【課題】圧力導入口がフラックスで塞がるのを防ぐことができる、圧力センサ装置及び該装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体圧力センサ素子１１と、半導体圧力センサ素子１１に流体を導く圧力導入口１８の開口部１８Ｂ及びはんだ付け可能な端子１９が設けられた取り付け面１２Ｂを有する実装基板１２とを備える圧力センサ装置であって、開口部１８Ｂと端子１９との間に段部４１が設けられていることを特徴とする、圧力センサ装置。該圧力センサ装置と、開口部１８Ｂに連通する圧力導入口２２が設けられた被取り付け面２１Ａを有し、該圧力センサ装置が端子１９で被取り付け面２１Ａにはんだ付けされた回路基板２１とを備え、開口部１８Ａ及び段部４１が、圧力導入口２２の投影範囲内に位置する、電子機器。 （もっと読む）

【課題】本発明は、する封止型デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の封止型デバイスは、固定部と前記固定部の内側に位置する可動部を有する第１基板と、前記第１基板の前記固定部及び前記可動部の上方を覆う第２基板と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第１封止部材と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１封止部材の外周部において前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第２封止部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳトランスデューサの製造工程において、アニール処理によって生じる絶縁層の内部応力による基板の反りや破損を、新たに工程を増やすことなく防止する。
【解決手段】第一絶縁層と第一導電層と第二絶縁層と第二導電層とが形成された後に、第一導電層に到達するコンタクトホールを形成するとともに溝部Ｈ３を形成するために、第一絶縁層と第二絶縁層とをエッチングした後、第一導電層または第二導電層の応力を緩和するためのアニール処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 電極を保護しながら、可動部の形状精度を向上することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本願の半導体装置の製造方法は、まず、第３層１６の一部を除去して可動部１６ｂを形成し、次いで、可動部１６ｂを形成するために除去された部位の下方に位置する第２層と、形成された可動部１６ｂの下方に位置する第２層１４を除去する。次いで、可動部１６ｂを形成する際に除去された部位に充填材２４を埋め込む。次いで、充填材２４を埋め込んだ状態で、半導体装置の表面に電極１８を形成する。電極１８を形成した後、埋め込んだ充填材２４を除去する。 （もっと読む）

【課題】突起を形成するための追加の工程を必要としない容量型ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】可動部を構成するダイアフラム膜１３上に、犠牲層１４と固定電極１５を積層形成する。固定電極には貫通孔１７を形成し、この貫通孔から等方性のエッチングを行う。その結果、貫通孔から最も遠い位置のダイアフラム膜上に、犠牲層の一部を残すことができる。この犠牲層の一部を突起２１として利用し、可動部と固定電極とが貼り付くことを防止する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ圧力センサ装置を提供する。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）圧力センサ装置２０、６２が、基板構造２２、６４に形成されたキャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４、基板構造２４に形成された基準素子３６を有する基板構造２４を含む。検知素子４４は、基板構造２２、２４の間に配置され、基準素子３６から離間されている。検知素子４４は、基準素子３６及び基準素子３６に形成された複数の開口３８のうちの一つを介して外部環境４８に露出される。検知素子４４は、環境４８からの圧力刺激５４に応答して、基準素子３６に対して可動である。製造方法７６が、キャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４を形成すること７８、検知素子４４を含む基板構造２４を製造すること８４、基板構造を結合すること９２、次いで、基板構造２４に基準素子３６を形成すること９６を含む。 （もっと読む）

【課題】力学量を正確に検出しつつ、センサ面積が大型化しない構造の力学量センサを提供する。
【解決手段】第１力学量検出手段（例えば容量式加速度センサ２０）を有する第１基板２１（シリコン製センサ基板）と、第２力学量検出手段（例えばピエゾ式圧力センサ３０）を有するとともに、第１基板に当接する第２基板（シリコン製センサ基板）とを備え、第１基板に、第２基板が対向して当接することにより封止空間３７が形成され、この封止空間内に第１力学量検出手段を封止することで、第１力学量検出手段を保護する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、ダイヤフラム上でのシリコン酸化膜による段差部分への応力集中を低減することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の開口部に形成されるダイヤフラムと、ダイヤフラム上に配置され、該ダイヤフラムの撓みに応じた検出信号を出力する歪ゲージと、を備える半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラム上におけるシリコン酸化膜による段差部を、該段差部側面の面外方向が、該ダイヤフラムの段差部位において生じる最大応力の方向との間で垂直関係にありかつダイヤフラム面との間で平行関係にあるように形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】２方向の加速度を精度よく感知することができ、小型化及び製造コストの低減化を可能とする２軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、平板状の錘部、この錘部の側面を囲う枠部、上記錘部の側面と枠部の内面とを連結する１又は複数の梁部、及び上記梁部に付設される歪み感知手段を備える平板状の２軸加速度センサであって、上記梁部の厚さが幅より大きく、上記１又は複数の梁部が、厚さ方向と垂直な直交２方向の正負それぞれの加速度に対する撓みパターンの組合せが異なる少なくとも２つの変形領域を有し、上記歪み感知手段として、上記各変形領域の両端側かつその幅方向両側近傍に二対のピエゾ抵抗素子が配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】衝撃が加わってＸ方向に過度の加速度が作用した場合でも、梁部が破損するのを防ぐ加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、蓋体５と、センサ本体３と、基台４とを備える。センサ本体３は、支持部３０と、梁部３１と、錘部３４とを備える。基台４は、錘部３４と対向する部分に凹部４１を有する。梁部３１は、錘部３４の側面の一部が凹部４１の壁４１Ａ、４１Ｂと所定の間隔ｄで対向するまで錘部３４が凹部４１側へ変位するよう反った形状に形成されている。衝撃が加速度センサ１００に加わってＸ方向に過度の加速度が作用した際、この実施形態の加速度センサ１００では、錘部３４の側面の一部が凹部４１の壁４１Ａ（又は４１Ｂ）に当接する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子が実装基板から応力を受け、その結果、ＭＥＭＳデバイスの感度低下又は感度バラツキを引き起こす。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスでは、ＭＥＭＳ素子１００が実装基板２０１に実装されている。ＭＥＭＳ素子１００では、シリコン基板１０１の下面１０１Ｂには突起物１０６が形成されている。突起物１０６と実装基板２０１とは接着剤２０２を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の慣性力を検出できる容量式慣性力センサを、可動電極の下面（又は上面）に沿う方向の体格増大を抑制しつつ、検出精度劣化を抑制して提供する。
【解決手段】可動電極に対向配置された固定電極として、可動電極の変位にともない可動電極との対向距離が変化するように、可動電極における変位方向に垂直な側面に対向配置された第１固定電極と、可動電極の変位にともない可動電極との対向面積が変化するように、第１固定電極と対向する可動電極の上面及び下面の少なくとも一方に対向配置された第２固定電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ＭＥＭＳ素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けて装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現する。
【解決手段】画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部（Ｒ５）を有するデバイス基板１０上に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子（１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，ＤＦ）を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】キャビティ形成用の犠牲層の除去を比較的高速に且つ残渣を低減させて行うことができる容量型電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４と所定の間隔を保って可動に保持される振動膜３により形成されるキャビティ９と、キャビティに面する表面が露出する電極８と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われる電極１を有する容量型電気機械変換装置の製造方法である。基板上に犠牲層６を形成し、犠牲層の上に振動膜３を含む層を形成し、外部から犠牲層に通じるエッチング孔１０を形成する。その後、キャビティに面する表面が露出する電極８を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極１２との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ９を形成する。エッチング孔１０から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣１７を低減する。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板上に配置され、可動部を有するＭＥＭＳ素子と、ＭＥＭＳ素子の可動部の周辺に非連続に配置された第１支持部と、第１支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第２基板と、第１支持部よりも外側に配置された第１端子と、第１端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第１配線と、を具備し、第１配線は、第１支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 （もっと読む）

【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ２５を有する基台２０と、基台２０の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜３０と、を備える。センサ薄膜３０は、キャビティ２５に通ずるスリット３６を有している。キャビティ２５の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ２５の表面Ａは、原子層堆積法により形成された膜Ｘで被覆されている。 （もっと読む）

【課題】 容量素子を含む素子構造体の製造を容易化すること。
【解決手段】 素子構造体は、第１支持層１００と、該第１支持層の上方に一端部が支持され他端部の周囲に空隙部が形成された第１可動梁８００ａと、を有する第１基板ＢＳ１と、第２支持層２００と、該第２支持層に形成された第１固定電極９００ａと、を有し、且つ、前記第１基板に対向して配置された第２基板ＢＳ２と、を含み、前記第１可動梁８０ａには、第１可動電極が形成され、前記第１固定電極と前記第１可動電極とが間隙を介して対向して配置されて構成される。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極の間隙部が形成される部位の加工精度を高めることのできるＭＥＭＳ構造体を得る。
【解決手段】半導体基板３の一方の面を少なくとも一部が当接しない状態で支持基板３に接合するとともに、当該半導体基板３の支持基板２と当接しない部位にエッチングにより複数の異なる幅の間隙部δ１〜δ５を形成することで、物理量の入力により相対変位する可動部５と固定部６とを形成する。前記可動部５および固定部６は、第１の間隙部δ１、δ２をもって対向配置される可動電極（櫛歯状可動電極）５１および固定電極（櫛歯状固定電極）６１を備えており、半導体基板３の一方の面（図２中下面）に、第１の間隙部δ１、δ２が形成される通常面３０よりも支持基板２側に突出する段差面１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、ＧＭＲ膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がＧＭＲ膜に加えられている。 （もっと読む）