【課題】撓み部に発生する浅いクラックを感知する感知基板およびそれを用いた加速度センサを提供する。
【解決手段】フレーム部１１と、フレーム部１１の内側に設けられた錘部１２と、フレーム部１１と錘部１２との間をつなぎ錘部１２が変位することで撓む撓み部１３と、撓み部１３に形成され錘部１２の揺動に応じて抵抗値が変化するピエゾ抵抗１４と、フレーム部１１に配置されピエゾ抵抗１４からの信号を取り出すピエゾ抵抗用電極パッド１５ａと、ピエゾ抵抗１４とピエゾ抵抗用電極パッド１５ａとの間をつなぐ拡散配線による拡散配線部１６と、を備える感知基板２０である。撓み部１３の表面には、金属でなる金属配線部１７を備え、金属配線部１７は、フレーム部１１に配置され金属配線部１７からの信号を取り出す金属配線部用電極パッドにつながっている。 （もっと読む）

【課題】ジャイロメータは、基板と、基板の上に懸架された慣性質量部（２）であって、励振部（６）および検出部（８）を含む慣性質量部（２）と、前記慣性質量部（２）の平面内に含まれる、励振部（６）を少なくとも１つの方向（Ｘ）に移動させる手段と、前記質量部の平面の外側での前記検出部（８）の移動を検出する静電容量検出手段とを含む。
【解決手段】前記静電容量検出手段は、前記検出部（８、１０８）と共に可変コンデンサを形成するように、基板に面して位置する検出部（８）の上に配置された、少なくとも１つの懸架電極（１６）を含み、前記電極（１６）は、慣性質量部（２）を貫通する少なくとも１つの柱状体（２２）によって、前記検出部（８）の上に保持される。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサの小型化に伴う性能のばらつきを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体圧力センサの製造方法は、ポリシリコンダイヤフラム６と、その下方の真空室となるべき空間１３側に形成されたポリシリコンゲージ抵抗４ｂと、これらを内包し、犠牲層１６と接するエッチング液導入孔１５を有する絶縁膜群３，５，７とを含む積層構造を、犠牲層１６上に形成する。そして、エッチング液を前記エッチング液導入孔１５に通じて、犠牲層１６をエッチングすることにより積層構造を真空室上で機能するダイヤフラム体１１として形成するとともに、シリコン基板１における第１絶縁膜２の第１開口２ａ下の表面をエッチングすることにより真空室となるべき空間１３と、当該空間１３中に配置され、ダイヤフラム体１１の中央付近に向かって突出するダイヤフラムストッパー１２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】上部電極の直下に下部電極を簡単に形成でき、上部電極と下部電極との短絡を防止し、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板７上に駆動用電極２２を選択的に形成し、駆動用電極２２を被覆するように、ＳｉＯ_２からなる電極被覆膜２３を形成する。次に、電極被覆膜２３上に、犠牲ポリシリコン層５２および犠牲酸化膜５３を順に形成する。次に、犠牲酸化膜５３上に、ポリシリコン層２６を形成し、エッチングにより、固定電極２７、可動電極２８およびコンタクト電極２９の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５６を形成する。次に、トレンチ５６の底部をさらに掘り下げて、犠牲酸化膜５３から犠牲ポリシリコン層５２を露出させる。そして、犠牲ポリシリコン層５２を完全に除去することにより、固定電極２７の櫛歯部３２および可動電極２８の櫛歯部３９の直下に空洞３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】互いに噛み合う櫛歯状の第１電極および第２電極の大きさのばらつきを少なくでき、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース基板７をエッチングすることにより、柱状部２９およびベース部３０を形成する。次に、当該柱状部２９およびベース部３０を熱酸化することにより、これらを絶縁膜に変質させる。これにより、柱状部２９からなる絶縁層８５およびベース部３０の表層部からなるベース絶縁層２１を形成する。次に、ベース絶縁層２１上にポリシリコン層２２を形成し、当該ポリシリコン層２２およびベース絶縁層２１の積層構造をエッチングして、Ｚ固定電極７１およびＺ可動電極７２の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５０を形成する。そして、当該トレンチ５０の底部を等方性エッチングすることにより、ベース絶縁層２１直下に凹部２０（空洞２３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体が内在する空洞部を覆う被覆部の外にエッチング液が流出し難い構造の電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の空洞部３３内に位置し電気駆動される振動素子５と、空洞部３３の周囲を取り巻く絶縁層２９と空洞部３３とを画成する電気伝導性の包囲壁２５と、振動素子５と接続し包囲壁２５を貫通する第１配線８及び第２配線９と、を有し、第１配線８及び第２配線９が包囲壁２５を貫通する場所には絶縁層２９を溶解するエッチング液が空洞部３３から絶縁層２９に流動することを防止し包囲壁２５と第１配線８及び第２配線９とを絶縁する第１耐食絶縁膜１９及び第２耐食絶縁膜２０を備える。 （もっと読む）

【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の側壁部２３及び第１封止層３０に覆われた空洞部３３内に位置する可動部７ｂと、空洞部３３内に設置され空洞部３３内の気体を吸着する第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５と、基板２と対向する場所に位置する第１封止層３０及び第２封止層３２と、を備え、第１封止層３０は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを有し、第２封止層３２は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを封止する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体の可動部が固定部に密着するときにも可動部と固定部とを離すことができる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の包囲壁２６及び第１封止層３３に覆われた空洞部３６内に位置する可動部７ｂと、可動部７ｂと対向する場所に位置する第１封止層３３と、を備え、可動部７ｂは基板２と第１封止層３３との間に位置し、可動部７ｂと第１封止層３３とは少なくとも一部が導電体である。 （もっと読む）

【課題】可動部を低い駆動力で揺動させることが可能な光偏向装置を提供すること。
【解決手段】光偏向装置は、基板と、平板形状の可動部２２０と、可動部２２０の端部２４２ａに接続されている突出部２４１ａと、突出部２４１ａと同一の中心軸２４０を有するように、可動部２２０の端部２４２ｂに接続されている突出部２４１ｂと、基板上に設置されており、突出部２４１ａの中心軸２４０の周囲を取り囲んでいる規制部２５０ａと、基板上に設置されており、突出部２４１ｂの中心軸２４０の周囲を取り囲んでいる規制部２５０ｂと、可動部２２０を揺動させる固定電極２０４ａ、２０４ｂと、を備える。規制部２５０ａで突出部２４１ａが支持されており、規制部２５０ｂで突出部２４１ｂが支持されていることで、可動部２２０が基板の上方に離反した位置で中心軸２４０の周りに揺動可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】 帯電による特性悪化を抑制し、信頼度の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】 シリコン活性層、埋め込み絶縁層、支持基板からなるＳＯＩ基板から形成され、ＳＯＩ基板の上面から下面へ貫通する窓部１０を有するフレーム部１１と、ＳＯＩ基板から形成され、窓部１０の内部に配置される可動電極４と、フレーム部１１のシリコン活性層と可動電極４のシリコン活性層とを連結し、フレーム部１１に対して可動電極を揺動可能に支持するビーム部４１，４２と、可動電極４と対向する面に可動電極４と離間して配置される固定電極２１，２２とを備え、可動電極４及びフレーム部１１が、それぞれシリコン活性層と支持基板とを電気的に接続するコンタクト部６１〜６３を備える。 （もっと読む）

【課題】力学量センサを小型化すること。
【解決手段】ＳＯＩ基板２０と、ＳＯＩ基板に支持されており、加速度の印加に応じてＳＯＩ基板の基板面と平行に変位する可動部２と、可動部のうち変位方向に沿った両側面から櫛歯状に突出形成された複数の可動片４ａ〜４ｉと、隣接する可動片との間に空間が形成されるように各可動片間に固定して配置されており、相互に絶縁された複数の固定片６ａ〜６ｉと、相互に隣接する可動片および固定片の各組により、電源Ｅに並列接続された複数のスイッチＳ１〜Ｓ７が構成されており、加速度の印加に応じて可動部が変位したときに相互に接触する可動片および固定片の組数が加速度の大きさに応じて異なり、かつ、上記組数に応じて異なる電圧を発生するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】梁部の強度やダイアフラムの支持強度を低下させることなく、梁部のアンカーで固定されていない部分の長さを長くすることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板３２の上面において、ポリシリコンからなる第１犠牲層４８の延出部４８ａの上に、シリコン酸化膜からなる第２犠牲層４７を介してポリシリコンからなるダイアフラム３３の梁部３６ａを形成する。延出部４８ａは、梁部３６ａの先端部を除く領域の下に形成されている。シリコン基板３２に設けたバックチャンバ３５から延出部４８ａをエッチング除去して梁部３６ａの下面の先端部を除く領域に空洞部５０を形成した後、さらに第２犠牲層４７をエッチングにより除去する。このとき、梁部３６ａの先端部下面に第２犠牲層４７を残してアンカー３７とする。 （もっと読む）

【課題】構造的制限を設けることなく、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸の検出感度の差を小さくし、且つ、ドリフトが小さく、３軸間の信号出力の変動を低減する半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明によると、半導体基板に、枠部と、錘部と、前記枠部と前記錘部との間に配置される可撓部と、前記可撓部に第１の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記複数のピエゾ抵抗素子をそれぞれ含む複数のブリッジ回路とを有し、前記ブリッジ回路に電圧を印加する高電位端及び低電位端のうちの何れか一方と、前記ブリッジ回路との間に第１の抵抗体を有する少なくとも１つの前記ブリッジ回路を備えることを特徴とする半導体加速度センサが提供される。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。また、絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３５１、３５２を含む中空筒状の第２壁部３５０と第２壁部３５０の開口部３５６を閉じる第２蓋部３２２とを有する第２電極３０２を設ける。そして、第１壁部３４０の一方のダイヤフラム３４１と第２壁部３５０の一方のダイヤフラム３５１とを対向配置させる。これにより、各電極３０１、３０２が絶縁層２００の上で電気的に分離されるので、各壁部３４０、３５０の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 （もっと読む）

【課題】安定した特性のヒューズ素子を有するＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２に収容され、機能素子２０と電気的に接続されたヒューズ素子４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の上面と可動部の下面が対向しており、基板の上面が可動部の揺動軸に近い側で高く、遠い側で低くなる向きに傾斜している光偏向装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 上面の高さを高くする部分ではエッチングホールが小さく、上面の高さを低くする部分ではエッチングホールが大きいという規則に従っている複数のエッチングホールを有するエッチング用マスクを材料ウェハの上面に形成するエッチング用マスク形成工程と、エッチングホールを通して材料ウェハを異方性エッチング処理する異方性エッチング工程と、異方性エッチング工程の後にエッチングホールを通して材料ウェハを等方性エッチング処理し、材料ウェハの上面に傾斜面を形成する等方性エッチング工程と、材料ウェハの傾斜面に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、犠牲層の上面に可動部およびミラーを形成する可動部形成工程と、可動部形成工程の後に犠牲層を除去する犠牲層除去工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電子回路とＭＥＭＳとを一般的な半導体製造技術を用いて一体化することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内に設けられた電子回路と、電子回路が設けられた領域とは別の領域に設けられ少なくとも圧電体を含むＭＥＭＳを備える。電子回路の上部には多層の層間絶縁膜と、これら層間絶縁膜の所定領域に形成されたビアホールと、ビアホールに形成された第１金属プラグ、第２金属プラグ、第３金属プラグ、第４金属プラグを備える。ＭＥＭＳの上部には多層の層間絶縁膜とほぼ同じ厚みを有する堆積膜を備え、堆積膜はＭＥＭＳの構造体の一部となる。 （もっと読む）

【課題】短時間で製造することができ、十分な気密性を有するとともに、基板の反りを低減させることができる貫通電極、微小構造体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域を貫通トレンチ２１で囲み、貫通トレンチ２１内に絶縁膜５０を形成して周囲から絶縁分離した貫通電極６０において、絶縁膜５０は、貫通トレンチ２１の側面から化学気相成長させたシリコン膜４０を熱酸化したシリコン熱酸化膜５０である。 （もっと読む）

【課題】光の反射効率が高く、製造プロセスが簡便な空間光変調素子を提供する。
【解決手段】空間光変調素子の製造方法であって、電極が形成された電極側基板を準備するステップと、電極との間の静電力により可動する可動部、可動部の動きに連れて傾斜する反射鏡および可動部を支持する支持部を有する可動側基板を準備するステップと、可動側基板の支持部を電極側基板に貼り合わせるステップとを備える製造方法が提供される。可動側基板を準備するステップは、基板本体を準備するステップと、基板本体の一面をエッチングすることにより可動部を形成するステップと、可動部上に反射鏡を成膜するステップと、基板本体に他面をエッチングすることにより支持部を形成するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】封止領域の気密性を高めることができる貫通電極及びその製造方法、並びに微小構造体を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域１１を周囲と絶縁して形成した貫通電極１００であって、前記基板の第１の面側に、前記基板を貫通しない深さに形成された第１のトレンチ３０と、該第１のトレンチより溝幅が狭く、該第１のトレンチの底面と前記基板の第２の面とを貫通する第２のトレンチ２０と、該第２のトレンチを充填するとともに、前記第１のトレンチの溝表面を覆う絶縁層５０と、前記第１のトレンチの溝表面を覆う前記絶縁層上に、前記第１のトレンチの両側の内壁に沿うとともに、前記第１のトレンチの底面を横断する横断部６２を含むように形成された成長膜６０と、を含む。 （もっと読む）