【課題】この発明は、段差などを設けて勘合部保護を行い、気密封止性能が得られるセンサー素子を提供するものである。
【解決手段】主面上にダイヤフラムが構成される第１の基材と、前記第１の基材の反ダイヤフラム面側に配設される第２の基材と、前記第１の基材の前記ダイヤフラム直下に設けられるキャビティと、前記キャビティを気密封止するため前記第１の基材と前記第２の基材との接合位置に設けられる勘合部と、前記勘合部に設けられ、前記第１の基材と前記第２の基材との勘合状態を保護する段差部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】エアーダンピングを抑制することで慣性質量体が基板側に変位する場合と慣性質量体が基板と反対側に変位する場合との感度差を抑制することによって高精度の加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、基板１と、検出電極２と、ねじれ梁３と、検出プレート４と、リンク梁５と、一方面６ａと他方面６ｂとが対向する方向に変位可能にリンク梁５に支持された慣性質量体６とを備えている。慣性質量体６は、該方向に慣性質量体６を貫通するように設けられた複数の第１の貫通孔Ｈ１を含んでいる。検出プレート４は、該方向に検出プレート４を貫通するように設けられた複数の第２の貫通孔Ｈ２を含んでいる。第１の貫通孔Ｈ１は、第２の貫通孔Ｈ２より大きい開口面積を有している。 （もっと読む）

【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス、圧電モジュール、電子機器、電子システム及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー１の感圧素子層１００は、一辺を二分するように切り欠くスリット１２６が設けられ、スリット１２６により一対の接続部が分離して配置される。一対の接続部は少なくとも一部がダイアフラム層２００よりも外側へ露出している。感圧素子層１００は、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに信号の異なる第１パッド電極３４、第２パッド電極３６と、スリット１２６の隣り合う側面とは反対側の側面のうち一方の側面に設けられ、他方の主面に設けられた第１引出し電極１０９と、第１引出し電極１０９と信号が同じ第１電極パッド３４とを電気的に接続する側面電極１３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス、圧電モジュール、電子機器、電子システム及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー１の感圧素子層１００は、一辺を二分するように切り欠くスリット１２６が設けられ、スリット１２６により一対の接続部が分離して配置され、前記一対の接続部は、少なくとも一部がダイアフラム層２００よりも外側へ露出しており、感圧素子層１００は、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに極性の異なる第１パッド電極３４、第２パッド電極３６と、一対の接続部のうちの何れか一方の接続部の側面に設けられ、他方の主面に設けられた第１引出し電極１０９と、該引出し電極１０９と極性が同じ第１パッド電極３４とを電気的に接続する側面電極１３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】放電防止用の配線部の切断に伴う不具合の発生を抑制する。
【解決手段】センサチップ１の上面に絶縁材料製の保護壁12が形成されている。また保護壁12の一部である第１保護壁120は、放電防止用配線部25，26と可動電極4A，4Bを導通させる導電部11を放電防止用配線部25，26と隔てる位置に起立している。故に、放電防止用配線部25，26の切断部分Ｘの金属材料Ｙは、保護壁12に遮られることで広い範囲に飛散しないので、不要な箇所(導電部11)への付着が抑制される。その結果、放電防止用配線部25，26の切断に伴う不具合の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】平板状空洞を形成する際におけるホール半径Ｒと、ホールとホールの最短距離Ｓのプロセスマージンを広げ、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１の表面にホール４を複数形成し、非酸化性雰囲気のアニール処理により、該半導体基板１の表面を半導体の表面マイグレーションを利用して平坦化し、基板内部に平板状空洞６を形成する際に、前記ホール４の開口部が閉じる前に半導体のソースガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】 テーパー面を備えた膜支持部を有する微小機械音響トランスデューサを提供する。
【解決手段】 微小機械音響トランスデューサの製造方法は、基板構成の第１主面上に、第１のエッチング速度およびこれより低い第２のエッチング速度をそれぞれ有する第１および第２の膜支持材料の連続的な層を堆積させるステップを含んでいる。次いで膜材料層が堆積される。キャビティが、膜支持材料および膜材料の反対側にある基板構成の側から、少なくとも当該キャビティが第１の膜支持材料層へ延長するまで、基板構成内に形成される。第１および第２の膜支持材料層は、同様に第１の領域を囲む第２の領域にあるキャビティの延長部分に位置する少なくとも１個の第１の領域のキャビティを通してエッチング剤を適用することによりエッチングされる。エッチングにより、第２の領域内の第２の膜支持材料層の上にテーパー面が形成される。エッチングは、少なくとも第２の膜支持材料層が第１の領域内で除去されて膜材料層が露出するまで続く。 （もっと読む）

【課題】検出精度の低下を抑制可能な力学量センサを提供する。
【解決手段】接合部３００において、枠の外形を構成する外形輪郭線が矩形状の角部が除去された多角形状にする。これによれば、接合部が矩形枠状とされている従来の力学量センサに対して、角部が除去された部分では一辺の長さが短くなるために膨張量・収縮量が小さくなる。このため、角部が除去されることによって新たに形成された角部に発生する応力を低減することができ、当該角部からセンサ基板１００に印加される応力を小さくすることができる。したがって、検出精度が低減することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 製造工程に新たな工程を追加することなく、スティクションが発生し難い静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持基板１０９と、支持基板１０９上の固定電極１０４、１０５と、ばね性を有し、支持基板１０９に固定アンカ１０６、１０６を介して固定される梁部１０２、１０２と、２つの梁部１０２の間にあって、可動電極１０３を有する質量部１１１とを含み、２つの固定アンカ１０６同士を結ぶ仮想的な直線を質量部１１１に平行移動させた直線ｒによって質量部１１１を第１質量部１１０と第２質量部１２０とに分けた場合、第１質量部１１０と第２質量部１２０の質量とが異なるように加速度センサを構成する。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を小さくできるとともに、製造が容易なピエゾ抵抗体等を提供する。
【解決手段】半導体材料に外力が作用したときの抵抗値の変化を利用するピエゾ抵抗体である。半導体材料として、表面の終端の少なくとも一部が水素終端とされたｐ型半導体特性を持つダイヤモンドを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】真空室３３内に設けられ基板３１に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有し基板に平行に且つ互いに平行に設けられた第１，第２のシリコン単結晶の振動梁３２ａ、３２ｂと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の一端に接続される板状の第１の電極板３４ａと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の間に設けられた第２の電極板３４ｂと、第１，第２の振動梁の両側に第１，第２の振動梁を挟んで且つ第１，第２の振動梁と第１，第２の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第３，第４の電極板３４ｃ、３４ｄと、振動梁と第２、第３，第４の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部３７とを具備した。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極が同一層に形成され、可動部の変位が支持基板の厚さ方向に対して生じるセンサの場合、可動部の変位の大きさを検出することができても、変位の方向を検出することができない。
【解決手段】半導体物理量検出センサに、(1) 可動電極と、前記可動電極と共通の第一の導電層に形成された第一の固定電極とで形成される第一の静電容量と、(2) 可動電極と、前記可動電極とは基板面上からの高さが異なる第二の導電層に形成された第二の固定電極とで形成される第二の静電容量と、(3) 物理量が印加されたときに生じる第一及び第二の静電容量の変化に基づいて物理量を算出する演算回路とを設ける。ここで、第一の静電容量からの電気信号と第二の静電容量からの電気信号が、それぞれ演算回路に入力される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術をベースとして加速度センサを製造する場合、複雑構成の加速度センサを得ることができるものの、ＭＥＭＳ特有の製造プロセスを経る必要があり、通常の半導体製造プロセスとの親和性は低い。
【解決手段】半導体装置１００は、凹状のガス流路２２が設けられた積層体１０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出するヒータ４０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出し、かつガス流路２２の延在方向においてヒータ４０を挟み込むように配置された複数の熱センサ３０、５０と、を有する。通常の半導体製造プロセスに対して親和性が高い加速度センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】絶対圧力センサの全体厚みを小さくし得る絶対圧力センサを提供する。
【解決手段】絶対圧力センサ１は、ダイアフラム１１の周縁に複数のピエゾ抵抗１２・１２子を形成し、該ピエゾ抵抗１２・１２の形成面とは反対側の面にキャビティ１３を形成したセンサ基板１０に、キャビティ１３を閉じるようにキャップ基板２０を接合してなる。キャビティ１３の厚みＴ２は、キャップ基板２０の厚みＴ３以上となっている。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、固定部の内側に位置する可動部、固定部と可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極、及び可動部及び可撓部を覆い、且つ、金属電極を露出するセンサキャップを備えるセンサを基板上に配置し、センサの複数の金属電極及び基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、複数の金属電極と複数の端子の間にあるボンディングワイヤの一部が露出するように、センサキャップ上を除き、センサの複数の金属電極のボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 （もっと読む）

【課題】基板から半導体素子への応力を十分に吸収することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一態様にかかる半導体装置１０は、基板１１と、基板１１の表面に形成された第１弾性体１４と、第１弾性体１４の表面に形成された第２弾性体１３であって、第１弾性体１４よりも弾性率が小さい第２弾性体１３と、第２弾性体１３により第１弾性体１４に固着された半導体素子１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板１は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部１ａと、他方の面において、絶縁体層２における基板１の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部１ｂと、を有したものである。絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。また、絶縁体層２の厚さは、２μｍより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】測定精度の高い物理量センサーを提供する。
【解決手段】本発明の物理量センサーは、支持基板２０と、前記支持基板に固定された固定電極指３８、３９と、前記固定電極指と対向し、印加される物理量に応じて変位する可動電極指３６、３７とを含む静電容量検出型の物理量センサーであって、固定電極指３８、３９の一面が支持基板２０に固定されている。 （もっと読む）

【課題】犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】犠牲層領域１７に対応する支持基板１１にレーザ光の焦点５４ａを合わせ、半導体層１３側からレーザ光を照射する。これにより、レーザ光の焦点５４ａからレーザ光の入射側に伝達する熱応力によって犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成する。この後、半導体層１３の開口部１５からエッチング媒体を導入し、マイクロクラック１２ａが形成された犠牲層１２をエッチングして除去することにより、支持基板１１に対して構造体２２〜２４を浮遊させる。このように、犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成して改質度を向上させているので、犠牲層１２の深部にエッチング媒体が入り込みやすくなり、犠牲層１２のエッチングレートがさらに向上する。 （もっと読む）