【課題】半導体力学量センサにおいて、基板に対する垂直方向と該基板の平面方向との物理量をそれぞれ検出する。
【解決手段】キャップ部１１をセンサ部１０に接合したとき、キャップ部１１に設けた突起部２９が梁支持部２５を支持基板１２側に移動させる構造とする。これにより、固定電極３１、３３に対する可動電極２２の初期位置を支持基板１２側に移動させ、加速度センサに加速度が印加される前における固定電極３１、３３に対する可動電極２２の対向面積が減る。このため、支持基板１２の垂直方向に加速度が加わったときの可動電極２２と固定電極３３との間の対向面積に基づく容量の増減により、キャップ部１１側またはセンサ部１０側のいずれかに印加された加速度であるのかを検出できる。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を抑制しつつダイヤフラムとプレートの間の空隙層への異物の進入を防止する。
【解決手段】カバー１６１とプレート１６２の間に形成されているスリットＳを介してカバーとプレートとが絶縁されているためカバーとダイヤフラム１２３ａ・１２３ｃとの間に寄生容量は発生しない。そしてプレートの対向部とともに一対の対向電極を形成するダイヤフラムの受圧部１２３ａから突出するバンド１２３ｃはカバーによって覆われ、カバーとプレートの間の空隙はスリットである。したがってプレートによって覆われないダイヤフラムの領域の大部分はカバーによって覆われることになる。このためダイヤフラムとプレートの間の空隙層への異物の進入を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤフラムなどの振動膜の振動しやすさを確保しながら、振動膜とバックプレートなどの対向電極との接触による短絡を、簡単な構成で防止することのできるＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】 シリコンマイク１において、シリコン基板２の一方側に、シリコン基板２に対して間隔を空けて対向するように、金属電極１０が、所定の樹脂材料からなるダイヤフラム被覆膜１１に被覆されてなるダイヤフラム８を形成する。また、ダイヤフラム８に対してシリコン基板２の反対側において、ダイヤフラム８に対して間隔を空けて対向するように、導電性材料からなるバックプレート９を形成する。 （もっと読む）

【課題】機能素子の可動部分を配置した空間の気密性の低下を抑制しつつ、小型化を実現できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】表面１０ａに凹部１５が形成され、その凹部１５内に配置された可動部分を有する機能素子１００を備える変位検出用半導体チップ１０と、変位検出用半導体チップ１０の表面１０ａ上で凹部１５を囲んで環状に配置されたダイアタッチ材を含む結合部２０と、可動部分の変位を検出した機能素子１００が出力する検出信号を処理する処理回路３００を有し、空洞を形成するように凹部１５の上方を覆って結合部２０上に配置された信号処理用半導体チップ３０とを備え、結合部２０によって凹部１５が気密封止されている。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制する電極構造を提供する。
【解決手段】犠牲膜５１、窒化膜４７で覆われた配線４５の表面を開口するアンカーホール５２を形成する。アンカーホール５２は窒化膜４７の有する孔部４７ｃと犠牲膜５１の開口５１ａとで構成される。孔部４７ｃは配線４５の表面の縁部４５ａよりも第１の所定距離ｄ１だけ配線４５の内方へと入り込んで開口する。開口５１ａは孔部４７ｃよりも第２の所定距離ｄ２だけ退いて開口する。第１の所定距離ｄ１の存在により、剥離の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】機能素子の可動部分を配置した凹部を封止する封止膜の変形を抑制できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】表面１０ａに凹部１５が形成され、その凹部１５の底面に下端を接する支柱部１１、及び支柱部１１を囲むように凹部１５内に配置された可動部分を有する機能素子１００を備える半導体チップ１０と、支柱部１１の上端上に配置された柱状部２０２、及び半導体チップ１０の表面１０ａ上で凹部１５を囲んで環状に配置された環状部２０１を有するスペーサ２０と、スペーサ２０の柱状部２０２の上面２０２ａ及び環状部２０１の上面２０１ａに接し、空洞を形成するように凹部１５の上方を覆って配置された封止膜３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】デバイス本体の一表面側に設けられた外部接続用電極と気密封止される機能部とを電気的に接続でき、且つ、デバイス特性に悪影響を与える寄生容量を低減できる気密構造体デバイスを提供する。
【解決手段】第１のカバー基板２が、デバイス本体１の上記一表面側に設けられた複数の外部接続用電極１８が露出するようにデバイス本体１に接合され、デバイス本体１が、当該デバイス本体１の一部と各カバー基板２，３とで囲まれる空間に配置された機能部である固定電極２４と外部接続用電極１８とを電気的に接続する配線の少なくとも一部を構成する島部１７と、島部１７を全周に亘って囲む分離溝１１ｃに埋設された絶縁材料からなり上記空間を気密封止し且つ島部１７をデバイス本体１における分離溝１１ｃの外側の支持部１１と電気的に絶縁する絶縁分離部１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】気密空間内のガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができ、且つ、ガストラップ機能による大型化を回避すること可能な静電容量型半導体物理量センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ領域のキャビティ１７ｃが加速度センサ領域のキャビティ１７ｂ，ｄと連通し、キャビティ１７ｃとキャビティ１７ｂ，１７ｄとでキャビティが構成される。これにより、圧力センサ単体におけるキャビティの容積に比べて非常に大きな容積のキャビティを確保し、ガラス基板とシリコン基板との間の密閉した空間内にガスが発生しても比較的大きな容積のキャビティにガスを拡散させることができるので、ガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができる。またゲッター室などを設けていないので、ガストラップ機能による大型化を回避することができる。 （もっと読む）

ＭＥＭＳセンサは、基板と、基板に連結されたＭＥＭＳ構造とを含む。ＭＥＭＳ構造は、基板に対して可動な質量を有する。また、ＭＥＭＳセンサは、ＭＥＭＳ構造から半径方向外側に位置付けられる基準構造を含む。基準構造は、その測定の正確性を向上させるために、ＭＥＭＳセンサに影響を及ぼし得る任意の環境変化を補償するための基準を提供するために使用される。一実施形態において、前基準構造は、前ＭＥＭＳ構造を実質的に包囲する。
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【課題】シリコンまたは多の単結晶材料のエピタキシャル成長と両立し、かつ厚さに限定されず化学エッチングに対して良好な選択性をもつ犠牲層を有する基板を提供する。
【解決手段】少なくとも１種の単結晶材料の第１および第２の部分と、２つの単結晶ＳｉＧｅ層間に位置する少なくとも１つの単結晶Ｓｉ層からなるスタックによって構成された犠牲層とを含む不均質基板からコンポーネントを製造する方法であって、前記単結晶材料の前記第１の部分と前記第２の部分の間に配置されたスタックに対して、前記第１および／または第２の部分ならびに前記第１および／または第２のＳｉＧｅ層に、少なくとも１つの開口２０を、前記Ｓｉ層に到達するように形成するステップと、該開口を通じて前記Ｓｉ層の全部または一部を除去するステップからなる。 （もっと読む）

【課題】気密空間の気密性を損なうことなく電気信号を取り出す。
【解決手段】圧力センサ１の電極取り出し構造は、シリコン基板２のシリコン基板３との接合面から気密空間４内において露出している表面に向かって延在する高濃度不純物拡散領域６，８と、シリコン基板３のシリコン基板２との接合面から気密空間４内において露出している表面に向かって延在する高濃度不純物拡散領域５，７と、シリコン基板２の外表面側から高濃度不純物拡散領域７に到達する深さまで形成された貫通孔９ａと、シリコン基板２の外表面側から高濃度不純物拡散領域８に到達する深さまで形成された貫通孔９ｂと、貫通孔９ａ，９ｂの側面及び底部に形成された金属薄膜１０ａ，１０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】質量体が裏面側ガラス基板および表面側ガラス基板に対し静電気力によって貼り付くのを防ぎ、過大な衝撃を受けたときにも質量体を損傷させるのを防ぐことが可能な容量式加速度センサと、裏面側ガラス基板および表面側ガラス基板の凹み部分に形成される貼り付き防止膜および衝撃緩衝膜として、安価で加工が行いやすいものを採用することが可能な容量式加速度センサの製造方法とを提供する。
【解決手段】裏面側および表面側ガラス基板６，７の凹み部分６ａ，７ｂに形成される貼り付き防止膜および衝撃緩衝膜としてＡｌ（ＮｉまたはＴｉも可）よりなる層８Ａ，８Ｂを設ける。その製造時には、層８Ｂが基板１のエッチング時に損傷を受けないように層８Ｂ上にシリコン窒化膜等の保護カバーを形成し、後に保護カバーを除去する。また、質量体４１の角部分を面取りする。 （もっと読む）

【課題】 半導体センサ素子の内部空間内に重錘の少なくとも一部を配置して重錘の重量を増大させても、半導体センサ素子が破損することのない半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】 切頭角錐形の空間の外周面に倣うように、実質的に同形状の４つの台形状の傾斜面１３…を環状に組み合わせて支持部９の内周面を構成する。重錘３は、重錘３が可撓部１１側に最大限変位したときに支持部９の内周面の傾斜面１３…と当接する線状の当接部３ｄを有するように構成する。当接部３ｄは重錘固定部７が位置する側から見た輪郭形状が円形になる形状を有している。支持部９の傾斜面１３…と重錘３の当接部３ｄとにより重錘３が可撓部１１側に変位する変位量の範囲を規制するストッパ構造を構成する。 （もっと読む）

【課題】可動電極が固定電極に貼り付くことを防止可能な半導体物理量センサを提供する。
【解決手段】可動電極の表面上の適宜位置にはシリコン基板２を２段エッチングすることにより凸部１３が形成されている。このような構成によれば、シリコン基板２と絶縁層２０の対向面積を小さくすることができるので、シリコン基板２と絶縁層２０を陽極接合する際にシリコン基板２が絶縁層２０に貼り付くことを防止できる。また絶縁層２０の下面２０ｂの凸部１３に対向する位置には金属膜１４が形成されている。このような構成によれば、金属膜１４がシリコン基板２と絶縁層２０間の緩衝の役割を果たすので、シリコン基板２と絶縁層２０を陽極接合する際にシリコン基板２が絶縁層２０に貼り付くことをより確実に防止できる。 （もっと読む）

【課題】圧力に対して堅牢で、かつ内包する構造体の大きさや機能を制限しない封止方法を提供する。
【解決手段】梁と、梁を囲む空隙と、梁と空隙を包含する殻構造と、からなる封止構造１単位が基板上に形成され、該封止構造が複数個連接構成されることにより、梁および空隙および殻構造が連接され、連接された梁が、ばね構造、または質量構造、またはばねと質量の複合構造、を構成するもので、梁２と、前記梁２を囲む空隙ｇを隔てて、前記梁を囲むように形成された殻部１１と、からなる封止構造が基板上に一体形成され、前記梁の前記基板１との対向面を除く他の面は、前記梁と一定間隔の空隙を隔てて前記殻部１１で囲まれたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路とＭＥＭＳとを集積化した集積化マイクロエレクトロメカニカルシステム製造技術において、より小型で高密度集積可能なＭＥＭＳを製造できる技術を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサの信号を処理する集積回路の上にＭＥＭＳを形成する。ＭＥＭＳは錘１２１，梁１２２，その周辺の空隙１２３とから成る中間可動部１２０を有し、中間可動部は上側犠牲層１３０と下側犠牲層１１０をエッチングすることで形成される。上側空洞部分１３１の形成に寄与するエッチングホール（細孔）１４１について、その最外周に位置するものは、下側空洞部分１１１の形成に寄与するエッチホール１２４また空隙１２３のうち、最外周に有るものよりも内側に配置する。これによって上側犠牲層と下側犠牲層のエッチング面積の差を小さくでき、エッチング精度が向上するので小型高密度化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】検出感度を低下させることなく検出不良を防止することができる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】錘として機能する可動電極１２ｃと、可動電極１２ｃを収容する空間が形成されたシリコン製基板１１と、可動電極１２ｃをシリコン製基板１１に対して昇降可能に支持する撓み梁１１ｃと、可動電極１２ｃに対して所定の間隔を置いて対向する固定電極１４ｅを有し、シリコン製基板１１の主面に接合されたガラス基板１３とを具備し、撓み梁１１ｃは、平面視において可動電極１２ｃから所定の間隔をおいて可動電極１２ｃの周囲に沿う長尺部２１ａと、長尺部２１ａ及び可動電極１２ｃを連結する連結部２１ｂとを有しており、ガラス基板１３には、撓み梁１１ｃに対向する位置に撓み梁１１ｃとガラス基板１３とが接触するのを防止するための逃げ溝１３ａを形成して構成した。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳの製造歩留まりを高める。
【解決手段】深さが均等でない複数の溝を第一の板形部品に形成し、前記第一の板形部品と第二の板形部品とを接合し、相対的に浅い前記溝に沿って前記第一の板形部品を切削した後に相対的に深い前記溝に沿って前記第一の板形部品を切削することにより、前記第二の板形部品が接合された構造要素を分断された前記第一の板形部品の一部から形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。 （もっと読む）

【課題】樹脂によりパッケージングを行っても正確に物理量を検出することが可能な容量センサパッケージを提供すること。
【解決手段】本発明の容量センサパッケージは、一対の主面及び通気穴１１ａを有する配線基板１１と、前記配線基板１１の一方の主面上に実装されており、ダイヤフラム１２ａ及び固定電極を有し、前記ダイヤフラム１２ａと前記固定電極との間の静電容量の変化から物理量を検出する容量センサ１２と、前記配線基板１１の前記一方の主面１１ｂ上で前記通気穴１１ａを閉塞せずに前記容量センサ１２を封止する封止部材１７と、を具備し、前記容量センサ１２は、前記通気穴１１ａを介して導入される外気でダイヤフラム１２ａが可動する位置に実装されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁のために電圧等を印加する必要が無く、機械的強度の低下を抑えることができ、寄生容量を抑制可能な、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を有する構造体及びその製法を提供する。
【解決手段】互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域104を有する構造体は、導電性領域104の上面側に、可動に支持された可動子301が設けられ、可動子301は導電性領域104に対向する電極を有する。導電性領域104の下面を介して電気信号が授受可能に構成され、複数の導電性領域104間が、連続した酸化領域によって絶縁され、酸化領域は、複数の貫通孔103もしくは溝が形成された材料の酸化物102から成る。 （もっと読む）