物理量センサー及び電子機器
【課題】小型化及び検出精度の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー１は、ベース基板２と、ベース基板２の第１主面２ａに設けられた固定部３１，３２と、連結部３４，３５と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、ベース基板２の第１主面２ａに設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を備え、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と、を有し、第１固定電極指（３８２など）は、ベース基板２の第１主面２ａに設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指（３８１など）は、貫通電極４７１を介してベース基板２の第２主面２ｂに設けられた配線４２に接続されている。
【解決手段】物理量センサー１は、ベース基板２と、ベース基板２の第１主面２ａに設けられた固定部３１，３２と、連結部３４，３５と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、ベース基板２の第１主面２ａに設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を備え、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と、を有し、第１固定電極指（３８２など）は、ベース基板２の第１主面２ａに設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指（３８１など）は、貫通電極４７１を介してベース基板２の第２主面２ｂに設けられた配線４２に接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー及び物理量センサーを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、物理量センサーとして、半導体基板に形成した横方向に延びる空洞により区画され、当該空洞の下に位置するベースプレート部と、空洞および半導体基板に形成した縦方向に延びる溝により区画され、空洞および溝の横に位置する枠部と、空洞および溝により区画され、空洞の上に位置し、枠部から延び、且つ、力学量（例えば、加速度）により変位する可動電極を有する梁構造体と、空洞および溝により区画され、空洞の上に位置し、枠部から延び、且つ、梁構造体の可動電極に対向して配置された固定電極とを備えた半導体力学量センサー（以下、物理量センサーという）が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２８６４３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１によれば、上記物理量センサーは、容量変化検出型であって、第１の固定電極からの配線（以下、第１配線という）及び第２の固定電極からの配線（以下、第２配線という）が、半導体基板の一方の面に設けられ、第１の固定電極及び第２の固定電極の電位を外部に取り出すことが可能な構成となっている。
しかしながら、上記物理量センサーは、半導体基板の一方の面に第１配線と第２配線とを共に配置するための所定のスペースが必要であることから、更なる小型化が阻害される虞がある。
【０００５】
また、上記物理量センサーは、省スペース上、第１配線と第２配線とを互いに近接して設ける必要があることから、第１配線と第２配線との間の寄生容量（浮遊容量）が増大する虞がある。
これにより、上記物理量センサーは、検出した本来の容量（静電容量）に、増大した寄生容量が付加されてしまうことから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度が劣化する虞がある。
また、上記物理量センサーは、第１配線と第２配線とが互いに近接して設けられていることから、例えば、第１配線と第２配線とに跨る異物などを介して、第１配線と第２配線とが短絡する虞がある。
これにより、上記物理量センサーは、信頼性を損なう虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例にかかる物理量センサーは、基板と、前記基板の第１主面に設けられた固定部と、前記固定部に連結部を介して変位可能に連結された可動部と、前記可動部に設けられた可動電極指と、前記基板の前記第１主面に設けられ、且つ、前記可動電極指に対向して配置された固定電極指と、を備え、前記固定電極指は、前記可動電極指の一方の側に配置された第１固定電極指と、他方の側に配置された第２固定電極指と、を有し、前記第１固定電極指は、前記基板の前記第１主面に設けられた第１配線に接続され、前記第２固定電極指は、前記基板の内部に設けられた内部電極を介して、基板内部または前記第１主面の反対側の第２主面に設けられた第２配線に接続されたことを特徴とする。
【０００８】
これによれば、物理量センサーは、固定電極指が、可動電極指の一方の側に配置された第１固定電極指（第１の固定電極に相当）と、他方の側に配置された第２固定電極指（第２の固定電極に相当）と、を有し、第１固定電極指が基板の第１主面に設けられた第１配線に接続され、第２固定電極指が内部電極を介して、例えば、第１主面の反対側の第２主面に設けられた第２配線に接続されている。
これにより、物理量センサーは、第１配線と第２配線とがそれぞれ異なる面（第１主面及び第２主面）に設けられたことから、第１配線と第２配線とが共に同じ面に設けられた従来構成と比較して、スペース効率が向上し、更なる小型化を図ることが可能となる。
【０００９】
また、物理量センサーは、第１配線が第１主面に、第２配線が第２主面に設けられたことから、第１配線と第２配線とを互いに近接させずに配置することができる。
これにより、物理量センサーは、第１配線と第２配線との間の寄生容量を低減できることから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度を向上させることが可能となる。
【００１０】
加えて、物理量センサーは、第１配線が第１主面に、第２配線が第２主面に設けられたことから、例えば、第１配線と第２配線とに跨る異物などを介しての第１配線と第２配線との短絡を回避できる。
これにより、物理量センサーは、信頼性を向上させることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一部が、平面視において、互いに重なっていることが好ましい。
【００１２】
これによれば、物理量センサーは、第１配線及び第２配線の少なくとも一部が、平面視において、互いに重なっていることから、第１配線及び第２配線の長さを略等しくすることができる。
この結果、物理量センサーは、第１配線及び第２配線のそれぞれの寄生容量を略等しくすることができることから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度を向上させることが可能となる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記第１配線の一端部は、前記基板の前記第１主面に設けられた第１接続端子と接続され、前記第２配線の一端部は、前記基板の前記第２主面に設けられた第２接続端子と接続され、平面視において、前記第１接続端子と前記第２接続端子とが互いに重なっていることが好ましい。
【００１４】
これによれば、物理量センサーは、平面視において、第１接続端子と第２接続端子とが互いに重なっていることから、外部への接続スペースの縮小化を図ることができる。
この結果、物理量センサーは、スペース効率が向上し、更なる小型化を図ることが可能となる。
加えて、物理量センサーは、平面視において、第１接続端子と第２接続端子とが互いに重なっていることから、例えば、第１接続端子を外部部材へ接続する際に、直下の第２接続端子の固定により、第１接続端子へのワイヤーボンディングを、ワイヤーボンディング時の力の分散が抑制された状態で容易に行うことができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記基板の前記第１主面には、第１凹部が設けられ、該第１凹部内に前記第１配線が設けられたことが好ましい。
【００１６】
これによれば、物理量センサーは、基板の第１主面に第１凹部が設けられ、第１凹部内に第１配線が設けられたことから、第１配線の第１主面からの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサーは、第１配線と非接続部材（例えば、第２固定電極指）との短絡を回避することが可能となる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記基板の前記第２主面には、第２凹部が設けられ、該第２凹部内に前記第２配線が設けられたことが好ましい。
【００１８】
これによれば、物理量センサーは、基板の第２主面に第２凹部が設けられ、第２凹部内に第２配線が設けられたことから、第２配線の第２主面からの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサーは、第２配線と外部の非接続部材との短絡を回避することが可能となる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記基板は、絶縁性を有する材料で構成され、前記固定電極指は、半導体材料で構成されたことが好ましい。
【００２０】
これによれば、物理量センサーは、基板が絶縁性を有する材料で構成され、固定電極指が半導体材料で構成されたことから、基板と固定電極指との絶縁分離を確実に行うことができる。
【００２１】
［適用例７］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例１ないし適用例６のいずれか一例に記載の物理量センサーを備えたことを特徴とする。
【００２２】
これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例１ないし適用例６のいずれか一例に記載の物理量センサーを備えたことから、上記適用例のいずれかに記載された効果を奏する電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線での模式断面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ線での模式断面図。
【図４】図１のＣ−Ｃ線での模式断面図。
【図５】図２の要部拡大図。
【図６】図３の要部拡大図。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図。
【図１０】変形例の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図。
【図１１】物理量センサーを用いた電子機器（ノート型パーソナルコンピューター）の斜視図。
【図１２】物理量センサーを用いた電子機器（携帯電話機）の斜視図。
【図１３】物理量センサーを用いた電子機器（ディジタルスチルカメラ）の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。
【００２５】
（実施形態）
最初に、本実施形態にかかる、例えば、加速度や角速度などの物理量を検出する容量変化検出型の物理量センサーの構成について説明する。
図１は、本実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線での模式断面図であり、図３は、図１のＢ−Ｂ線での模式断面図であり、図４は、図１のＣ−Ｃ線での模式断面図である。また、図５は、図２の要部拡大図であり、図６は、図３の要部拡大図である。
なお、説明の便宜上、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図１では、蓋部材を２点鎖線にて記載してある。
【００２６】
なお、以下では、説明の便宜上、図１中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」という。また、図１〜図４では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が図示されている。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向（左右方向）を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向（上下方向）を「Ｚ軸方向」という。
【００２７】
図１〜図４に示すように、物理量センサー１は、基板としてのベース基板２と、ベース基板２に支持されたセンサー素子３と、センサー素子３を覆うように設けられた蓋部材５と、を備えている。
【００２８】
ベース基板２は、センサー素子３を支持する機能を有する。
ベース基板２は、板状をなし、その上面である第１主面２ａには、凹部２１が設けられている。この凹部２１は、ベース基板２を平面視したときに、後述するセンサー素子３の可動部３３、可動電極部３６，３７及び連結部３４，３５が収まるように形成されている。
凹部２１は、センサー素子３の可動部３３、可動電極部３６，３７及び連結部３４，３５がベース基板２に接触することを回避する逃げ部を構成する。これにより、ベース基板２は、センサー素子３の可動部３３の変位を許容することができる。
なお、この逃げ部は、凹部２１に代えて、ベース基板２をその厚さ方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔であってもよい。また、本実施形態では、凹部２１の平面視形状は、四角形（具体的には長方形）をなしているが、これに限定されるものではない。
【００２９】
また、ベース基板２の第１主面２ａには、前述した凹部２１の外側に、その外周に沿って、第１凹部としての凹部２２が設けられている。凹部２２の一端部側は、ベース基板２の外周部まで延びている。
また、ベース基板２の第１主面２ａには、凹部２４が凹部２１の左側縁部近傍から凹部２２に沿ってベース基板２の外周部まで設けられている。
一方、ベース基板２の第１主面２ａの反対側の第２主面２ｂには、平面視において、凹部２２と殆どの部分が重なるように、第２凹部としての凹部２３が設けられている。
この凹部２２〜２４は、平面視で配線に対応した形状をなしている。具体的には、凹部２２は、後述する第１配線としての配線４１及び第１接続端子としての電極４４に対応した形状をなし、凹部２３は、後述する第２配線としての配線４２及び第２接続端子としての電極４５に対応した形状をなし、凹部２４は、後述する配線４３及び電極４６に対応した形状をなしている。
【００３０】
ここで、凹部２２〜２４の深さ寸法は、それぞれ配線４１〜４３の厚さ寸法よりも大きくなっている。
また、凹部２２〜２４の電極４４〜４６が設けられた部位の深さは、それぞれ配線４１〜４３が設けられた部位よりも深くなっている。
このように凹部２２〜２４の一部の深さを深くすることにより、後述する物理量センサー１の製造時において、電極４４〜４６と、後にセンサー素子３となるセンサー基板との接合や外部部材との接触を回避することができる。
【００３１】
ベース基板２の構成材料としては、具体的には、絶縁性を有する、高抵抗なシリコン材料、ガラス材料を用いるのが好ましく、特に、センサー素子３がシリコン材料を主材料としたシリコン基板で構成されている場合、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックス（登録商標）ガラスのような硼珪酸ガラス）を用いるのが好ましい。
これにより、物理量センサー１は、ベース基板２（ガラス基板）とセンサー素子３（シリコン基板）とを陽極接合することができる。
【００３２】
また、ベース基板２の構成材料は、センサー素子３の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいことが好ましく、具体的には、ベース基板２の構成材料とセンサー素子３の構成材料との熱膨張係数差が３ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、ベース基板２とセンサー素子３との接合時などにおいて、高温下にさらされても、ベース基板２とセンサー素子３との間の残留応力（熱応力）を低減することができる。
【００３３】
センサー素子３は、固定部３１，３２と、可動部３３と、連結部３４，３５と、可動電極部３６，３７と、固定電極部３８，３９と、を備えている。
センサー素子３は、例えば、加速度や角速度などの物理量の変化に応じて、可動部３３及び可動電極部３６，３７が、連結部３４，３５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。物理量センサー１は、このような変位に伴って、可動電極部３６と固定電極部３８との間の隙間、及び可動電極部３７と固定電極部３９との間の隙間の大きさがそれぞれ変化する。
すなわち、物理量センサー１は、このような変位に伴って、可動電極部３６と固定電極部３８との間の静電容量、及び可動電極部３７と固定電極部３９との間の静電容量の大きさがそれぞれ変化する。したがって、物理量センサー１は、これらの静電容量の変化に基づいて、加速度や角速度などの物理量を検出することできる。
【００３４】
この固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５及び可動電極部３６，３７は、例えば、一枚のシリコン基板から一体的に形成されている。
固定部３１，３２は、それぞれ、前述したベース基板２の第１主面２ａに接合されている。具体的には、固定部３１は、ベース基板２の第１主面２ａの凹部２１に対して−Ｘ方向側（図中左側）の部分に接合され、固定部３２は、凹部２１に対して＋Ｘ方向側（図中右側）の部分に接合されている。また、固定部３１，３２は、平面視したときに、それぞれ、凹部２１と凹部２１の外周縁部とに跨るように設けられている。
【００３５】
なお、固定部３１，３２の位置及び形状などは、連結部３４，３５や配線４１，４２，４３の位置及び形状などに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。
２つの固定部３１，３２の間には、可動部３３が設けられている。本実施形態では、可動部３３は、Ｘ軸方向に延びる長手形状をなしている。なお、可動部３３の形状は、センサー素子３を構成する各部の形状、大きさなどに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。
【００３６】
可動部３３は、固定部３１に対して連結部３４を介して連結され、固定部３２に対して連結部３５を介して連結されている。より具体的には、可動部３３の左側の端部が連結部３４を介して固定部３１に連結されるとともに、可動部３３の右側の端部が連結部３５を介して固定部３２に連結されている。
この連結部３４，３５は、可動部３３を固定部３１，３２に対して変位可能に連結している。本実施形態では、連結部３４，３５は、図１にて矢印ａで示すように、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に可動部３３を変位し得るように構成されている。
【００３７】
具体的に説明すると、連結部３４は、２つの梁３４１，３４２で構成されている。そして、梁３４１，３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなしている。換言すると、梁３４１，３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では３回）折り返された形状をなしている。なお、各梁３４１，３４２の折り返し回数は、１回または２回であってもよいし、４回以上であってもよい。
同様に、連結部３５は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁３５１，３５２で構成されている。
【００３８】
このように、ベース基板２に対してＸ軸方向に変位可能に支持された可動部３３の幅方向での一方側（＋Ｙ方向側）には、可動電極部３６が設けられ、他方側（−Ｙ方向側）には、可動電極部３７が設けられている。
可動電極部３６は、可動部３３から＋Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３６１〜３６５を備えている。この可動電極指３６１，３６２，３６３，３６４，３６５は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。同様に、可動電極部３７は、可動部３３から−Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３７１〜３７５を備えている。この可動電極指３７１，３７２，３７３，３７４，３７５は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。
【００３９】
複数の可動電極指３６１〜３６５及び複数の可動電極指３７１〜３７５は、それぞれ、可動部３３の変位する方向（すなわちＸ軸方向）に並んで設けられている。
これにより、後述する固定電極部３８の固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量、及び固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量を可動部３３の変位に応じて効率的に変化させることができる。
同様に、後述する固定電極部３９の固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量、及び固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を可動部３３の変位に応じて効率的に変化させることができる。
可動電極部３６は、固定電極部３８に対して間隔を隔てて対向している。また、可動電極部３７は、固定電極部３９に対して間隔を隔てて対向している。
【００４０】
固定電極部３８は、前述した可動電極部３６の複数の可動電極指３６１〜３６５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３８１〜３８８を備えている。固定電極指３８１〜３８８の可動部３３側とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板２の上面の凹部２１に対して＋Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３８１〜３８８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が−Ｙ方向へ延びている。
【００４１】
固定電極指３８１〜３８８は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３８１，３８２は、対をなし、前述した可動電極指３６１，３６２の間に設けられ、固定電極指３８３，３８４は、対をなし、可動電極指３６２，３６３の間に設けられ、固定電極指３８５，３８６は、対をなし、可動電極指３６３，３６４の間に設けられ、固定電極指３８７，３８８は、対をなし、可動電極指３６４，３６５の間に設けられている。
【００４２】
ここで、固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８は、それぞれ、第１固定電極指であり、固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７は、それぞれ、ベース基板２上で第１固定電極指に対して空隙（間隙）を介して配置された第２固定電極指である。
このように、複数の固定電極指３８１〜３８８は、交互に並ぶ複数の第１固定電極指及び複数の第２固定電極指で構成されている。換言すれば、複数の固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指の一方の側に第１固定電極指が配置され、他方の側に第２固定電極指が配置されている。
【００４３】
第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７とは、ベース基板２上で互いに分離している。これにより、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７とを電気的に絶縁することができる。そのため、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量、及び第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
【００４４】
同様に、固定電極部３９は、前述した可動電極部３７の複数の可動電極指３７１〜３７５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３９１〜３９８を備えている。固定電極指３９１〜３９８の可動部３３とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板２の上面の凹部２１に対して−Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３９１〜３９８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が＋Ｙ方向へ延びている。
【００４５】
固定電極指３９１〜３９８は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３９１，３９２は、対をなし、前述した可動電極指３７１，３７２の間に設けられ、固定電極指３９３，３９４は、対をなし、可動電極指３７２，３７３の間に設けられ、固定電極指３９５，３９６は、対をなし、可動電極指３７３，３７４の間に設けられ、固定電極指３９７，３９８は、対をなし、可動電極指３７４，３７５の間に設けられている。
【００４６】
ここで、固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８は、それぞれ、第１固定電極指であり、固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７は、それぞれ、ベース基板２上で第１固定電極指に対して空隙（間隙）を介して配置された第２固定電極指である。
このように、複数の固定電極指３９１〜３９８は、交互に並ぶ複数の第１固定電極指及び複数の第２固定電極指で構成されている。換言すれば、複数の固定電極指３９１〜３９８は、可動電極指の一方の側に第１固定電極指が配置され、他方の側に第２固定電極指が配置されている。
【００４７】
第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７とは、前述した固定電極部３８と同様、ベース基板２上で互いに分離している。これにより、第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量、及び、第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
【００４８】
センサー素子３の構成材料としては、前述したような静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能であれば、特に限定されないが、半導体が好ましく、具体的には、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコンなどのシリコン材料を用いるのが好ましい。
すなわち、固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５、複数の固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８及び複数の可動電極指３６１〜３６５，３７１〜３７５は、それぞれ、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。
【００４９】
シリコンは、エッチングにより高精度に加工することができる。そのため、センサー素子３をシリコンを主材料として構成することにより、センサー素子３の寸法精度を優れたものとし、その結果、物理量センサー１の高感度化を図ることができる。また、シリコンは疲労が少ないため、物理量センサー１の耐久性を向上させることもできる。
また、センサー素子３を構成するシリコン材料には、リン、ボロンなどの不純物がドープされていることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、センサー素子３の導電性を優れたものとすることができる。
【００５０】
また、センサー素子３は、前述したように、ベース基板２の第１主面２ａに固定部３１，３２及び固定電極部３８，３９が接合されることにより、ベース基板２に支持されている。
このようなセンサー素子３とベース基板２との接合方法は、特に限定されないが、陽極接合法を用いることが好ましい。
【００５１】
配線４１、配線４３は、前述したベース基板２の第１主面２ａ（固定電極部３８，３９側の面）に設けられ、配線４２は、ベース基板２の第２主面２ｂに設けられている。
詳述すると、配線４１は、前述したベース基板２の凹部２１の外側に設けられ、凹部２１の外周に沿うように凹部２２内に形成されている。そして、配線４１の一端部は、ベース基板２の第１主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）において、電極４４に接続されている。
配線４１は、前述したセンサー素子３の第１固定電極指である各固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８及び各固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８に電気的に接続されている。
【００５２】
また、配線４２は、平面視において、配線４１と殆どの部分が重なるように、前述したベース基板２の第２主面２ｂの凹部２３内に設けられている。そして、配線４２の一端部は、ベース基板２の第２主面２ｂの外周部において、前述した電極４４に対して、平面視において重なるように設けられた電極４５に接続されている。
配線４２は、内部電極としてのベース基板２を厚さ方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通電極４７１，４７２を介して、前述したセンサー素子３の第２固定電極指である固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７及び固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７に電気的に接続されている。なお、配線４２は、ベース基板２の内部に形成されていてもよい。
具体的には、ベース基板２を複数の基板が積層された積層基板として構成し、この積層基板の積層面に配線４２が形成されていてもよいということである。
【００５３】
配線４３は、ベース基板２の固定部３１との接合部から、ベース基板２の第１主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）に延びるように凹部２４内に設けられている。そして、配線４３の固定部３１側とは反対側の端部は、前述した電極４４に対して間隔を隔てて並ぶようにベース基板２の第１主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）において、電極４６に接続されている。
【００５４】
このような配線４１〜４３の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯなどの酸化物（透明電極材料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５５】
配線４１〜４３の構成材料としては、透明電極材料（特にＩＴＯ）を用いるのが好ましい。配線４１、配線４２がそれぞれ透明電極材料で構成されていると、ベース基板２が透明基板である場合、ベース基板２の第１主面２ａ上に存在する異物などをベース基板２の第２主面２ｂ側から容易に視認することができる。
【００５６】
また、電極４４〜４６の構成材料としては、それぞれ、前述した配線４１〜４３と同様、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる。本実施形態では、電極４４〜４６の構成材料として、後述する貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の構成材料と同じものが用いられている。
【００５７】
そして、配線４１上の、平面視において、センサー素子３の固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部４８１が設けられ、配線４１上の、平面視において、固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部４８２が設けられている。
そして、突起部４８１を介して固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と配線４１とが電気的に接続されるとともに、突起部４８２を介して固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１とが電気的に接続されている。
【００５８】
配線４２と、センサー素子３の固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７との間には、それぞれベース基板２を貫通し導電性を有する貫通電極４７１が設けられ、配線４２と、固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７との間には、それぞれベース基板２を貫通し導電性を有する貫通電極４７２が設けられている。
そして、貫通電極４７１を介して固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と配線４２とが電気的に接続されるとともに、貫通電極４７２を介して固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と配線４２とが電気的に接続されている。
配線４３上の、平面視において、センサー素子３の固定部３１と重なる部分には、導電性を有する突起部５０が設けられている。
そして、突起部５０を介して固定部３１と配線４３とが電気的に接続されている。
【００５９】
なお、図１に示すように、配線４１及び凹部２２は、貫通電極４７１，４７２を迂回して設けられている。
なお、図１では、説明の便宜上、配線４１及び配線４２の幅、電極４４及び電極４５のサイズを互いに異ならせて記載しているが、実際には、これらは等幅、同サイズが好ましい。
【００６０】
物理量センサー１は、電極４４（配線４１）及び電極４６（配線４３）を用いることにより、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量及び第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量を測定できる。
そして、物理量センサー１は、電極４５（配線４２）及び電極４６（配線４３）を用いることにより、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量及び第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を測定できる。
【００６１】
貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属単体またはこれらを含む合金などの金属が好適に用いられる。このような金属を用いて貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０を構成することにより、配線４１〜４３と固定電極部３８，３９及び固定部３１との間の接触抵抗を小さくすることができる。
【００６２】
また、図５、図６に示すように、配線４１、配線４３上には、絶縁膜６が設けられている。そして、前述した貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０上には、絶縁膜６は形成せずに貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の表面（上面）が露出している。
この絶縁膜６は、配線４１、配線４３とセンサー素子３の非接続部との電気的接続（短絡）を回避する機能を有する。これにより、物理量センサー１は、配線４１と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１との電気的接続、及び配線４３と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、固定部３１と配線４３との電気的接続を行うことができる。
【００６３】
本実施形態では、絶縁膜６は、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０及び電極４４〜４６の形成領域を除いて、ベース基板２の第１主面２ａ（凹部２１，２２，２４を含む）の略全域に亘って形成されている。なお、絶縁膜６の形成領域は、配線４１、配線４３を覆うことができれば、これに限定されず、例えば、ベース基板２の第１主面２ａのセンサー素子３との接合部位や蓋部材５との接合部位を除くような形状をなしていてもよい。
【００６４】
また、図５に示すように、蓋部材５と配線４３上の絶縁膜６との間には、隙間２２２が形成されている。図示しないが、この隙間２２２と同様の隙間が蓋部材５と配線４１上の絶縁膜６との間にも形成されている。隙間２２２は、蓋部材５内を減圧したり、不活性ガスを充填したりするのに用いることができる。
なお、隙間２２２は、蓋部材５とベース基板２とを接着剤により接合する際に、接着剤により塞いでもよい。
【００６５】
このような絶縁膜６の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を用いることができるが、ベース基板２がガラス材料（特に、アルカリ金属イオンが添加されたガラス材料）で構成されている場合、二酸化珪素（ＳｉＯ2）を用いることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、前述したような短絡を回避することができる。
【００６６】
また、絶縁膜６の厚さ（平均厚さ）は、特に限定されないが、１０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。物理量センサー１は、このような厚さの範囲で絶縁膜６を形成すると、前述したような短絡を回避することができる。
また、物理量センサー１は、ベース基板２がアルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成され、且つ、センサー素子３がシリコンを主材料として構成されている場合、ベース基板２の第１主面２ａのセンサー素子３との接合部位に絶縁膜６が存在していても、絶縁膜６を介してベース基板２とセンサー素子３とを陽極接合することができる。
【００６７】
蓋部材５は、前述したセンサー素子３を保護する機能を有する。
蓋部材５は、板状をなし、その一方の面（下面）に凹部５１が設けられている。この凹部５１は、センサー素子３の可動部３３及び可動電極部３６，３７などの変位が可能なようにセンサー素子３との間に空隙を設けて形成されている。
【００６８】
そして、蓋部材５の下面は、前述したベース基板２の第１主面２ａに接合されている。蓋部材５とベース基板２との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法などを用いることができる。
また、蓋部材５の構成材料としては、前述したような機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料などを好適に用いることができる。
【００６９】
次に、物理量センサー１の製造方法の一例について説明する。
図７（ａ）〜（ｅ）、図８（ａ）〜（ｃ）、図９（ａ）〜（ｄ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図である。
【００７０】
物理量センサー１の製造方法は、配線形成工程と、絶縁膜形成工程と、接合工程と、センサー素子形成工程と、蓋部材接合工程と、分割工程と、を含んでいる。
なお、ここでは、複数個取りを前提として説明するが、個別に製造しても構わない。
【００７１】
［配線形成工程］
まず、図７（ａ）に示すように、後に個片化することでベース基板２となるウエハー状の基板１０２を用意する。
次に、図７（ｂ）に示すように、基板１０２の上面（第１主面１０２ａ）及び下面（第２主面１０２ｂ）をエッチングすることにより、凹部２１，２２，２３及び貫通孔２３ａを形成する。このとき、図７（ｂ）では図示しないが、凹部２４も同様に形成する。
【００７２】
凹部２１〜２４及び貫通孔２３ａの形成方法（エッチング方法）としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングなどの物理的エッチング法、ウェットエッチングなどの化学的エッチング法などのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。
【００７３】
また、上述したようなエッチングに際しては、例えば、フォトリソグラフィー法により形成されたマスクを好適に用いることができる。また、マスク形成、エッチング、マスク除去を複数回繰り返し、凹部２１と凹部２２〜２４と貫通孔２３ａとを順に形成することができる。そして、このマスクは、エッチング後に、除去される。このマスクの除去方法としては、例えば、マスクがレジスト材料で構成される場合には、レジスト剥離液、マスクが金属材料で構成される場合には、リン酸溶液のようなメタル剥離液などを用いることができる。
なお、マスクとして、例えば、グレースケールマスクを用いることにより、凹部２１と凹部２２〜２４と（深さの異なる複数の凹部）を一括形成してもよい。
【００７４】
次に、図７（ｃ）に示すように、基板１０２に配線４１〜４３、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０を形成する。
以下、図９に基づき、配線４１〜４３、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の形成について詳述する。
まず、図９（ａ）に示すように、凹部２２内に配線４１を形成するとともに、凹部２３内に配線４２を形成する。このとき、図９では図示しないが、凹部２４内に配線４３を配線４１、配線４２と一括して形成する。そして、複数の貫通孔２３ａ内に貫通電極４７１，４７２を形成する。
【００７５】
そして、図９（ｂ）に示すように、配線４１に複数の突起部４８１，４８２を形成（成膜）する。このとき、図９（ｂ）では図示しないが、配線４１に電極４４を形成し、配線４２に電極４５を形成し、配線４３に突起部５０及び電極４６を形成する。なお、突起部４８１，４８２，５０の形成は、貫通電極４７１，４７２の形成前に行ってもよい。
【００７６】
配線４１〜４３、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の形成方法（成膜方法）としては、特に限定されないが、例えば、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、薄膜接合法などが挙げられる。なお、以下の各工程における成膜においても、同様の方法を用いることができる。
【００７７】
なお、基板１０２には、絶縁性を有する絶縁性基板を用いることが好ましく、絶縁性基板として透明基板を用いることがより好ましい。具体的には、基板１０２には、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックス（登録商標）ガラスのような硼珪酸ガラス）を用いたガラス基板を用いることが好ましい。
また、配線４１〜４３の構成材料としては、透明電極材料（特にＩＴＯ）を用いることが好ましい。
【００７８】
［絶縁膜形成工程］
次に、図９（ｃ）に示すように、配線４１などを覆うように、基板１０２の第１主面１０２ａに絶縁膜１０６を形成（成膜）する。ここで、絶縁膜１０６は、後述する個片化を経て絶縁膜６となるものである。
次に、図９（ｄ）に示すように、絶縁膜１０６の貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２を覆っている部分を除去する。また、図９（ｄ）では図示しないが、絶縁膜１０６の突起部５０及び電極４４〜４６を覆っている部分も除去する。これにより、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０及び電極４４〜４６を露出させる。
なお、この際、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の上面は、絶縁膜１０６の上面と殆ど段差がない状態になっている。
【００７９】
［接合工程］
図７に戻って、次に、図７（ｄ）に示すように、後に複数のセンサー素子３となるウエハー状のセンサー基板１０３を用意し、基板１０２の第１主面１０２ａにセンサー基板１０３を接合する。これにより、センサー基板１０３と貫通電極４７１，４７２及び突起部４８１，４８２とが接続される。このとき、図７（ｄ）では図示しないが、センサー基板１０３と突起部５０とが同様に接続される。
なお、基板１０２とセンサー基板１０３との接合には、陽極接合法を用いることが好ましい。
【００８０】
ここで、センサー基板１０３は、センサー素子３の厚さより厚くしておくことが好ましい。これにより、センサー基板１０３の取り扱い性を向上させることができる（例えば、搬送時、段取り時などにおける破損低減など）。なお、センサー基板１０３の厚さは、センサー素子３の厚さと同じであってもよい。
なお、センサー基板１０３には、半導体基板であるシリコン基板を用いることが好ましく、貫通電極４７１，４７２及び突起部４８１，４８２，５０の構成材料としては、Ａｕを用いることが、接触抵抗を小さくする上で好ましい。
【００８１】
次に、図７（ｅ）に示すように、センサー基板１０３をセンサー素子３の厚さまで肉薄化する。肉薄化の方法は、特に限定されないが、例えば、ＣＭＰ法、ドライポリッシュ法を好適に用いることができる。
なお、センサー基板１０３の厚さが、当初からセンサー素子３の厚さと同じであれば、この肉薄化は必要ない。
【００８２】
［センサー素子形成工程］
次に、図８（ａ）に示すように、センサー基板１０３をエッチングすることによりセンサー素子３を形成する。
【００８３】
［蓋部材接合工程］
次に、図８（ｂ）に示すように、基板１０２の第１主面１０２ａに、複数の凹部５１を有し個片化することにより蓋部材５となるウエハー状の基板１０５を接合する。これにより、基板１０２と基板１０５とで各センサー素子３を各凹部５１内に収容する。
なお、基板１０２と基板１０５との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法などを用いることができる。
【００８４】
［分割工程］
次に、図８（ｃ）に示すように、センサー素子３を収容し一体となった基板１０２及び基板１０５を、図示しない分割装置（ダイシング装置）などを用いてセンサー素子３毎の個片に分割することにより、物理量センサー１を得る。
なお、分割により、基板１０２はベース基板２となり、基板１０５は蓋部材５となる。
【００８５】
上述したように、本実施形態の物理量センサー１は、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８がベース基板２の第１主面２ａに設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７が貫通電極４７１，４７２を介して第１主面２ａの反対側の第２主面２ｂに設けられた配線４２に接続されている。
これにより、物理量センサー１は、配線４１と配線４２とがそれぞれ異なる面（第１主面２ａ及び第２主面２ｂ）に設けられたことから、配線４１と配線４２とが共に同じ面に設けられた従来構成と比較して、スペース効率が向上し、更なる小型化を図ることが可能となる。
【００８６】
また、物理量センサー１は、配線４１が第１主面２ａに、配線４２が第２主面２ｂに設けられたことから、配線４１と配線４２とを互いに近接させずに配置することができる。
これにより、物理量センサー１は、配線４１と配線４２との間の寄生容量を低減できることから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度を向上させることが可能となる。
【００８７】
加えて、物理量センサー１は、配線４１が第１主面２ａに、配線４２が第２主面２ｂに設けられたことから、例えば、配線４１と配線４２とに跨る異物などを介しての配線４１と配線４２との短絡を回避できる。
これにより、物理量センサー１は、信頼性を向上させることができる。
【００８８】
また、物理量センサー１は、配線４１及び配線４２の殆どの部分が、平面視において、互いに重なっていることから、配線４１及び配線４２の長さを略等しくすることができる。
この結果、物理量センサー１は、配線４１及び配線４２のそれぞれの寄生容量を略等しくすることができることから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度を向上させることが可能となる。
【００８９】
また、物理量センサー１は、平面視において、電極４４と電極４５とが互いに重なっていることから、外部への接続スペースの縮小化を図ることができる。
この結果、物理量センサー１は、スペース効率が向上し、更なる小型化を図ることが可能となる。
加えて、物理量センサー１は、平面視において、電極４４と電極４５とが互いに重なっていることから、例えば、電極４４を外部部材へ接続する際に、直下の電極４５のハンダなどの接合材による固定により、電極４４へのワイヤーボンディングを、ワイヤーボンディング時の力の分散が抑制された状態で容易に行うことができる。
【００９０】
また、物理量センサー１は、ベース基板２の第１主面２ａの凹部２２内に配線４１が設けられ、凹部２２の深さ寸法が配線４１の厚さ寸法よりも大きいことから、配線４１の、第１主面２ａからの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサー１は、配線４１とセンサー素子３の非接続部位（例えば、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７）との短絡を回避することが可能となる。
同様に、物理量センサー１は、ベース基板２の第２主面２ｂの凹部２３内に配線４２が設けられ、凹部２３の深さ寸法が配線４２の厚さ寸法よりも大きいことから、配線４２の、第２主面２ｂからの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサー１は、配線４２と外部の非接続部材（例えば、外部の実装基板の非接続パターン）との短絡を回避することが可能となる。
【００９１】
また、物理量センサー１は、ベース基板２が絶縁性を有する材料（例えば、ガラスなど）で構成され、固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８を備えたセンサー素子３が半導体材料（例えば、シリコンなど）で構成されたことから、ベース基板２と固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８との絶縁分離を確実に行うことができる。
【００９２】
（変形例）
次に、上記実施形態の変形例について説明する。
図１０は、変形例の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図である。なお、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して詳細な説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００９３】
図１０に示すように、物理量センサー１０１は、第２配線としての配線１４２のＹ軸方向に延びる部分が、平面視において、凹部２１の右側（＋Ｘ方向側）を迂回することなく、固定電極指３８７に接続された貫通電極４７１と、固定電極指３９７に接続された貫通電極４７２とを結ぶように設けられている。
また、物理量センサー１０１は、平面視において、電極４５が電極４４と重ならない、電極４４よりも＋Ｙ方向側の位置に設けられている。
また、物理量センサー１０１は、配線１４２が上記のような配置により配線４１よりも短くなったことに対応して、配線１４２に付加される寄生容量を調整する幅広な容量調整部１４２ａが設けられている。
これにより、物理量センサー１０１は、配線１４２に付加される寄生容量を配線４１に付加される寄生容量と略等しくすることができる。
なお、第２凹部としての凹部１２３は、上記の配線１４２、容量調整部１４２ａ及び電極４５の配置や形状に対応して形成されている。
これによれば、物理量センサー１０１は、上記実施形態に準じた効果を奏することができる。
【００９４】
（電子機器）
次に、上記実施形態及び変形例の物理量センサーを用いた電子機器を説明する。
図１１は、物理量センサーを用いた電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
図１１に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１が内蔵されている。なお、パーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１に代えて物理量センサー１０１が内蔵されていてもよい。
【００９５】
図１２は、物理量センサーを用いた電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
図１２に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、物理量センサー１が内蔵されている。なお、携帯電話機１２００には、物理量センサー１に代えて物理量センサー１０１が内蔵されていてもよい。
【００９６】
図１３は、物理量センサーを用いた電子機器としてのディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図１３には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００９７】
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、物理量センサー１が内蔵されている。なお、ディジタルスチルカメラ１３００には、物理量センサー１に代えて物理量センサー１０１が内蔵されていてもよい。
【００９８】
このような電子機器は、小型化及び高精度化された物理量センサー１または物理量センサー１０１を備えるので、より小型化されるとともに、優れた性能を発揮することができる。
なお、上記物理量センサーを用いた電子機器は、図１１のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１２の携帯電話機、図１３のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーターなどに適用することができる。
【００９９】
以上、本発明の物理量センサー及び電子機器について図示の実施形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、固定電極部は、櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指の少なくとも１つの固定電極指がその他の固定電極指に対して絶縁性を有する基板上で分離していれば、前述した実施形態及び変形例に限定されない。
【０１００】
また、固定電極部の複数の固定電極指と、これに噛み合うように設けられた可動電極部の複数の可動電極指との本数、配置及び大きさなどの形態は、前述した実施形態及び変形例に限定されない。
また、可動部は、Ｙ軸方向に変位させるように構成してもよいし、Ｘ軸に平行な軸線まわりに回動させるように構成してもよい。この場合は、可動電極指と固定電極指との対向面積の変化による静電容量変化に基づいて物理量を検出すればよい。
【符号の説明】
【０１０１】
１…物理量センサー、２…基板としてのベース基板、２ａ…第１主面、２ｂ…第２主面、３…センサー素子、５…蓋部材、６…絶縁膜、２１…凹部、２２…第１凹部としての凹部、２３…第２凹部としての凹部、２４…凹部、３１，３２…固定部、３３…可動部、３４，３５…連結部、３６，３７…可動電極部、３８，３９…固定電極部、４１…第１配線としての配線、４２…第２配線としての配線、４３…配線、４４〜４６…電極、５０…突起部、５１…凹部、３４１，３４２，３５１，３５２…梁、３６１〜３６５，３７１〜３７５…可動電極指、３８１〜３８８，３９１〜３９８…固定電極指（３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８…第１固定電極指、３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７…第２固定電極指）、４７１，４７２…貫通電極、４８１，４８２…突起部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー及び物理量センサーを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、物理量センサーとして、半導体基板に形成した横方向に延びる空洞により区画され、当該空洞の下に位置するベースプレート部と、空洞および半導体基板に形成した縦方向に延びる溝により区画され、空洞および溝の横に位置する枠部と、空洞および溝により区画され、空洞の上に位置し、枠部から延び、且つ、力学量（例えば、加速度）により変位する可動電極を有する梁構造体と、空洞および溝により区画され、空洞の上に位置し、枠部から延び、且つ、梁構造体の可動電極に対向して配置された固定電極とを備えた半導体力学量センサー（以下、物理量センサーという）が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２８６４３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１によれば、上記物理量センサーは、容量変化検出型であって、第１の固定電極からの配線（以下、第１配線という）及び第２の固定電極からの配線（以下、第２配線という）が、半導体基板の一方の面に設けられ、第１の固定電極及び第２の固定電極の電位を外部に取り出すことが可能な構成となっている。
しかしながら、上記物理量センサーは、半導体基板の一方の面に第１配線と第２配線とを共に配置するための所定のスペースが必要であることから、更なる小型化が阻害される虞がある。
【０００５】
また、上記物理量センサーは、省スペース上、第１配線と第２配線とを互いに近接して設ける必要があることから、第１配線と第２配線との間の寄生容量（浮遊容量）が増大する虞がある。
これにより、上記物理量センサーは、検出した本来の容量（静電容量）に、増大した寄生容量が付加されてしまうことから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度が劣化する虞がある。
また、上記物理量センサーは、第１配線と第２配線とが互いに近接して設けられていることから、例えば、第１配線と第２配線とに跨る異物などを介して、第１配線と第２配線とが短絡する虞がある。
これにより、上記物理量センサーは、信頼性を損なう虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例にかかる物理量センサーは、基板と、前記基板の第１主面に設けられた固定部と、前記固定部に連結部を介して変位可能に連結された可動部と、前記可動部に設けられた可動電極指と、前記基板の前記第１主面に設けられ、且つ、前記可動電極指に対向して配置された固定電極指と、を備え、前記固定電極指は、前記可動電極指の一方の側に配置された第１固定電極指と、他方の側に配置された第２固定電極指と、を有し、前記第１固定電極指は、前記基板の前記第１主面に設けられた第１配線に接続され、前記第２固定電極指は、前記基板の内部に設けられた内部電極を介して、基板内部または前記第１主面の反対側の第２主面に設けられた第２配線に接続されたことを特徴とする。
【０００８】
これによれば、物理量センサーは、固定電極指が、可動電極指の一方の側に配置された第１固定電極指（第１の固定電極に相当）と、他方の側に配置された第２固定電極指（第２の固定電極に相当）と、を有し、第１固定電極指が基板の第１主面に設けられた第１配線に接続され、第２固定電極指が内部電極を介して、例えば、第１主面の反対側の第２主面に設けられた第２配線に接続されている。
これにより、物理量センサーは、第１配線と第２配線とがそれぞれ異なる面（第１主面及び第２主面）に設けられたことから、第１配線と第２配線とが共に同じ面に設けられた従来構成と比較して、スペース効率が向上し、更なる小型化を図ることが可能となる。
【０００９】
また、物理量センサーは、第１配線が第１主面に、第２配線が第２主面に設けられたことから、第１配線と第２配線とを互いに近接させずに配置することができる。
これにより、物理量センサーは、第１配線と第２配線との間の寄生容量を低減できることから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度を向上させることが可能となる。
【００１０】
加えて、物理量センサーは、第１配線が第１主面に、第２配線が第２主面に設けられたことから、例えば、第１配線と第２配線とに跨る異物などを介しての第１配線と第２配線との短絡を回避できる。
これにより、物理量センサーは、信頼性を向上させることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一部が、平面視において、互いに重なっていることが好ましい。
【００１２】
これによれば、物理量センサーは、第１配線及び第２配線の少なくとも一部が、平面視において、互いに重なっていることから、第１配線及び第２配線の長さを略等しくすることができる。
この結果、物理量センサーは、第１配線及び第２配線のそれぞれの寄生容量を略等しくすることができることから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度を向上させることが可能となる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記第１配線の一端部は、前記基板の前記第１主面に設けられた第１接続端子と接続され、前記第２配線の一端部は、前記基板の前記第２主面に設けられた第２接続端子と接続され、平面視において、前記第１接続端子と前記第２接続端子とが互いに重なっていることが好ましい。
【００１４】
これによれば、物理量センサーは、平面視において、第１接続端子と第２接続端子とが互いに重なっていることから、外部への接続スペースの縮小化を図ることができる。
この結果、物理量センサーは、スペース効率が向上し、更なる小型化を図ることが可能となる。
加えて、物理量センサーは、平面視において、第１接続端子と第２接続端子とが互いに重なっていることから、例えば、第１接続端子を外部部材へ接続する際に、直下の第２接続端子の固定により、第１接続端子へのワイヤーボンディングを、ワイヤーボンディング時の力の分散が抑制された状態で容易に行うことができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記基板の前記第１主面には、第１凹部が設けられ、該第１凹部内に前記第１配線が設けられたことが好ましい。
【００１６】
これによれば、物理量センサーは、基板の第１主面に第１凹部が設けられ、第１凹部内に第１配線が設けられたことから、第１配線の第１主面からの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサーは、第１配線と非接続部材（例えば、第２固定電極指）との短絡を回避することが可能となる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記基板の前記第２主面には、第２凹部が設けられ、該第２凹部内に前記第２配線が設けられたことが好ましい。
【００１８】
これによれば、物理量センサーは、基板の第２主面に第２凹部が設けられ、第２凹部内に第２配線が設けられたことから、第２配線の第２主面からの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサーは、第２配線と外部の非接続部材との短絡を回避することが可能となる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記基板は、絶縁性を有する材料で構成され、前記固定電極指は、半導体材料で構成されたことが好ましい。
【００２０】
これによれば、物理量センサーは、基板が絶縁性を有する材料で構成され、固定電極指が半導体材料で構成されたことから、基板と固定電極指との絶縁分離を確実に行うことができる。
【００２１】
［適用例７］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例１ないし適用例６のいずれか一例に記載の物理量センサーを備えたことを特徴とする。
【００２２】
これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例１ないし適用例６のいずれか一例に記載の物理量センサーを備えたことから、上記適用例のいずれかに記載された効果を奏する電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線での模式断面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ線での模式断面図。
【図４】図１のＣ−Ｃ線での模式断面図。
【図５】図２の要部拡大図。
【図６】図３の要部拡大図。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図。
【図１０】変形例の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図。
【図１１】物理量センサーを用いた電子機器（ノート型パーソナルコンピューター）の斜視図。
【図１２】物理量センサーを用いた電子機器（携帯電話機）の斜視図。
【図１３】物理量センサーを用いた電子機器（ディジタルスチルカメラ）の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。
【００２５】
（実施形態）
最初に、本実施形態にかかる、例えば、加速度や角速度などの物理量を検出する容量変化検出型の物理量センサーの構成について説明する。
図１は、本実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線での模式断面図であり、図３は、図１のＢ−Ｂ線での模式断面図であり、図４は、図１のＣ−Ｃ線での模式断面図である。また、図５は、図２の要部拡大図であり、図６は、図３の要部拡大図である。
なお、説明の便宜上、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図１では、蓋部材を２点鎖線にて記載してある。
【００２６】
なお、以下では、説明の便宜上、図１中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」という。また、図１〜図４では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が図示されている。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向（左右方向）を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向（上下方向）を「Ｚ軸方向」という。
【００２７】
図１〜図４に示すように、物理量センサー１は、基板としてのベース基板２と、ベース基板２に支持されたセンサー素子３と、センサー素子３を覆うように設けられた蓋部材５と、を備えている。
【００２８】
ベース基板２は、センサー素子３を支持する機能を有する。
ベース基板２は、板状をなし、その上面である第１主面２ａには、凹部２１が設けられている。この凹部２１は、ベース基板２を平面視したときに、後述するセンサー素子３の可動部３３、可動電極部３６，３７及び連結部３４，３５が収まるように形成されている。
凹部２１は、センサー素子３の可動部３３、可動電極部３６，３７及び連結部３４，３５がベース基板２に接触することを回避する逃げ部を構成する。これにより、ベース基板２は、センサー素子３の可動部３３の変位を許容することができる。
なお、この逃げ部は、凹部２１に代えて、ベース基板２をその厚さ方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔であってもよい。また、本実施形態では、凹部２１の平面視形状は、四角形（具体的には長方形）をなしているが、これに限定されるものではない。
【００２９】
また、ベース基板２の第１主面２ａには、前述した凹部２１の外側に、その外周に沿って、第１凹部としての凹部２２が設けられている。凹部２２の一端部側は、ベース基板２の外周部まで延びている。
また、ベース基板２の第１主面２ａには、凹部２４が凹部２１の左側縁部近傍から凹部２２に沿ってベース基板２の外周部まで設けられている。
一方、ベース基板２の第１主面２ａの反対側の第２主面２ｂには、平面視において、凹部２２と殆どの部分が重なるように、第２凹部としての凹部２３が設けられている。
この凹部２２〜２４は、平面視で配線に対応した形状をなしている。具体的には、凹部２２は、後述する第１配線としての配線４１及び第１接続端子としての電極４４に対応した形状をなし、凹部２３は、後述する第２配線としての配線４２及び第２接続端子としての電極４５に対応した形状をなし、凹部２４は、後述する配線４３及び電極４６に対応した形状をなしている。
【００３０】
ここで、凹部２２〜２４の深さ寸法は、それぞれ配線４１〜４３の厚さ寸法よりも大きくなっている。
また、凹部２２〜２４の電極４４〜４６が設けられた部位の深さは、それぞれ配線４１〜４３が設けられた部位よりも深くなっている。
このように凹部２２〜２４の一部の深さを深くすることにより、後述する物理量センサー１の製造時において、電極４４〜４６と、後にセンサー素子３となるセンサー基板との接合や外部部材との接触を回避することができる。
【００３１】
ベース基板２の構成材料としては、具体的には、絶縁性を有する、高抵抗なシリコン材料、ガラス材料を用いるのが好ましく、特に、センサー素子３がシリコン材料を主材料としたシリコン基板で構成されている場合、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックス（登録商標）ガラスのような硼珪酸ガラス）を用いるのが好ましい。
これにより、物理量センサー１は、ベース基板２（ガラス基板）とセンサー素子３（シリコン基板）とを陽極接合することができる。
【００３２】
また、ベース基板２の構成材料は、センサー素子３の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいことが好ましく、具体的には、ベース基板２の構成材料とセンサー素子３の構成材料との熱膨張係数差が３ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、ベース基板２とセンサー素子３との接合時などにおいて、高温下にさらされても、ベース基板２とセンサー素子３との間の残留応力（熱応力）を低減することができる。
【００３３】
センサー素子３は、固定部３１，３２と、可動部３３と、連結部３４，３５と、可動電極部３６，３７と、固定電極部３８，３９と、を備えている。
センサー素子３は、例えば、加速度や角速度などの物理量の変化に応じて、可動部３３及び可動電極部３６，３７が、連結部３４，３５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。物理量センサー１は、このような変位に伴って、可動電極部３６と固定電極部３８との間の隙間、及び可動電極部３７と固定電極部３９との間の隙間の大きさがそれぞれ変化する。
すなわち、物理量センサー１は、このような変位に伴って、可動電極部３６と固定電極部３８との間の静電容量、及び可動電極部３７と固定電極部３９との間の静電容量の大きさがそれぞれ変化する。したがって、物理量センサー１は、これらの静電容量の変化に基づいて、加速度や角速度などの物理量を検出することできる。
【００３４】
この固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５及び可動電極部３６，３７は、例えば、一枚のシリコン基板から一体的に形成されている。
固定部３１，３２は、それぞれ、前述したベース基板２の第１主面２ａに接合されている。具体的には、固定部３１は、ベース基板２の第１主面２ａの凹部２１に対して−Ｘ方向側（図中左側）の部分に接合され、固定部３２は、凹部２１に対して＋Ｘ方向側（図中右側）の部分に接合されている。また、固定部３１，３２は、平面視したときに、それぞれ、凹部２１と凹部２１の外周縁部とに跨るように設けられている。
【００３５】
なお、固定部３１，３２の位置及び形状などは、連結部３４，３５や配線４１，４２，４３の位置及び形状などに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。
２つの固定部３１，３２の間には、可動部３３が設けられている。本実施形態では、可動部３３は、Ｘ軸方向に延びる長手形状をなしている。なお、可動部３３の形状は、センサー素子３を構成する各部の形状、大きさなどに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。
【００３６】
可動部３３は、固定部３１に対して連結部３４を介して連結され、固定部３２に対して連結部３５を介して連結されている。より具体的には、可動部３３の左側の端部が連結部３４を介して固定部３１に連結されるとともに、可動部３３の右側の端部が連結部３５を介して固定部３２に連結されている。
この連結部３４，３５は、可動部３３を固定部３１，３２に対して変位可能に連結している。本実施形態では、連結部３４，３５は、図１にて矢印ａで示すように、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に可動部３３を変位し得るように構成されている。
【００３７】
具体的に説明すると、連結部３４は、２つの梁３４１，３４２で構成されている。そして、梁３４１，３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなしている。換言すると、梁３４１，３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では３回）折り返された形状をなしている。なお、各梁３４１，３４２の折り返し回数は、１回または２回であってもよいし、４回以上であってもよい。
同様に、連結部３５は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁３５１，３５２で構成されている。
【００３８】
このように、ベース基板２に対してＸ軸方向に変位可能に支持された可動部３３の幅方向での一方側（＋Ｙ方向側）には、可動電極部３６が設けられ、他方側（−Ｙ方向側）には、可動電極部３７が設けられている。
可動電極部３６は、可動部３３から＋Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３６１〜３６５を備えている。この可動電極指３６１，３６２，３６３，３６４，３６５は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。同様に、可動電極部３７は、可動部３３から−Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３７１〜３７５を備えている。この可動電極指３７１，３７２，３７３，３７４，３７５は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。
【００３９】
複数の可動電極指３６１〜３６５及び複数の可動電極指３７１〜３７５は、それぞれ、可動部３３の変位する方向（すなわちＸ軸方向）に並んで設けられている。
これにより、後述する固定電極部３８の固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量、及び固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量を可動部３３の変位に応じて効率的に変化させることができる。
同様に、後述する固定電極部３９の固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量、及び固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を可動部３３の変位に応じて効率的に変化させることができる。
可動電極部３６は、固定電極部３８に対して間隔を隔てて対向している。また、可動電極部３７は、固定電極部３９に対して間隔を隔てて対向している。
【００４０】
固定電極部３８は、前述した可動電極部３６の複数の可動電極指３６１〜３６５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３８１〜３８８を備えている。固定電極指３８１〜３８８の可動部３３側とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板２の上面の凹部２１に対して＋Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３８１〜３８８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が−Ｙ方向へ延びている。
【００４１】
固定電極指３８１〜３８８は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３８１，３８２は、対をなし、前述した可動電極指３６１，３６２の間に設けられ、固定電極指３８３，３８４は、対をなし、可動電極指３６２，３６３の間に設けられ、固定電極指３８５，３８６は、対をなし、可動電極指３６３，３６４の間に設けられ、固定電極指３８７，３８８は、対をなし、可動電極指３６４，３６５の間に設けられている。
【００４２】
ここで、固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８は、それぞれ、第１固定電極指であり、固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７は、それぞれ、ベース基板２上で第１固定電極指に対して空隙（間隙）を介して配置された第２固定電極指である。
このように、複数の固定電極指３８１〜３８８は、交互に並ぶ複数の第１固定電極指及び複数の第２固定電極指で構成されている。換言すれば、複数の固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指の一方の側に第１固定電極指が配置され、他方の側に第２固定電極指が配置されている。
【００４３】
第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７とは、ベース基板２上で互いに分離している。これにより、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７とを電気的に絶縁することができる。そのため、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量、及び第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
【００４４】
同様に、固定電極部３９は、前述した可動電極部３７の複数の可動電極指３７１〜３７５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３９１〜３９８を備えている。固定電極指３９１〜３９８の可動部３３とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板２の上面の凹部２１に対して−Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３９１〜３９８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が＋Ｙ方向へ延びている。
【００４５】
固定電極指３９１〜３９８は、―Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３９１，３９２は、対をなし、前述した可動電極指３７１，３７２の間に設けられ、固定電極指３９３，３９４は、対をなし、可動電極指３７２，３７３の間に設けられ、固定電極指３９５，３９６は、対をなし、可動電極指３７３，３７４の間に設けられ、固定電極指３９７，３９８は、対をなし、可動電極指３７４，３７５の間に設けられている。
【００４６】
ここで、固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８は、それぞれ、第１固定電極指であり、固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７は、それぞれ、ベース基板２上で第１固定電極指に対して空隙（間隙）を介して配置された第２固定電極指である。
このように、複数の固定電極指３９１〜３９８は、交互に並ぶ複数の第１固定電極指及び複数の第２固定電極指で構成されている。換言すれば、複数の固定電極指３９１〜３９８は、可動電極指の一方の側に第１固定電極指が配置され、他方の側に第２固定電極指が配置されている。
【００４７】
第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７とは、前述した固定電極部３８と同様、ベース基板２上で互いに分離している。これにより、第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量、及び、第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
【００４８】
センサー素子３の構成材料としては、前述したような静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能であれば、特に限定されないが、半導体が好ましく、具体的には、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコンなどのシリコン材料を用いるのが好ましい。
すなわち、固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５、複数の固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８及び複数の可動電極指３６１〜３６５，３７１〜３７５は、それぞれ、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。
【００４９】
シリコンは、エッチングにより高精度に加工することができる。そのため、センサー素子３をシリコンを主材料として構成することにより、センサー素子３の寸法精度を優れたものとし、その結果、物理量センサー１の高感度化を図ることができる。また、シリコンは疲労が少ないため、物理量センサー１の耐久性を向上させることもできる。
また、センサー素子３を構成するシリコン材料には、リン、ボロンなどの不純物がドープされていることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、センサー素子３の導電性を優れたものとすることができる。
【００５０】
また、センサー素子３は、前述したように、ベース基板２の第１主面２ａに固定部３１，３２及び固定電極部３８，３９が接合されることにより、ベース基板２に支持されている。
このようなセンサー素子３とベース基板２との接合方法は、特に限定されないが、陽極接合法を用いることが好ましい。
【００５１】
配線４１、配線４３は、前述したベース基板２の第１主面２ａ（固定電極部３８，３９側の面）に設けられ、配線４２は、ベース基板２の第２主面２ｂに設けられている。
詳述すると、配線４１は、前述したベース基板２の凹部２１の外側に設けられ、凹部２１の外周に沿うように凹部２２内に形成されている。そして、配線４１の一端部は、ベース基板２の第１主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）において、電極４４に接続されている。
配線４１は、前述したセンサー素子３の第１固定電極指である各固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８及び各固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８に電気的に接続されている。
【００５２】
また、配線４２は、平面視において、配線４１と殆どの部分が重なるように、前述したベース基板２の第２主面２ｂの凹部２３内に設けられている。そして、配線４２の一端部は、ベース基板２の第２主面２ｂの外周部において、前述した電極４４に対して、平面視において重なるように設けられた電極４５に接続されている。
配線４２は、内部電極としてのベース基板２を厚さ方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通電極４７１，４７２を介して、前述したセンサー素子３の第２固定電極指である固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７及び固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７に電気的に接続されている。なお、配線４２は、ベース基板２の内部に形成されていてもよい。
具体的には、ベース基板２を複数の基板が積層された積層基板として構成し、この積層基板の積層面に配線４２が形成されていてもよいということである。
【００５３】
配線４３は、ベース基板２の固定部３１との接合部から、ベース基板２の第１主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）に延びるように凹部２４内に設けられている。そして、配線４３の固定部３１側とは反対側の端部は、前述した電極４４に対して間隔を隔てて並ぶようにベース基板２の第１主面２ａの外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）において、電極４６に接続されている。
【００５４】
このような配線４１〜４３の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯなどの酸化物（透明電極材料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５５】
配線４１〜４３の構成材料としては、透明電極材料（特にＩＴＯ）を用いるのが好ましい。配線４１、配線４２がそれぞれ透明電極材料で構成されていると、ベース基板２が透明基板である場合、ベース基板２の第１主面２ａ上に存在する異物などをベース基板２の第２主面２ｂ側から容易に視認することができる。
【００５６】
また、電極４４〜４６の構成材料としては、それぞれ、前述した配線４１〜４３と同様、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる。本実施形態では、電極４４〜４６の構成材料として、後述する貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の構成材料と同じものが用いられている。
【００５７】
そして、配線４１上の、平面視において、センサー素子３の固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部４８１が設けられ、配線４１上の、平面視において、固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部４８２が設けられている。
そして、突起部４８１を介して固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と配線４１とが電気的に接続されるとともに、突起部４８２を介して固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１とが電気的に接続されている。
【００５８】
配線４２と、センサー素子３の固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７との間には、それぞれベース基板２を貫通し導電性を有する貫通電極４７１が設けられ、配線４２と、固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７との間には、それぞれベース基板２を貫通し導電性を有する貫通電極４７２が設けられている。
そして、貫通電極４７１を介して固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と配線４２とが電気的に接続されるとともに、貫通電極４７２を介して固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と配線４２とが電気的に接続されている。
配線４３上の、平面視において、センサー素子３の固定部３１と重なる部分には、導電性を有する突起部５０が設けられている。
そして、突起部５０を介して固定部３１と配線４３とが電気的に接続されている。
【００５９】
なお、図１に示すように、配線４１及び凹部２２は、貫通電極４７１，４７２を迂回して設けられている。
なお、図１では、説明の便宜上、配線４１及び配線４２の幅、電極４４及び電極４５のサイズを互いに異ならせて記載しているが、実際には、これらは等幅、同サイズが好ましい。
【００６０】
物理量センサー１は、電極４４（配線４１）及び電極４６（配線４３）を用いることにより、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量及び第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量を測定できる。
そして、物理量センサー１は、電極４５（配線４２）及び電極４６（配線４３）を用いることにより、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量及び第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を測定できる。
【００６１】
貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属単体またはこれらを含む合金などの金属が好適に用いられる。このような金属を用いて貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０を構成することにより、配線４１〜４３と固定電極部３８，３９及び固定部３１との間の接触抵抗を小さくすることができる。
【００６２】
また、図５、図６に示すように、配線４１、配線４３上には、絶縁膜６が設けられている。そして、前述した貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０上には、絶縁膜６は形成せずに貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の表面（上面）が露出している。
この絶縁膜６は、配線４１、配線４３とセンサー素子３の非接続部との電気的接続（短絡）を回避する機能を有する。これにより、物理量センサー１は、配線４１と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１との電気的接続、及び配線４３と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、固定部３１と配線４３との電気的接続を行うことができる。
【００６３】
本実施形態では、絶縁膜６は、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０及び電極４４〜４６の形成領域を除いて、ベース基板２の第１主面２ａ（凹部２１，２２，２４を含む）の略全域に亘って形成されている。なお、絶縁膜６の形成領域は、配線４１、配線４３を覆うことができれば、これに限定されず、例えば、ベース基板２の第１主面２ａのセンサー素子３との接合部位や蓋部材５との接合部位を除くような形状をなしていてもよい。
【００６４】
また、図５に示すように、蓋部材５と配線４３上の絶縁膜６との間には、隙間２２２が形成されている。図示しないが、この隙間２２２と同様の隙間が蓋部材５と配線４１上の絶縁膜６との間にも形成されている。隙間２２２は、蓋部材５内を減圧したり、不活性ガスを充填したりするのに用いることができる。
なお、隙間２２２は、蓋部材５とベース基板２とを接着剤により接合する際に、接着剤により塞いでもよい。
【００６５】
このような絶縁膜６の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を用いることができるが、ベース基板２がガラス材料（特に、アルカリ金属イオンが添加されたガラス材料）で構成されている場合、二酸化珪素（ＳｉＯ2）を用いることが好ましい。これにより、物理量センサー１は、前述したような短絡を回避することができる。
【００６６】
また、絶縁膜６の厚さ（平均厚さ）は、特に限定されないが、１０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。物理量センサー１は、このような厚さの範囲で絶縁膜６を形成すると、前述したような短絡を回避することができる。
また、物理量センサー１は、ベース基板２がアルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成され、且つ、センサー素子３がシリコンを主材料として構成されている場合、ベース基板２の第１主面２ａのセンサー素子３との接合部位に絶縁膜６が存在していても、絶縁膜６を介してベース基板２とセンサー素子３とを陽極接合することができる。
【００６７】
蓋部材５は、前述したセンサー素子３を保護する機能を有する。
蓋部材５は、板状をなし、その一方の面（下面）に凹部５１が設けられている。この凹部５１は、センサー素子３の可動部３３及び可動電極部３６，３７などの変位が可能なようにセンサー素子３との間に空隙を設けて形成されている。
【００６８】
そして、蓋部材５の下面は、前述したベース基板２の第１主面２ａに接合されている。蓋部材５とベース基板２との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法などを用いることができる。
また、蓋部材５の構成材料としては、前述したような機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料などを好適に用いることができる。
【００６９】
次に、物理量センサー１の製造方法の一例について説明する。
図７（ａ）〜（ｅ）、図８（ａ）〜（ｃ）、図９（ａ）〜（ｄ）は、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図である。
【００７０】
物理量センサー１の製造方法は、配線形成工程と、絶縁膜形成工程と、接合工程と、センサー素子形成工程と、蓋部材接合工程と、分割工程と、を含んでいる。
なお、ここでは、複数個取りを前提として説明するが、個別に製造しても構わない。
【００７１】
［配線形成工程］
まず、図７（ａ）に示すように、後に個片化することでベース基板２となるウエハー状の基板１０２を用意する。
次に、図７（ｂ）に示すように、基板１０２の上面（第１主面１０２ａ）及び下面（第２主面１０２ｂ）をエッチングすることにより、凹部２１，２２，２３及び貫通孔２３ａを形成する。このとき、図７（ｂ）では図示しないが、凹部２４も同様に形成する。
【００７２】
凹部２１〜２４及び貫通孔２３ａの形成方法（エッチング方法）としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングなどの物理的エッチング法、ウェットエッチングなどの化学的エッチング法などのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。
【００７３】
また、上述したようなエッチングに際しては、例えば、フォトリソグラフィー法により形成されたマスクを好適に用いることができる。また、マスク形成、エッチング、マスク除去を複数回繰り返し、凹部２１と凹部２２〜２４と貫通孔２３ａとを順に形成することができる。そして、このマスクは、エッチング後に、除去される。このマスクの除去方法としては、例えば、マスクがレジスト材料で構成される場合には、レジスト剥離液、マスクが金属材料で構成される場合には、リン酸溶液のようなメタル剥離液などを用いることができる。
なお、マスクとして、例えば、グレースケールマスクを用いることにより、凹部２１と凹部２２〜２４と（深さの異なる複数の凹部）を一括形成してもよい。
【００７４】
次に、図７（ｃ）に示すように、基板１０２に配線４１〜４３、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０を形成する。
以下、図９に基づき、配線４１〜４３、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の形成について詳述する。
まず、図９（ａ）に示すように、凹部２２内に配線４１を形成するとともに、凹部２３内に配線４２を形成する。このとき、図９では図示しないが、凹部２４内に配線４３を配線４１、配線４２と一括して形成する。そして、複数の貫通孔２３ａ内に貫通電極４７１，４７２を形成する。
【００７５】
そして、図９（ｂ）に示すように、配線４１に複数の突起部４８１，４８２を形成（成膜）する。このとき、図９（ｂ）では図示しないが、配線４１に電極４４を形成し、配線４２に電極４５を形成し、配線４３に突起部５０及び電極４６を形成する。なお、突起部４８１，４８２，５０の形成は、貫通電極４７１，４７２の形成前に行ってもよい。
【００７６】
配線４１〜４３、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の形成方法（成膜方法）としては、特に限定されないが、例えば、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、薄膜接合法などが挙げられる。なお、以下の各工程における成膜においても、同様の方法を用いることができる。
【００７７】
なお、基板１０２には、絶縁性を有する絶縁性基板を用いることが好ましく、絶縁性基板として透明基板を用いることがより好ましい。具体的には、基板１０２には、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックス（登録商標）ガラスのような硼珪酸ガラス）を用いたガラス基板を用いることが好ましい。
また、配線４１〜４３の構成材料としては、透明電極材料（特にＩＴＯ）を用いることが好ましい。
【００７８】
［絶縁膜形成工程］
次に、図９（ｃ）に示すように、配線４１などを覆うように、基板１０２の第１主面１０２ａに絶縁膜１０６を形成（成膜）する。ここで、絶縁膜１０６は、後述する個片化を経て絶縁膜６となるものである。
次に、図９（ｄ）に示すように、絶縁膜１０６の貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２を覆っている部分を除去する。また、図９（ｄ）では図示しないが、絶縁膜１０６の突起部５０及び電極４４〜４６を覆っている部分も除去する。これにより、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０及び電極４４〜４６を露出させる。
なお、この際、貫通電極４７１，４７２、突起部４８１，４８２，５０の上面は、絶縁膜１０６の上面と殆ど段差がない状態になっている。
【００７９】
［接合工程］
図７に戻って、次に、図７（ｄ）に示すように、後に複数のセンサー素子３となるウエハー状のセンサー基板１０３を用意し、基板１０２の第１主面１０２ａにセンサー基板１０３を接合する。これにより、センサー基板１０３と貫通電極４７１，４７２及び突起部４８１，４８２とが接続される。このとき、図７（ｄ）では図示しないが、センサー基板１０３と突起部５０とが同様に接続される。
なお、基板１０２とセンサー基板１０３との接合には、陽極接合法を用いることが好ましい。
【００８０】
ここで、センサー基板１０３は、センサー素子３の厚さより厚くしておくことが好ましい。これにより、センサー基板１０３の取り扱い性を向上させることができる（例えば、搬送時、段取り時などにおける破損低減など）。なお、センサー基板１０３の厚さは、センサー素子３の厚さと同じであってもよい。
なお、センサー基板１０３には、半導体基板であるシリコン基板を用いることが好ましく、貫通電極４７１，４７２及び突起部４８１，４８２，５０の構成材料としては、Ａｕを用いることが、接触抵抗を小さくする上で好ましい。
【００８１】
次に、図７（ｅ）に示すように、センサー基板１０３をセンサー素子３の厚さまで肉薄化する。肉薄化の方法は、特に限定されないが、例えば、ＣＭＰ法、ドライポリッシュ法を好適に用いることができる。
なお、センサー基板１０３の厚さが、当初からセンサー素子３の厚さと同じであれば、この肉薄化は必要ない。
【００８２】
［センサー素子形成工程］
次に、図８（ａ）に示すように、センサー基板１０３をエッチングすることによりセンサー素子３を形成する。
【００８３】
［蓋部材接合工程］
次に、図８（ｂ）に示すように、基板１０２の第１主面１０２ａに、複数の凹部５１を有し個片化することにより蓋部材５となるウエハー状の基板１０５を接合する。これにより、基板１０２と基板１０５とで各センサー素子３を各凹部５１内に収容する。
なお、基板１０２と基板１０５との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法などを用いることができる。
【００８４】
［分割工程］
次に、図８（ｃ）に示すように、センサー素子３を収容し一体となった基板１０２及び基板１０５を、図示しない分割装置（ダイシング装置）などを用いてセンサー素子３毎の個片に分割することにより、物理量センサー１を得る。
なお、分割により、基板１０２はベース基板２となり、基板１０５は蓋部材５となる。
【００８５】
上述したように、本実施形態の物理量センサー１は、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８がベース基板２の第１主面２ａに設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７が貫通電極４７１，４７２を介して第１主面２ａの反対側の第２主面２ｂに設けられた配線４２に接続されている。
これにより、物理量センサー１は、配線４１と配線４２とがそれぞれ異なる面（第１主面２ａ及び第２主面２ｂ）に設けられたことから、配線４１と配線４２とが共に同じ面に設けられた従来構成と比較して、スペース効率が向上し、更なる小型化を図ることが可能となる。
【００８６】
また、物理量センサー１は、配線４１が第１主面２ａに、配線４２が第２主面２ｂに設けられたことから、配線４１と配線４２とを互いに近接させずに配置することができる。
これにより、物理量センサー１は、配線４１と配線４２との間の寄生容量を低減できることから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度を向上させることが可能となる。
【００８７】
加えて、物理量センサー１は、配線４１が第１主面２ａに、配線４２が第２主面２ｂに設けられたことから、例えば、配線４１と配線４２とに跨る異物などを介しての配線４１と配線４２との短絡を回避できる。
これにより、物理量センサー１は、信頼性を向上させることができる。
【００８８】
また、物理量センサー１は、配線４１及び配線４２の殆どの部分が、平面視において、互いに重なっていることから、配線４１及び配線４２の長さを略等しくすることができる。
この結果、物理量センサー１は、配線４１及び配線４２のそれぞれの寄生容量を略等しくすることができることから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度を向上させることが可能となる。
【００８９】
また、物理量センサー１は、平面視において、電極４４と電極４５とが互いに重なっていることから、外部への接続スペースの縮小化を図ることができる。
この結果、物理量センサー１は、スペース効率が向上し、更なる小型化を図ることが可能となる。
加えて、物理量センサー１は、平面視において、電極４４と電極４５とが互いに重なっていることから、例えば、電極４４を外部部材へ接続する際に、直下の電極４５のハンダなどの接合材による固定により、電極４４へのワイヤーボンディングを、ワイヤーボンディング時の力の分散が抑制された状態で容易に行うことができる。
【００９０】
また、物理量センサー１は、ベース基板２の第１主面２ａの凹部２２内に配線４１が設けられ、凹部２２の深さ寸法が配線４１の厚さ寸法よりも大きいことから、配線４１の、第１主面２ａからの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサー１は、配線４１とセンサー素子３の非接続部位（例えば、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７）との短絡を回避することが可能となる。
同様に、物理量センサー１は、ベース基板２の第２主面２ｂの凹部２３内に配線４２が設けられ、凹部２３の深さ寸法が配線４２の厚さ寸法よりも大きいことから、配線４２の、第２主面２ｂからの突出を回避することができる。
この結果、物理量センサー１は、配線４２と外部の非接続部材（例えば、外部の実装基板の非接続パターン）との短絡を回避することが可能となる。
【００９１】
また、物理量センサー１は、ベース基板２が絶縁性を有する材料（例えば、ガラスなど）で構成され、固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８を備えたセンサー素子３が半導体材料（例えば、シリコンなど）で構成されたことから、ベース基板２と固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８との絶縁分離を確実に行うことができる。
【００９２】
（変形例）
次に、上記実施形態の変形例について説明する。
図１０は、変形例の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図である。なお、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して詳細な説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００９３】
図１０に示すように、物理量センサー１０１は、第２配線としての配線１４２のＹ軸方向に延びる部分が、平面視において、凹部２１の右側（＋Ｘ方向側）を迂回することなく、固定電極指３８７に接続された貫通電極４７１と、固定電極指３９７に接続された貫通電極４７２とを結ぶように設けられている。
また、物理量センサー１０１は、平面視において、電極４５が電極４４と重ならない、電極４４よりも＋Ｙ方向側の位置に設けられている。
また、物理量センサー１０１は、配線１４２が上記のような配置により配線４１よりも短くなったことに対応して、配線１４２に付加される寄生容量を調整する幅広な容量調整部１４２ａが設けられている。
これにより、物理量センサー１０１は、配線１４２に付加される寄生容量を配線４１に付加される寄生容量と略等しくすることができる。
なお、第２凹部としての凹部１２３は、上記の配線１４２、容量調整部１４２ａ及び電極４５の配置や形状に対応して形成されている。
これによれば、物理量センサー１０１は、上記実施形態に準じた効果を奏することができる。
【００９４】
（電子機器）
次に、上記実施形態及び変形例の物理量センサーを用いた電子機器を説明する。
図１１は、物理量センサーを用いた電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
図１１に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１が内蔵されている。なお、パーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１に代えて物理量センサー１０１が内蔵されていてもよい。
【００９５】
図１２は、物理量センサーを用いた電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
図１２に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、物理量センサー１が内蔵されている。なお、携帯電話機１２００には、物理量センサー１に代えて物理量センサー１０１が内蔵されていてもよい。
【００９６】
図１３は、物理量センサーを用いた電子機器としてのディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図１３には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００９７】
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、物理量センサー１が内蔵されている。なお、ディジタルスチルカメラ１３００には、物理量センサー１に代えて物理量センサー１０１が内蔵されていてもよい。
【００９８】
このような電子機器は、小型化及び高精度化された物理量センサー１または物理量センサー１０１を備えるので、より小型化されるとともに、優れた性能を発揮することができる。
なお、上記物理量センサーを用いた電子機器は、図１１のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１２の携帯電話機、図１３のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーターなどに適用することができる。
【００９９】
以上、本発明の物理量センサー及び電子機器について図示の実施形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、固定電極部は、櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指の少なくとも１つの固定電極指がその他の固定電極指に対して絶縁性を有する基板上で分離していれば、前述した実施形態及び変形例に限定されない。
【０１００】
また、固定電極部の複数の固定電極指と、これに噛み合うように設けられた可動電極部の複数の可動電極指との本数、配置及び大きさなどの形態は、前述した実施形態及び変形例に限定されない。
また、可動部は、Ｙ軸方向に変位させるように構成してもよいし、Ｘ軸に平行な軸線まわりに回動させるように構成してもよい。この場合は、可動電極指と固定電極指との対向面積の変化による静電容量変化に基づいて物理量を検出すればよい。
【符号の説明】
【０１０１】
１…物理量センサー、２…基板としてのベース基板、２ａ…第１主面、２ｂ…第２主面、３…センサー素子、５…蓋部材、６…絶縁膜、２１…凹部、２２…第１凹部としての凹部、２３…第２凹部としての凹部、２４…凹部、３１，３２…固定部、３３…可動部、３４，３５…連結部、３６，３７…可動電極部、３８，３９…固定電極部、４１…第１配線としての配線、４２…第２配線としての配線、４３…配線、４４〜４６…電極、５０…突起部、５１…凹部、３４１，３４２，３５１，３５２…梁、３６１〜３６５，３７１〜３７５…可動電極指、３８１〜３８８，３９１〜３９８…固定電極指（３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８…第１固定電極指、３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７…第２固定電極指）、４７１，４７２…貫通電極、４８１，４８２…突起部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１主面に設けられた固定部と、
前記固定部に連結部を介して変位可能に連結された可動部と、
前記可動部に設けられた可動電極指と、
前記基板の前記第１主面に設けられ、且つ、前記可動電極指に対向して配置された固定電極指と、を備え、
前記固定電極指は、前記可動電極指の一方の側に配置された第１固定電極指と、他方の側に配置された第２固定電極指と、を有し、
前記第１固定電極指は、前記基板の前記第１主面に設けられた第１配線に接続され、
前記第２固定電極指は、前記基板の内部に設けられた内部電極を介して、基板内部または前記第１主面の反対側の第２主面に設けられた第２配線に接続されたことを特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
請求項１に記載の物理量センサーにおいて、前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一部が、平面視において、互いに重なっていることを特徴とする物理量センサー。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の物理量センサーにおいて、前記第１配線の一端部は、前記基板の前記第１主面に設けられた第１接続端子と接続され、前記第２配線の一端部は、前記基板の前記第２主面に設けられた第２接続端子と接続され、
平面視において、前記第１接続端子と前記第２接続端子とが互いに重なっていることを特徴とする物理量センサー。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、前記基板の前記第１主面には、第１凹部が設けられ、該第１凹部内に前記第１配線が設けられたことを特徴とする物理量センサー。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、前記基板の前記第２主面には、第２凹部が設けられ、該第２凹部内に前記第２配線が設けられたことを特徴とする物理量センサー。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、前記基板は、絶縁性を有する材料で構成され、前記固定電極指は、半導体材料で構成されたことを特徴とする物理量センサー。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の物理量センサーを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１主面に設けられた固定部と、
前記固定部に連結部を介して変位可能に連結された可動部と、
前記可動部に設けられた可動電極指と、
前記基板の前記第１主面に設けられ、且つ、前記可動電極指に対向して配置された固定電極指と、を備え、
前記固定電極指は、前記可動電極指の一方の側に配置された第１固定電極指と、他方の側に配置された第２固定電極指と、を有し、
前記第１固定電極指は、前記基板の前記第１主面に設けられた第１配線に接続され、
前記第２固定電極指は、前記基板の内部に設けられた内部電極を介して、基板内部または前記第１主面の反対側の第２主面に設けられた第２配線に接続されたことを特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
請求項１に記載の物理量センサーにおいて、前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一部が、平面視において、互いに重なっていることを特徴とする物理量センサー。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の物理量センサーにおいて、前記第１配線の一端部は、前記基板の前記第１主面に設けられた第１接続端子と接続され、前記第２配線の一端部は、前記基板の前記第２主面に設けられた第２接続端子と接続され、
平面視において、前記第１接続端子と前記第２接続端子とが互いに重なっていることを特徴とする物理量センサー。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、前記基板の前記第１主面には、第１凹部が設けられ、該第１凹部内に前記第１配線が設けられたことを特徴とする物理量センサー。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、前記基板の前記第２主面には、第２凹部が設けられ、該第２凹部内に前記第２配線が設けられたことを特徴とする物理量センサー。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、前記基板は、絶縁性を有する材料で構成され、前記固定電極指は、半導体材料で構成されたことを特徴とする物理量センサー。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の物理量センサーを備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１３−１５４７８（Ｐ２０１３−１５４７８Ａ）
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１４９８０１（Ｐ２０１１−１４９８０１）
【出願日】平成２３年７月６日（２０１１．７．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月６日（２０１１．７．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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