本発明は、一方向（Ｙ１）に沿った向きの変位を測定するための面内ＭＥＭＳ又はＮＥＭＳ検出デバイスであって、基板に対して懸架された振動質量（２０２）であって、前記基板の面に垂直な軸（Ｚ）周りに旋回可能な振動質量（２０２）と、振動質量（２０２）及び基板に機械的に接続された少なくとも一つのピエゾ抵抗歪みゲージとを備え、ピエゾ歪みゲージ（８）が振動質量の厚さよりも小さな厚さを有し、ピエゾ抵抗歪みゲージ（８）の軸（Ｙ）が、振動質量（２０２）の旋回軸（Ｚ）及び重心（Ｇ）を含む面に直交していて、該面が、測定される方向（Ｙ１）に直交している、面内ＭＥＭＳ又はＮＥＭＳ検出デバイスに関する。
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【課題】抵抗値の調整が容易な半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】シリコン基板上に所定間隔で形成された配線層と、前記シリコン基板上及び前記両配線層上に形成されたパッシベーション膜と、前記両配線間の前記パッシベーション膜上に形成された抵抗体層と、前記抵抗体層上に形成された、各配線層と抵抗体層とを導通する電極層とを備え、前記抵抗体層上に、前記両電極層間における該抵抗体層の平面的な大きさを決める絶縁バリア層を形成した。 （もっと読む）

【課題】圧力センサにおいて２枚の単結晶シリコン基板を張り合わせたものやＳＯＩ基板を適用せずに、圧力センサにおいて十分な性能（感度等）を確保すると共に、そのコストをより抑制する。
【解決手段】シリコン基板１の一端面側に形成された酸化膜（またはシリコン窒化膜）２表面に対し膜成長によってポリシリコン膜３が形成される。また、ポリシリコン膜３中には、拡散領域５と、その拡散領域５と接触するようにピエゾ抵抗素子７が形成される。そして、前記シリコン基板１他端面側からエッチングされて形成され前記酸化膜におけるピエゾ抵抗素子７の位置に対して、ダイアフラム１０１が形成される。 （もっと読む）

【課題】微小デバイス形成時において陽極接合が行われるときにガラス基板にアルカリ金属イオンが析出することを防止できる微小デバイスを提供すること。
【解決手段】フレーム部２１とフレーム部２１に対して変位自在に支持される錘部２２とフレーム部２１と錘部２２とを接続するビーム部２３とを有するセンサ基板１１と、ガラス基板とを備える微小デバイスであって、センサ基板１１とガラス基板とは陽極接合されており、ガラス基板の両主面には、アルカリ金属イオンの析出を防止する保護膜３１が形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】センサ内部の配線パターンの設計や製造工程を変更せずに、配線パターンを容易に変更可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】センサデバイスは、複数のピエゾ素子２３１，２３２と、複数の接続パッド２６１〜２６５と、ピエゾ素子２３１，２３２と電気的に接続された上層配線２４０、２４１と、上層配線２４０及び２４１に接続された下層配線２５１及び２５２と、下層配線２５１及び２５２に対して垂直方向に交差する上層配線２４２〜２４４と、上層配線２４２〜２４４の下層の下層配線２５３〜２５７があり、下層配線２５３〜２５７の他端部の上層には、絶縁層を介して接続パッド２６１〜２６５が形成される。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 可動錘部の質量の増大による検出感度の向上を、Ｑ値をほぼ一定に維持しつつ達成すること。
【解決手段】 基板上に形成された多層構造を加工して形成されるＭＥＭＳセンサーは、弾性変形部１３０によって固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部１１１，１１３が形成されている可動錘部１２０と、固定枠部に固定された固定電極部１５０（１５０ａ，１５０ｂ）と、可動錘部に接続され、固定電極部に対向して配置される可動電極部１４０（１４０ａ，１４０ｂ）と、を有する容量部１４５（１４５ａ，１４５ｂ）と、固定枠部に固定されたダミー固定電極部１５３（１５３ａ，１５３ｂ）と、可動錘部に接続され、ダミー固定電極部に対向して配置されるダミー可動電極部（１４３ａ，１４３ｂ）と、を有し、検出信号を出力しないダミー容量部１４７（１４７ａ，１４７ｂ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】錘部がその周囲にスティッキングするのを抑制することのできる静電容量式センサおよびその製造方法を得る。
【解決手段】シリコン基板４を、スリット１７内に形成された連結部１８によって錘部５、ばね部６および支持部１６を連結させた状態で絶縁基板２に陽極接合し、絶縁基板２にシリコン基板４を陽極接合した後に連結部を除去することで静電容量式センサ１を形成した。 （もっと読む）

【課題】錘部の損傷を抑制することのできる静電容量式センサを得るとともに、突起の形成工程の簡素化を図ることのできる静電容量式センサの製造方法を得る。
【解決手段】絶縁基板２と、この絶縁基板２に接合されたシリコン基板４と、を備え、当該シリコン基板４に錘部５および当該錘部５をばね部６を介して支持する支持部１６が形成されるとともに、錘部５と絶縁基板２との間にギャップ７が形成された静電容量式センサ１において、錘部５の絶縁基板２との対向面５ａの少なくとも周辺部に、絶縁基板２に対向する先端部が先細りとなるピラミッド状の突起１２を設けた。 （もっと読む）

【課題】衝接した際の接触面の欠損をより効果的に抑制して、スティックを安定的に防止することができる静電容量式センサを得る。
【解決手段】錘部６および当該錘部６を揺動自在に支持するばね部７が形成された半導体基板４と、前記半導体基板４に接合される絶縁基板２と、前記錘部６と前記絶縁基板２との間に形成されるギャップＧ１とを備えた静電容量式センサ１であって、前記錘部６が前記絶縁基板２に対向する表面６ａに、円形状の複数の凹部２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳセンサーを小型化すること。
【解決手段】 ＭＥＭＳセンサーは、固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部１１０に固定され、容量素子（Ｃ１，Ｃ２）の一方の電極を構成する少なくとも一つの固定電極部１５０と、可動錘部１２０と一体的に移動し、かつ固定電極部１５０と対向して設けられる、容量素子の他方の電極を構成する少なくとも一つの可動電極部１４０と、可動錘部１２０に設けられ、容量素子（Ｃ１，Ｃ２）からの信号を増幅する増幅回路を有する検出回路２４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁層の幅寸法Ｔ１と金属層の幅寸法Ｔ２を制御してアンカ部に応力が加わったときのセンサ部の変位量を小さくし、検出精度を向上させることが可能なＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第１部材１１と、第２部材１２と、第１部材１１と第２部材１２との間に位置する中間部材１３と、中間部材１３に形成されたアンカ部１４及びアンカ部に接続されたセンサ部１５と、第１部材１１とアンカ部１４間に介在する絶縁層１６と、第２部材１２とアンカ部１４間に介在する金属層１７と、を有する。金属層１７の外周側面はアンカ部１４の外周側面よりも内側に後退している。絶縁層１６の幅寸法をＴ１、金属層１７の幅寸法をＴ２としたとき、Ｔ１／Ｔ２は、１．５以上で３．３以下の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１１０に対してレーザー光Ｌを照射して、そのレーザー光Ｌの焦点を移動させることによって、少なくとも一部が単結晶シリコン基板１１０の表面に露出するように単結晶シリコン基板１１０の内部を部分的に多結晶化して改質部１５０を形成する改質工程と、改質工程にて単結晶シリコン基板１１０を多結晶化した部位をエッチャントにて連続的にエッチングするエッチング工程とを備える半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】構造を複雑にすることなく、基板の電位を安定にすることが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成された、単一の結晶構造体の半導体基板１０と、凹部１００内に配置され、下面に下面絶縁膜５０が配置された可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において半導体基板１０に固定された梁型の可動部２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、半導体基板１０に固定された梁型の固定電極３０と、可動部２０及び固定電極３０と半導体基板１０との間に配置され、可動電極２１及び固定電極３０と半導体基板１０とを電気的に分離する分離絶縁膜４０と、半導体基板１０に接続するコンタクト電極６３とを備える。 （もっと読む）

【課題】種々の物理量を検出する半導体センサにおいて、良好な温度特性を確保できる技術を提供する。
【解決手段】半導体センサ１００は、素子側基板２と封止側基板８を備えている。素子側基板２の表面の一部にはセンシング機能を有するＭＥＭＳ構造体２２が形成されている。封止側基板８の裏面には、ＭＥＭＳ構造体２２を収容する凹所１３が形成されている。素子側基板２の表面には封止側基板８の裏面が接合されており、素子側基板２と封止側基板８の間に凹所１３に対応する封止空間１１が形成されている。封止空間１９１内にはＭＥＭＳ構造体２２が封止されている。封止側基板８には、凹所１３の開口面８ｂと凹所１３の底面８ａとの間に応力吸収部１４が形成されている。封止側基板８と素子側基板２との間に熱応力が発生すると、応力吸収部１４に熱応力が吸収され、素子側基板２に加わる応力が低減される。 （もっと読む）

【課題】初期の製造工程において、電気的な接触なくとも機械的励起の試験を行う。
【解決手段】微細構造の共鳴エレメント（１４）を励起する方法に関し、このエレメントは１つの自由度に従って可動する。その方法は、当該微細構造に荷電粒子ビーム（５１）を作用する工程を備えており、そのビームは、エレメントの自由度に依存して交互運動に当該エレメントを動かすように構成されている。
１つの変形では、粒子ビームは前記自由度と平行な成分を持つ入射角で前記エレメントに作用される。 （もっと読む）

【課題】中空のドーム構造内に可動素子が形成されたＭＥＭＳデバイスに、外部からの横揺れや衝撃が加えられた場合でも内部に配置された可動素子の破損を防止することができるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】基板１０上にアンカー２２を介して形成され、第１の方向に伸長した振動子２１を有するＭＥＭＳ可動素子２０と、ＭＥＭＳ可動素子２０を覆うように基板１０上に設けられる、中空の薄膜ドーム構造の第２の絶縁膜４０と、基板１０上に設けられ、第２の絶縁膜４０の内側であって、ＭＥＭＳ可動素子２０の外側に設けられ、一部が振動子２１のON時の基板１０からの高さ位置とOFF時の基板１０からの高さ位置との間の高さ位置にある絶縁膜からなる立脚部３１と、備える。 （もっと読む）

【課題】重り部の強度を維持しつつ梁部を長くすることが可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】加速度センサ素子１は、開口部１３が形成された固定部３と、開口部１３内に配置される重り部７と、一方端が重り部７に連結され、他方端が固定部３に連結される梁部５と、梁部５に設けられ、梁部５の変形に伴って抵抗値が変化する抵抗素子９とを有する。重り部７は、梁部５の一方端が連結される主部１５と、主部１５に連結され、梁部５の重り部７側の端部よりも固定部３側に突出する付属部１７とを有する。付属部１７（非重なり部１９）は、開口部１３の開口方向に見て梁部５と重ならない位置において主部１５に連結されている。さらに、付属部１７（重なり部２１）は、梁部５よりも第２主面Ｓｂ側、且つ、開口方向に見て梁部５と重なる位置において主部１５に連結されている。 （もっと読む）

【課題】基板のダイシングされる部分にアンダーカットを発生させることなくセンサチップを製造するセンサチップの製造方法を提供する。
【解決手段】センサチップ１００の製造方法は、以下の工程を備えている。第１主表面１ａを有する基板１が準備される。第１主表面１ａ上に第１の膜２ａが形成される。第１の膜２ａ上に第１の膜２ａとは異なる材質からなる絶縁膜３（第１絶縁膜）が形成される。絶縁膜３（第１絶縁膜）上に導電性の抵抗部４が形成される。抵抗部４が形成されていない絶縁膜３（第１絶縁膜）の部分がエッチングされて開口部６が形成され第１の膜２ａが露出される。開口部６から露出された第１の膜２ａがエッチングされて基板１の第１主表面１ａが露出される。開口部６から露出された基板１の部分が切断される。 （もっと読む）