【課題】小さい電圧で自己診断を行う加速度検出装置を提供する。
【解決手段】加速度検出装置１は、可撓部を有する基板５と、基板５に接続され、金属からなる導電部を有する重り部７と、を有し、可撓部の撓みに応じて加速度を検出する加速度検出素子３と、重り部７と所定の間隔を隔てて設けられた固定電極２０と、を備え、
貫通導体６を介して重り部７に電圧を印加することにより、重り部７と固定電極２０との間に静電引力が働くようにして自己診断をおこなう。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性能が高く薄いＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】枠形の支持部Ｓの内側に位置する錘部Ｍと、支持部と錘部に連結され錘部の運動に伴って変形する可撓部Ｆと、前記錘部の運動範囲を制限するストッパ部とを備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、ＳＯＩウエハのベース層をエッチングし、ベース層を前記支持部と錘部とに分断する溝Ｔを形成する工程と、該溝の内外にかかる位置において前記ＳＯＩ層を貫通し、かつ前記溝の外側において上昇ストッパ部３０ａが形成されるように、ＳＯＩウエハのＳＯＩ層および絶縁層をエッチングする工程と、前記上昇ストッパ部内にストッパ層を形成する工程と、前記ストッパ層と錘部との間に空隙Ｇ２が形成されるとともに、それにより前記錘部の運動範囲を制限する上昇ストッパ部としての機能が前記ストッパ層に顕在化するように前記絶縁層を等方性エッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】キャップ部とセンサ部との接合不良や導通不良が起こらないようにすることができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌの第２配線層２５の上にＧｅの導体層６０を形成し、該導体層６０を第２配線層２５とセンサ部１０の配線層１４とで挟んだ状態で加熱する。これにより、導体層６０を溶かして第２配線層２５の一部と導体層６０とを共晶合金化させると共に、配線層１４と導体層６０とを共晶合金化させる。溶けた導体層６０は、第２配線層２５の表面の凹凸および配線層１４の表面の凹凸を埋めると共に、第２配線層２５の表面と導体層６０との間の空間、および配線層１４の表面と導体層６０との間の空間が無くなるように両者を共晶接合するので、第２配線層２５と配線層１４との接合面積の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ハウジング内に配置されるセンサチップの配線部を測定媒体に曝すことなくハウジングの配線部に容易かつ確実に接続し得るセンサ装置の製造方法およびセンサ装置を提供する。
【解決手段】中空部１１ａが形成される略円筒状のハウジング１１に対して、この中空部１１ａ内に環状凸部１５を形成するとともにこの環状凸部１５の第１環状面１５ｂに絶縁膜１６を介して各ハウジング側配線部１７を形成する。そして、センサチップ２０に対して、各配線２７の一部である露出配線部２７ａを一側面２０ｂのうち外縁を除く部位にて露出するように形成する。そして、センサチップ２０を、一側面２０ｂの外縁にて第２環状面１５ｃに接合してハウジング１１の中空部１１ａ内に配置する。そして、各露出配線部２７ａおよび各ハウジング側配線部１７を電気的に接続する電極３０を両配線部２７ａ，１７上にそれぞれ蒸着（堆積）させる。 （もっと読む）

【課題】モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物の絶縁体相−金属相間の相転移を容易に誘起することができるペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法を提供する。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物の相転移を誘起するための相転移誘起方法は、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物に、これまでの数ｋＶ／ｃｍよりも２桁低い４０Ｖ／ｃｍ〜８０Ｖ／ｃｍ程度の電場を印加することで、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物を金属相に相転移させると共に、電場の印加により金属相に相転移したペロブスカイト型酸化物を冷却させることで、常磁性金属相にあるペロブスカイト型酸化物を強磁性金属相に相転移させる。 （もっと読む）

【課題】センシング部を複数の基板で封止した半導体装置において、基板の平面方向に配線を設けたとしても、配線のレイアウトを簡略化することができる構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１００とキャップ部３００との積層方向において配線部１２０、１２２が形成された階層とは異なる階層であるキャップ部３００の他面３０２にクロス配線３２２を配置している。また、第１貫通電極３０６によってクロス配線３２２と配線部１２０とを接続し、第２貫通電極３０７によってクロス配線３２２と配線部１２２とを接続している。このため、キャップ部３００の他面３０２にはクロス配線３２２を迂回させる構造がないので、クロス配線３２２のレイアウトを簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性能が高く薄いＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】枠形の支持部と、前記支持部に結合している梁形の可撓部と、前記可撓部に結合し前記支持部に対して運動することによって前記可撓部を変形させる錘部と、前記錘部の運動範囲を制限するストッパ部とを備えるＭＥＭＳセンサの製造方法であって、単結晶シリコンからなるベース層の表面に導電型が前記ベース層と異なるエピタキシャル結晶層からなる犠牲層を形成し、前記犠牲層をエッチングすることによって前記犠牲層から前記ベース層を一部露出させ、前記犠牲層と前記ベース層の表面に導電型が前記ベース層と一致するエピタキシャル結晶層からなる非平坦層を形成し、前記ストッパ部と前記錘部との間に空隙を形成し、前記空隙を形成することによって、前記錘部の運動範囲を制限する前記ストッパ部としての機能を前記非平坦層に顕在化する、ことを含むＭＥＭＳセンサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】キャップのハンドリングを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを第１の目的とし、半導体装置のサイズを小さくすることが可能な構造を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】予めキャップウェハ５０にトレンチ５３、絶縁膜２５ｂ、埋め込み電極５４を形成し、センサウェハ４０とキャップウェハ５０とを接合する。キャップウェハ５０に形成したイオン打ち込み層５５を劈開面として該劈開面よりもキャップウェハ５０の裏面５２側を引き剥がし、トレンチ５３を貫通孔２５ａとし、埋め込み電極５４を貫通電極２５ｃとする。これによると、キャップウェハ５０は薄くされておらず、貫通孔２５ａも設けられていないので、キャップウェハ５０のハンドリングを向上できる。また、キャップ部２０に貫通電極２５ｃを設けたことでセンサ部１０の一面１０ａの面方向のサイズを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】可動部の運動範囲を規制するストッパ基板部と可動部との空隙の幅を精度よく調整することができなかった。
【解決手段】支持部と、前記支持部に支持され前記支持部に対して運動する可動部と、を有する構造体と、前記構造体の前記支持部の底面が接合される平坦な接合面と、前記可動部と対向する領域において底部が前記接合面より後退している凹部と、を有するストッパ基板部と、前記ストッパ基板部の材料に対してエッチング選択性を有する材料からなり、前記凹部を前記接合面よりも後退した位置まで満たすことによって前記可動部の底面と予め決められた所定距離で対向する距離調整部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】キャップ部の配線層とセンサ部との接合不良や導通不良が起こらないようにすることができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ部２０に第２配線層２５を形成し、該第２配線層２５を配線部２５ａと気密封止部２５ｂとにパターニングする。そして、配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂに配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂよりも硬く、高さが揃った複数の支柱部２７を設けた後、配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂの各表面を平坦化する。これにより、各支柱部２７よりも配線部２５ａや気密封止部２５ｂが一方的に削れてしまうことを防止し、配線部２５ａおよび気密封止部２５ｂの各表面を均一に平坦化する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの錘部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、環状の錘部と、前記錘部の内周面に結合し前記錘部を貫通し上端部が前記錘部の上面から突出している連結部と、前記連結部の上端部に一端が結合し、前記支持部に他端が結合し、空隙を挟んで底面が前記錘部の上面と対向し、前記錘部の運動に伴って変形する可撓部と、前記錘部の運動に伴う前記可撓部の変形を検出する検出手段と、を備え、前記錘部の底面の内側に露出している前記連結部の底面の表層と前記錘部の前記底面の表層とは互いに異なる材料からなる、ＭＥＭＳセンサ。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増大が抑制され、且つ振動子間の静電容量が安定した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上面に形成された凹部１００内に自由端が延在し、半導体基板１０に固定端が固定された梁型の振動子２１、２２を備える半導体装置１の製造方法であって、半導体基板１０の上面の一部をエッチングして、振動子２１、２２の側面を露出させると同時に、振動子２２と半導体基板１０間の絶縁分離領域３０が形成される分離溝を形成するステップと、分離溝の表面を熱酸化して、分離溝を酸化膜で埋め込んだ絶縁分離領域３０を形成するステップと、振動子２１、２２の側面を熱酸化して、側面保護膜を形成するステップと、側面保護膜をマスクにした半導体基板１０のエッチングにより振動子２１、２２の下面を露出させて、半導体基板１０に形成された凹部１００内に配置された振動子２１、２２を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】振動子を備えた半導体装置において、振動子のキャップ側と支持基板側とのダンピングの効果を均一にすることにより振動子の不要振動を低減する。
【解決手段】キャップ部２０は、第２シリコン層１２の面方向に振動子１６が移動する領域に対向する位置にダミーパターン２６を備えている。これによると、振動子１６とダミーパターン２６との間の間隔が、第２シリコン層１２と振動子１６との間の一定の間隔と同じになるので、振動子１６のキャップ部２０側の封止媒体４１によるダンピング効果と第２シリコン層１２側の封止媒体４１によるダンピング効果とを均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】可撓性変換器ユニットを製造するための新規な方法を提供する。
【解決手段】複数の変換器構造体を含むウェハーから、可撓性変換器ユニットを製造する方法に関するものであり、変換器構造体が、基板１と、金属−酸化物層１０と、金属−酸化物層１０における少なくとも１個のメッシュ構造体４と、金属−酸化物層１０に少なくとも１個の第１コンタクトパッド３を有する電線２とを備える。本製造方法は、メッシュ４を解放するために金属−酸化物層１０をエッチングする工程と、メッシュ４上に密封層７を形成する工程と、金属−酸化物層１０上に第１可撓性材料層８を形成する工程と、変換器構造体を十分可撓性のあるものにするにはために基板１のかなりの厚さを除去する工程とを含む。また、メッシュを解放する前に、第１可撓性材料層８を形成してもよい。さらに、ウェハーの裏側に第２可撓性層９を形成する工程を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】 小型化を図りつつ感度向上を図ることができるマイクロフォンの提供。
【解決手段】マイクロフォンは、ベース基板３１に形成された空所３１１上に架け渡されている第１の梁２３と、弾性部材２３ｂを介して第１の梁２３により弾性支持され、空所３１１内にてベース基板面に対して垂直に配置されている振動板２１と、ベース基板３１の空所３１１上に架け渡されている第２の梁２４と、第２の梁２４により支持され、空所３１１内にて振動板２１に隙間を介して対向配置されている固定電極２２とを、ベース基板３１に複数配置した。そのため、振動板２１および固定電極２２の面積を従来よりも大きくすることが可能となり、マイクロフォンの小型化を図りつつ、感度向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ダメージを生じさせることなく、安価かつ短時間に犠牲層を除去する犠牲層プロセスを採用し、量産性を向上させる可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】第１犠牲層１５と、第２犠牲層１６と、を有する複合犠牲層の上に可動ゲートが形成される可動ゲート形成工程と、第２犠牲層１６がエッチング除去される第２犠牲層除去工程と、第１犠牲層１５がエッチング除去される第１犠牲層除去工程と、を備える可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて簡単な構成で検知精度を向上させることが可能な物理量センサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 高さ方向に移動可能に支持された可動部と、前記可動部の変位を静電容量変化に基づき検知するための第１検知部及び第２検知部と、を有しており、前記第１検知部及び第２検知部は共に平面的に交互に並設された可動電極と固定電極とで構成され、前記可動電極は前記可動部に一体に形成され、前記固定電極は前記可動電極とは分離して形成されており、例えば、前記第１検知部を構成する第１可動電極４７ａが、前記第１検知部を構成する第１固定電極５１ａに対して、及び、前記第２検知部を構成する第２固定電極５３ａが、前記第２検知部を構成する第２可動電極４７ｂに対して、共に、上方向に反らされている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的はセンサ特性の低下を抑え、かつ簡単な構成で加速度センサの耐衝撃性を向上させることにある。。
【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、フレーム部と、前記フレーム部の内側に位置する錘部と、前記フレーム部と前記錘部とを接続する可撓部と、前記可撓部及び／又は前記フレーム部に配置された複数の歪検出部と、前記フレーム部上に配置された複数の電極パッドと、前記可撓部及び前記フレーム部上に配置され、前記歪検出部同士の間または前記歪検出部と前記電極パッドとの間を接続する配線部と、を備え、前記歪検出部と前記電極パッドの間を接続する配線部のいずれかは、第１の折返し部と第２の折返し部とを含む複数回の折返し形状を有し、前記第１の折返し部は前記フレーム部上に位置し、前記第２の折返し部は前記可撓部上に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、簡単な構造にて、センサの薄型化と電気的安定性等とともに質量部の質量を効果的に大きくすることが可能なＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 シリコンで形成され高さ方向にて対向配置された第１の基板１及び第２の基板２を有し、前記第１の基板１には、質量部４及び、前記質量部４と接続されるアンカ部５が形成されており、前記アンカ部５は、前記第２の基板２に固定支持されており、前記質量部４と前記第２の基板２の間には空間６が設けられており、前記質量部４の内部には、前記シリコンよりも比重が大きい金属７が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを積層した積層体にＭＥＭＳセンサを内蔵した小型の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１３、１４、１５が、絶縁層１６、１７を介して積層された積層体１８と、第１領域１１に形成され、積層体１８の最上層の半導体チップ１５から最下層の半導体チップ１３に至り、最下層の半導体素子に電気的に接続された貫通電極１９と、第２領域１２に形成され、積層体１８の最上層の半導体チップ１５から最下層の半導体チップ１３に至る貫通孔２０の底面から立設し、最上層の半導体チップ１５に至る高さを有するとともに、貫通電極１９と材質が同じ可動電極２１と、貫通孔２０の淵に沿って最上層の半導体チップ１５上に形成され、貫通孔２０の外側に向かって互いに直交する方向に延伸した第１および第２固定電極２２、２３と、を具備する。 （もっと読む）