【課題】小型かつ高性能の圧力センサを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサ３０は、開口部１ａを有する第１半導体層１と、第１半導体層１上に形成され、ダイアフラム４となる凹部１２を有する第２半導体層３と、を有するセンサチップ１０と、開口部１ａに連通する圧力導入孔１７を有し、センサチップ１０に接合される台座１１と、を備える。第２半導体層３の凹部１２が、第１半導体層１の開口部１ａよりも大きくなっている。第１半導体層１の開口部１ａは、第２半導体層３側の開口径が、台座１１側の開口径よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳチップとシリコン製キャップチップを接合したＭＥＭＳ組立体を樹脂
モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接
触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。
【解決手段】 シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェッ
トエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき
、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や
線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】シリコンをエッチング液による侵食から保護するとともに、熱変形、剥がれ、シリコンの割れおよび不完全な侵食防止という不良の改善、製造工程の工数低減、作業性の改善およびコスト低減をすることができるシリコンデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子をシリコンの一方の面に形成し、シリコンの他方の面の一部および一方の面を保護膜で覆い、シリコンをエッチングするシリコンデバイスの製造方法において、保護膜に金属膜を用いてシリコンの他方の面の一部および一方の面を覆う第１工程(Ｓ１２０)と、金属膜を侵食しないエッチング液を用いてシリコンをエッチングする第２工程（Ｓ１３０）と、素子に接続される電極を金属膜から形成する第３工程（Ｓ１４０）とを有することを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積と可動錘部の質量の設計に関して、さらに好ましくはバネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーは、基板に形成された固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部より空洞部に向けて突出形成された固定電極部１５０と、可動錘部と一体的に移動し、固定電極部と対向する可動電極部１４０と、を有し、可動錘部１２０は、多層の積層構造体により形成される第１可動錘部１２０Ａと、第１可動錘部の下方に位置し、前記基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】プロセスの簡略化および静電引力の対策をともに行って、安価でありかつ高性能な半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の長方形状のソース部・ドレイン部の中央を分断するように溝部１７を設け、この溝部１７の両側の側壁１７ａ，１７ｂに第１，第２の半導体層１３，１４を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。この構造では第１，第２の半導体層１３，１４が底面方向に薄く、可動ゲート電極１５の底面方向の厚みも減らして溝部１７の底面方向隙間１７ｆを確保し、可動ゲート電極１５に対する底面方向への静電引力の影響を受けにくくしている。また、可動ゲート電極１５に対する側壁間方向の静電引力も相殺している。従って可動ゲート電極１５への不要な力を除去して感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外部回路に設けられた接続端子の機能や配置に応じて、センサ内部の配線パターンの設計や製造工程を変更せずに、配線パターンを容易に変更可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るセンサデバイスは、基板の素子形成領域に形成された複数のセンサ素子と、素子配置領域を除く基板上に形成された複数の接続パッドと、基板上に形成され複数のセンサ素子と電気的に接続された複数の第１配線と、基板上に形成され複数の接続パッドと電気的に接続された複数の第２配線と、第１配線及び第２配線が形成された層と異なる層に複数の第１配線及び複数の第２配線と交差するように形成された複数の第３配線と、複数の第１配線及び複数の第２配線と複数の第３配線との間に形成され、複数の第１配線及び複数の第２配線と複数の第３配線とが交差する位置に複数の貫通孔が形成された絶縁層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 特に、剥離応力を分散し最大剥離応力を低下させることが出来るＭＥＭＳセンサの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１シリコン基板１０の表面１０ａ側に有底の凹部１１を形成し、このとき、前記凹部１１の側壁１４に、開口側縁部１１ａから凹部１１の底面１１ｂ方向に向けて前記凹部１１の幅寸法を広げる方向へ後退する後退領域１４ａを設ける。続いて、第１シリコン基板１０の表面、あるいは前記第２基板の表面の少なくとも一方に酸化絶縁層を形成する。続いて、前記第１シリコン基板１０の表面と前記第２シリコン基板の表面とを接合し、前記凹部１１を閉鎖空間とした状態で、熱処理を施す。側壁１４の第２シリコン基板との接合側に後退領域１４ａを設けたことで、熱処理を施したときに凹部１１の縁部付近に加わる剥離応力を分散でき、最大剥離応力を低減できる。 （もっと読む）

【課題】陽極接合の際、錘部がガラスストッパに接着せず、錘部がガラスストッパに接触した場合でも異物が発生しない微小デバイスを提供する。
【解決手段】可動部と、可動部の周囲に設けられ可動部を可動可能に支持するフレーム１１と、を有するシリコン基板１と、可動部との間にギャップ５、６を設けるようにシリコン基板１のフレーム１１に陽極接合されるガラス基板２、３と、を備える微小デバイスであって、フレーム１１に陽極接合されるガラス基板２、３の接合面２２、３２の面粗度はＲａ＝２ｎｍ以下であり、ガラス基板２、３のシリコン基板１側の表面において可動部に対向する対向面２３、３３の面粗度はＲａ＝０．２乃至０．５μｍであるようにした。 （もっと読む）

【課題】厚みが薄く、しかも、その厚みのばらつきが少ないダイヤフラムを備えた半導体圧力センサと、その製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の第１主表面上には、ポリシリコン膜５５からなるダイヤフラム５が形成され、そのダイヤフラム５の上面には、４つのゲージ抵抗７が形成されている。シリコン基板１には、ダイヤフラム５の裏面を露出する貫通穴３０が形成されている。ダイヤフラム５とシリコン基板１との間には、ダイヤフラム５をシリコン基板１に据え付けるためのアンカー部２０が、貫通穴３０の第１主表面側の開口端を周方向から取り囲むように形成されている。 （もっと読む）

トランスデューサ２０は、垂直な集積構造を形成するために相互に接続されたセンサ２８、３０を備えている。センサ２８は、基板３６の表面３４に可動に接続され、離間配置された試験質量３２を備える。センサ３０は、基板５６の表面６０に可動に接続され、離間配置された試験質量５８を備える。基板３６、５６は、基板５６の表面６０が基板３６の表面３４に向き合った状態で接続される。したがって、試験質量５８が試験質量３２に対面する。センサ２８、３０は別に組み立てられ、異なるマイクロ機械技術を利用して形成されてよい。センサ２８、３０は続いて、トランスデューサ２０を形成するためのウェハー接合技術を利用して接続される。トランスデューサ２０の実施形態は、１つ、２つ、または３つの直交軸に沿っての感知を含んでよく、異なる加速度感知範囲における移動を検知するように適合されてよい。
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【課題】電極面積を精度よく調整することを可能とする。
【解決手段】固定電極２０ａ，…は、相対的に面積が大きい主電極ＭＰと、主電極ＭＰよりも充分に面積が小さい複数の補助電極ＳＰと、補助電極ＳＰよりも幅細であって主電極ＭＰと各補助電極ＳＰを電気的に接続する複数の導電部ＢＰとを有している。従来例のように固定電極に形成される溝の幅や長さで電極面積を調整するのではなく、導電部ＢＰを切断して主電極ＭＰから電気的に切り離される補助電極ＳＰの個数によって電極面積を調整するので、電極面積を精度よく調整することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】過大な加速度が印加された場合のビーム部の保護を図るとともにスティッキングによる誤動作を回避する。
【解決手段】過大な加速度が印加された場合、重り部４，５は、回動軸の回りに回動して突起部１５ａ，１５ｂが上部固定板２ａ下面の当接部１７や下部固定板２ｂに当接して回動が規制されるため、ビーム部６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂに過度の応力がかかることを防ぐことができる。また、突起部１５ａと一方側の当接部１７ａとの間にスティッキングが生じた場合、他方側の当接部１７ｂが可動電極４ａ（又は５ａ）と異なる電位とすれば、他方側の当接部１７ｂと突起部１５ａとの間に静電引力が作用して一方側の当接部１７ａを突起部１５ａから引き剥がすことができる。 （もっと読む）

【課題】検出感度の低下を抑えつつ小型化を図る。
【解決手段】重り部４，５は下面に開口する凹部１１，１３と凹部１１，１３を除く充実部１２，１４が一体に形成されている。凹部１１，１３内において２つの補強壁１６，１６で区切られた各区画内には、充実部１２，１４を形成している材料に対して比重が２倍以上の材料からなる埋込部１７が形成されている。故に、重り部４，５の重量を変えずに大きさを小さくすることができ、その結果、検出感度の低下を抑えつつ小型化が図れる。 （もっと読む）

【課題】検出感度を低下させることなく耐衝撃性の向上を図る。
【解決手段】ビーム部６，７は、複数の支柱部６０，７０と、複数の支柱部６０，７０の間に掛け渡された複数の桟部６１，７１とを有する格子状に形成されている。故に、角柱状に形成された従来のビーム部と比べ、ビーム部６，７のねじり剛性を維持しつつ、その引張り剛性や曲げ剛性を高めることができる。その結果、検出感度を低下させることなく耐衝撃性の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】密閉性を高めつつ浮遊容量の影響を低減する。
【解決手段】シリコン基板からなる電極部８１ａ，８１ｂ，９１ａ，９１ｂで貫通孔配線部８ａ，８ｂ，９ａ，９ｂの貫通孔８０ａ，８０ｂ，９０ａ，９０ｂを閉塞する。これにより、センサチップ１の密閉性を高めることができる。しかも、電極部８１ａ，８１ｂ，９１ａ，９１ｂの寸法（縦横寸法）を、貫通孔８０ａ，８０ｂ，９０ａ，９０ｂの一面側（下面側）の開口径φ１よりも小さく且つ他面側（上面側）の開口径φ２よりも大きい寸法とすることで電極部８１ａ，８１ｂ，９１ａ，９１ｂとセンサチップ１との間に生じる浮遊容量の影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】過大な加速度が印加された場合にビーム部を確実に保護する。
【解決手段】過大な加速度が印加された場合、重り部４，５は、先に回動軸の回りに回動して突起部１５ａ，１５ｂが上部固定板２ａや下部固定板２ｂに当接して回動が規制された後に縦方向や横方向に移動する。このとき、重り部４，５に設けられた突起部１５ａ，１５ｂが上部固定板２ａ及び下部固定板２ｂの凹所２４ａ，２４ｂ内に入り込み、凹所２４ａ，２４ｂの内底面に当接して回動が規制された後、凹所２４ａ，２４ｂの内側面に当接して縦方向や横方向の移動が規制される。その結果、過大な加速度が印加された場合でも重り部４，５の回動並びに縦方向又は横方向の移動に伴ってビーム部６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂに過度の応力がかかることを防いでビーム部６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂを確実に保護することができる。 （もっと読む）

【課題】重り部の凹部が形成された部分の変形を抑制する。
【解決手段】一対のビーム部６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂで回動自在に支持された重り部４，５に凹部１１，１３が形成されている。そして、凹部１１，１３の内壁面及び底壁面と結合され且つ互いに交差する複数（２つ）の補強壁１６が凹部１１，１３内に設けられ、しかも、複数の補強壁１６が互いに交差している。故に、ｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向のあらゆる方向から加わる応力に対して重り部４，５の凹部１１，１３が形成された部分の変形を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高精度にエッチングすることができるとともに複数の基板をエッチングする際のエッチングのバラツキを低減することのできる加速度センサの製造方法及びその製造方法で製造された加速度センサを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板の上下両面において各固定電極２０ａ〜２０ｄと各可動電極４０，４１との間の距離を規定する深さ寸法の第１の凹所１０１ａ、及び各可動電極４０，４１の変位スペースを確保するための第２の凹所１０１ｂに該当する箇所を除いた箇所にマスク材料１００を形成する工程と、第１の凹所１０１ａ及び第２の凹所１０１ｂに該当する箇所に不純物をドーピングして高濃度不純物層１０４を形成する工程と、高濃度不純物層１０４を選択エッチングにより除去する工程を経て第１の凹所１０１ａ及び第２の凹所１０１ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易な加速度センサを提供する。
【解決手段】上カバー２ａの下面にシリコン基板からなる電極ブロック８が接合される。電極ブロック８は、センサチップ１のフレーム部３と接合される枠部８０と、第１及び第２の固定電極８１ａ，８１ｂ、８２ａ，８２ｂとを有している。そして、貫通孔２０を通して上カバー２ａの上面側に露出する第１及び第２の固定電極８１ａ，８１ｂ、８２ａ，８２ｂが検出電圧を取り出すための電極部８３ａ，８３ｂ、８４ａ，８４ｂとなる。その結果、従来例のように電極部を設けるための専用のスペースが不要となって容易に小型化が図れる。 （もっと読む）

【課題】温度補償を高精度で行なうことができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体圧力センサは、シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成された第１のダイヤフラム２５および第１のゲージ抵抗７を有するアクティブゲージ抵抗形成部１０１と、基板１上に形成された第２のダイヤフラム２６および第２のゲージ抵抗７を有する温度補償用ダミーゲージ抵抗形成部１０２とを備えている。
アクティブゲージ抵抗形成部１０１の第１のダイヤフラム２５および温度補償用ダミーゲージ抵抗形成部１０２の第２のダイヤフラム２６が共通のポリシリコン膜５より形成されている。ポリシリコン膜５は基板１に接続するために基板１側に延びるアンカー部２１を有している。第１および第２のダイヤフラム２５、２６が互いに同一または対称の構造を有し、かつ第１および第２のゲージ抵抗７が互いに同一または対称の構造を有している。 （もっと読む）