【課題】容量が変化する容量変化部を一面側に有するセンサチップを、回路チップに実装してなる半導体容量式センサの製造方法において、特性検査時において取り扱い性に優れた実装状態を実現し、且つ異物の容量変化部への付着防止をしながら、センサチップの特性検査を行えるようにする。
【解決手段】回路チップ２０となる構造体２０ａが複数個形成され個々の構造体２０ａに対して検査用のパッド２１が設けられた回路ウェハ２００を用意し、センサチップ１０の一面１１を回路ウェハ２００における構造体２０ａに対向させ、各構造体２０ａにバンプ３０を介してセンサチップ１０を搭載して電気的に接合した状態とし、この状態にて、検査用のパッド２１を介してセンサチップ１０の特性を検査した後、回路ウェハ２００を構造体２０ａの単位に分断する。 （もっと読む）

【課題】電気信号の外部への取り出し構造の簡素化、チップ面積の増大の防止が図れるようにする。
【解決手段】半導体チップ１の第２面（裏面）側に配置した台座３を貫通するような貫通電極３３を設け、貫通電極３３をリードピン４１に電気的に接続することで、外部へセンシング部の電気信号を出力できる構成とする。これにより、半導体チップ１および台座３を細長形状とする必要がないため、構造体Ａを構成するための半導体チップ１のチップ面積の増大を招かないようにできる。 （もっと読む）

【課題】ウェハをダイシングカットすることによりチップ単位に分割して半導体チップを製造するに際し、切り屑やカケによるセンサ特性の悪化が防止できるようにする。
【解決手段】ダイシング法によりシリコン基板５０をチップ単位に分割して半導体チップ２を形成した直後に、半導体チップ２の切断面２ａを覆うようにコーティング剤１７を配置する。これにより、この後、テープ３０やカバーフィルム２０を剥がす工程等を行っても、ダイシングカット時に発生した切り屑やカケをコーティング剤１７にて固着させられるため、これらがセンシング部を構成する振動体１２に付着したりすることを防止することができる。このため、センサ特性の悪化を防止することが可能となる。 （もっと読む）

ＭＥＭＳデバイスは、チップキャリアの第１の面から第２の面に伸長する音響ポートを有するチップキャリアと、チップキャリアの第１の面の音響ポートを覆うようにチップキャリア上に配置されるＭＥＭＳダイと、チップキャリアに接合されＭＥＭＳダイを封止する封入体とを含む。
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【課題】接合リーク電流の低減を図った加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサが、開口を有する固定部と、この開口内に配置され、かつ前記固定部に対して変位する変位部と、前記固定部と前記変位部とを接続する接続部と、を有し、かつ平板状の第１の半導体材料から一体的に構成される第１の構造体と、前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、かつ前記固定部に接合される台座と、を有し、第２の半導体材料から構成され、ゲッタリング層を備え、かつ前記第１の構造体に積層して配置される第２の構造体と、前記接続部に配置されるピエゾ抵抗素子と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体の歪みゲージのチャネル発生を防止するもので、拡散抵抗領域の周囲に不純物や電荷が付着した場合、あるいは半導体基板の不純物濃度が低い場合に電極パッド間に発生しやすくなるチャネルの発生を防止して、出力の抵抗値を安定させることのできる、各種加速センサ、圧力センサ等に利用できる半導体歪みゲージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定の導電型の半導体基板の表面に形成され、該半導体基板とは反対導電型の拡散抵抗領域を備え、その拡散抵抗領域の両端に電極を備えた半導体歪みゲージにおいて、拡散抵抗領域の周囲にその半導体基板よりも高濃度に不純物がドープされた半導体基板と同一導電型の高濃度不純物拡散層を備え、上記電極の一方がその高濃度不純物拡散層まで伸びて形成されてその拡散抵抗領域と該高濃度不純物拡散層とが接続される。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子と配線との接続抵抗の大きさとバラツキの低減を図った加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサが，第１の不純物濃度の第１の領域と，第１の不純物濃度より大きい第２の不純物濃度の第２の領域とを有する拡散層から構成されるピエゾ抵抗素子と，前記拡散層を被覆する絶縁層と，前記絶縁層上に配置される配線と，前記絶縁層を貫通して前記拡散層の第２の領域と前記配線とを電気的に接続する層間接続導体と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】検出感度を向上させる。
【解決手段】上面の輪郭が略矩形状である四角枠状のフレーム部１２と、１又は２以上の機能素子１７を有している４つの梁部１６であって、第１側面及び第２側面に、主面及び主面１９ａに連接して、互いに対向している２つの側面１９ｂからなるくびれ部１９を有する梁部と、梁部によって、フレーム部の内側の領域に、可動に支持されており、中心部、及び中心部の周側に形成されている４つの角部それぞれに１つずつ接続されていて、フレーム部及び梁部とは非接触として設けられている突出部１４ｂを具えている可動部１４とを具えている。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの向上を図った加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサが、第２の構造体の底面に基体を接合して、第１の構造体、前記第２の構造体、および基体を含む接合部材を形成するステップと、凝固点が０℃より高いシリコーンオイル又はこれを主成分とする高分子系凝固剤を、前記接合部材の内部に充填させるステップと、前記充填された高分子系凝固剤を冷却して固化させるステップと、前記第１、第２の構造体が作成された領域に対応して前記接合部材を切断し、前記固化された高分子系凝固剤が充填された接合部材の切片を形成するステップと、前記固化した前記高分子系凝固剤を液化又は昇華させて、前記切片内から除去するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳに代表される、半導体基板の一部を薄厚化したダイアフラム構造や梁構造を有する半導体基板を個々の半導体装置に分割する際、分割の品質を低下させることなく、加工タクトの向上を可能とする半導体基板、および半導体装置ならびにその半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１には、縦方向および横方向に桝目状に、ダイアフラム構造を有する複数の半導体デバイス２が形成され、各半導体デバイス２を個々に分割する直交する分割ライン４のうち、一方の平行する分割ライン４上のみに連続して、異方性エッチングによりＶ溝３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】受圧面であるダイヤフラムを可動電極により構成して、構造の簡単化と検出精度の向上を図る。
【解決手段】容量式圧力センサは、ダイヤフラムを構成する可動電極３と、キャビティ４と、固定電極８と、第１、第２の引き出し電極７，９とを有している。可動電極３は、シリコン基板１に埋設された不純物層からなり、ダイヤフラム部分がシリコン基板１の開口部２から露出している。固定電極８は、キャビティ箇所に接合されてキャビティ４を封止する不純物層からなる。第１の引き出し電極７は、シリコン基板１の裏面に形成され、可動電極３と電気的に接続されている。第２の引き出し電極９は、固定電極８の裏面側に形成され、この固定電極８と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】センサ構造体のスティッキングを防止できる構造の半導体センサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】保護キャップ２における凹部２ａの周囲２ｂとなる位置をテーパ状とする。これにより、保護キャップ２に対して力が加えられ、その力によって接着剤３が押し出されるときに、テーパ状とされた周囲２ｂの傾斜により、接着剤３が凹部２ａの内側ではなく外側に向かって押し出される。したがって、接着剤３が凹部２ａの外側に押し出されることによってセンサ構造体１ａに浸入することが防止でき、センサ構造体１ａがスティッキングしてしまうことを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】センサ素子部の外周部に存在する外周部による寄生容量によってセンサ感度が低下するのを防止する。
【解決手段】支持用基板とこの支持用基板の上に形成された素子形成膜２００とから構成され、素子形成膜２００は、素子形成膜２００に形成された溝を介して、可動部２Ａを有し該可動部２Ａの変位に伴う容量変化を検出するセンサ素子部と、該センサ素子部の外周に配置された外周部２０１とに画定されており、外周部２０１には、外周部２０１の電位を固定する手段２０２が備えられている。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて低背化を図れるセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ装置１は、シリコン基板からなる支持基板１０ａ上の絶縁層１０ｂ上にシリコン層１０ｃを有するＳＯＩ基板１０を用いて形成されており、重り部１２と４つの撓み部１３とで構成される可動部を有し当該可動部にピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４が形成されたセンサ部（３軸加速度センサ部）Ｅ１と、センサ部Ｅ１と協働するＩＣ部Ｅ２とを備えている。各ピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４およびＩＣ部Ｅ２をＳＯＩ基板１０のシリコン層１０ｃに形成してある。 （もっと読む）

【課題】センシング部と協働する回路部を備えながらも実装面積を小さくすることが可能なセンサモジュールを提供する。
【解決手段】センサ基板１はセンシング部Ｄｓを備える。センサ基板１は、外部回路に接続するパッド電極２５を形成した電極形成基板２と、集積回路からなる回路部Ｄｃを形成した回路形成基板３との間に積層される。センサ基板１と電極形成基板２と回路形成基板３とはそれぞれ周部に形成した封止用金属層１８，２８，３８，４８を接合することにより封着される。センサ基板１および電極形成基板２には貫通孔配線２４，４４が形成され、センサ基板１のセンシング部Ｄｓと回路形成基板３の回路部Ｄｃと電極形成基板２のパッド電極２５とが、貫通孔配線２４，４４を通して電気的に接続される。回路部Ｄｃとセンシング部Ｄｓと貫通孔配線２４，４４とは封止される。 （もっと読む）

【課題】少なくとも、半導体基板の主表面側にセンシング部およびセンシング部と協働するＩＣ部を形成したセンサ基板と、センシング部に電気的に接続される複数の貫通孔配線を形成したパッケージ用基板とを用いて製造するセンサ装置の製造歩留まりの向上を図れるセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板であるＳＯＩ基板１０の主表面側に形成された表面絶縁膜１６と多層構造部４１とからなる多層絶縁膜のうち接合用領域部Ｅ３に形成されている部位をエッチバックし、表面絶縁膜１６上に封止用金属層１８および電気接続用金属層１９を形成する。センサ部Ｅ１の重り部１２、撓み部１３などを形成してから、センサ基板１と第２のパッケージ用基板３とを常温接合し、センサ基板１と第１のパッケージ用基板２との封止用金属層１８，２８同士および電気接続用金属層１９，２９同士を直接接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に形成された絶縁膜の応力によってセンサ部の特性が悪化するのを抑制したセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】センサ装置のセンサ本体１は、枠状のフレーム部１１を備え、フレーム部１１の内側に配置される重り部１２が、センサ本体１の主表面側において可撓性を有する撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されている。重り部１２と撓み部１３とからなる可動部１５には可動部１５の撓みを検出するセンシング部が、フレーム部１１にはセンシング部と協働するＩＣ部Ｅ２がそれぞれ形成されている。ここで、センサ本体１の主表面に、表面絶縁膜１６と多層構造部４１とからなる表面保護層４４を全面に形成した後、可動部１５に形成された表面保護層４４は一部（多層構造部４１）をエッチングにより除去し、表面絶縁膜１６のみとして、膜厚を薄くしてある。 （もっと読む）

【課題】センサ基板とパッケージ用基板との接合工程の歩留まりの向上を図れ、且つ、センサ基板においてＩＣ部のパッドと電気接続用金属層とを電気的に接続する引き出し配線の断線を防止できるセンサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ基板１と第１のパッケージ用基板２とは、封止用金属層１８，２８同士および電気接続用金属層１９，２９同士が直接接合されている。センサ基板１は、保護絶縁層４０においてＩＣ部Ｅ２のパッド４２が形成された第１の領域と第１の電気接続用金属層１９および第１の封止用金属層１８が形成された第２の領域との間に段差が形成されている。ＩＣ部Ｅ２のパッド４２と第１の電気接続用金属層１９とを電気的に接続するように保護絶縁層４０の表面に沿って形成された引き出し配線４３の膜厚と第１の封止用金属層１８および第１の電気接続用金属層１９の膜厚とが独立して設定されている。 （もっと読む）

【課題】機能構造体の封止プロセスを簡易に行うことができ、製造コストを低減すること
のできる新規の構造及び製造方法を実現する。
【解決手段】本発明の電子装置１０は、基板１と、該基板上に形成された機能素子を構成
する機能構造体３Ｘと、該機能構造体が配置された空洞部Ｃを画成する被覆構造とを具備
する電子装置において、前記被覆構造は、前記空洞部の少なくとも上部を覆うように配置
され、前記空洞部に対する被覆面積よりも小さな１又は複数の開口部７ｈを備えた被覆層
７ｂと、該被覆層上に配置されて前記開口部を閉鎖する封止剤９とを含むことを特徴とす
る。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの簡略化を図れるとともにプロセス温度の低温化を図れ且つ接合工程の歩留りの向上を図れるセンサエレメントおよびウェハレベルパッケージ構造体を提供する。
【解決手段】ウェハレベルパッケージ構造体１００は、センサ基板（センサ本体）１を複数形成したセンサウェハ１０と貫通孔配線形成基板（第１のパッケージ用基板部）２を複数形成した第１のパッケージウェハ２０との封止用接合金属層１８，２８同士および接続用接合金属層１９，２９同士が直接接合されている。封止用接合金属層１８，２８の各封止用Ａｕ膜および接合用接合金属層１９，２９の各接続用Ａｕ膜の膜厚を５００ｎｍ以下としてある。センサエレメントは、ウェハレベルパッケージ構造体１００をセンサ基板１のサイズに基づいて規定した所望のサイズに分割することで形成されている。 （もっと読む）