【課題】 センサチップの一方側に高精度でシリコンチップを貼合でき、さらに、貼合されたシリコンチップに対して、センサチップの他方側に貼合される封止チップを高精度に位置合わせすることのできる加速度センサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 センサチップ２の一方側にシリコンチップ３が接合されてなる加速度センサ１において、物理量の変化に応じて動作する可動部を有するセンサチップ２に、厚さ方向に貫通し、センサチップ２の上側から下側を視認可能な貫通溝１４を形成する。一方、シリコンチップ３には、センサチップ２の貫通溝１４に対向する部分に、アライメントマーク１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの良い小型のセンサモジュールを効率的に製造できる、センサモジュールの構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】センサ部１０と、ＩＣ部２０とを別々にウェハレベルパッケージングして形成した後に、センサ部１０とＩＣ部２０とをフリップチップ接続により電気的に接続する。これにより、センサ部１０とＩＣ部２０とを別々に検査することが可能となるので歩留まりが向上し、かつ、センサ部１０のサイズとＩＣ部２０のサイズを別々に選択できるのでウェハ１枚当たりからの個々の取り数を最大化することができて効率化が可能となる。 （もっと読む）

ＭＥＭＳデバイスは、第１主表面とその反対面である第２主表面とを有する基板１０１と、前記基板１０１に形成された貫通孔１１０と、前記第１主表面の上側に前記貫通孔１１０を覆うように形成された振動膜１０５とを備えている。前記第１主表面及び前記第２主表面は共に（１１０）結晶面であり、前記第２主表面における前記貫通孔１１０の形状は実質的に菱形である。 （もっと読む）

【課題】電極の形成時でのレジストの残渣を低減できる力学量センサおよび積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】積層体の製造方法が，基板上に，金属をそれぞれ含む第１，第２，および第３の導体層を順に形成するステップと，前記第３の導体層をパターニングするステップと，前記パターニングされた第３の導体層をマスクとして，前記第２の導体層をパターニングするステップと，前記パターニングされた第２の導体層をマスクとして，前記第１の導体層をパターニングするステップと，前記パターニングされた第３の導体層を除去するステップと，を具備する。 （もっと読む）

【課題】デバイス本体の一表面側に設けられた外部接続用電極と気密封止される機能部とを電気的に接続でき、且つ、デバイス特性に悪影響を与える寄生容量を低減できる気密構造体デバイスを提供する。
【解決手段】第１のカバー基板２が、デバイス本体１の上記一表面側に設けられた複数の外部接続用電極１８が露出するようにデバイス本体１に接合され、デバイス本体１が、当該デバイス本体１の一部と各カバー基板２，３とで囲まれる空間に配置された機能部である固定電極２４と外部接続用電極１８とを電気的に接続する配線の少なくとも一部を構成する島部１７と、島部１７を全周に亘って囲む分離溝１１ｃに埋設された絶縁材料からなり上記空間を気密封止し且つ島部１７をデバイス本体１における分離溝１１ｃの外側の支持部１１と電気的に絶縁する絶縁分離部１９とを有する。 （もっと読む）

ＭＥＭＳセンサは、基板と、基板に連結されたＭＥＭＳ構造とを含む。ＭＥＭＳ構造は、基板に対して可動な質量を有する。また、ＭＥＭＳセンサは、ＭＥＭＳ構造から半径方向外側に位置付けられる基準構造を含む。基準構造は、その測定の正確性を向上させるために、ＭＥＭＳセンサに影響を及ぼし得る任意の環境変化を補償するための基準を提供するために使用される。一実施形態において、前基準構造は、前ＭＥＭＳ構造を実質的に包囲する。
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【課題】隣り合う端子電極間の導電性接合剤による所望でない短絡が生じ難く、製造が容易である、半導体センサ装置を提供する。
【解決手段】可動部を有する半導体センサが形成されている半導体基板２の片面にケース板３が積層されており、半導体基板２の上面に外部接続用電極７１〜７８が形成されており、ケース板３において、上面に複数の突起３ｂが形成されており、突起３ｂに設けられた端子電極５１〜５８が、外部接続用電極７１〜７８に、接続電極により電気的に接続されており、隣り合う突起３ｂ，３ｂ間に溝３ｃが形成されている、半導体センサ装置。 （もっと読む）

【課題】 小型で温度安定性に優れた加速度センサー装置を提供する。
【解決手段】 可動部を有するＭＥＭＳチップとＭＥＭＳチップの少なくとも可動部を密
封するキャップチップとで形成されたＭＥＭＳ組立体を有し、配線基板と回路基板と前記
ＭＥＭＳ組立体を積層し、前記配線基板は前記ＭＥＭＳ組立体の幅方向および長さ方向に
おいて対称な構造であり、前記ＭＥＭＳチップと前記回路基板、前記回路基板と前記配線
基板はおのおの配線で接続され、前記配線基板上において、前記回路基板、前記配線およ
び前記ＭＥＭＳ組立体が樹脂部材で封止されていることを特徴とする半導体センサー装置
。 （もっと読む）

【課題】 小型で温度安定性に優れた加速度センサー装置を提供する。
【解決手段】 可動部を有するＭＥＭＳチップとＭＥＭＳチップの少なくとも可動部を密
封するキャップチップとで形成されたＭＥＭＳ組立体を有し、配線基板と回路基板と前記
ＭＥＭＳ組立体を積層し、前記配線基板と前記回路基板の間を第１のダイアタッチフィル
ムで接続し、前記回路基板と前記ＭＥＭＳ組立体の間を第２のダイアタッチフィルムで接
続し、前記ＭＥＭＳチップと前記回路基板、前記回路基板と前記配線基板は、おのおの配
線で接続され、前記配線基板上において、前記回路基板、前記配線および前記ＭＥＭＳ組
立体が樹脂部材で封止されていることを特徴とする半導体センサー装置。 （もっと読む）

【課題】 規格化された高さのゲージ部を有する力検知素子を簡易に製造する方法を提供する。
【解決手段】 力検知素子１００は、基部層２と絶縁層４と半導体層６が積層された積層基板７を有している。一対の電極１０ａ、１０ｂ間を所定高さで伸びているゲージ部１４が、半導体層６に設けられている。力検知素子１００の製造方法は、ゲージ部１４の所定高さよりも厚い半導体層６を有する積層基板７を用意し、半導体層６の表面からゲージ部１４の所定高さだけエッチングして第１溝１５を形成し、第１溝１５の側方に凸状のゲージ部１４を形成する第１エッチング工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】マイクやスピーカ、圧力センサ等のパッケージをダイシング加工によって個片化し、コスト低減を図る。
【解決手段】パッケージ４の表面又は裏面のいずれかに内部空間を外部に連通する孔４４が設けられるとともに、半導体チップに接続状態の端子部の外側端部がパッケージ４４から露出している半導体装置を製造する方法であって、複数個のパッケージ４が孔４４の形成面を同一方向に向けかつ隣接するパッケージ相互間で端子部をパッケージの外側方位置で接続状態として連結されたパッケージ集合体を製作し、ダイシングテープ７１を貼り付けて孔４４をダイシングテープ７１で覆った状態とし、該ダイシングテープ７１の貼り付け面とは反対面から端子部の接続部分をダイシングブレード７３によって切断することにより、ダイシングテープ７１上で個々のパッケージ４に分離する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳの製造歩留まりを高める。
【解決手段】深さが均等でない複数の溝を第一の板形部品に形成し、前記第一の板形部品と第二の板形部品とを接合し、相対的に浅い前記溝に沿って前記第一の板形部品を切削した後に相対的に深い前記溝に沿って前記第一の板形部品を切削することにより、前記第二の板形部品が接合された構造要素を分断された前記第一の板形部品の一部から形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。 （もっと読む）

【課題】樹脂によりパッケージングを行っても正確に物理量を検出することが可能な容量センサパッケージを提供すること。
【解決手段】本発明の容量センサパッケージは、一対の主面及び通気穴１１ａを有する配線基板１１と、前記配線基板１１の一方の主面上に実装されており、ダイヤフラム１２ａ及び固定電極を有し、前記ダイヤフラム１２ａと前記固定電極との間の静電容量の変化から物理量を検出する容量センサ１２と、前記配線基板１１の前記一方の主面１１ｂ上で前記通気穴１１ａを閉塞せずに前記容量センサ１２を封止する封止部材１７と、を具備し、前記容量センサ１２は、前記通気穴１１ａを介して導入される外気でダイヤフラム１２ａが可動する位置に実装されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カバー板を備えた半導体センサの製造方法において、ウェハ状態でカバーウェハを搭載した後にカバーウェハを加工して電極パッドを露出させる際にカバーウェハの詳細な位置合わせを必要とせず、かつ、配線パターン及び電極パッドの損傷及びカバーウェハの残渣物の発生を防止する。
【解決手段】複数の半導体センサ領域を備え半導体センサ領域にセンサ部２８及び電極パッド１６が形成された半導体ウェハ２ｄ上に少なくとも電極パッド１６に対応する位置に凹部２４ｂをもつカバーウェハ２４ａを搭載する（Ａ）。カバーウェハ２４ａの半導体ウェハ２ｄとは反対側の面を研削又は研磨することによりカバーウェハ２４ａの厚みを薄くするとともに凹部２４ｂの底部を開口させて電極パッド１６を露出させる（Ｂ）。半導体センサ領域を半導体ウェハ２ｄから切り出して半導体センサ１を固片化する（Ｃ） （もっと読む）

【課題】 本発明によれば製造コストを抑え、かつ信頼性の高い物理量センサ及びその製造方法を提供することができる。
【解決手段】 本発明に係る物理量センサの製造方法は、半導体基板上に開口を有するマスクを形成する工程と、前記開口により露出した前記半導体基板に、熱拡散法により複数のピエゾ抵抗素子を形成する工程と、前記ピエゾ抵抗素子を形成した後、前記マスクを除去する工程と、前記半導体基板上に、前記ピエゾ抵抗素子の少なくとも一部を覆う絶縁層を形成する工程と、前記ピエゾ抵抗素子の形成領域内における前記絶縁層を開孔してコンタクトホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサ素子の必要な面積を低減することである。
【解決手段】各空洞部（１７）の外では基板ウェハに接点線路（１６）が配置されており、接点線路は、センサ素子の電気接続を行い、基板ウェハ（１）上で隣接するセンサ素子（２）のペア間では、ちょうど１つの接点孔（９）がキャップウェハ（３）に設けられており、接点孔（９）を通って接点線路はセンサ素子に接近し、基板ウェハ上で隣接する別のセンサ素子のペア間には、ちょうど１つの接続テープが配置されており、１つの接続テープは、前記別のペアのセンサ素子が配置されている空洞部を相互に分離する。 （もっと読む）

【課題】導電部が腐食されるおそれのない圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０，４０内に密閉状態で形成された圧力基準室５１の一側壁を第１ダイアフラム３３が構成し、圧力基準室５１の対向壁を第２ダイアフラム４３が構成する。そして、圧力基準室５１内には、第１ダイアフラム３３の中央部と第２ダイアフラム４３の中央部とを連結して第１ダイアフラム３３の変位を第２ダイアフラム４３に直接伝達する伝達部５２が形成されている。また、第２ダイアフラム４３には当該第２ダイアフラム４３の変位に応じた信号を出力する圧力検出部５３が設けられており、この圧力検出部５３には当該圧力検出部５３からの信号を外部へ出力する導電部としてのボンディングワイヤ５５が取出電極５４等を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】被取付部材からダイアフラムへの外乱応力の伝達を抑制し得る圧力センサ素子およびその製造方法並びに圧力センサを提供する。
【解決手段】センサ素子４０は、基板４１の反取付面４０ｂに形成される開口部４２の開口側面４２ａから当該開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を備えている。この梁部４３内には、密閉状態である圧力基準室４４が形成されるとともに、この圧力基準室４４の圧力と圧力媒体の被測定圧力との圧力差に応じて変位するダイアフラム４５と、このダイアフラム４５上に設けられ当該ダイアフラム４５の変位に応じた信号を出力する圧力検出部４６とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 特性の異なるセンサを簡便に製造することが可能なセンサおよびその製造方法を提供できる。
【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、開口を有するフレーム部と、該開口内に配置された錘部と、前記フレーム部と前記錘部とを接続する梁部と、該梁部上に形成された複数の検出部とを具備してなるセンサであって、前記梁部上には、物理量変動を検出可能な複数本のピエゾ抵抗素子を備え、前記検出部は、前記複数本のピエゾ抵抗素子のいずれかを用いて構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上に積層された素子を形成するための膜にクラックが伝搬する被害を抑えることができる素子ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上において加速度センサ２０が形成られた本願領域６の外周に、本番領域６を囲うように絶縁膜を凹状に成膜した凹部１０を設ける。凹部によってクラックが加速度センサ２０の部分に伝搬することが抑制される。 （もっと読む）