【課題】質量部の変位感度比率を均一化することにより、Ｚ軸方向の加速度が加わってもＸＹ軸方向の加速度検出精度が悪くなってしまうことのない多軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】ＸＹＺ座標系におけるＸＹ平面に沿って配置され加速度に応じて変位する質量部１２を複数の梁部１４を介して周囲の支持部１３に支持する可動基板１１と、この可動基板１１における支持部１３と接合され、かつ可動基板１１における質量部１２と所定間隔を有する固定電極１６を上面に設けた固定基板１５とを備え、前記複数の梁部１４を、支持部１３からＸ軸あるいはＹ軸と平行方向に延びた第１の梁部１７と、質量部１２に連結され、かつＸＹ軸と４５°方向に斜めに延びた第２の梁部１８とにより構成し、前記第２の梁部１８の長手方向と垂直な断面２次モーメントを第１の梁部１７の長手方向と垂直な断面２次モーメントより小さくしたものである。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスにおいて、固定膜にクラックが発生することを防止する。
【解決手段】貫通孔１５を有する基板１０と、基板１０の上面に配置され、下面が貫通孔１５内に露出する第１の膜１１と、第１の膜１１との間にエアギャップ１６を介在させて配置され、各々がエアギャップ１６と連通する複数の孔１４からなる孔群１４Ｇを有する第２の膜１３と、第１の膜１１と第２の膜１３との間に介在し、内部にエアギャップ１６が形成された支持層１７とを備え、孔群１４Ｇのうち最も外側に位置する複数の孔１４は、貫通孔１５における開口上端１５ｕの開口形状に沿って、隣り合う孔１４同士の間隔が均一となるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性能が高く薄いＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】枠形の支持部と、前記支持部に結合している梁形の可撓部と、前記可撓部に結合し前記支持部に対して運動することによって前記可撓部を変形させる錘部と、前記錘部の運動範囲を制限するストッパ部とを備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、単結晶シリコンからなるベース層の表面に導電型が前記ベース層と異なるエピタキシャル結晶層からなる犠牲層を形成し、前記犠牲層をエッチングすることによって前記犠牲層から前記ベース層を一部露出させ、前記犠牲層と前記ベース層の表面に導電型が前記ベース層と一致するエピタキシャル結晶層からなる非平坦層を形成し、前記ストッパ部と前記錘部との間に空隙を形成し、前記空隙を形成することによって、前記錘部の運動範囲を制限する前記ストッパ部としての機能を前記非平坦層に顕在化する、ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの可撓部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを連結し前記錘部の運動にともなって変形する可撓部と、が形成されている積層構造体を備え、前記積層構造体は、前記可撓部を構成し下面が平坦である単結晶シリコン層１０と、前記単結晶シリコン層上に積層され前記単結晶シリコン層と異質のＣＭＰストッパ層３０と、を含み、前記ストッパ層の下面と前記単結晶シリコン層の下面とは同一平面に含まれるか、前記ストッパ層の下面は前記単結晶シリコン層の下面から突出している、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】キャップ部の配線層とセンサ部との接合不良や導通不良が起こらないようにすることができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ部２０に第２配線層２５を形成し、該第２配線層２５を配線部２５ａと気密封止部２５ｂとにパターニングする。そして、配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂに配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂよりも硬く、高さが揃った複数の支柱部２７を設けた後、配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂの各表面を平坦化する。これにより、各支柱部２７よりも配線部２５ａや気密封止部２５ｂが一方的に削れてしまうことを防止し、配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂの各表面を均一に平坦化する。 （もっと読む）

【課題】キャップのハンドリングを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを第１の目的とし、半導体装置のサイズを小さくすることが可能な構造を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】予めキャップウェハ５０にトレンチ５３、絶縁膜２５ｂ、埋め込み電極５４を形成し、センサウェハ４０とキャップウェハ５０とを接合する。キャップウェハ５０に形成したイオン打ち込み層５５を劈開面として該劈開面よりもキャップウェハ５０の裏面５２側を引き剥がし、トレンチ５３を貫通孔２５ａとし、埋め込み電極５４を貫通電極２５ｃとする。これによると、キャップウェハ５０は薄くされておらず、貫通孔２５ａも設けられていないので、キャップウェハ５０のハンドリングを向上できる。また、キャップ部２０に貫通電極２５ｃを設けたことでセンサ部１０の一面１０ａの面方向のサイズを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】 電極を形成した後に可動部を形成し、その後に電極を保護する保護膜を除去する場合において、既に形成されている可動部が損傷を受けることを抑制する技術を提供する。
【解決手段】 ベース層１４の上方に配置されている半導体層１０に、ベース層１４に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層１４に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法において、固定部と可動部となる領域以外の半導体層１０を除去する半導体層除去工程を実施し、除去された半導体層１０に対応する位置の絶縁体層１２（中間層）と、可動部となる領域とベース層１４の間にある絶縁体層１２とを除去する中間層除去工程を実施し、半導体層除去工程によって半導体層１０に形成された空間内にレジストＰ１を充填するレジスト充填工程を実施する。その後に、電極８０を被覆している保護膜７を除去し、レジストＰ１を除去する。 （もっと読む）

【課題】錘部となるウエハが損傷しにくいＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む （もっと読む）

【課題】振動子を備えた半導体装置において、振動子のキャップ側と支持基板側とのダンピングの効果を均一にすることにより振動子の不要振動を低減する。
【解決手段】キャップ部２０は、第２シリコン層１２の面方向に振動子１６が移動する領域に対向する位置にダミーパターン２６を備えている。これによると、振動子１６とダミーパターン２６との間の間隔が、第２シリコン層１２と振動子１６との間の一定の間隔と同じになるので、振動子１６のキャップ部２０側の封止媒体４１によるダンピング効果と第２シリコン層１２側の封止媒体４１によるダンピング効果とを均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置、特に静電容量型の物理量センサにおいて、シリコン残渣の発生を防止するレイアウト方法及びかかるレイアウトによって形成した静電容量型の物理量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板を第１の深さにエッチングする第１エッチング領域と、前記半導体基板をエッチングとデポジション膜の形成とを繰り返して前記第１の深さより深い第２の深さにエッチングする第２エッチング領域と、を有し、前記第１エッチング領域が前記第２エッチング領域を内包する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増大が抑制され、且つ振動子間の静電容量が安定した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上面に形成された凹部１００内に自由端が延在し、半導体基板１０に固定端が固定された梁型の振動子２１、２２を備える半導体装置１の製造方法であって、半導体基板１０の上面の一部をエッチングして、振動子２１、２２の側面を露出させると同時に、振動子２２と半導体基板１０間の絶縁分離領域３０が形成される分離溝を形成するステップと、分離溝の表面を熱酸化して、分離溝を酸化膜で埋め込んだ絶縁分離領域３０を形成するステップと、振動子２１、２２の側面を熱酸化して、側面保護膜を形成するステップと、側面保護膜をマスクにした半導体基板１０のエッチングにより振動子２１、２２の下面を露出させて、半導体基板１０に形成された凹部１００内に配置された振動子２１、２２を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの錘部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、環状の錘部と、前記錘部の内周面に結合し前記錘部を貫通し上端部が前記錘部の上面から突出している連結部と、前記連結部の上端部に一端が結合し、前記支持部に他端が結合し、空隙を挟んで底面が前記錘部の上面と対向し、前記錘部の運動に伴って変形する可撓部と、前記錘部の運動に伴う前記可撓部の変形を検出する検出手段と、を備え、前記錘部の底面の内側に露出している前記連結部の底面の表層と前記錘部の前記底面の表層とは互いに異なる材料からなる、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの錘部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接する環状溝を前記積層構造体とは別体のウエハの上面に異方性エッチングにより形成し、前記ウエハの上面に前記環状溝を埋める犠牲膜を形成し、前記ウエハの上面が露出するまで前記犠牲膜の表層を除去し、前記ウエハの前記犠牲膜で埋められた前記環状溝の内側領域を前記連結部の底面に接合し、少なくとも前記犠牲膜が露出するまで前記ウエハの底面を後退させることによって前記錘部の厚さを調整し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記犠牲膜を除去する、ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体力学量センサについて、センサの構造の簡略化、チップサイズの低減を図る。
【解決手段】半導体力学量センサのうちキャップ部２０においてセンサ部１０と対向する一面に第１絶縁膜２２、第１配線層２３、第２絶縁膜２４、および第２配線層２５によって構成される配線構造を設け、他方、センサ部１０にセンサ構造体１５〜１７を設ける。そして、キャップ部２０とセンサ部１０とを接合することで、配線構造をセンサ構造体１５〜１７に接続しつつ、センサ構造体１５〜１７を封止する構造とする。第２絶縁膜２４における開口部２４ａは、センサ構造体１５〜１７と第２配線層２４とのコンタクト領域１４ａとは異なる位置にずらされている。 （もっと読む）

【課題】ハンドリングなどの外乱からの影響を受けてもダイヤフラム部が破損する恐れがなく、かつ圧力を高感度で検出する。
【解決手段】半導体基板２の表面に対しエッチングを行うことにより形成されたダイヤフラム部３を有する半導体圧力センサ１において、ダイヤフラム部３の端部５付近を当該ダイヤフラム部３の中心部４よりも薄くなるようトレンチ形状に成形する。 （もっと読む）

【課題】単一の半導体基板に半導体圧力センサを形成することで半導体圧力センサの低背化を達成することを課題とする。
【解決手段】半導体の基板１０１に形成されたエッチング用開口部２０５を介して半導体の基板１０１が選択的にエッチング除去されて中空に形成されたチャンバー部１０５と、チャンバー部１０５の上部に形成されて圧力を受けて検知するダイヤフラム部１０７と、エッチング用開口部２０５を閉塞してチャンバー部を封止する封止部１０６とで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 湾曲した半導体層と他部材の接触状態を長期間に亘って維持させる。
【解決手段】 半導体構造体１０は、第１半導体層１１と、第１半導体層１１に対向する第２半導体層１５と、第１半導体層１１と第２半導体層１５の間の一部に介在している中間層１２を備えている。第２半導体層１５は、中間層１２の端部より側方に延びている延長部１５ｄを有し、その延長部１５ｄが第１半導体層１１側に湾曲している。第２半導体層１５の延長部１５ｄの一部と第１半導体層１１の接触範囲において、第２半導体層１５に貫通孔１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】新たな外力付与方法を適用可能な半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】半導体加速度センサ１は、重り部９、重り部９を囲繞する枠状の固定部１３、及び、一方端が重り部９に連結され、他方端が固定部１３に連結された梁部１１を有するセンサ素子３を有する。また、加速度センサ１は、固定部１３の開口方向の一方側においてセンサ素子３に対向する第１規制板５と、固定部１３の開口方向の他方側においてセンサ素子３に対向する第２規制板７とを有する。そして、第１規制板５には、第１規制板５とセンサ素子３との対向方向に見て、重り部９に重なり、重り部９よりも小さい孔部５ｈが形成されている。 （もっと読む）

【課題】多くの製造時間を要することなく２方向間の検出感度を同じにする。
【解決手段】加速度センサは、矩形形状の可動電極４，５と、可動電極４，５の対向する２辺の略中央に接続して可動電極４，５を揺動自在に支持する一対のビーム部６ａ，６ｂ及びビーム部７ａ，７ｂと、一対のビーム部６ａ，６ｂ及びビーム部７ａ，７ｂを結ぶ直線を境界線とした可動電極４，５の表面のそれぞれ一方側及び他方側に対し所定間隔をあけて対向配置された固定電極と、一対のビーム部６ａ，６ｂ及びビーム部７ａ，７ｂを結ぶ直線を境界線とした可動電極４，５の裏面のそれぞれ一方側及び他方側に形成された凹部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ）及び凹部１２（１４）を備える。このよな構成によれば、可動電極４，５の厚みを厚くすることなくｘ方向及びｚ方向の加速度の検出感度を同じにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 小型化を図りつつ感度向上を図ることができるマイクロフォンの提供。
【解決手段】マイクロフォンは、ベース基板３１に形成された空所３１１上に架け渡されている第１の梁２３と、弾性部材２３ｂを介して第１の梁２３により弾性支持され、空所３１１内にてベース基板面に対して垂直に配置されている振動板２１と、ベース基板３１の空所３１１上に架け渡されている第２の梁２４と、第２の梁２４により支持され、空所３１１内にて振動板２１に隙間を介して対向配置されている固定電極２２とを、ベース基板３１に複数配置した。そのため、振動板２１および固定電極２２の面積を従来よりも大きくすることが可能となり、マイクロフォンの小型化を図りつつ、感度向上を図ることができる。 （もっと読む）