【課題】寄生容量を抑制しつつダイヤフラムとプレートの間の空隙層への異物の進入を防止する。
【解決手段】カバー１６１とプレート１６２の間に形成されているスリットＳを介してカバーとプレートとが絶縁されているためカバーとダイヤフラム１２３ａ・１２３ｃとの間に寄生容量は発生しない。そしてプレートの対向部とともに一対の対向電極を形成するダイヤフラムの受圧部１２３ａから突出するバンド１２３ｃはカバーによって覆われ、カバーとプレートの間の空隙はスリットである。したがってプレートによって覆われないダイヤフラムの領域の大部分はカバーによって覆われることになる。このためダイヤフラムとプレートの間の空隙層への異物の進入を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳセンサの製造に要する時間を短縮する。
【解決手段】シリコンマイク１では、基板２に貫通孔３が形成され、その貫通孔３に対向して、ダイヤフラム７が配置されている。ダイヤフラム７は、貫通孔３との対向方向に見たときのサイズが貫通孔３よりも小さいように形成されている。そして、ダイヤフラム７は、その周縁から貫通孔３の周縁よりも外側まで延びる複数の支持部８に支持されている。 （もっと読む）

【課題】非金属材料からなる保護膜の不所望なエッチングを防止することができる、ＭＥＭＳセンサの製造方法およびＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコンウエハＷの一方面上に、第１犠牲層２４、ダイヤフラム６、第２犠牲層２５、バックプレート８および保護膜１０が形成される。保護膜１０の材料にポリイミドが用いられ、第２犠牲層２５の材料にＡｌが用いられる。そして、保護膜１０に、バックプレート８の孔９と連通する孔１３が形成される。また、保護膜１０におけるバックプレート８の周囲に、孔１４が形成される。そして、保護膜１０の内側に孔９，１３，１４を通して塩素系ガスが供給されることにより、第２犠牲層２５が除去される。 （もっと読む）

【課題】 機械電気変換素子のメンブレンの信頼性を向上させると共に寄生容量を低減する。
【解決手段】 本発明の機械電気変換素子は、第１の電極と第２の電極とを複数有し、前記第１の電極と前記第２の電極とは支持部によって形成された空隙を挟んで対向している。前記第１の電極同士は配線により電気的に接続されており、前記支持部の、前記配線と前記第２の電極との間に存在する領域の少なくとも一部に空洞が形成されている。 （もっと読む）

【課題】十分なノイズシールド効果が得られなかった。
【解決手段】可撓部と、前記可撓部を支持する支持部と、前記可撓部の一方の面から突出する錘部と、前記可撓部の他方の面側の表面または前記表面近傍に形成され前記可撓部の変形または変位を検出する検出手段と、前記検出手段への配線部と、を有する固体素子と、前記固体素子の前記可撓部の他方の面側において前記支持部に接合され、導電性を有するスペーサと、前記固体素子の前記可撓部の他方の面側から見て、前記可撓部と前記支持部と前記錘部と前記検出手段と前記配線部とに重なる領域において、前記可撓部の他方の面と平行な方向に広がり、前記スペーサを介して接地されている導電層を有し前記スペーサに接合されている板状のストッパと、を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波の過大加速度に対して、可動電極が固定電極と接触する機会を格段に減少させる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、基板２００と、慣性質量体１０６と、可動電極１０５と、リンク梁１０７とを有している。慣性質量体１０６は、基板２００の表面に対して面内に変位可能なように基板２００に支持されている。可動電極１０５は、基板２００と対向するように配置され、基板２００の表面に対して面外に変位可能なように基板に支持されている。リンク梁１０７は、慣性質量体１０６の面内変位を可動電極１０５の面外変位に変換するように慣性質量体１０６と可動電極１０５とを連結している。 （もっと読む）

【課題】組み立て時の応力に対して特性が安定した加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、可動電極１３と、第一、第二の固定電極１１、１２と、基板２０と、固定電極支持部位２５とを有している。第一、第二の固定電極１１、１２は可動電極１３と対向するように配置されている。基板２０は第一、第二の固定電極１１、１２を支持するためのものである。固定電極支持部位２５は基板２０に第一、第二の固定電極１１、１２を支持し、第一、第二の固定電極１１、１２に接する面積が第一、第二の固定電極１１、１２の面積より小さい。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤフラムなどの振動膜の振動しやすさを確保しながら、振動膜とバックプレートなどの対向電極との接触による短絡を、簡単な構成で防止することのできるＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】 シリコンマイク１において、シリコン基板２の一方側に、シリコン基板２に対して間隔を空けて対向するように、金属電極１０が、所定の樹脂材料からなるダイヤフラム被覆膜１１に被覆されてなるダイヤフラム８を形成する。また、ダイヤフラム８に対してシリコン基板２の反対側において、ダイヤフラム８に対して間隔を空けて対向するように、導電性材料からなるバックプレート９を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る静電容量型の物理量センサは、センサ特性の低下を招くことなく、小型化あるいはセンサの感度を向上させる物理量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第１支持基板と、フレーム部の他方の側に接合された第２支持基板と、第１支持基板と第２支持基板の少なくとも一方に設けられ、第１支持基板又は第２支持基板の一方の側と他方の側を導通する配線用端子と、第１支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第１電極と、第２支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第２電極と、を備え、フレーム部には前記フレーム部の一方の側と他方の側を導通する貫通配線部が配設され、貫通配線部と前記配線用端子とは電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】被覆膜で被覆された犠牲層をエッチングするときに、エッチングによる被覆膜の損傷の発生を抑制できる犠牲層のエッチング方法、該エッチング方法を用いたＭＥＭＳデバイスの製造方法および該製造方法により製造されるＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】シリコン基板２上に犠牲酸化膜２９を形成し、犠牲酸化膜２９を、シリコン基板２の一方面に対向する対向部１７と、シリコン基板２の一方面に形成された段差部１９と、対向部１７と段差部１９とを連設する側部１８とを有する表面膜１１で被覆する。次いで、側部１８に、犠牲酸化膜２９とのエッチング選択比が、表面膜１１の犠牲酸化膜２９とのエッチング選択比よりも大きい材料からなる保護膜１６を形成する。そして、犠牲酸化膜２９をエッチングして、表面膜１１をシリコン基板２との間に中空部分を有する状態で支持される中空支持膜とすることにより、シリコンマイク１を得る。 （もっと読む）

【課題】感度を維持しつつ小型化が可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】センサ素子２０は、凹部１１ａを有する重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、重り部１１の材料より比重の大きい材料からなり、且つ凹部１１ａに埋入される重り部材２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い周波数を有する大きな加速度が加わった際に生じるセンサ信号のゼロ点シフトを安定的に抑制することができる加速度センサを提供する。
【解決手段】検出フレーム５は、基板１に支持され、かつ第１の部分Ｐ１を有する。第１の部分Ｐ１は、主面ＭＳの面外方向の加速度がゼロの際に第１の寸法Ｄ１の空隙３１を介して主面ＭＳに対向し、かつ主面ＭＳの面外方向の加速度に対応して主面ＭＳの面外方向に変位するように構成されている。シリコンキャップ２０ａは、基板１に固定され、かつ主面ＭＳとの間に第１の部分Ｐ１を挟み、かつ主面ＭＳの面外方向の加速度がゼロの際に第２の寸法Ｄ２の空隙３２を介して第１の部分Ｐ１に対向し、かつシリコンからなる。 （もっと読む）

ＭＥＭＳデバイスは、第１主表面とその反対面である第２主表面とを有する基板１０１と、前記基板１０１に形成された貫通孔１１０と、前記第１主表面の上側に前記貫通孔１１０を覆うように形成された振動膜１０５とを備えている。前記第１主表面及び前記第２主表面は共に（１１０）結晶面であり、前記第２主表面における前記貫通孔１１０の形状は実質的に菱形である。 （もっと読む）

【課題】デバイス本体の一表面側に設けられた外部接続用電極と気密封止される機能部とを電気的に接続でき、且つ、デバイス特性に悪影響を与える寄生容量を低減できる気密構造体デバイスを提供する。
【解決手段】第１のカバー基板２が、デバイス本体１の上記一表面側に設けられた複数の外部接続用電極１８が露出するようにデバイス本体１に接合され、デバイス本体１が、当該デバイス本体１の一部と各カバー基板２，３とで囲まれる空間に配置された機能部である固定電極２４と外部接続用電極１８とを電気的に接続する配線の少なくとも一部を構成する島部１７と、島部１７を全周に亘って囲む分離溝１１ｃに埋設された絶縁材料からなり上記空間を気密封止し且つ島部１７をデバイス本体１における分離溝１１ｃの外側の支持部１１と電気的に絶縁する絶縁分離部１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】犠牲材料を利用した構造体製造プロセスにおける各種制約を緩和できる可動構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の犠牲材料と第２の犠牲材料とが、基板１上に堆積させられる。第１のパターン２ａと第２のパターン６ａとが、それぞれ、第１の犠牲材料と第２の犠牲材料とによって形成される。第１の犠牲材料から作成された第１のパターンは、第２の犠牲材料から作成された第２のパターン上に配置される。第１のパターンは、第２のパターンの周囲部分を覆わない状態で形成される。活性層３が、第１のパターンおよび第２のパターンの側壁の少なくとも全体と第２のパターンのその所定の領域とを被覆する。活性層は、第１の犠牲材料にアクセスすることを可能にするようにパターニングされる。第１の犠牲材料と第２の犠牲材料とは、選択的に除去され、固定領域によって基板１に固定された自由領域を備えた可動構造体を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば、低消費電力化に対応でき、かつ出力特性の変動を抑えた信頼性の高い物理量センサ及びその製造方法を提供できる。
【解決手段】 本発明に係るセンサは、開口を有するフレーム部と、前記フレーム部の開口内に配置された錘部と、前記フレーム部と前記錘部とを接続する少なくとも一本の梁部と、前記梁部に形成され、かつ前記梁部の一端が前記フレーム部と接続する領域と、前記梁部の他端が前記錘部と接続する領域にそれぞれ配置された、物理量変動を検出するための複数の検出部とを備え、前記検出部は、複数のピエゾ抵抗素子を金属材料からなる配線により直列に接続して構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば、通電による出力特性変動を抑えたセンサ及びその製造方法を提供することができる。
【解決手段】 本発明に係るセンサは、錘部と、前記錘部の周囲に位置するフレーム部と、前記フレーム部と前記錘部とを連結するダイアフラム状あるいは梁状の可撓部と、前記可撓部及び／又は前記フレーム部に配設され、少なくとも１軸方向の物理量を検出するための歪検出部と、前記可撓部及び前記フレーム部上に、ブリッジ回路を構成するように前記歪検出部を接続する配線部と、を備え、前記配線部を介して前記歪検出部と接続された複数の外部接続パッドと、前記配線部を介して前記歪検出部と接続されるとともに外部接続に用いないダミーパッドと、を前記フレーム部上に配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の支持部が適切な位置に配置された、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム６の２つの支持部８は、それぞれメイン部７の中心の周りに互いに角度αだけ離れた２つの位置に配置されている。そして、角度αは、
（Ａ２／Ａ１）／（Ｂ２／Ｂ１）≧１
Ａ２：ダイヤフラム６に所定の音圧を入力したときのダイヤフラム６の最大振動幅
Ａ１：１つの支持部８によりメイン部７が支持される構成のダイヤフラムにおいて、そのダイヤフラムに所定の音圧を入力したときのダイヤフラムの最大振動幅
Ｂ２：ダイヤフラム６に所定の音圧を入力したときにダイヤフラム６に生じる最大応力
Ｂ１：１つの支持部８によりメイン部７が支持される構成のダイヤフラムにおいて、そのダイヤフラムに所定の音圧を入力したときにダイヤフラムに生じる最大応力
を満たす角度に設定されている。 （もっと読む）

【課題】容量型機械電気変換素子において、電極間に設けられる犠牲層のエッチング速度を比較的高速且つ安定にできて、素子の生産性を向上する。
【解決手段】容量型機械電気変換素子の製造方法において、基板４に第１の電極８を形成し、第１の電極８上に、第１の電極へ通じる開口部６が設けられた絶縁層９を形成し、絶縁層上に犠牲層を形成する。犠牲層上に、第２の電極１を備える振動膜３を形成し、振動膜に開口をエッチング液の入口として設ける。犠牲層をエッチングしてキャビティ１０を形成し、エッチング液の入口としての開口を封止する。開口部６と犠牲層と振動膜の開口を介して、第１の電極８と外部に設けた対向電極との間で通電する電解エッチングを行なってエッチングを実行する。 （もっと読む）

【課題】センサ基板とキャップ基板との接合信頼性を高めることができるセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の接合層１４と第２の接合層２４とを接触させてセンサ基板１およびキャップ基板２に所定の荷重を印加し（図１（ａ））、続いて、センサ基板１およびキャップ２それぞれに吸着しているガス成分を除去する脱ガス処理を行う（図１（ｂ））。その後、Ａｕ−Ｓｉ系の共晶温度以上であり且つゲッタ４の活性化温度よりも高い規定温度に加熱してシリコン膜１４ａのＳｉを第１の密着膜１４ｂを通して第１のＡｕ膜１４ｃへ拡散させるとともに第２のシリコン基板２０のＳｉを第２の密着膜２４ｂを通して第２のＡｕ膜２４ｃへ拡散させて第１の接合層および第２の接合層を溶融させる（図１（ｃ））。その後、上記共晶温度よりも低い温度に冷却する（図１（ｄ））。 （もっと読む）