【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０の上方に配置された窒化シリコン層３０と、窒化シリコン層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５４、および窒化シリコン層３０の上方に配置され、梁部５４を支持する支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、第１電極４０および第２電極５０の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 （もっと読む）

【課題】ＰＡＧ（光酸発生物質）二重層を用い、残留物が無くＬＥＲも僅かな犠牲ポリマー層、及び犠牲ポリマー層の分解方法と、これを使用して改良されたエアキャビティー、又はエアギャップを作製するための方法を提供する。
【解決手段】ＰＡＧ二重層はその中に光酸発生物質を組込み、上部のＰＡＧ濃度は構造物の低部より高い。ＰＡＧが非存在の犠牲層１５が基板１０上に形成される。犠牲層が乾燥された後、ＰＡＧ単層２０が形成され、層１５と層２０はＰＡＧ二重層２５を形成する。次いで二重層２５の像様暴露（光線照射３５）遮蔽物３０を使用して行われる。暴露部分は熱分解法によって除去されて、基板上に残った非暴露部分４０を残す。次いで保護被覆層５０が構造体上に配置され、部分４５の分解及び保護被覆５０を通る分解生成物の浸透のために適当な温度に加熱した後、エアギャップ５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術分野で用いられる犠牲層としての使用に好適な樹脂フィルムの提供。
【解決手段】（Ａ）ガラス転移点（Ｔｇ）が４０〜８０℃で、エポキシ樹脂と反応する官能基を有するアクリル樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂、および、（Ｄ）テトラフェニルホスホニウムテトラ（ｐ−トリル）ボレートからなる樹脂フィルム。 （もっと読む）

【課題】サポート部材を用いてマイクロフォンを形成するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】マイクロフォンを形成するための方法は、バックプレート、およびウェットエッチングの犠牲層の少なくとも一部分の上の可撓性の振動板を形成する。この方法は、ウェットエッチングのレジスト材料を追加し、ウェットエッチングのレジスト材料は、振動板を支持するように、振動板とバックプレートとの間に配置される。ウェットエッチングのレジスト材料の一部は、振動板とバックプレートとの間には配置されない。方法はその後、上述の追加の間に追加されたウェットエッチングのレジスト材料の一部を除去する前に、犠牲材料を除去する。その後、ウェットエッチングのレジスト材料は、犠牲材料の少なくとも一部が除去された後に、実質的にその全体が除去される。 （もっと読む）

【解決手段】(i)犠牲膜パターン上に無機材料膜を形成し、犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する工程を含むマイクロ構造体の製造方法において、(A)一部又は全部のフェノール性水酸基が1，2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドによりエステル化されたクレゾールノボラック樹脂を含むと共に、架橋剤を含み、かつ200〜300nmの波長領域に最大の吸収極大を持つ光酸発生剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物を用い、犠牲膜として塗布する工程、(B)基板を加熱する工程、(C)パターンレイアウトイメージに沿った照射を行う工程、(D)犠牲膜パターンを形成する工程、(E)上記犠牲膜パターン中のクレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程を含む。
【効果】高精度な欠陥損失のない平面形状及び85°以上90°未満側壁の形状を有し、かつ熱耐性に優れる犠牲膜パターンが得られる。 （もっと読む）

【課題】入出力特性の悪化を招くことなく、振動子と半導体基板との間に、ギャップを精度良く形成する。
【解決手段】共振器は、半導体基板１の上に形成された第１の犠牲膜２Ａ，２Ｂと、第１の犠牲膜２Ａ，２Ｂの上に形成された第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂと、第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂの上に形成された固定電極６Ａ，６Ｂと、振動子３Ｘとを備えている。振動子３Ｘと第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂ及び固定電極６Ａ，６Ｂとの間には、第１のギャップ７Ａ，７Ｂが形成されている。振動子３Ｘと半導体基板１との間には、第２のギャップ８が形成されている。第１の犠牲膜２Ａ，２Ｂの端面は第２のギャップ８に露出し、且つ、第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂの端面は第１のギャップ７Ａ，７Ｂに露出している。 （もっと読む）

【課題】ジャイロメータは、基板と、基板の上に懸架された慣性質量部（２）であって、励振部（６）および検出部（８）を含む慣性質量部（２）と、前記慣性質量部（２）の平面内に含まれる、励振部（６）を少なくとも１つの方向（Ｘ）に移動させる手段と、前記質量部の平面の外側での前記検出部（８）の移動を検出する静電容量検出手段とを含む。
【解決手段】前記静電容量検出手段は、前記検出部（８、１０８）と共に可変コンデンサを形成するように、基板に面して位置する検出部（８）の上に配置された、少なくとも１つの懸架電極（１６）を含み、前記電極（１６）は、慣性質量部（２）を貫通する少なくとも１つの柱状体（２２）によって、前記検出部（８）の上に保持される。 （もっと読む）

【課題】加熱接合法を利用しても、梁構造体に歪みや変形が生じることを防ぐことができる、梁構造デバイスの製造方法の提供を図る。
【解決手段】犠牲層１７を介して支持基板１１に梁構造体１６を積層して底面側積層体１０を形成する。そして、予熱処理によって梁構造体１６の結晶構造を安定化させる。その後、犠牲層１７を除去して梁構造体１６を支持基板１１からリリースする。そして、天面側積層体２０を底面側積層体１０に対して加熱接合法により接合し、梁構造体１６を底面側積層体１０と天面側積層体２０とによるパッケージ構造に内装する。 （もっと読む）

【課題】上部電極の直下に下部電極を簡単に形成でき、上部電極と下部電極との短絡を防止し、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板７上に駆動用電極２２を選択的に形成し、駆動用電極２２を被覆するように、ＳｉＯ_２からなる電極被覆膜２３を形成する。次に、電極被覆膜２３上に、犠牲ポリシリコン層５２および犠牲酸化膜５３を順に形成する。次に、犠牲酸化膜５３上に、ポリシリコン層２６を形成し、エッチングにより、固定電極２７、可動電極２８およびコンタクト電極２９の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５６を形成する。次に、トレンチ５６の底部をさらに掘り下げて、犠牲酸化膜５３から犠牲ポリシリコン層５２を露出させる。そして、犠牲ポリシリコン層５２を完全に除去することにより、固定電極２７の櫛歯部３２および可動電極２８の櫛歯部３９の直下に空洞３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡単な方法により、固定電極および可動電極を保護する層を形成できるＭＥＭＳセンサの製造方法およびこの製造方法で得られるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】センサ領域１０およびパッド領域を有するベース基板９をエッチングすることにより、露出空間３８を形成し、同時にＺ固定電極８１およびＺ可動電極８２を形成する。次に、センサ領域１０を覆うように第１犠牲層３９および第２犠牲層４０を形成する。次に、底部がパッド領域に対して接着するように、かつ頂部１８が第２犠牲層４０を覆うようにＳｉＯ_２からなる保護層１６を形成する。次に、保護層１６の直下の犠牲層３９，４０を除去して、保護層１６とセンサ領域１０との間に空間を形成する。犠牲層３９，４０の除去後、等方性エッチングにより、Ｚ固定電極８１およびＺ可動電極８２の下方部を連続させて空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】デバイス上の少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントの複数の面の間のギャップをチューニングする方法を提供する。
【解決手段】デバイスの上部層における少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントの輪郭をエッチングし、該輪郭が、少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントの複数の面のうちの少なくとも２つの向き合った面を規定しており、エピタキシャルリアクタにおいて複数の面のうちの少なくとも２つの向き合った面にギャップ狭め層を堆積させ、複数の面のうちの少なくとも２つの向き合った面の間のギャップが、ギャップ狭め層によって狭められるようになっている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイス作製において犠牲層を処理するためのシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、方法は、基板上にエアロゲル犠牲層を形成するようにエアロゲル材料のパターン層を塗布するステップと、エアロゲル犠牲層の上に、エアロゲル材料のパターン層に設けられた１つまたは複数の間隙を通って基板に結合される、少なくとも１つの非犠牲シリコン層を塗布するステップと、エアロゲル犠牲層を除去液に露出することによって、エアロゲル犠牲層を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 電極を保護しながら、可動部の形状精度を向上することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本願の半導体装置の製造方法は、まず、第３層１６の一部を除去して可動部１６ｂを形成し、次いで、可動部１６ｂを形成するために除去された部位の下方に位置する第２層と、形成された可動部１６ｂの下方に位置する第２層１４を除去する。次いで、可動部１６ｂを形成する際に除去された部位に充填材２４を埋め込む。次いで、充填材２４を埋め込んだ状態で、半導体装置の表面に電極１８を形成する。電極１８を形成した後、埋め込んだ充填材２４を除去する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ光学素子のキャビティを形成する方法を提供する。
【解決手段】ａ）支持基板（１０）の平面上に犠牲材料層（１２）を形成する段階と、ｂ）キャビティ（４）の底部が前記犠牲材料層によって形成された、前記キャビティの壁（６）を形成する段階と、ｃ）吸収層（３０）を、前記壁の頂上（６０）、前記壁の側面（６１，６２）及び前記キャビティの前記底部（４’）に等角的に堆積する段階と、ｄ）前記犠牲層（１２）をエッチングし、この層の前記材料及び前記キャビティ（４）の前記底部に存在する前記吸収材料の層（３０）の前記材料を除去する段階と、を含むマイクロ光学素子のキャビティ（４）を形成する方法を開示する。 （もっと読む）

【解決手段】(i)基板上への犠牲膜パターン形成段階、(ii)犠牲膜パターン上への無機材料膜形成段階、(iii)犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する段階を含むマイクロ構造体の製造方法において、(i)段階は、(A)クレゾールノボラック系樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物のいずれかと、架橋剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物で犠牲膜を成膜する工程、(B)該犠牲膜に第1の高エネルギー線照射を行う工程(C)現像でポジ型犠牲膜パターン形成工程(D)該犠牲膜パターンに第2の高エネルギー線照射を行う操作及び加熱操作を含み、クレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程、を含む。
【効果】高精度な平面形状及び適切な側壁形状を有し、熱耐性に優れる犠牲膜パターンが得られる。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、ＧＭＲ膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がＧＭＲ膜に加えられている。 （もっと読む）

【課題】有機樹脂からなる犠牲層をより効率よく除去するとともに、微細構造体にいたずらにダメージを与えてしまうことを抑制することを可能とした微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】試料をチャンバ１２内に装填した後、真空ポンプ１４を用いてチャンバ１２の内部を真空引きする。続いて、バルブ１８ａ〜１８ｃを調整することによって、酸化ガス、フッ素系ガス、還元性ガスを、チャンバ１２内に供給する。この後、電源装置２０を作動させ、チャンバ１２内に高周波交流電力を印可し、プラズマを発生させる。この状態のまま、所定の時間にわたって待ち、試料の犠牲層１１０をプラズマに暴露させることによって、試料の犠牲層１１０を除去する。このように、酸化ガスおよびフッ素系ガスに加え、還元性ガスを供給することによって、残渣１１６を生成することなく、効率よく犠牲層１１０を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】梁部の強度やダイアフラムの支持強度を低下させることなく、梁部のアンカーで固定されていない部分の長さを長くすることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板３２の上面において、ポリシリコンからなる第１犠牲層４８の延出部４８ａの上に、シリコン酸化膜からなる第２犠牲層４７を介してポリシリコンからなるダイアフラム３３の梁部３６ａを形成する。延出部４８ａは、梁部３６ａの先端部を除く領域の下に形成されている。シリコン基板３２に設けたバックチャンバ３５から延出部４８ａをエッチング除去して梁部３６ａの下面の先端部を除く領域に空洞部５０を形成した後、さらに第２犠牲層４７をエッチングにより除去する。このとき、梁部３６ａの先端部下面に第２犠牲層４７を残してアンカー３７とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを材料として用いた場合でも犠牲層の表面をできるだけ平坦とすることができ、犠牲層の上に形成される可動梁のような第２の電極を適正に形成することのできる方法を提供すること。
【解決手段】基板１１の上方に、少なくとも一方の端部にテーパ側壁ＴＳ１を有した基部電極１４ａを形成する工程と、基部電極１４ａが形成されていない領域から延びてテーパ側壁ＴＳ１の上方に重なるようにかつ端部に当該テーパ側壁ＴＳ１と逆の方に傾斜するテーパ端面ＴＳ２を有する犠牲層ＢＧＰ０を形成する工程と、基部電極１４ａの上に、犠牲層ＢＧＰ０のテーパ端面ＴＳ２に当接するスペーサ１４ｂを形成する工程と、犠牲層ＢＧＰ０およびスペーサ１４ｂの上に可動電極１５を形成する工程と、可動電極１５を形成した後で犠牲層ＢＧＰ０を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 熱コンダクタンスを低減させる連結構造または支持構造の加工に最適なＭＥＭＳの製造方法等を低起用すること。
【解決手段】 固定部６０上に形成された、第１空洞部３０を有する被エッチング層２２を加工するＭＥＭＳの製造方法は、被エッチング層２２の露出面のうち、被エッチング層２２が第１空洞部３０に臨む少なくとも側壁２２Ａに、マスク層２４を形成する第１工程と、マスク層２４の表面２４Ａ側の第１空洞部３０内に供給されたエッチャントを、マスク層２４の裏面２４Ｂ側に導いて被エッチング層２２を等方性エッチングして、第１空洞部３０に連通する第２空洞部３２をマスク層２４の裏面２４Ｂ側に形成して被エッチング層２２を加工する第２工程とを有する。被エッチング層２２はアンダーカット形状またはアーチ形状に加工される。 （もっと読む）