【課題】従来に比べて高感度化が可能な物理量センサを提供する。
【解決手段】第１のシリコン基板を用いて形成され一表面側に絶縁膜２を有するセンサ用構造体１と、センサ用構造体１の上記一表面側に配置されそれぞれカーボンナノチューブＣＮＴからなる２個のゲージ抵抗Ｒ１，Ｒ３および２個の基準抵抗Ｒ２，Ｒ４と、第２のシリコン基板を用いて形成されセンサ用構造体１の上記一表面側に固着されたカバー７とを備える。カーボンナノチューブＣＮＴは、センサ用構造体１の上記一表面上に形成された対となる電極間に架け渡されている。カバー７には、ゲージ抵抗Ｒ１，Ｒ３を構成するカーボンナノチューブＣＮＴの中間部に当接しセンサ用構造体１に圧力が働いたときに圧力に起因したカーボンナノチューブＣＮＴの変形とは別にカーボンナノチューブＣＮＴの中間部を折曲させるバイアス部７ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板１にエッチング媒体を導入するための、最小直径の入口開口を有する、マイクロマシニング型の構成素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板１と、該シリコン基板１に設けられた中空室８と、シリコン基板１の表面に設けられた、中空室８を閉鎖するダイヤフラムとを有しており、前記ダイヤフラムが、互いに向き合う、酸化シリコンのくさび状先端５ａ，５ｂによって形成された開口７′を備えた酸化シリコン層５を有しており、前記ダイヤフラムが、前記開口７′を閉鎖する少なくとも１つの閉鎖層９を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一表面上の絶縁層上における各触媒金属部の近傍に電界発生用の金属電極を設けることなしに半導体基板の一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長可能なカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の一表面上の絶縁層２上において互いに離間して形成した対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させるにあたり、対となる触媒金属部４，４の形成前に、半導体基板１の一表面側に対となる触媒金属部４，４間への電界発生用であり対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂを形成しておき、対となる触媒金属部４，４の形成後に、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間に電圧を印加することで対となる触媒金属部４，４間に電界を発生させ且つ絶縁層２の表面側に炭素を含む原料ガスを供給して対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させる。 （もっと読む）

【目的】 片持ち梁上に空間を介して上部構造体が配置される半導体力学量センサを、容易に実現可能な製造方法を提供する。
【構成】 片持ち梁１０２の下面及び側面にポリシリコン１１９を配置した状態で、更に片持ち梁１０２上にＬＰＣＶＤ法等によりポリシリコン１２８を表面に形成除去する。ポリシリコン１２８表面を仕上げし、その後、Ｓｉ₃Ｎ₄膜１２９、ｎ⁺ポリシリコン層１３０、表面保護膜としてＢＰＳＧ膜１３１を形成して上部構造体を形成する。その後、窓部１３２を明け、窓部から、ＴＭＡＨ液にてポリシリコン１１９，ポリシリコン１２８をこの窓部１３２よりエッチング除去する。このようにして、片持ち梁上に空間を介して上部構造体（たとえばストッパ）が配置されるセンサが形成される。 （もっと読む）

【課題】小さなダイヤフラムサイズであっても高感度の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４のうち互いに対向する２つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、その全長をＬ、ダイヤフラム３の内側からエッジまで長さをＬeffとしたとき、０．５＜Ｌeff／Ｌ＜１なる関係を満たすように、ダイヤフラム３の内側と外側とに跨って配置されている。 （もっと読む）

【課題】非常に小型の半導体圧力センサーにおいて、ダイヤフラムに対して十分に強い強度を確保しつつ、高感度を達成する。
【解決手段】被測定圧力を受けて変位可能なダイヤフラム１が、ｎ型シリコン単結晶領域２とその表裏に形成された絶縁膜によって形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２には、ダイヤフラム１の部分において、歪み検出素子として機能する拡散抵抗層７が形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２の、拡散抵抗層７が形成された表面上の絶縁膜であるＳｉＯ膜４とＳｉＮ膜５の合計膜厚は、裏面上の絶縁膜であるＳｉＯＮ膜３の膜厚より薄い。 （もっと読む）

【課題】小さなダイヤフラムサイズであっても高感度の半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４のうち互いに対向する２つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、ダイヤフラム３のエッジから中心へ向かう方向と平行な部分の、ダイヤフラム３の内側でのダイヤフラム３のエッジからの距離ＬX≦２０μｍとなるように、ダイヤフラム３の内側と外側とに跨って、かつ、ダイヤフラム３のエッジから中心へ向かう向きと平行に配置されている。 （もっと読む）

本明細書にて提供されるトランスデューサは不釣合いのプルーフマス（５１）を備え、それは、互いに直交する少なくとも２方向の加速を感知するように構成されている。プルーフマス（５１）は、互いに対向する第１側部（６５）及び第２側部（６７）を備えており、それらは異なる重量をそれぞれ有している。
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本明細書には多数の発明が説明及び図示される。１つの態様において、本発明は、最終的なパッケージングの前にチャンバー（２６）に封入される機械的構造（１２）と、少なくとも部分的にチャンバーの外に配置されたコンタクト領域（２４）とを有するＭＥＭＳ装置、及びＭＥＭＳ装置の組み立て又は製造の方法を目的とする。コンタクト領域（２４）は、コンタクト領域の周囲に置かれた誘電分離トレンチ（４６）により、近くの導電領域から電気的に分離される。機械的構造を封止する素材（２８）は、堆積された際に、１つ又はそれ以上の以下の属性を備える。即ち、引張応力が低く、良好なステップカバレージを有し、その後の処理において完全性を維持し、チャンバー内の機械的構造の性能特性に大きな及び／又は悪い影響を与えず（堆積期間に素材でコーティングされた場合）、及び／又は、高性能集積回路の統合を可能とする。１つの実施の形態において、機械的構造を封止する素材は、例えば、シリコン（多結晶、アモルファス、又は多孔性の不純物を添加された又はされないシリコン）、炭化シリコン、シリコン・ゲルマニウム、ゲルマニウム又はヒ化ガリウムである。

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【課題】測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサは、圧力に応じて変形する上部電極が形成された第１の基板と、下部電極が形成された第２の基板とが誘電体膜を介して対向配置され、ダイアフラムの押圧により変化する第１の基板と第２の基板とで形成される静電容量の変化に応じて圧力を検出する静電容量型圧力センサであって、下部電極が、第２の基板に形成された溝を導電性材料で埋めて形成され、かつ形成された下部電極の表面が第２の基板の表面と同じ高さを有することで第１の基板と第２の基板の接合性を高めることができるので、測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】接合強度がさらに向上し、充分な歩留まりが得られるようになる力学的物理量変換器の製造方法およびその変換器の提供。
【解決手段】陽極接合においては、シリコン酸化膜11に含まれる酸素イオンの数と接合強度とが密接な関係にあるので、上ガラス30の表面に非晶質のシリコン酸化膜11を成膜するにあたり、モノシランガスに対して適度な量の亜酸化窒素ガスを加えてシリコン酸化膜11の成膜を行えば、陽極接合時に移動する酸素イオンの数が増え、シリコン酸化膜11が形成された上ガラス30とシリコン基板２との接合強度が向上し、これにより変換器の歩留まりが改善される。 （もっと読む）