【課題】MEMSデバイスではウエハ接合等の特別な空洞形成及び封止工程が必要なため、歩留まりが低下、コストが増大する。又、LSIプロセスを用いて空洞を形成する場合、蓋となる封止膜の残留応力により大面積の空洞形成が困難だった。MEMSと高性能のLSIを混載した集積化MEMSを実現するのが困難だった。
【解決手段】空洞を覆う蓋（又はダイアフラム）にスリット又は梁を設け、空洞形成時にこれを変形させて薄膜内部応力を吸収、緩和する。その後、空洞内部と外部を通じる開口部を埋めることにより空洞を封止する。上記空間は、LSI多層配線の層間膜の一部を除去することにより形成、蓋はLSIプロセス薄膜で構成する。 （もっと読む）

【課題】 厚メッキで形成された錘の剥離等のし難い力学量センサを提供すること。
【解決手段】 角速度センサは、可動部構造体が上部ガラス基板及び下部ガラス基板によって上下方向から挟み込まれた３層構造となっている。可動部構造体は、可撓基板、フレーム及び錘を備えている。フレーム及び錘は、ｘ−ｙ平面方向に沿って形成される可撓基板に設けられた電鋳用電極を用いて電着された金属製の厚メッキからなる。錘は、ｘ−ｙ平面における切断面の面積が一様ではなく、錘を支持する可撓基板との接合面が極力小さくなるように構成されている。そのため、梁の長さを十分に確保しつつ、錘の重量をより大きく構成することができ、検出感度をより向上させることができる。また、錘の電鋳面積を拡大させることなく錘の重量を大きくすることができるため、メッキの剥離等を防止し、梁と錘との密着強度を適切に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】 高い検出感度を保持しつつ、より高い強度を有する力学量センサを構成する。
【解決手段】 角速度センサは、フレーム１１１、梁１１２、錘体１１３を有する可動部構造体１１、上部硝子基板１２、下部硝子基板１３から構成される。上部硝子基板１２には、固定電極１２１〜１２４が設けられ、固定電極１２１〜１２４と錘体１１３との間の静電容量の変化に基づいて錘体１１３の姿勢変化を検出する。可動部構造体１１は、これを構成するフレーム１１１、梁１１２、錘体１１３すべてが電鋳法を用いて金属部材により一体形成されている。電鋳材を電極に電着させて可動部構造体１１を形成する際の母型は、フォトリソグラフィ技術を用いて露光・現像処理が施されたレジスト材によって形成される。これにより、極めて精度の高い母型による電鋳処理が可能となるため、可動部構造体１１の製造精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極との間の短絡を防止することができると共に、高感度で圧力検出を行うことができる静電容量型圧力センサを提供すること。
【解決手段】ガラス基板１１のキャビティ１７内には、第１導電部材１２が埋設されている。ガラス基板１１のキャビティ１７以外の領域に、第２導電部材１３が埋設されている。ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、第１導電部材１２の露出部分と電気的に接続するように引き出し電極１４ａが形成されており、第２導電部材１３の露出部分と電気的に接続するように引き出し電極１４ｂが形成されている。ガラス基板１１の主面１１ａ側の第１導電部材１２は、中央に向って深くなる凹部１２ａを有する。ガラス基板１１の主面１１ａの接合面１１ｄ上には、圧力センサの可動電極である感圧ダイヤフラム１６ａを有するシリコン基板１６が接合されている。 （もっと読む）

【課題】基板と可動電極との間の密閉した空間内のガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができ、しかもガストラップ機能による大型化を回避した、圧力センサ及び加速度センサを一体化した静電容量型力学量センサを提供する。
【解決手段】第１のガラス基板１１の主面１１ａ上に、圧力センサ用の固定電極１４ａ及び加速度センサ用の固定電極１４ｂが形成されている。固定電極１４ａの上方に感圧ダイヤフラム１６ａが配置され、固定電極１４ｂの上方に揺動部材１６ｂが配置されるように、シリコン基板１６を第１のガラス基板１１上に接合する。さらに、シリコン基板１６上には、揺動部材１６ｂが内包されるように第２のガラス基板１８が接合される。圧力センサ側のキャビティ１７ａと、加速度センサ側のキャビティ１７ｂ，１７ｄとが連通している。 （もっと読む）

【課題】 超音波の振動によるＭＥＭＳ素子の損傷を防ぎ、容易に製造することのできるチップサイズパッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品のパッケージング１００は、ＭＥＭＳ素子として加速度センサ１０１を有するセンサ基板１と、センサ基板１を封止する封止基板２とが、第１接着層２２を介して、互いに接着されている。さらに、第１接着層２２は、センサ基板１と封止基板２との間に、エアダンピング効果が得られる程度の空隙Ｇが形成されている。また、加速度センサ１０１は、互いに対向する封止基板２とシリコン基板２０との間に挟持され、シリコン基板２０と加速度センサ１０１とは、第２接着層２１により接着されている。 （もっと読む）

【課題】安定したデバイス特性を発揮して、正確に力学量を測定することができる静電容量型力学量センサを提供すること。
【解決手段】ガラス基板１１には、シリコンで構成された島状体１２ａ，１２ｂが埋設されている。島状体１２ａ，１２ｂは、それぞれ分割された固定電極との導電部である。ガラス基板１１の主面１１ａ上には、島状体１２ａ，１２ｂと電気的に接続するように電極１３ａ，１３ｂが形成されており、ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、島状体１２ａ，１２ｂと電気的に接続するように固定電極１４ａ，１４ｂが形成されている。感圧ダイヤフラム１５ａと固定電極１４ａ及び固定電極１４ｂとの間で検知された静電容量の変化の信号は、島状体１２ａ，１２ｂを介して電極１３ａ，１３ｂから取得するので、この信号（直列合成容量）に基づいて測定圧力を算出する。 （もっと読む）

【課題】加速度センサチップの小型化が可能で、しかも、加速度センサチップとストッパとを接着する工程において加速度センサチップの金属配線がスペーサ部材によりダメージを受けるのを防止することが可能な加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサチップ１と、加速度センサチップ１の一表面に対向配置され重り部１２の過度な変位を規制する平板状のストッパ２と、ストッパ２の周部と加速度センサチップ１のフレーム部１１との間に設けられたスペーサ部材８と、スペーサ部材８を覆いストッパ２の周部と加速度センサチップ１のフレーム部１１とを接着する接着剤からなる接着部６とを備える。加速度センサチップ１のフレーム部１１には、ゲージ抵抗たるピエゾ抵抗Ｒに電気的に接続された金属配線１６のうちスペーサ部材８と重なる部分を保護する保護膜１７が上記一表面側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】構造体のリリース工程で配線への損傷を与えることがなく、耐湿性が良好で信頼
性の向上した、ＭＥＭＳ素子およびＭＥＭＳ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０に可動電極１５および固定電極１６ａ，１６ｂから構成され
る構造体１８が形成され、構造体１８の周辺部に配線２１が層間絶縁膜２０，２２を介し
て積層されたＭＥＭＳ素子１において、構造体１８に対向する層間絶縁膜２０，２２の側
壁２４，２５および層間絶縁膜２２の表面にシリコンナイトライド膜３０が形成されてい
る。 （もっと読む）

【課題】 線形性の改善の代償として有する、機械的強度が弱く、耐久性に乏しく、また、特性のばらつきが大きいという欠点を除去し、線形性の改善，耐久性及びセンサ間のばらつきの少ない圧力センサを提供する。
【解決手段】 本発明の圧力センサは、ダイヤフラム方式による静電容量型の圧力センサであり、ダイヤフラムが設けられた第１の筺体と、前記ダイヤフラムと対向する電極が形成された第２の筺体とを有し、前記電極が湾曲を有した形状である。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ状態での特性がアセンブリ行程により変化することを抑制する微小構造体を有する半導体装置および微小構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微小構造体のチップＣＰが複数形成されたウェハ１００に対して接着層１５を用いてダミーウェハ１０と貼り合わせる。そして、ＭＥＭＳデバイス１は、カッティングしたダミーウェハ１０をチップＣＰの台座としてハウジング部材１１０と接着させることにより、ハウジング部材１１０を用いてパッケージする際の下からの応力等をダミーウェハ１０で吸収する。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子とコンタクトホール内の配線との電気的接続箇所における剥離や分離等のコンタクト不良を防止する。
【解決手段】ピエゾ抵抗型３軸加速度センサは、錘部と、この錘部の周辺に配置された台座部５１と、この台座部５１上に固定された周辺固定部４２と、錘部を周辺固定部４２に可撓的に連結する梁部４４とを備えている。梁部４４と周辺固定部４２との境界線Ｐ１１を跨ぐ位置に、一方のピエゾ抵抗素子４５−１が設けられ、梁部４４と錘部との境界線を跨ぐ位置に、他方のピエゾ抵抗素子が設けられている。各ピエゾ抵抗素子４５−１の両端部には、接合部４６−１，４６−２がそれぞれ形成され、この接合部４６−１，４６−２と、この上層に複数個直列に配列されたコンタクトホール４７ａ内の配線４８とが、電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】塵や微小な異物等の侵入による不具合の発生を防止する。
【解決手段】枠体２８は縦横の外形寸法が支持基板１，２とほぼ同一である矩形枠状に形成される。枠体２８の裏面には支持基板２を接合するためのアルミからなる接合部２９が形成されている。したがって、接合部２９において枠体２８の裏面に支持基板１を接合するとともに支持基板２を枠体２８の表面に陽極接合すれば、２枚の支持基板１，２と枠体２８によって重り部２１、ばね部２２、支持部２３₁，２３₂、固定電極部２４、ストッパ２５、可動電極２１ａなどが全て密封されるため、微小な塵や異物等が内部に侵入することがなく、かかる異物等によって重り部２１の変位が阻害されるなどの不具合を防ぐことができて信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ＸＹＺの３軸の出力差を小さくして省電力化を図る。
【解決手段】ピエゾ抵抗型３軸加速度センサは、外枠部１１と、この外枠部１１内に配置された質量部１３と、この重量部１３を可撓的に支持する梁部材１４−１ａ，１４−１ｂ，１４−２ａ，１４−２ｂと、この梁部材１４−１ａ，１４−１ｂ，１４−２ａ，１４−２ｂ上に形成されたＸ、Ｙ、Ｚ軸用ピエゾ抵抗体１５−１ａ，１５−１ｂ〜１５−６ａ，１５−６ｂとを備えている。Ｚ軸用ピエゾ抵抗体１５−５ａ，１５−５ｂ，１５−６ａ，１５−６ｂの長さＬ２は、Ｘ軸用ピエゾ抵抗体１５−１ａ，１５−１ｂ，１５−２ａ，１５−２ｂ及びＹ軸用ピエゾ抵抗体１５−３ａ，１５−３ｂ，１５−４ａ，１５−４ｂの長さＬ１よりも長くして、感度を低下させている。 （もっと読む）

【課題】 従来の容量型サーボ方式のセンサ素子を用いた容量型加速度検出装置においては、容量検出器にサーボ制御のための電圧が印加されるため、計測範囲を拡大しながらＳＮ比も十分確保することが難しかった。
【解決手段】 加速度を検出する一組の容量電極の一方を加速度によって変位するようにし、他方の電極をアクチュエータによって可動とした。これを２組用意し、差動形式の容量型加速度センサとしたものである。この場合、差動形式とする２つの検出電極を互いに接合し、アクチュエータによって検出容量の調整を行う。これによって、加速度の計測レンジが拡大され、また良好なＳＮ比が確保される。 （もっと読む）

【課題】 小型で薄型であり、構造も単純で信頼性の高い静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】 ダイヤフラム２を有する導電性シリコン基板３と固定電極８を有する絶縁性基板４とが重ね合わされて接合されるとともに、ダイヤフラム２と固定電極８との間に密閉室７が形成されてなり、絶縁性基板４の一部に導電性シリコン部材５が埋設され、導電性シリコン部材５の一部５ａが絶縁性基板４の密閉室７側に露出されて固定電極８を構成するとともに、導電性シリコン部材５の別の一部５ｂが絶縁性基板４の密閉室７と反対側に露出されて固定電極８の取出電極９を構成することを特徴とする静電容量型圧力センサ１を採用する。 （もっと読む）

【課題】 第１シリコン基板上に支持された第２シリコン基板にトレンチを形成することにより、可動電極、固定電極、および梁部を形成してなる容量式半導体加速度センサにおいて、感度が、梁部の厚さや可動電極の厚さの加工ばらつきの影響を受けにくくする。
【解決手段】 第１シリコン基板１１上に支持された半導体層としての第２シリコン基板１２を有する半導体基板１０を備え、第２シリコン基板１２にトレンチ１４を形成することにより変位方向Ｘに変位可能な錘部２１および可動電極２４、可動電極２４と対向配置された固定電極３１、４１、および錘部２１を変位させるための梁部２２が形成されており、加速度印加時に可動電極２４と固定電極３１、４１との間の容量変化に基づいて印加加速度を検出するようにした半導体加速度センサ１００において、梁部２２の厚さが可動電極２４の厚さよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】センサチップの厚み方向の加速度を検出するブリッジ回路のオフセット電圧の温度変動を抑制することができる加速度センサを提供する。
【解決手段】ブリッジ回路Ｂｚは、フレーム部１１近傍において配置されたゲージ抵抗であるピエゾ抵抗Ｒｚ２１〜Ｒｚ２４に関して、センサチップ１の厚み方向の加速度に起因した抵抗値の増減方向の同じゲージ抵抗が対辺上に存在するとともに、重り部１２のコア部１２ａ近傍において配置されたゲージ抵抗であるピエゾ抵抗Ｒｚ１１〜Ｒｚ１４に関して、上記厚み方向の加速度に起因した抵抗値の増減方向の同じゲージ抵抗が対辺上に存在し、且つ、各辺それぞれに、センサチップ１への熱応力に起因した抵抗値の増減方向の異なるゲージ抵抗が存在するように接続されている。 （もっと読む）

【課題】 簡単な工程で封止性を維持しつつ効率よく製造が可能であり、かつ温度の変動による検出精度の変化を抑えることが可能な高性能な静電容量型圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 圧力センサ１０は、ガラス基板１１と、このガラス基板１１の第１面１１ａに形成される第１シリコン層１２と、ガラス基板１１の第２面１１ｂに形成される第２シリコン層１３とから概略構成されている。ガラス基板１１の一部には、第１面１１ａから第２面１１ｂに向けて貫通するコンタクトホール１４が形成されている。ガラス基板１１の第１面１１ａには、ガラス基板１１のほぼ中心付近に広がる固定電極１５が形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体加速度センサの製造条件、大きさ、耐衝撃性を変更することなく、検知感度の優れた半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】 半導体基板よりなり、枠状をなすフレーム部１２と、フレーム部１２から内側に突設された弾性を有するビーム部１３と、ビーム部１３に支持されて揺動自在に変位する錘部１４と、ビーム部１３の表層に設けられて作用した加速度の大きさに応じた信号を出力するピエゾ抵抗素子１６と、を有するセンサ素子１と、センサ素子１の上方に設けられて錘部１４の変位を規制するストッパ１７と、を少なくとも備えた加速度センサ。錘部１４に、そのストッパ１７と相対する領域に、フレーム部１２の厚み方向に過大な加速度が作用した際にストッパ１７と当接して錘部１４の過剰変位を規制する金属からなる凸部１５を設けた。 （もっと読む）