【課題】安価に製造することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサの一例であるシリコンマイク１は、開口５が貫通して形成されたシリコン基板２と、開口５に対向して設けられ、その対向方向に振動可能な振動膜６と、振動膜６に形成された圧電素子９とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程で製造できる１軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持部（Ｓ）と、平行する二つの面に内周面が開口している凹部（５０）が形成され前記凹部内に重心を有する錘部（Ｍ）と、一端が前記支持部と結合し他端が前記凹部の底面に結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の長手方向の両端近傍でかつ前記可撓部の短手方向の両端近傍に少なくとも２つずつ互いに前記可撓部の厚さ方向に離間して設けられる歪み検出素子（Ｐ１〜Ｐ４）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】振動子エレメントの両端に溝部を設けた静電容量型超音波振動子において、全体に占めるセル領域の面積比率を低下させず、かつ発生させる超音波の出力低下のない静電容量型超音波振動子を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、該シリコン基板の上面に配設された第１の電極と、該第１の電極と対向し所定の空隙を隔てて配設された第２の電極と、該第２の電極を支持するメンブレンとからなる振動子セルから構成され、駆動制御信号を入出力する最小単位である振動子エレメントと、前記シリコン基板の背面に電極パッドを介して接合したフレキシブルプリント基板とから構成される静電容量型超音波振動子において、隣接する前記振動子エレメント間に溝部が設けられ、該溝部に導電膜が形成されていることにより、上記課題の解決を図る。 （もっと読む）

【課題】振動子と半導体基板間の短絡が防止され、且つ製造工程の増大を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成され、凹部１００の底面１０１に半導体層が露出した半導体基板１０と、凹部１００内に配置され、且つ側面及び下面に絶縁膜が配置された梁型の可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において半導体基板１０に固定された振動子２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、可動電極２１と電気的に分離されて半導体基板１０に固定された梁型の固定電極３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い感度で外力を検出することができるＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】基板５０と、基板５０上に配置された第１の支持部５１及び第２の支持部５２と、第１可動電極１１を有し、第１可動電極１１から離間した位置において第１の支持部５１に固定され、外力により変位する第１の可動部１０と、第１可動電極１１と対向して配置された第２可動電極２１を有し、第２可動電極２１から離間した位置において第２の支持部５２に固定され、外力により変位する第２の可動部２０とを備え、第１可動電極１１と第２可動電極２１との対向位置Ａと第１の可動部１０の重心位置Ｃ１との間において第１の可動部１０が第１の支持部５１に固定され、第２の可動部２０の重心位置Ｃ２を挟んで対向位置Ａと対向する位置において第２の可動部２０が第２の支持部５２に固定されている。 （もっと読む）

【課題】線形性および応答範囲を改善するために、２つのステータ歯のセットを備える二方向性平面外静電櫛駆動装置を提供する。
【解決手段】電気的に独立した、ステータ櫛歯の第１のセット（１３２）は、ステータ櫛歯の第２セット（１３６）からずれている。ローター櫛歯（１２４）のセットが、ステータ櫛歯の両方のセットに挟み込まれる。ステータ櫛歯の第１セットに付与される第１電圧は、ローター櫛歯をステータ櫛歯の第１セットに方に向けて引くように作用する。ステータ櫛歯の第２セットに付与される第２電圧は、ローター櫛歯をステータ櫛歯の第２セットの方に向けて引くように作用する。これにより、二方向動作が可能になる。機械的および電気的に独立であり、ローター櫛歯にはさみこまれるステータ歯の第１セットおよび第２セットの製造を可能にする製造方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に達する溝により、半導体層に可動部が区画されるとともに、溝を通じて可動部直下の絶縁層が除去されてなる半導体力学量センサにおいて、可動部直下に設ける突起部の突起先端と可動部との厚み方向の間隔ばらつきを抑制すること。
【解決手段】単結晶シリコンからなり、表面が（１００）面の半導体基板の表面上に、絶縁層を介して、半導体基板よりも不純物濃度の高いＰ導電型のシリコンからなる半導体層が配置された基板を準備する。半導体層を異方性エッチングし、絶縁層に達する溝を形成して可動部を区画する。溝を通じて絶縁層をエッチングし、溝を半導体基板に達するものとするとともに、横方向において可動部直下における絶縁層の幅を可動部の幅よりも狭くする。上記溝を通じて半導体基板をアルカリエッチングし、突起先端が絶縁層と接する突起部を、可動部直下における半導体基板の表面に形成する。可動部直下に位置する絶縁層を除去する。 （もっと読む）

【課題】初期の製造工程において、電気的な接触なくとも機械的励起の試験を行う。
【解決手段】微細構造の共鳴エレメント（１４）を励起する方法に関し、このエレメントは１つの自由度に従って可動する。その方法は、当該微細構造に荷電粒子ビーム（５１）を作用する工程を備えており、そのビームは、エレメントの自由度に依存して交互運動に当該エレメントを動かすように構成されている。
１つの変形では、粒子ビームは前記自由度と平行な成分を持つ入射角で前記エレメントに作用される。 （もっと読む）

【課題】基板と垂直なＺ方向に変位する可動錘部の質量を増大させることができ、ＣＭＯＳプロセスを用いて自在かつ容易に製造可能なＭＥＭＳセンサーを提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部が、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層と、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。可動電極部１４０Ａは積層構造体にて形成され、これと対向する固定電極部１５０Ａとの間の対向面積が可動錘部のＺ方向変位に応じて変化する。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結され、周囲に第１，第２空隙部１１１，１１２が形成されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部１２０Ａが、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された層間絶縁層と、層間絶縁層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有する。プラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。複数の導電層の一つが可動電極面を有する可動電極部１４０Ａとなり、これと対向する固定電極部１５０Ａが設けられる。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１０とキャップ部２０との積層体に、センサ部１０とキャップ部２０との界面４０を貫く凹部４１を設け、この凹部４１内に封止部材として絶縁膜４２および封止用外周金属層４３を設ける。これによると、凹部４１に配置された封止部材４２、４３が盾となるので、凹部４１よりも内側の界面４０に外力が直接伝わらない。したがって、センサ部１０とキャップ部２０との密着力の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳチップとシリコン製キャップチップを接合したＭＥＭＳ組立体を樹脂
モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接
触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。
【解決手段】 シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェッ
トエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき
、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や
線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積と可動錘部の質量の設計に関して、さらに好ましくはバネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーは、基板に形成された固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部より空洞部に向けて突出形成された固定電極部１５０と、可動錘部と一体的に移動し、固定電極部と対向する可動電極部１４０と、を有し、可動錘部１２０は、多層の積層構造体により形成される第１可動錘部１２０Ａと、第１可動錘部の下方に位置し、前記基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、また、物理量を高精度で検出可能であり、また、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供する。
【解決手段】弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部１１１，１１２が形成された可動錘部１２０を有するＭＥＭＳセンサー１００Ａにおいて、可動錘部１２０は、複数の導電層１２１Ａ〜１２１Ｄと、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層１２２Ａ〜１２２Ｃと、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された所定の埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグ１２３Ａ〜１２３Ｃと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、一または複数の長手方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。 （もっと読む）

【課題】力学量の検出を行う感知部を有するセンサチップを、基板に搭載したものを、封止部材により封止してなるセンサ装置において、封止部材によってセンサチップに発生する応力を極力低減する。
【解決手段】感知部１１を表面に有するセンサチップ１０を、基板２０の一面側に搭載した後、センサチップ１０および基板２０を封止部材３０により被覆して封止するセンサ装置の製造方法であって、基板２０の一面側にセンサチップ１０を搭載するとともに、センサチップ１０の表面に揮発性を有する樹脂５０を配置して、当該表面を樹脂５０で被覆した後、これらセンサチップ１０および基板２０を封止部材３０によって封止し、その後、封止部材３０を硬化するとともに、樹脂５０を加熱して揮発させてセンサチップ１０の表面のうち封止部材３０で被覆されている部位と封止部材３０との間に空隙４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】磁束を導いてＭＥＭＳデバイスを通過させるための磁極片の使用を提供すること。
【解決手段】磁性材料で充填された１つまたは複数の凹部（１２２、１３０）をそれぞれが有する、２つの対向する基板層（１２８、１２４）が、閉ループ動作をもたらすために、磁束の流れを導いてＭＥＭＳデバイス層（６０）内のコイル（４４）を通過させる。磁束は、１つの磁極片からコイルを通過して第２の磁極片へ流れる。また、リソグラフィ・エッチング技術を用いた製造方法が提供される。 （もっと読む）

トランスデューサ２０は、垂直な集積構造を形成するために相互に接続されたセンサ２８、３０を備えている。センサ２８は、基板３６の表面３４に可動に接続され、離間配置された試験質量３２を備える。センサ３０は、基板５６の表面６０に可動に接続され、離間配置された試験質量５８を備える。基板３６、５６は、基板５６の表面６０が基板３６の表面３４に向き合った状態で接続される。したがって、試験質量５８が試験質量３２に対面する。センサ２８、３０は別に組み立てられ、異なるマイクロ機械技術を利用して形成されてよい。センサ２８、３０は続いて、トランスデューサ２０を形成するためのウェハー接合技術を利用して接続される。トランスデューサ２０の実施形態は、１つ、２つ、または３つの直交軸に沿っての感知を含んでよく、異なる加速度感知範囲における移動を検知するように適合されてよい。
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【課題】耐湿性等の信頼性を向上させたコンデンサを提供する。
【解決手段】コンデンサは、半導体基板１００の貫通孔１２３を覆うように形成された第１の膜１０２と、第１の膜１０２の上方に第１の膜１０２と対向するように形成された第２の膜１１５とを備えている。第２の膜１１５は、半導体基板１００の貫通孔１２３上に位置する複数の第１の孔１２４と、複数の第１の孔１２４よりも開口面積が大きい少なくとも１つの第２の孔１２６とを有している。第２の孔１２６は、第１の膜１０２のうち貫通孔１２３に露出した部分よりも外側の部分と対向する領域のみに存在している。 （もっと読む）

例示的な音響変換器を提供する。モノリシック半導体層は、プレート、２以上の可撓性伸長部、及び支持構造の少なくとも一部を規定する。プレートに伝達される音圧により、可撓性伸長部に引っ張り歪みが発生する。可撓性伸長部は、引っ張り歪みに応じて変化する電気特性を示す。音圧に対応する電気信号は、変化する電気特性から導出することができ、さらなる目的のために処理される。 （もっと読む）

【課題】プレーナー技術を用いて作られる小型化されたセンサーを提案する。
【解決手段】（ａ）少なくとも１つの可動性の塊を形成する第１の厚さを示す、厚い領域と呼ばれる半導体材料の第１の領域、（ｂ）基板に対して可動性の塊における少なくとも１つのピボットリンクを形成する、半導体材料の第２の領域であって、基板の平面に平行に走るピボットリンクの軸を有する第２の領域、（ｃ）ピボットリンクの軸の周りにおける可動性の塊の運動の検出用の吊るされたタイプの歪みゲージを形成する第２の領域の厚さより薄い厚さを有する、薄い領域と呼ばれる第３の領域であって、ピボットリンクの軸を含まない、基板の面に平行な平面において延長し、ピボットのねじり軸に垂直な平面において延長し、一側部において可動性の塊に結合され、他側部において基板に結合される第３の領域、を有するという事実によって特徴づけられる表面タイプのＭＥＭＳセンサーを含む。 （もっと読む）