【課題】高い周波数精度を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置され、開口部２２が形成された第１絶縁層２０と、開口部２２を覆って、第１絶縁層２０の上方に配置された第２絶縁層３０と、第２絶縁層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５２、梁部５２の一端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第１支持部５４、および梁部５２の他端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第２支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、基板１０の厚み方向からの平面視において、開口部２２の少なくとも一部は、第１支持部５４と第２支持部５６との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】振動系を有する基体上に導体パターンを設けた構成にいて、比較的簡単に、長寿命化を図ることができるアクチュエーター、アクチュエーターの製造方法、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー（アクチュエーター）１の製造方法は、基板をエッチングした後に平坦化処理することにより、所定の軸まわりに回動可能な可動部と、前記可動部に連結された連結部と、前記連結部を支持する支持部とを有する基体を形成する第１の工程と、基体上に絶縁層を形成する第２の工程と、基体の一方の面の絶縁層上に導電性を有する導体部を形成する第３の工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】振動系を有する基体上に導体パターンを設けた構成において、比較的簡単に、長寿命化を図ることができるアクチュエーターの製造方法、アクチュエーター、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー１の製造方法は、基板をエッチングした後に平坦化処理することにより、所定の軸まわりに回動可能な可動部、可動部に連結された連結部、連結部を支持する支持部、可動部および連結部に対して基板を貫通する貫通孔２２５を介して離間するとともに支持部に対して構造的な強度が前記支持部よりも弱い脆弱部を介して接続された除去可能な除去部２６、を含む基体３０２を形成する第１の工程と、基体３０２の上方に導体パターン８を形成する第２の工程と、除去部２６を除去する第３の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスとの熱膨張の整合がよくとれた基板を有する構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングされたエッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法はＳＯＩウェハ４０を含み、該ＳＯＩウェハ４０は、ハンドル・レイヤ４６、二酸化ケイ素からなる誘電体レイヤ４４、及びデバイスレイヤ４２を有する。ＳＯＩウェハ４０のデバイスレイヤ４２をメサ・エッチングによってパターン形成した後、該ＳＯＩウェハ４０を、パターン形成されたデバイスレイヤを有する別の基板にボンディングする。その後、ＳＯＩウェハ４０のハンドル・レイヤ４６、及び誘電体レイヤ４４をエッチングによって除去される。さらに、デバイスレイヤ４２をエッチングしてＭＥＭＳ装置を形成する。このＢＥＳＯＩ方法では、二酸化ケイ素誘電体レイヤ４４が除去された後に構造エッチングが実行される。 （もっと読む）

【課題】本発明は三次元構造体の製造効率の低下を招くことなく、電極パッドをシリコン基板に形成可能な三次元構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の三次元構造体の製造方法は、シリコン基板T、B、Hを用いて形成された三次元微細構造体の電極パッド１６P３、１６P４の形成領域１６P３’、１６P４’に金Ａｕを堆積させる金属堆積工程と、シリコン基板T、B、Hを熱により酸化させて金Ａｕの形成領域以外の表面にシリコンの酸化膜ＳiO₂を形成する酸化膜形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体１００は、第１の基板１と、第１の基板１の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層２と、多孔層２において第１の基板１が形成されている側の面と反対側の面に形成された第２の基板３とを備え、多孔層２における各孔２ａの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔２ａを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層２の厚さは、１μｍよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を低減して、ノイズの増大、帯域幅の減少や感度の低下を防止することができる電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、基板７と、振動膜４と、基板７と振動膜４との間に間隙５が形成されるように振動膜４を支持する振動膜支持部６と、から構成されるセル１と、基板７に絶縁物１１を介して配置されたセル１の引き出し配線１２と、を有する。電気機械変換装置において、絶縁物１１は振動膜支持部６の厚さよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】半導体マイクロデバイスの可動部への静電気の影響を緩和する。
【解決手段】本体１は枠体部１ａと可動体部１ｂとを有し、可動体部１ｂは枠体部１ａの内側にビーム１ｃを介して設けられており、第一の固定基板２には固定電極４が可動体部１ｂ側表面に設けられており、第二の固定基板３にはダミー電極５が可動体部１ｂ側表面に設けられており、可動体部１ｂは第一の固定基板２と可動体部１ｂとの距離の変化を測定するための可動電極６を有する半導体マイクロデバイスであって、可動体部１ｂには当該可動体部１ｂが固定電極４またはダミー電極５に接触する際に直接接触することを防ぐ第一接触部７が固定電極４側とダミー電極５側に設けられており、固定電極４上とダミー電極５上の少なくともいずれかには可動体部１ｂが近接した際に第一接触部７と接触する第二接触部８が対向して設けられており、第一接触部７と第二接触部８の材料は絶縁体である。 （もっと読む）

【課題】振動系を有する基体上に絶縁層を介して導体パターンを設けた構成にいて、比較的簡単に、長寿命化を図ることができるアクチュエーター、アクチュエーターの製造方法、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー１は、可動板２１と、支持部２２と、可動板２１を支持部２２に対して回動可能に連結する１対の連結部２３、２４とを備え、これらがシリコンで一体的に形成された板状の基体２と、基体２の板面上に設けられた絶縁層６２と、絶縁層６２の基体２とは反対側の面上に設けられた導体パターン８とを有し、絶縁層６２は、基体２を平面視したときに、連結部２３、２４の縁部、および、可動板２１および支持部２２の縁部のうちの連結部２３、２４近傍部分を除くように設けられている。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造方法において、封止用のキャビティ内の真空度を高めることを目的とする。
【解決手段】シリコンを含む第１の基板１１の一方の主面１１ａ側に可動部１４ａを形成する工程と、シリコンを含む第２の基板２０の一方の主面２０ｃ側にキャビティ２０ｂを形成する工程と、第１の基板１１と第２の基板２０の少なくとも一方の主面に、酸素及び窒素のいずれかの原子を含むプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した後、キャビティ２０ｂを可動部１４ａに対向させた状態で、第１の基板１１と第２の基板２０の各々の主面同士を真空中で接合することにより、キャビティ２０ｂ内を真空に保ちつつ、可動部１４ａを第２の基板２０で封止する工程と、封止の後、シリコンと上記原子とが反応する温度以上の温度に第１の基板１１と第２の基板２０をアニールする工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）

【課題】接点同士が凝着しないように剛性をもたせたアクチュエータ
【解決手段】第１接点が設けられた接点部と、第２接点を移動させて第１接点と接触または離間させるアクチュエータと、を備え、アクチュエータは、積層された第１圧電膜および第２圧電膜と、第１圧電膜における第２圧電膜とは反対の面側に設けられた第１絶縁層と、第２圧電膜における第１圧電膜とは反対の面側に設けられた第２絶縁層と、を有するスイッチ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】懸架された膜を含む弾性波共振器の製作方法を提供する。
【解決手段】第一の基板表面上にある第一圧電材料の少なくとも１つの層を含む第一の堆積を作るステップと、少なくとも１つの第二の基板を含む第二の堆積を作るステップと、次の接合ステップの前に、堆積のうちの一つの表面を、突き出たナノ構造物が局部的に与えられたままにしている、抑制された大きさの粒子の堆積又は生成により、少なくとも１つの非接合の開始領域を作るステップと、非接合の開始領域の存在に起因する、堆積同士の間に気泡を作り出す、２つの堆積をダイレクトボンディングするステップと、少なくとも第一の基板を除去するための、第一の堆積の薄層化ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン（Ｓｉ）基板を用い電鋳法で格子の金属部分をより緻密に形成し得る金属格子の製造方法および前記金属格子ならびにこれを用いたＸ線撮像装置を提供する。
【解決手段】金属格子ＤＧは、第１Ｓｉ層１１とこの上に形成され第２Ｓｉ部分１２ａおよび金属部分１２ｂを交互に平行に配設した格子１２とを備え、第２Ｓｉ部分１２ａは、第１Ｓｉ層１１との間に第１絶縁層１２ｃを有し、金属部分１２ｂとの間に第２絶縁層１２ｄを有する。金属格子ＤＧは、第１Ｓｉ層に第１絶縁層を介して付けられた第２Ｓｉ層を備える基板の第２Ｓｉ層上にレジスト層を形成し、これをリソグラフィー法でパターニングして除去し、ドライエッチング法で除去部分に対応する第２Ｓｉ層を第１Ｓｉ層に到達するまでエッチングしてスリット溝を形成し、その側面に陽極酸化法で第２絶縁層を形成し、電鋳法でスリット溝を金属で埋めることで製造される。 （もっと読む）

【課題】互いに噛み合う櫛歯状の第１電極および第２電極の大きさのばらつきを少なくでき、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース基板７をエッチングすることにより、柱状部２９およびベース部３０を形成する。次に、当該柱状部２９およびベース部３０を熱酸化することにより、これらを絶縁膜に変質させる。これにより、柱状部２９からなる絶縁層８５およびベース部３０の表層部からなるベース絶縁層２１を形成する。次に、ベース絶縁層２１上にポリシリコン層２２を形成し、当該ポリシリコン層２２およびベース絶縁層２１の積層構造をエッチングして、Ｚ固定電極７１およびＺ可動電極７２の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５０を形成する。そして、当該トレンチ５０の底部を等方性エッチングすることにより、ベース絶縁層２１直下に凹部２０（空洞２３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスを構成する絶縁構造体において応力による強度低下を回避する技術を提供する。
【解決手段】母材１００（ａ）に設けた絶縁部形成領域に平行配列する複数の溝を形成する（ｂ）。この溝は、絶縁部形成領域の上端側では溝２００が溝２０１よりも上端側に突出し、下端側では溝２０１が溝２００よりも下端側に突出する。溝を形成した絶縁部形成領域を熱酸化処理する。熱酸化処理で母材表面に成長した酸化膜により溝が完全に埋められた場合（ｃ）、酸化領域３００は、接続する導電性領域１０１，１０２に対して十分な幅を持つ板状の支持構造になり、構造体にかかる応力に対して高い強度をもつ。熱酸化処理で溝が完全に埋められなかった場合（ｄ）、酸化領域３０１の両側に接続する導電性領域１０１，１０２は、つづら折れ形状の梁からなるばねにより支持される状態となる。ばね形状の構造による緩衝作用により構造体にかかる応力を緩和する。 （もっと読む）

【課題】歩留りの向上が可能で、内部の平坦性の良好なキャビティを得ることが可能な電気機械変換装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置の製造において、支持基板２０１上に、熱酸化による絶縁層２０５を介して表面が平坦化処理された活性層２１０を備えたSOI基板２０９を用意し、活性層をキャビティ形状にパターニングする。パターニングされた活性層上に絶縁膜２０６、２０７を形成し、絶縁膜を貫通して活性層に連通するエッチング孔２０３を形成する。エッチング孔を利用して活性層をエッチング除去してキャビティ２０２を形成する。 （もっと読む）

【課題】静電容量型トランスデューサーの製造コストを抑制しつつ感度を高める。
【解決手段】基板層（１０１）と、基板層に積層された絶縁層（１０２）と、絶縁層に積層されたシリコン層（１０３）とを含むダイを備え、支持部１１ａと、支持部に少なくとも一辺が結合し基板層の主面と垂直である厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極１１ｂと、基板層の主面と平行な方向において可撓電極と対向し基板層の主面と垂直な側面を有する固定電極１０ａ、１０ｂとがシリコン層によって形成され、支持部と固定電極とが絶縁層によって前記基板層に結合され、可撓電極と基板層との間には絶縁層に対応する空隙（Ｇ）が形成されている、ナノシートトランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】可変容量装置において容量可変域を従来よりも広げる。
【解決手段】可変容量装置１は、支持板２、可動板３、駆動電極４，５、可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂ、を備える。可動板３は支持板２と平行に支持される。駆動電極４，５、可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂはそれぞれ可動板３と支持板２との間に設けられる。駆動電極４，５は駆動電圧が印加されて可動板３と支持板２との間隔を変化させる静電引力を形成する。可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂは、可動板３と支持板２との間隔に応じて変化する可変容量を形成する。駆動電圧に対して可変容量が線形性を持って変化する容量可変域では、駆動電圧の変化に対する駆動電極４，５の電極間隔の変化と可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂの電極間隔の変化とが互いに逆になることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞１０を有する半導体基板２の表面部（上壁１１）に、互いに間隔を空けて噛み合うＺ固定電極６１とＺ可動電極６２とを形成する。そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。これにより、Ｚ固定電極６１の電極部６４とＺ可動電極６２の電極部６６とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離ｄ１に基づく容量と、電極間距離ｄ２に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 （もっと読む）