【課題】検出感度を向上させることが可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】加速度センサー１は、第１凹部１１が設けられたベース基板１０と、第１凹部１１の上方に配置され、支持部２３ａ，２３ｂにより第１凹部１１の深さ方向に揺動可能に支持されたセンサー部２１と、を備え、センサー部２１は、支持部２３ａ，２３ｂを境に第１部分２１Ａと第２部分２１Ｂとに区分され、第１部分２１Ａ及び第２部分２１Ｂに可動電極部を有し、且つ、第１部分２１Ａよりも質量が大きい第２部分２１Ｂには、少なくとも先端側に貫通孔２４が形成され、ベース基板１０は、第１凹部１１における可動電極部に対向する位置に固定電極部１２，１３を有し、且つ、固定電極部１２，１３よりもセンサー部２１の先端寄りであって、センサー部２１の先端側に対向する部分に、第１凹部１１よりも深い第２凹部１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を積層して積層体を形成する場合において、ウェーハ上にマーカーを設けることなく基板同士を位置合せして重ね合わせることが可能な積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、感圧素子層１０、ベース層の接合面に傾斜部２０８、３０６を形成する外形形成工程と、傾斜部２０８、３０６を用いて位置合せを行いながら、感圧素子層１０、ダイアフラム層２０、ベース層を重ね合わせて接合面を接合剤４０で接合する接合工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】サポート部材を用いてマイクロフォンを形成するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】マイクロフォンを形成するための方法は、バックプレート、およびウェットエッチングの犠牲層の少なくとも一部分の上の可撓性の振動板を形成する。この方法は、ウェットエッチングのレジスト材料を追加し、ウェットエッチングのレジスト材料は、振動板を支持するように、振動板とバックプレートとの間に配置される。ウェットエッチングのレジスト材料の一部は、振動板とバックプレートとの間には配置されない。方法はその後、上述の追加の間に追加されたウェットエッチングのレジスト材料の一部を除去する前に、犠牲材料を除去する。その後、ウェットエッチングのレジスト材料は、犠牲材料の少なくとも一部が除去された後に、実質的にその全体が除去される。 （もっと読む）

【課題】高い気密性を有する中空パッケージを実現する。
【解決手段】中空パッケージ（１）は，第一基板（１０）と，第二基板（１８）と，第一基板と第二基板との間に形成され第一基板と第二基板とに両端面が密着している樹脂からなるスペーサー（１２）と，スペーサーの側壁面と第一基板と第二基板とに続いて密着している金属膜（１４，１６）と，を備え，第二基板とスペーサーとの間の一部に金属膜の一部が入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】小型化及び検出精度の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー１は、ベース基板２と、ベース基板２の第１主面２ａに設けられた固定部３１，３２と、連結部３４，３５と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、ベース基板２の第１主面２ａに設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を備え、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と、を有し、第１固定電極指（３８２など）は、ベース基板２の第１主面２ａに設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指（３８１など）は、貫通電極４７１を介してベース基板２の第２主面２ｂに設けられた配線４２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る静電容量型の物理量センサは、センサ特性の低下を招くことなく、小型化あるいはセンサの感度を向上させる物理量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第１支持基板と、フレーム部の他方の側に接合された第２支持基板と、第１支持基板と第２支持基板の少なくとも一方に設けられ、第１支持基板又は第２支持基板の一方の側と他方の側を導通する配線用端子と、第１支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第１電極と、第２支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第２電極と、を備え、フレーム部には前記フレーム部の一方の側と他方の側を導通する貫通配線部が配設され、貫通配線部と前記配線用端子とは電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】実装時の応力緩和を達成しつつ、機械的強度を保ち、かつ圧電デバイスの小型化にも適した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】枠部３０と枠部３０の内周側に配置された圧電振動片２２とを有する圧電振動基板２０と、圧電振動基板２０の一方の主面と対向するように配置され、枠部３０に接合された第１基板１２と、圧電振動基板２０の他方の主面と対向するように配置され、枠部３０に接合された第２基板４０と、を備え、圧電振動基板２０には、枠部３０の外周の圧電振動片２２を挟んで対向する端部に夫々配置された接続部３２，３６の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサー部やベース基板の損傷を抑制しつつ、製造時などにおけるベース基板とセンサー部との貼り付きを回避可能な物理量センサー、および物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサー１は、肉薄部６ａおよび肉厚部６ｂが設けられたベース基板６と、ベース基板６の肉薄部６ａの上方に揺動可能に配置されたセンサー部４と、を有し、ベース基板６には、平面視でセンサー部４の端部と重複する肉薄部６ａの少なくとも一部に導電膜９，１０が設けられ、導電膜９，１０が、肉厚部６ｂの表面の少なくとも一部まで延びていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧力センサと高精度の力学量センサとが最適にモジュール化されて、各力学量センサの性能がモジュール化に伴い低下することのない安価な力学量センサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力を検出する第１力学量センサＲ１の第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量センサＲ２の第２力学量検出部Ｍ２とが、第１の基板１０に変位可能な状態に形成され、第２の基板２０が貼り合わされて第１空間Ｋ１と第２空間Ｋ２が互いに連通せずに形成されてなり、第１の基板１０がＳＯＩ基板からなり、ＳＯＩ層３からなる一部の半導体領域Ｓで第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量検出部Ｍ２がそれぞれ構成されてなり、第２力学量検出部Ｍ２が、第２可動半導体領域Ｓ２ａと第２固定半導体領域Ｓ２ｂの対向する面の静電容量の変化を測定して、第２力学量を検出する力学量センサ装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に気密性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。
【解決手段】第１の基材２１と、第２の基材３１と、可動部３及び枠体部５を備える機能部と、可動部３の変位を検出する検知部とを有し、第１の枠体部５ａが第１の封止層２３を有し、第２の基材３１の第１の封止層２３と対向する位置に第２の封止層３３が形成され、第１の封止層２３が第２の封止層３３と対向する面に第１の接合面と第２の接合面とを有し、前記第１の接合面が前記第２の接合面よりも第２の基材３１側に位置するように第１の封止層２３と第２の封止層３３とが接合されてなる物理量センサ１。 （もっと読む）

【課題】圧力センサなどのデバイスの製造工程中に空洞内の上下のシリコン面の固着がない半導体基板およびその製造方法を提供する。また、精度良い小型のダイアグラムを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造１０１のダイアフラム１００を有するシリコン基板１およびその製造方法において、ＳＯＮ構造１０１を構成する空洞２内の下側のシリコン面３に凸状の島４を形成する。半導体基板の表面に深さの異なるホール群を形成し、高温アニール処理することにより一つの大きな空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーデバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】センサーデバイス１は、第１の面１０ａに第１の電極１１を有する半導体装置としてのＩＣチップ１０と、基部２１、前記基部２１から延伸された振動部を有し、第１の面１０ａと対向する第２の面２０ａに第２の電極としての引き出し電極２９を有する振動片としての振動ジャイロ素子２０と、を備えている。第１の面１０ａには、絶縁樹脂からなり第１の電極１１と配線３６を介して電気的に接続された第３の電極３７の少なくとも一部を露出させる開口部３２ａを有する筒状支持部３２が設けられ、第１の面１０ａおよび開口部３２ａにより形成された凹部に導電性接着剤９８が埋設され、引き出し電極２９に設けられたバンプ１２が凹部内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】圧力センサーの小型化を可能とする。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、基板の一つの面の一部の上方に、第１の膜を形成する工程（ａ）と、第１の膜の上方と基板の第１の膜を囲む領域の上方とにまたがる第２の膜を形成する工程（ｂ）と、第２の膜に貫通孔を形成することにより、第１の膜の一部を露出させる工程（ｃ）と、第１の膜をエッチングする工程（ｄ）と、第２の膜の貫通孔を封止する工程（ｅ）と、基板の第１の膜がエッチングされた領域の上方に位置する第２の膜の上方に、歪みセンサー膜を形成する工程（ｆ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一方の面から形成することができる圧力センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサ１の製造方法においては、図４Ａ〜Ｃに示すように、ｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃを４方向に等分且つ外側又は内側にずらして配置し、そのｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃの上部に重なるように環状のｎ型半導体拡散層５を形成し、その環状のｎ型半導体拡散層５及びｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃのｎ型半導体拡散層５との重複部分をエッチングして、環状溝４で囲まれたメサ部３及び４個のブロック状のｐ型半導体部６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄを半導体基板２の表面側に形成した。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体１００は、第１の基板１と、第１の基板１の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層２と、多孔層２において第１の基板１が形成されている側の面と反対側の面に形成された第２の基板３とを備え、多孔層２における各孔２ａの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔２ａを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層２の厚さは、１μｍよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー１の感圧素子層１００は、一辺を二分するように切り欠くスリット１２６が設けられ、一方の主面側であってスリット１２６により隔離された位置に夫々設けられ、スリット１２６により一対の接続部が分離して配置され、前記一対の接続部は少なくとも一部がダイアフラム層２００よりも外側へ露出しており、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに信号の異なる第１パッド電極３４、第２パッド電極３６と、前記一対の接続部の一方に設けられ厚さ方向に貫通する貫通孔１３４と、貫通孔１３４の内部に設けられた導通手段１３５とを備え、前記一対の接続部の他方の主面に設けられた引出し電極１０９は、導通手段１３５により引出し電極１０９と極性が同じ第１パッド電極３４とを電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】温度変化率の増大を抑制することができる圧力検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧力検出素子の製造方法は、以下の工程を備えている。主表面１ａ側に凹部４を有する第１の基板１に、第１の基板１の凹部４を覆うように主表面１ａ側に積層された第２の基板２が接合される。積層方向から見て第２の基板２の凹部４と重なる部分に、第２の基板２の歪みを検出するための歪検出素子５が形成される。歪検出素子５に接するように電気配線７が形成される。電気配線７が形成された後に、歪検出素子５の電気配線７と接する箇所が還元されるように水素雰囲気で熱処理される。熱処理の終了時における水素分圧は０．４気圧以下である。 （もっと読む）

【課題】 特に、動作空間を囲む枠体と対向基板とを接合する金属接合部の腐食を防止しやすい構造のＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層１０には、動作領域１５と外部領域１６とを区画する枠体１４とが形成される。前記枠体１４と支持基板１間は第１の絶縁層３ａを介して接合される。枠体と配線基板との間には、枠体の外周側面から内側に向けて延出する横方向溝部１８が形成される。また横方向溝部よりも内側では傾斜側面１４ｆを介して前記横方向溝部１８での間隔よりも近接する前記枠体と前記第２の部材との対向面間が動作領域の全周を囲む金属接合部３０ａを介して接合されている。傾斜側面１４ｆの傾き角度θ１は、鈍角である。そして横方向溝部１８内にて現れる金属接合部３０ａの外周表面が保護絶縁層４１により覆われている。 （もっと読む）

【課題】この発明は、段差などを設けて勘合部保護を行い、気密封止性能が得られるセンサー素子を提供するものである。
【解決手段】主面上にダイヤフラムが構成される第１の基材と、前記第１の基材の反ダイヤフラム面側に配設される第２の基材と、前記第１の基材の前記ダイヤフラム直下に設けられるキャビティと、前記キャビティを気密封止するため前記第１の基材と前記第２の基材との接合位置に設けられる勘合部と、前記勘合部に設けられ、前記第１の基材と前記第２の基材との勘合状態を保護する段差部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ジャイロメータは、基板と、基板の上に懸架された慣性質量部（２）であって、励振部（６）および検出部（８）を含む慣性質量部（２）と、前記慣性質量部（２）の平面内に含まれる、励振部（６）を少なくとも１つの方向（Ｘ）に移動させる手段と、前記質量部の平面の外側での前記検出部（８）の移動を検出する静電容量検出手段とを含む。
【解決手段】前記静電容量検出手段は、前記検出部（８、１０８）と共に可変コンデンサを形成するように、基板に面して位置する検出部（８）の上に配置された、少なくとも１つの懸架電極（１６）を含み、前記電極（１６）は、慣性質量部（２）を貫通する少なくとも１つの柱状体（２２）によって、前記検出部（８）の上に保持される。 （もっと読む）