【課題】 歪み抵抗素子と同等の熱影響を受ける位置であって応力の影響を受けない位置に温度補償用抵抗素子を設け、高精度な応力検出を行える多軸力センサ用チップと多軸力センサを提供する。
【解決手段】 多軸力センサ用チップは、外力作用領域部４Ａと非変形領域部４ｂを有する作用部４と、作用部を支持する支持部３と、作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄとを備える半導体基板２と、連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓyb1〜Ｓyb3と、作用部の非変形領域部上に設けられる温度補償用抵抗素子１１とを備えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】より小型化された加速度センサチップパッケージ及びその製造方法。
【解決手段】加速度センサチップパッケージ10は、開口部16が画成されているフレーム部13、開口部内に延在している梁部14a及び梁部により可動に支持されている可動部14bを含む可動構造体15、検出素子19及び複数の電極パッド18を有する加速度センサチップ11と、一端側が電極パッドに電気的に接続されている複数の配線部17aを有する再配線層17と、電極パッドに接続されている導電バンプ24と、第１の面20aから露出する複数のセンサ制御電極パッド22を有していて、センサ制御電極パッドが導電バンプと接続されているセンサ制御チップ20と、配線部の他端側に接続されている外部端子70と、外部端子を露出させて、加速度センサチップ上に設けられていて、センサ制御チップ、電極パッド及び再配線層を封止する封止部50と、開口部を下面側から封止する基板12とを具えている。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムと保持体との接合に関して、陽極接合以外の手段を見出し、更なる小型化を促進できるセンサを提供すること。
【解決手段】感応部３４、および少なくとも一部に設けられる導電部３２を有するダイアフラム３０と、このダイアフラム３０を保持する絶縁性の保持体２０とを備え、保持体２０の保持側端部２３に配線部２２１〜２２３を有するセンサ１は、保持体２０には、ダイアフラム３０と互いに接合される側の接合面２３に配線部２２１〜２２３と導通するとともに感応部３４を区画する導電性の接合用パターン２３１が形成され、接合用パターン２３１を挟んでダイアフラム３０と保持体２０とを接合した際に、感応部３４の変化を許容するギャップ部２６が形成されているとともに、当該接合用パターン２３１によりダイアフラム３０と配線部２２１〜２２３とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 加速度角速度複合センサにおいて、簡単なセンサ構成で加速度や角速度の検出を可能にすると共に、駆動振動に起因するノイズの低減を可能にする。
【解決手段】 基板１と、基板１に変位可能に支持されている一対の振動子２と、基板１に固定され振動子２との間に電圧を印加する駆動固定電極３と、基板１に固定され検出軸方向における振動子２との間の静電容量の変化を検出する検出固定電極４と、を備え、振動子２が、駆動軸方向に変位可能に、かつ、検出軸方向の変位が抑制されて支持されたジンバル部５と、ジンバル部５に対して、検出軸方向に変位可能に、かつ、駆動軸方向の変位が抑制されてジンバル部５内に支持されたマス部６と、検出軸方向に変位可能に、かつ、駆動軸方向の変位が抑制されて検出固定電極４との間で静電容量の変化を検出する検出可動電極７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 可動電極と固定電極との間の容量変化に基づいて加速度検出を行うセンサチップと回路チップとを積層してなる容量式加速度センサ装置において、両チップの積層方向にて可動電極が変位して固定電極に乗り上げるのを防止する。
【解決手段】 可動電極２４とこれに対向する固定電極３１を有するセンサチップ１００は、両電極２４、３１と回路チップ２００とを対向させた状態で回路チップ２００に積層され、両チップ１００、２００は互いの対向面にてバンプ電極３００を介して電気的に接続されており、両チップ１００、２００の積層方向における可動電極２４の厚さをａ、可動電極２４と回路チップ２００とのギャップの距離をｂ、可動電極２４と第１シリコン基板１１の一面１３とのギャップの距離をｃとしたとき、距離ｂおよび距離ｃは厚さａよりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、より高精度の温度補償が可能で、取り付け後の較正が容易な静電型圧力センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 所定圧力に設定された圧力基準室と圧力測定室とを隔てる第１のダイヤフラムに対向して測定電極が設けられ、第１のダイヤフラム及び測定電極間の第１の静電容量から圧力測定室の圧力を求める静電容量型圧力センサにおいて、環境温度変化に対する温度補償を行うための参照電極及びこれに対向する第２のダイヤフラムを設け、該第２のダイヤフラムを挟む参照電極側の第１の空間及び反対側の第２の空間の圧力を実質的に同一とし、前記第１の静電容量を前記参照電極と前記第２のダイヤフラム間の第２の静電容量により補正して前記圧力測定室の圧力を求める構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より小型化された加速度センサチップパッケージ及びその製造方法。
【解決手段】加速度センサチップパッケージ１０は、フレーム部１３、開口部１６内に延在している梁部１４ａと、梁部により可動に支持されている可動部１４ｂを含む可動構造体１５、この可動構造体１５の変位を検出する検出素子１９を有する加速度センサチップ１１と、閉環状のリング部２０と、リング部の上面２０ａに接合され、可動構造体を開口部の上面側から封止する薄板状部材３０と、フレーム部の外側領域１３ａから露出する複数の電極パッド１８と、複数の配線部１７ａを有する再配線層１７と、外側領域上に設けられている外部端子７０と、外部端子を露出させて設けられていて、リング部、薄板状部材、電極パッド及び再配線層を封止する封止部５０と、加速度センサチップの下面に接して、開口部を下面側から封止する基板１２とを具えている。 （もっと読む）

【課題】フレーム部の一表面に直交する方向への重り部の変位量を制限するストッパ片の破損が起こりにくく耐衝撃性に優れた半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】センサチップ１は、矩形枠状のフレーム部１１の開口窓内に配置される重り部１２がフレーム部１１の一表面側において撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されている。重り部１２は、コア部１２ａと、コア部１２ａと一体に形成されコア部１２ａとフレーム部１１との間の空間に配置される付随部１２ｂとを有する。フレーム部１１は、上記一表面に直交する方向において付随部１２ｂと離間し上記一表面側への付随部１２ｂの変位量を制限する薄肉のストッパ片１５が各コーナー部１１ａそれぞれから一体に突設され、ストッパ片１５における付随部１２ｂとの対向面側においてストッパ片１５を補強する補強部１６が一体に突設されてなる。 （もっと読む）

【課題】 静水圧による圧縮歪を改善して、耐圧性が向上された振動式圧力センサを実現する。
【解決手段】 測定圧が加えられるダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、
前記振動梁の両端側にそれぞれ一端がほぼ直交して設けられ他端がダイアフラム面にほぼ直交して設けられた柱状の第１，第２の支持部を具備したことを特徴とする振動式圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】 ピエゾ抵抗型半導体装置において、ダイヤフラムの形成領域を増加させることなしに、検出感度の向上及び出力の直線性の向上を図る。
【解決手段】
ダイヤフラム３と、ダイヤフラム３の外周に接続してダイヤフラム３を支持しダイヤフラム３よりも相対的に厚く形成された支持枠１と、ダイヤフラム３に垂直な方向の加速度や圧力を印加したことによるダイヤフラム３の変形により歪むことで発生する応力を検出するピエゾ抵抗型応力検出部４ａ，４ｂとを備えたピエゾ抵抗型半導体装置１０において、ピエゾ抵抗型応力検出部４ａに接する位置においてダイヤフラム３の少なくとも一部が除去されて溝９が形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサは、圧力に応じて変形する上部電極が形成された第１の基板と、下部電極が形成された第２の基板とが誘電体膜を介して対向配置され、ダイアフラムの押圧により変化する第１の基板と第２の基板とで形成される静電容量の変化に応じて圧力を検出する静電容量型圧力センサであって、下部電極が、第２の基板に形成された溝を導電性材料で埋めて形成され、かつ形成された下部電極の表面が第２の基板の表面と同じ高さを有することで第１の基板と第２の基板の接合性を高めることができるので、測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサを提供することができる。 （もっと読む）