【課題】ベース基板と可動部との貼り付きを防止するとともに、落下等の衝撃時におけるベース基板の可動部に対する緩衝効果を向上させることが可能な物理量センサー素子、及び物理量センサー素子を備えた電子機器の提供。
【解決手段】センサー素子１は、ベース基板２と、ベース基板２上に設けられ、加えられた物理量に応じて可動する可動部３３と、を備え、ベース基板２の空洞部２１の底面には、平面視で可動部３３と重複する位置に突起（２５ａ，２５ｂ，２５ｃ等）が設けられ、突起（２５ａ，２５ｂ，２５ｃ等）は、ベース基板２と一体で設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した物理量センサー素子、物理量センサー素子を備える物理量センサー、および、物理量センサー素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の上方に設けられている可動部３３と、可動部３３に設けられている可動電極指３６１〜３６５、３７１〜３７５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ可動電極指３６１〜３６５、３７１〜３７５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８、３９１〜３９８と、を含み、絶縁基板２には、配線４１、４２、４３を有する凹部２２、２３、２４が設けられ、平面視で配線４１、４２、４３と重なる位置の素子片３に凸部４７１、４７２、４８１、４８２、５０が設けられ、配線４１、４２、４３と凸部４７１、４７２、４８１、４８２、５０とが接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性ばらつきの小さい電気機械変換装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】電気機械変換装置１は、第１電極４と、間隙５を隔てて第１電極４と対向して設けられた第２電極６を備える振動膜７と、振動膜７を支持する支持部８と、で構成されるセルを複数有する。間隙５の外周部に、間隙５との間で支持部８の一部を介在させて、振動膜７と支持部８との間の段差を小さくするための構造物１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】検出感度を向上させることが可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】加速度センサー１は、第１凹部１１が設けられたベース基板１０と、第１凹部１１の上方に配置され、支持部２３ａ，２３ｂにより第１凹部１１の深さ方向に揺動可能に支持されたセンサー部２１と、を備え、センサー部２１は、支持部２３ａ，２３ｂを境に第１部分２１Ａと第２部分２１Ｂとに区分され、第１部分２１Ａ及び第２部分２１Ｂに可動電極部を有し、且つ、第１部分２１Ａよりも質量が大きい第２部分２１Ｂには、少なくとも先端側に貫通孔２４が形成され、ベース基板１０は、第１凹部１１における可動電極部に対向する位置に固定電極部１２，１３を有し、且つ、固定電極部１２，１３よりもセンサー部２１の先端寄りであって、センサー部２１の先端側に対向する部分に、第１凹部１１よりも深い第２凹部１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】検出精度などの検出特性の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー１は、ベース基板２と、ベース基板２の主面２ａに設けられた固定部３１，３２と、連結部３４，３５と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、ベース基板２の主面２ａに設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を備え、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と、を有し、第１固定電極指（３８２など）は、ベース基板２の主面２ａ側に設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指（３８１など）は、配線４２に接続され、配線４１，４２間には、配線４１と配線４２とを隔てるシールド部４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子複合材料層である。前記高分子複合材料層は、高分子基材及び該高分子基材に分散された複数のカーボンナノチューブからなる。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置される。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサーの製造方法は、ベース基板に溝部を形成し、溝部内に配線を設けるベース基板配線形成工程Ｓ１と、センサー基板に導電性を有する突起部を設けるセンサー基板突起部形成工程Ｓ２と、配線と突起部とが、平面視において、互いに重なるようにベース基板とセンサー基板とを位置合わせする位置合わせ工程Ｓ３と、ベース基板とセンサー基板とを接合し、配線と突起部とを接続する接合工程Ｓ４と、センサー基板をエッチングしてセンサー素子を形成するセンサー素子形成工程Ｓ５と、を含み、配線の厚さ寸法ｔ１を溝部の深さ寸法ｄよりも小さく、且つ、配線の厚さ寸法ｔ１と突起部の厚さ寸法ｔ２との和を、溝部の深さ寸法ｄよりも大きくすることを特徴とする（ｄ＞ｔ１、且つ、ｄ＜（ｔ１＋ｔ２））。 （もっと読む）

【課題】小型化及び検出精度の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー１は、ベース基板２と、ベース基板２の第１主面２ａに設けられた固定部３１，３２と、連結部３４，３５と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、ベース基板２の第１主面２ａに設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を備え、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と、を有し、第１固定電極指（３８２など）は、ベース基板２の第１主面２ａに設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指（３８１など）は、貫通電極４７１を介してベース基板２の第２主面２ｂに設けられた配線４２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】センサー部やベース基板の損傷を抑制しつつ、製造時などにおけるベース基板とセンサー部との貼り付きを回避可能な物理量センサー、および物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサー１は、肉薄部６ａおよび肉厚部６ｂが設けられたベース基板６と、ベース基板６の肉薄部６ａの上方に揺動可能に配置されたセンサー部４と、を有し、ベース基板６には、平面視でセンサー部４の端部と重複する肉薄部６ａの少なくとも一部に導電膜９，１０が設けられ、導電膜９，１０が、肉厚部６ｂの表面の少なくとも一部まで延びていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧力センサと高精度の力学量センサとが最適にモジュール化されて、各力学量センサの性能がモジュール化に伴い低下することのない安価な力学量センサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力を検出する第１力学量センサＲ１の第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量センサＲ２の第２力学量検出部Ｍ２とが、第１の基板１０に変位可能な状態に形成され、第２の基板２０が貼り合わされて第１空間Ｋ１と第２空間Ｋ２が互いに連通せずに形成されてなり、第１の基板１０がＳＯＩ基板からなり、ＳＯＩ層３からなる一部の半導体領域Ｓで第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量検出部Ｍ２がそれぞれ構成されてなり、第２力学量検出部Ｍ２が、第２可動半導体領域Ｓ２ａと第２固定半導体領域Ｓ２ｂの対向する面の静電容量の変化を測定して、第２力学量を検出する力学量センサ装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】低コストのマイクロ電気機械システムセンサを提供する。
【解決手段】マイクロ電気機械システムセンサ２０は、基板２１、基板２１に位置するマイクロ電気機械システム部品エリア２７、薄膜層２９、接着層２２、および、複数のＳｉ貫通電極２６を備える。基板２１は、第一表面２１１および第二表面２１２、ならびにマイクロ電気機械システム部品エリア２７を有する。薄膜層２９は、マイクロ電気機械システム部品エリア２７に被さってチャンバを密閉することによって密閉空間を形成する。キャップ２４は、接着層２２によってマイクロ電気機械システム部品エリア２７に固着する。複数のＳｉ貫通電極２６は、第二表面２１２まで伸びるようにマイクロ電気機械システム部品エリア２７に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術をベースとして加速度センサを製造する場合、複雑構成の加速度センサを得ることができるものの、ＭＥＭＳ特有の製造プロセスを経る必要があり、通常の半導体製造プロセスとの親和性は低い。
【解決手段】半導体装置１００は、凹状のガス流路２２が設けられた積層体１０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出するヒータ４０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出し、かつガス流路２２の延在方向においてヒータ４０を挟み込むように配置された複数の熱センサ３０、５０と、を有する。通常の半導体製造プロセスに対して親和性が高い加速度センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）

【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基板１２と、前記第１基板１２上に設けられ、且つ、素子部を有する第２基板５０と、を備え、前記第１基板１２と前記第２基板５０との間には内部空間６８が設けられ、前記第１基板１２および前記第２基板５０の互いに対向する面の少なくとも一方には、前記内部空間６８と外部とを連通する排気溝２４が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子１は、絶縁基板２と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を含み、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と、を含み、第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることができる物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、支持基板３と、支持基板３上に互いに離間して設けられた第１固定電極４１および第２固定電極４２と、第１固定電極４１に対して第１間隙を介して対向するとともに、第２固定電極４２に対して第２間隙を介して対向する可動電極２２と、支持基板３に対して固定的に設けられた固定部２１と、固定部２１に対して可動電極２２を回動可能に連結する連結部２３、２４とを有し、可動電極２２には、可動電極２２の回動に際し第１間隙および第２間隙のうちの少なくとも一方の間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑制しながら、互いに絶縁すべき複数の配線を交差させることができ、しかも物理量検出を良好に維持することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】表面２１に一対のＸ−検出素子Ｄ_Ｘが設けられたＳＯＩ基板２上の第２層間膜２０上に、これらＸ−検出素子Ｄ_Ｘ間を接続する素子間配線４３を敷設する。一方、第２層間膜２０上において、素子間配線４３を横切る方向にＸ−ブリッジ配線３１の主配線３６およびＺ−検出上部電極配線３３の主配線３６が敷設されている。これらの主配線３６との接触を避けるために、Ｘ−検出素子Ｄ_Ｘの下部電極２５と同一層に中継配線４５を形成し、この中継配線４５を利用して素子間配線４３が構成する回路を第２層間膜２０内に迂回させる。 （もっと読む）

【課題】導通不良を起こしてしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサは、固定板２と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、固定電極側金属接触部２５および半導体基板側金属接触部１３の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル１４で被覆するようにした。 （もっと読む）

【課題】電気機械変換エレメント間の静電容量を低減して、エレメント間の信号のクロストークを低減することができる電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置１０では、絶縁部７を介して対向する位置に設けられた第１電極３と第２電極６とを含む電気機械変換エレメント２が半導体基板１の一方の面に形成された絶縁層５上に複数形成されている。第１電極３とは絶縁されて絶縁層５上のエレメント２間に配設された導体配線４と、導体配線４に電圧を印加する第１電圧印加部１２と、導体配線４とは極性の異なる電圧を第１電極３に印加する第２電圧印加部１３が設けられている。半導体基板１の他方の面の一部は接地されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で超音波送受信の性能を向上させることができる超音波トランスデューサ、超音波探触子および超音波撮像装置を提供する。
【解決手段】超音波トランスデューサは、基板１上に形成した下部電極２（第１の電極）の上に、内部に空隙４を有する内側ダイヤフラム層５ａを形成し、その上に上部電極３（第２の電極）、外側ダイヤフラム層５ｂを順に形成し、さらに外側ダイヤフラム層５ｂの上にダイヤフラムの対向する頂点間を結ぶ梁７を形成したものである。下部電極２と上部電極３とは、内部に空隙４を有する内側ダイヤフラム層５ａを介して対向し、コンデンサを構成する。 （もっと読む）