装置１Ａの製造におけるデザインルールに従って、所定の間隔が設けられている。
また、第３の検査用膜４３Ａ、４３Ｂは、可動電極３２および第２の検査用膜４２Ａと同様の材料で構成されており、可動電極３２および第２の検査用膜４２Ａと同様の方法により形成されている。
【００７５】
検査体４Ａは、このような第３の検査用膜４３Ａ、４３Ｂを有することにより、第２の検査用膜４２Ａ形成時における形状、大きさの誤差が、可動電極３２の形成時における形状、大きさの誤差とより対応しやすいものとなる。例えば、第２の検査用膜４２Ａ形成時における第２の検査用膜４２Ａのエッチングによる誤差の影響と、可動電極３２形成時のける可動電極３２のエッチングによる誤差の影響が近いものとなる。この結果、機能素子３の希望測定部位の寸法の測定の精度が向上する。
【００７６】
なお、機能素子３の希望測定部位が第１実施形態と同様の部位である場合、検査体４Ａにおける実測部位は、第１実施形態と同様に、第１の検査用膜４１の一方の短辺４１１Ａと、第２の検査用膜４２Ａの短辺４１１Ａとは反対側の短辺に近い長辺４２１Ａとの距離を測定することのできる短辺４１１Ａ上の点Ｆと長辺４２１Ａ上の点Ｇとを基点とすることができる。
以上のような第２実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
図９では、理解を容易とするために犠牲層２２０および素子周囲構造体５の記載を省略した。
【００７７】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図１０は、本発明の第３実施形態に係る電子装置を示す平面図である。
以下、本発明の第３実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第３実施形態では、検査体の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７８】
図１０に示すように、電子装置１Ｂは、機能素子３を介して対向配置された２つの検査体４Ｂを有している。なお、図１０では、理解を容易にするために犠牲層２２０および素子周囲構造体５の記載を省略した。
検査体４Ｂは、第１の検査用膜４１Ｂと、第２の検査用膜４２Ｂとを有している。
第１の検査用膜４１Ｂは、固定電極３１と略相似をなしており、略長方形をなし、その長辺が固定電極３１の長辺と平行になるように配置されている。
【００７９】
第２の検査用膜４２Ｂは、その外形が可動電極３２と略相似をなしており、略長方形をなし、その長辺が可動電極３２の長辺と平行になるように、かつ、右側の長辺４２１Ｂが第１の検査用膜４１Ｂ上に配されるように、第１の検査用膜４１Ｂと重なって配置されている。
また、第２の検査用膜４２Ｂは、開口部４２３Ｂを有している。開口部４２３Ｂは、その長辺が長辺４２１Ｂと平行な略長方形をなしている。そして、開口部４２３Ｂからは、第１の検査用膜４１Ｂの左側の長辺４１２Ｂの一部が露出している。
【００８０】
このように、機能素子３の形状とより近い形状の検査体４Ｂを用いることにより、第１実施形態の検査体４を用いる場合と比較して、機能素子３の希望測定部位の寸法の測定精度が向上する。
また、検査体４Ｂが機能素子３の形状と同一の形状である場合には、実測部位の設定が困難であるが、検査体４Ｂに開口部４２３Ｂが設けられていることにより、好適に実測部位の設定ができる。
【００８１】
なお、機能素子３の希望測定部位が第１実施形態と同様の部位である場合、検査体４Ｂにおける実測部位は、開口部４２３Ｂから露出している第１の検査用膜４１Ａの長辺４１２Ｂと、第２の検査用膜４２Ｂの長辺４２１Ｂとの距離を測定するために、長辺４１２Ｂ上の点Ｈと長辺４２１上の点Ｉとを基点とすることができる。なお、検査体４Ｂの実測部位である点Ｈ−点Ｉは、機能素子３の希望測定部位である点Ａ１−点Ｂ１に対応する個所となる。
以上のような第３実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８２】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１１は、本発明の第４実施形態に係る電子装置を示す平面図、図１２は、図１０に示す電子装置が備える機能素子の断面図（ｘ’−ｘ’線断面図）、図１３は、図１０の電子装置が備える検査体の拡大平面図である。
【００８３】
以下、本発明の第４実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第４実施形態では、機能素子および検査体の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００８４】
電子装置１Ｃは、基板２と、機能素子３Ａと、検査体４Ｃと素子周囲構造体５とを有している。図１０〜図１２では、理解を容易にするために犠牲層２２０および素子周囲構造体５の記載を省略した。
機能素子３Ａは、基板２上に形成された固定電極３１Ａと、可動電極３２Ａとを有している。
【００８５】
固定電極３１Ａは、平面視で略長方形となっており、一方の短辺の中央付近からは、他の回路と導通するための配線（図示せず）が配されている。
可動電極３２Ａは、平面視で略長方形となっており、固定電極３１Ａと直交するように配されている。
可動電極３２Ａは、その短辺付近で構成され、基板２の窒化膜２３上に形成された一対の支持部３２１Ａと、固定電極３１Ａと空隙を隔てて対向配置された可動板（可動部）３２２Ａと、各支持部３２１Ａと可動板３２２Ａとを連結する２つの連結部３２３Ａとを有している。可動板３２２Ａは、各連結部３２３Ａを介して各支持部３２１Ａに両持ち支持されている。
【００８６】
図１０、図１２に示すように、検査体４Ｃは、基板２上の空洞部６の外部に設けられ、第１の検査用膜４１Ｃと第２の検査用膜４２Ｃとを有している。また、１つの機能素子３Ａに対し２つの検査体４Ｃが、可動電極３２Ａの短辺の方向と平行な方向に、機能素子３Ａを介して対向して配置されている。なお、上記の２つの検査体４Ｃは、同一の構成となっている。
【００８７】
第１の検査用膜４１Ｃは、平面視で略長方形をなしており、その長辺が固定電極３１Ａの長辺と平行になるように配されている。また、第１の検査用膜４１Ｃは、固定電極３１Ａとその外形が略相似である。
第２の検査用膜４２Ｃは、平面視でその外形が略長方形をなしており、第１の検査用膜４１Ｃと直交して重複するように配されている。また、第２の検査用膜４２Ｃは、平面視でその外形が可動電極３２Ａと略相似である。
【００８８】
また、第２の検査用膜４２Ｃは、２つの開口部４２３Ｃを有している。開口部４２３Ｃは、それぞれ、その長辺が第１の検査用膜４１Ｃの長辺４１１Ｃと平行な略長方形をなしている。また、左側の開口部４２３Ｃからは、第１の検査用膜４１Ｃの長辺４１１Ｃが寸法の測定の基点として利用可能程度に露出している。右側の開口部４２３Ｃからは、第１の検査用膜４１Ｃの長辺４１２Ｃが寸法の測定の基点として利用可能程度に露出している。
このように、機能素子３Ａの形状と近い形状の検査体Ｃを用いることにより、機能素子３Ａの希望測定部位の寸法の測定の精度を比較的高いものとすることができる。
【００８９】
なお、本実施形態においては、機能素子３Ａの希望測定部位としては、例えば、固定電極３１Ａの長辺同士の距離を測定するために、固定電極３１Ａの左側の長辺上にある点Ｊと右側にある長辺上にある点Ｋとを基点とすることができる。第１実施形態で詳述したように、機能素子３Ａは、固定電極３１Ａを形成し、固定電極３１Ａ上に犠牲層２２０を介して可動電極３２Ａを形成することにより、製造される。このため、機能素子３Ａにおいては、固定電極３１Ａの点Ｊ−点Ｋ間の距離を測定することにより、固定電極３１Ａの幅が測定されるとともに、固定電極３１Ａの上に形成された可動電極３２Ａの可動板３２２Ａの幅も間接的に測定される。これによって、可動電極３２Ａの重量、可動電極３２Ａと固定電極３１Ａとの重複面積とが、ある程度推定可能であり、機能素子３Ａの周波数特性の傾向を推定することができると考えられる。
【００９０】
また、上記の希望測定部位の寸法の測定に用いることのできる検査体４Ｃの実測部位としては、例えば、第１の検査用膜４１の長辺４１１Ｃと長辺４１２Ｃとの距離を測定することを目的として、長辺４１１Ｃ上の点Ｌと長辺４１２Ｃ上の点Ｍとを基点とすることができる。なお、検査体４Ｃの実測部位である点Ｌ−点Ｍは、相似する機能素子３の希望測定部位である点Ｊ−点Ｋに対応する個所である。
以上のような第４実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９１】
以上、本発明について図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、本発明の電子装置の製造方法は、前記各実施形態のうち、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
また、例えば、前述した実施形態では、検査体は、１つの機能素子につき、２つ設けられるものとして説明したが、基板上に１以上の検査体があればよい。
【符号の説明】
【００９２】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ……電子装置 ２……基板 ２１……半導体基板 ２２……絶縁膜 ２３……窒化膜 ３、３Ａ……機能素子 ３１、３１Ａ……固定電極 ３２、３２Ａ……可動電極 ３２１、３２１Ａ……支持部 ３２２、３２２Ａ……可動板 ３２３、３２３Ａ……連結部 ４、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ……検査体 ４１、４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ……第１の検査用膜 ４１１、４１１Ａ……短辺 ４１１Ｃ、４１２Ｂ、４１２Ｃ、４１４Ｃ……長辺 ４２、４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ……第２の検査用膜 ４２１、４２１Ａ、４２１Ｂ……長辺 ４２３Ｂ、４２３Ｃ……開口部 ４３Ａ、４３Ｂ……第３の検査用膜 ５……素子周囲構造体 ５１、５３……層間絶縁膜 ５２、５４……配線層 ５４１……被覆層 ５５……表面保護層 ５６……封止層 ６……空洞部 １００……半導体基板 １１０……シリコン酸化膜 １２０……シリコン窒化膜 ２００、２３０……シリコン膜 ２１０、２４０……フォトレジスト膜 ２２０……犠牲層 ３００、３２０……層間絶縁膜 ３０１、３２４……開口部 ３１０、３３０……配線層 ３３１……被覆層 ３３２……細孔 ３４０……表面保護層 ３５０……封止層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置され、固定電極および前記固定電極と空隙を隔てて対向配置された可動部を備える可動電極を有する機能素子と、
前記基板上に設けられ、前記機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体と、
前記基板上の前記空洞部の外部に設けられ、前記固定電極に対応する第１の検査用膜と、前記可動電極に対応する第２の検査用膜とを有する検査体とを有し、
前記検査体は、前記検査体の所定の部位の寸法が測定されることにより、前記機能素子の所定の部位の寸法を求めるために用いられることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記第１の検査用膜は、前記固定電極と同じ材料を用いて同様の方法により形成されたものであり、
前記第２の検査用膜は、前記可動電極と同じ材料を用いて同様の方法により形成されたものである請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記基板上に前記検査体を２以上有し、
前記２以上の検査体のうち、一対の前記検査体が、前記機能素子を介して対向するように配置されている請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記検査体は、前記機能素子の寸法が求められる所定の部位の設計された寸法をＡ［μｍ］、前記検査体の測定される所定の部位の目的とする寸法をＢ［μｍ］としたとき、０．１≦Ａ／Ｂ≦１０００の関係を満足するものである請求項１ないし３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項５】
前記検査体は、略長方形状の前記第１の検査用膜と略長方形状の前記第２の検査用膜とが直交するように交差しており、
前記検査体は、前記第１の検査用膜の前記第２の検査用膜が重なっていない辺と、前記第２の検査用膜の前記第１の検査用膜が重なっている辺とが寸法の測定に用いられるものである請求項１ないし４のいずれかに記載の電子装置。
【請求項６】
前記第２の検査用膜は、前記第１の検査用膜と重なるようにして設けられ、前記第１の検査用膜の端部の少なくとも一部が露出するようにして形成された開口部を有し、
前記検査体は、前記開口部から露出した前記第１の検査用膜の端部と、前記第２の検査用膜の外周部の一端とが寸法の測定に用いられるものである請求項１ないし５のいずれかに記載の電子装置。
【請求項７】
前記可動電極は、前記固定電極を挟んで対向して設けられ、可動部を支持する一対の支持部と、前記各支持部と可動部とを連結する一対の連結部と有し、
前記第２の検査用膜は、前記第１の検査用膜と重なるようにして設けられ、前記第１の検査用膜の一端の少なくとも一部が露出するようにして形成された第１の開口部と、前記第１の検査用膜の前記一端と対向する他端の少なくとも一部とが露出するようにして形成された第２の開口部とを有し、
前記検査体は、前記第１の開口部から露出した前記第１の検査用膜の前記一端と、前記第２の開口部から露出した前記第１の検査用膜の前記他端とが寸法の測定に用いられるものである請求項１ないし３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項８】
前記素子周囲構造体は、基板上に設けられ、前記検査体を埋設する絶縁膜を有し、
前記空洞部は、絶縁膜と同一の材料を除去することによって形成されたものであり、
前記検査体は、前記絶縁膜の少なくとも一部を前記空洞部の形成と同様の方法により除去して、前記検査体を露出させ、前記検査体の所定の部位の寸法が測定されるものである請求項１ないし７のいずれかに記載の電子装置。
【請求項９】
基板上に、固定電極と第１の検査用膜とを、同様の方法により形成する工程と、
前記基板上に、可動電極と第２の検査用膜とを、同様の方法により形成する工程と、
前記固定電極と前記前記可動電極からなる機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体を、前記第１の検査用膜と前記第２の検査用膜とを含んで形成された検査体が前記空洞体に配置されないように形成する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１０】
基板と、前記基板上に設けられた固定電極および前記固定電極と空隙を隔てて対向配置された可動部を備える可動電極を有する機能素子と、前記基板上に設けられ、前記機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体を有する電子装置において、前記機能素子の寸法を測定する方法であって、
前記電子装置は、前記基板上の前記空洞部の外部に前記素子周囲構造体中に埋設されて設置された、前記固定電極と対応する第１の検査用膜と、前記可動電極と対応する第２の検査用膜とを有する検査体を有し、
前記検査体を露出させた後に、前記検査体の所定の部位の寸法を測定し、測定の結果より、前記機能素子の所定の部位の寸法を求めることを特徴とする機能素子の寸法の測定方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置され、固定電極および前記固定電極と空隙を隔てて対向配置された可動部を備える可動電極を有する機能素子と、
前記基板上に設けられ、前記機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体と、
前記基板上の前記空洞部の外部に設けられ、前記固定電極に対応する第１の検査用膜と、前記可動電極に対応する第２の検査用膜とを有する検査体とを有し、
前記検査体は、前記検査体の所定の部位の寸法が測定されることにより、前記機能素子の所定の部位の寸法を求めるために用いられることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記第１の検査用膜は、前記固定電極と同じ材料を用いて同様の方法により形成されたものであり、
前記第２の検査用膜は、前記可動電極と同じ材料を用いて同様の方法により形成されたものである請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記基板上に前記検査体を２以上有し、
前記２以上の検査体のうち、一対の前記検査体が、前記機能素子を介して対向するように配置されている請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記検査体は、前記機能素子の寸法が求められる所定の部位の設計された寸法をＡ［μｍ］、前記検査体の測定される所定の部位の目的とする寸法をＢ［μｍ］としたとき、０．１≦Ａ／Ｂ≦１０００の関係を満足するものである請求項１ないし３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項５】
前記検査体は、略長方形状の前記第１の検査用膜と略長方形状の前記第２の検査用膜とが直交するように交差しており、
前記検査体は、前記第１の検査用膜の前記第２の検査用膜が重なっていない辺と、前記第２の検査用膜の前記第１の検査用膜が重なっている辺とが寸法の測定に用いられるものである請求項１ないし４のいずれかに記載の電子装置。
【請求項６】
前記第２の検査用膜は、前記第１の検査用膜と重なるようにして設けられ、前記第１の検査用膜の端部の少なくとも一部が露出するようにして形成された開口部を有し、
前記検査体は、前記開口部から露出した前記第１の検査用膜の端部と、前記第２の検査用膜の外周部の一端とが寸法の測定に用いられるものである請求項１ないし５のいずれかに記載の電子装置。
【請求項７】
前記可動電極は、前記固定電極を挟んで対向して設けられ、可動部を支持する一対の支持部と、前記各支持部と可動部とを連結する一対の連結部と有し、
前記第２の検査用膜は、前記第１の検査用膜と重なるようにして設けられ、前記第１の検査用膜の一端の少なくとも一部が露出するようにして形成された第１の開口部と、前記第１の検査用膜の前記一端と対向する他端の少なくとも一部とが露出するようにして形成された第２の開口部とを有し、
前記検査体は、前記第１の開口部から露出した前記第１の検査用膜の前記一端と、前記第２の開口部から露出した前記第１の検査用膜の前記他端とが寸法の測定に用いられるものである請求項１ないし３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項８】
前記素子周囲構造体は、基板上に設けられ、前記検査体を埋設する絶縁膜を有し、
前記空洞部は、絶縁膜と同一の材料を除去することによって形成されたものであり、
前記検査体は、前記絶縁膜の少なくとも一部を前記空洞部の形成と同様の方法により除去して、前記検査体を露出させ、前記検査体の所定の部位の寸法が測定されるものである請求項１ないし７のいずれかに記載の電子装置。
【請求項９】
基板上に、固定電極と第１の検査用膜とを、同様の方法により形成する工程と、
前記基板上に、可動電極と第２の検査用膜とを、同様の方法により形成する工程と、
前記固定電極と前記前記可動電極からなる機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体を、前記第１の検査用膜と前記第２の検査用膜とを含んで形成された検査体が前記空洞体に配置されないように形成する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１０】
基板と、前記基板上に設けられた固定電極および前記固定電極と空隙を隔てて対向配置された可動部を備える可動電極を有する機能素子と、前記基板上に設けられ、前記機能素子が配置された空洞部を画成する素子周囲構造体を有する電子装置において、前記機能素子の寸法を測定する方法であって、
前記電子装置は、前記基板上の前記空洞部の外部に前記素子周囲構造体中に埋設されて設置された、前記固定電極と対応する第１の検査用膜と、前記可動電極と対応する第２の検査用膜とを有する検査体を有し、
前記検査体を露出させた後に、前記検査体の所定の部位の寸法を測定し、測定の結果より、前記機能素子の所定の部位の寸法を求めることを特徴とする機能素子の寸法の測定方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１０−２２３８７５（Ｐ２０１０−２２３８７５Ａ）
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７３８４６（Ｐ２００９−７３８４６）
【出願日】平成２１年３月２５日（２００９．３．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２５日（２００９．３．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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