【課題】ＭＥＭＳセンサーなどの物理量センサー、および、物理量センサーを比較的容易に製造できる物理量センサーの製造方法、および、物理量センサーを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】静電容量型加速度センサー１００は、固定部としての固定枠部１１０と、可動錘部１２０と、固定電極を有する固定電極部（固定腕部）１５０（１５０ａ，１５０ｂ）と、可動電極を有する少なくとも一つの可動電極部（可動腕部）１４０（１４０ａ，１４０ｂ）と、を有し、固定電極部１５０（１５０ａ，１５０ｂ）は、第１積層構造体ＡＩＳの側面に形成された、固定電極としての第１側面導体膜ＣＱ１（ＣＱ１ａ，ＣＱ１ｂ）および第１接続電極部Ｌ４（Ｌ４ａ，Ｌ４ｂ）と、を有し、可動電極部１４０（１４０ａ，１４０ｂ）は、第２積層構造体層構造体ＢＩＳの側面に形成された、可動電極としての第２側面導体膜ＣＱ２（ＣＱ２ａ，ＣＱ２ｂ）および第２接続電極部Ｌ５（Ｌ５ａ，Ｌ５ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】圧力センサにおいて２枚の単結晶シリコン基板を張り合わせたものやＳＯＩ基板を適用せずに、圧力センサにおいて十分な性能（感度等）を確保すると共に、そのコストをより抑制する。
【解決手段】シリコン基板１の一端面側に形成された酸化膜（またはシリコン窒化膜）２表面に対し膜成長によってポリシリコン膜３が形成される。また、ポリシリコン膜３中には、拡散領域５と、その拡散領域５と接触するようにピエゾ抵抗素子７が形成される。そして、前記シリコン基板１他端面側からエッチングされて形成され前記酸化膜におけるピエゾ抵抗素子７の位置に対して、ダイアフラム１０１が形成される。 （もっと読む）

【課題】微小デバイス形成時において陽極接合が行われるときにガラス基板にアルカリ金属イオンが析出することを防止できる微小デバイスを提供すること。
【解決手段】フレーム部２１とフレーム部２１に対して変位自在に支持される錘部２２とフレーム部２１と錘部２２とを接続するビーム部２３とを有するセンサ基板１１と、ガラス基板とを備える微小デバイスであって、センサ基板１１とガラス基板とは陽極接合されており、ガラス基板の両主面には、アルカリ金属イオンの析出を防止する保護膜３１が形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】センサ内部の配線パターンの設計や製造工程を変更せずに、配線パターンを容易に変更可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】センサデバイスは、複数のピエゾ素子２３１，２３２と、複数の接続パッド２６１〜２６５と、ピエゾ素子２３１，２３２と電気的に接続された上層配線２４０、２４１と、上層配線２４０及び２４１に接続された下層配線２５１及び２５２と、下層配線２５１及び２５２に対して垂直方向に交差する上層配線２４２〜２４４と、上層配線２４２〜２４４の下層の下層配線２５３〜２５７があり、下層配線２５３〜２５７の他端部の上層には、絶縁層を介して接続パッド２６１〜２６５が形成される。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳセンサーを小型化すること。
【解決手段】 ＭＥＭＳセンサーは、固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部１１０に固定され、容量素子（Ｃ１，Ｃ２）の一方の電極を構成する少なくとも一つの固定電極部１５０と、可動錘部１２０と一体的に移動し、かつ固定電極部１５０と対向して設けられる、容量素子の他方の電極を構成する少なくとも一つの可動電極部１４０と、可動錘部１２０に設けられ、容量素子（Ｃ１，Ｃ２）からの信号を増幅する増幅回路を有する検出回路２４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板と蓋との位置合わせを高い精度で行うことが可能な、可動部を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】外力により変位する、少なくとも上面及び側面に絶縁膜が形成された半導体からなる第１の可動部２１及び第２の可動部２２が表面に形成された基板１０と、封止された貫通孔８１を有し、第１の可動部２１及び第２の可動部２２との間に空間３００を形成するように基板１０上に配置された絶縁膜からなる蓋８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】構造を複雑にすることなく、基板の電位を安定にすることが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成された、単一の結晶構造体の半導体基板１０と、凹部１００内に配置され、下面に下面絶縁膜５０が配置された可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において半導体基板１０に固定された梁型の可動部２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、半導体基板１０に固定された梁型の固定電極３０と、可動部２０及び固定電極３０と半導体基板１０との間に配置され、可動電極２１及び固定電極３０と半導体基板１０とを電気的に分離する分離絶縁膜４０と、半導体基板１０に接続するコンタクト電極６３とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁分離領域に起因するＭＥＭＳ素子の感度の制限が抑制される半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成された半導体基板１０と、凹部１００を囲むように半導体基板１０上に配置された支持体７０と、凹部１００上方に配置された可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において支持体７０に固定された梁型の可動部２０と、可動電極２１に対向して凹部１００上方に配置され、支持体７０に固定された梁型の固定電極３０と、半導体からなる分離柱４０１とその分離柱４０１の側面に配置された分離絶縁膜４０２を有し、可動電極２１及び固定電極３０と支持体７０間にそれぞれ配置され、可動電極２１及び固定電極３０と支持体７０とを電気的に分離する絶縁分離領域４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程で製造できる１軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持部（Ｓ）と、平行する二つの面に内周面が開口している凹部（５０）が形成され前記凹部内に重心を有する錘部（Ｍ）と、一端が前記支持部と結合し他端が前記凹部の底面に結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の長手方向の両端近傍でかつ前記可撓部の短手方向の両端近傍に少なくとも２つずつ互いに前記可撓部の厚さ方向に離間して設けられる歪み検出素子（Ｐ１〜Ｐ４）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサの一例であるシリコンマイク１は、開口５が貫通して形成されたシリコン基板２と、開口５に対向して設けられ、その対向方向に振動可能な振動膜６と、振動膜６に形成された圧電素子９とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】振動子エレメントの両端に溝部を設けた静電容量型超音波振動子において、全体に占めるセル領域の面積比率を低下させず、かつ発生させる超音波の出力低下のない静電容量型超音波振動子を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、該シリコン基板の上面に配設された第１の電極と、該第１の電極と対向し所定の空隙を隔てて配設された第２の電極と、該第２の電極を支持するメンブレンとからなる振動子セルから構成され、駆動制御信号を入出力する最小単位である振動子エレメントと、前記シリコン基板の背面に電極パッドを介して接合したフレキシブルプリント基板とから構成される静電容量型超音波振動子において、隣接する前記振動子エレメント間に溝部が設けられ、該溝部に導電膜が形成されていることにより、上記課題の解決を図る。 （もっと読む）

【課題】高い感度で外力を検出することができるＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】基板５０と、基板５０上に配置された第１の支持部５１及び第２の支持部５２と、第１可動電極１１を有し、第１可動電極１１から離間した位置において第１の支持部５１に固定され、外力により変位する第１の可動部１０と、第１可動電極１１と対向して配置された第２可動電極２１を有し、第２可動電極２１から離間した位置において第２の支持部５２に固定され、外力により変位する第２の可動部２０とを備え、第１可動電極１１と第２可動電極２１との対向位置Ａと第１の可動部１０の重心位置Ｃ１との間において第１の可動部１０が第１の支持部５１に固定され、第２の可動部２０の重心位置Ｃ２を挟んで対向位置Ａと対向する位置において第２の可動部２０が第２の支持部５２に固定されている。 （もっと読む）

【課題】振動子と半導体基板間の短絡が防止され、且つ製造工程の増大を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成され、凹部１００の底面１０１に半導体層が露出した半導体基板１０と、凹部１００内に配置され、且つ側面及び下面に絶縁膜が配置された梁型の可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において半導体基板１０に固定された振動子２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、可動電極２１と電気的に分離されて半導体基板１０に固定された梁型の固定電極３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 強い衝撃を受けても破損しにくい加速度センサを提供する。
【解決手段】 枠部（Ｓ）と、前記枠部の内側に一端が結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の他端が結合している錘部（Ｍ）と、前記可撓部の歪みを検出する第一歪み検出手段（Ｐ１〜Ｐ４）と、前記枠部および前記可撓部および前記錘部のいずれかに設けられ前記錘部が予め設計された所定範囲より大きく変位することを抑制するダンパであって、前記錘部の運動方向に撓む板ばね形のダンパ（４０，４１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に達する溝により、半導体層に可動部が区画されるとともに、溝を通じて可動部直下の絶縁層が除去されてなる半導体力学量センサにおいて、可動部直下に設ける突起部の突起先端と可動部との厚み方向の間隔ばらつきを抑制すること。
【解決手段】単結晶シリコンからなり、表面が（１００）面の半導体基板の表面上に、絶縁層を介して、半導体基板よりも不純物濃度の高いＰ導電型のシリコンからなる半導体層が配置された基板を準備する。半導体層を異方性エッチングし、絶縁層に達する溝を形成して可動部を区画する。溝を通じて絶縁層をエッチングし、溝を半導体基板に達するものとするとともに、横方向において可動部直下における絶縁層の幅を可動部の幅よりも狭くする。上記溝を通じて半導体基板をアルカリエッチングし、突起先端が絶縁層と接する突起部を、可動部直下における半導体基板の表面に形成する。可動部直下に位置する絶縁層を除去する。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルパッケージを用いて、電極パッド近傍の信頼性を向上させることができる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、加速度検出素子と枠１１１に形成された電極パッド１１５（１１５ａ〜１１５ｄ）とを接続するＡｌ配線１１６とからなるセンサ部１１０と、枠１１１上に形成されたＡｌ配線１１６と電極パッド１１５（１１５ａ〜１１５ｄ）の一部に積層される保護膜１１７と、センサ部１１０を覆って、センサ部１１０を密閉空間に収容するキャップ部１１８と、保護膜１１７上に積層され、センサ部１１０とキャップ部１１８とを接合する接着層１１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板と垂直なＺ方向に変位する可動錘部の質量を増大させることができ、ＣＭＯＳプロセスを用いて自在かつ容易に製造可能なＭＥＭＳセンサーを提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部が、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層と、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。可動電極部１４０Ａは積層構造体にて形成され、これと対向する固定電極部１５０Ａとの間の対向面積が可動錘部のＺ方向変位に応じて変化する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ周縁部にフォトレジストを形成することなく半導体ウェハ周縁部の半導体層に不純物イオンが注入されるのを防止し、電解エッチング処理の際に半導体ウェハの表面側と裏面側で電気的に短絡するのを防止する。
【解決手段】半導体ウェハ１の周縁部に、後工程のイオン注入工程でＮ型領域５に注入されるＰ型不純物イオンが突き抜けない程度の膜厚で周縁部絶縁膜１３を形成する。半導体ウェハ１の主表面上にＰ型不純物イオンの注入領域を画定するためにフォトレジスト１７を形成する。イオン注入法により、フォトレジスト１７及び周縁部絶縁膜１３をマスクにして半導体ウェハ１のＮ型領域５の所定の領域にＰ型不純物イオンを注入してＰ型領域１９を形成する。フォトレジスト１７を除去し、半導体ウェハ１の主表面に配線処理を行なった後、半導体ウェハ１のＰ型シリコン基板３に対して電解エッチング処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】 容量型機械電気変換素子において、大面積かつ狭電極間隔（ギャップ）の犠牲層エッチング速度を高速かつ安定にでき、アレイ素子の生産性（均一性、歩留まり）を向上する。
【解決手段】 基板と、該基板上に配置された支持部によって基板と所定の間隔を保って保持される振動膜から形成されるキャビティと、表面がキャビティに露出した第１の電極と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われた第２の電極とを有し、第１の電極は基板の表面または振動膜の下表面に設けられ、第２の電極は第１の電極と対向して振動膜の表面または基板表面に設けられた容量型機械電気変換素子であって、
第１の電極の表面にその第１の電極を形成する物質の酸化膜からなる微粒子が配置され、この微粒子の直径が２ｎｍから２００ｎｍの範囲であることを特徴とする容量型機械電気変換素子、およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）