【課題】より小型化された半導体チップパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップパッケージ１は、可動部を含む可動構造体、複数の第１電極パッド１８、フレーム部の上面に可動構造体を囲んで設けられている閉環状の第１封止部２０、及び可動構造体を封止する薄板状部材３０を有する第１半導体チップ１０と、複数の第２電極パッド５２を有する第２半導体チップ５０と、第３電極パッド４２を有し、前記第１半導体チップ１０及び前記第２半導体チップ５０が搭載されている基板４０と、第２電極パッド５２及び第３電極パッド４２を接続する第１ボンディングワイヤ６２ａと、第１電極パッド１８及び第２電極パッド５２を接続する第２ボンディングワイヤ６２ｂとを具えている。 （もっと読む）

【課題】 セラミックやガラス、シリコンで形成された保護ケースを用いた加速度センサ
ーで、加速度センサー素子の錘部の下面側の角部や稜部の欠けを防ぎ、高耐衝撃性、高性
能を実現した加速度センサーを提供する。
【解決手段】 シリコンで形成された錘部の下面側とセラミックやガラス、シリコンで形
成された保護ケース内底との間に、金属やプラスチック系の衝撃緩衝材を１．０μｍ以上
の厚みで、錘部下面側もしくは保護ケース内底に付加し、錘部の下面側の角部や稜部が直
接保護ケース内底と接触しない様にする。 （もっと読む）

ＭＥＭＳ装置１００が提供され、同装置１００は側壁１３８を有するハンドル層１０８と、同ハンドル層１０８を覆うキャップ１３２と、を含み、同キャップ１３２は側壁１３８を有し、かつ導電性材料１３６が同キャップの側壁１３８及び同ハンドル層の側壁１３８の少なくとも一部に堆積され、それにより同ハンドル層１０８と同キャップ１３２とが電気的に接続される。ハンドル層１０８と同ハンドル層１０８を覆うキャップ１３２とからなる基板３００からＭＥＭＳ装置をウェハレベルにて製造する方法も提供される。同方法は、第一の側壁１３８を形成するためにキャップ１３２と基板３００の少なくとも一部とを貫通する第一の切断部を形成する工程と、同第一の側壁１３８に導電性材料１３６を堆積させて、同キャップ１３２と同基板３００とを電気的に接続させる工程と、を含む。
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本発明は、加速度、角加速度、または、角速度といった、物理量の測定において用いられる測定装置に関し、より正確には、微小機械モーションセンサーに関する。本発明によるモーションセンサーのコンポーネントのウエハー平面内の領域は、ダイシング切断されて９０゜回転されたモーションセンサーのコンポーネントの領域よりも小さい。それに対応して、本発明によるモーションセンサーのコンポーネントは、９０゜回転された該コンポーネントの高さは、接合の方向では、接合されたウエハーによって形成されるウエハー積層体の厚さよりも小さい。本発明の目的は、微小機械モーションセンサーの改善された製造方法を提供すること、および、微小機械モーションセンサーを提供することであり、小さい微小機械モーションセンサーの解決策での使用には特に好適なものである。 （もっと読む）

【課題】加速度センサチップの小型化が可能で、しかも、加速度センサチップとストッパとを接着する工程において加速度センサチップの金属配線がスペーサ部材によりダメージを受けるのを防止することが可能な加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサチップ１と、加速度センサチップ１の一表面に対向配置され重り部１２の過度な変位を規制する平板状のストッパ２と、ストッパ２の周部と加速度センサチップ１のフレーム部１１との間に設けられたスペーサ部材８と、スペーサ部材８を覆いストッパ２の周部と加速度センサチップ１のフレーム部１１とを接着する接着剤からなる接着部６とを備える。加速度センサチップ１のフレーム部１１には、ゲージ抵抗たるピエゾ抵抗Ｒに電気的に接続された金属配線１６のうちスペーサ部材８と重なる部分を保護する保護膜１７が上記一表面側に形成されている。 （もっと読む）

剛性を有する穴領域と、周囲領域とを備える、導電性または半導電性材料からなるバックプレートと、導電性または半導電性材料からなる振動板であって、前記穴領域を覆って延在する可撓性部材と、前記バックプレートの前記周囲領域に少なくとも部分的に接続され且つ前記バックプレートの前記周囲領域から絶縁されている周囲領域とを備えており、前記バックプレートの前記穴領域および前記振動板の可撓性部材が、空洞部により互いに離間している、コンデンサの２枚の平行板を形成している、振動板と、前記振動板の前記周囲領域に形成されたボンドパッドと、前記バックプレートの前記周囲領域に形成されたボンドパッドと、前記バックプレートの前記周囲領域に形成された前記ボンドパッドを取り囲む、前記振動板に形成されたチャネルであって、少なくとも１つの空気チャネルが前記振動板の前記周囲領域に形成され且つ前記可撓性部材と前記バックプレートの前記穴領域の間の前記空洞部内に開口している、チャネルと、各空気チャネルに接続された、前記振動板の前記周囲領域を貫通する少なくとも１つの通気口と、を備えるシリコンマイクロフォン。 （もっと読む）

【課題】センサ全体の薄型化を図りつつクラックなどの発生を防止することができる物理量センサを提供する。
【解決手段】矩形枠状のフレーム部１１の内側に配置される重り部１２が可撓性を有する４つの撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持され各撓み部１３にゲージ抵抗が設けられたセンサ部１０と、センサ部１０の厚み方向の一表面側に配置され周部がフレーム部１１に固着された第１のカバー部２０と、センサ部１０の厚み方向の他表面側に配置され周部がフレーム部１１に固着された第２のカバー部３０とを具備するセンサ本体部Ｂを備えている。センサ本体部Ｂが矩形枠状の外側フレーム部Ｃの内側に配置されるとともにセンサ本体部Ｂが連結部Ｄを介して外側フレーム部Ｃに支持され、センサ本体部Ｂの周囲には連結部Ｄを除いて外側フレーム部Ｃとの間にスリットＥが形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体センサにおいて、梁と金属配線との熱膨張係数の違いによって梁に生じる熱応力を緩和させ、梁の変形を防ぐことができる半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】作動板１６と、作動板１６と所定間隔をおいて外側に設けられたシリコン枠２１とを連結するように設けられ、その一部がピエゾ抵抗素子３０ａ、３０ｂ、３０ｃとなる複数の可撓性の梁１９ａ、１９ｂと、ピエゾ抵抗素子３０ａ、３０ｂ、３０ｃをそれぞれ接続するように梁１９ａ、１９ｂの上主面に形成されたアルミ配線３３とを有する半導体センサ１において、アルミ配線３３と梁１９ａ、１９ｂとの熱膨張係数の違いおよび使用環境の温度によって梁１９ａ、１９ｂに生じる熱応力を緩和する熱応力緩和部７１を梁１９ａ、１９ｂの下主面側に有する。 （もっと読む）

【課題】小型化と生産容易性の両立を図った加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサが、開口を有する固定部と、この開口内に配置される変位部と、固定部と変位部とを接続する接続部と、を有する第１の構造体と、変位部に接合される重量部と、重量部を囲んで配置され、かつ固定部に接合される台座と、を有し、第１の構造体に積層して配置される第２の構造体と、台座に接続され、第２の構造体に積層して配置され、かつ金属材料からなる基体と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハにチップ単位毎にセンシング部を形成した後、半導体ウェハをダイシングカットしてチップに分断するようにした圧力センサの製造方法において、応力の影響を防止して適切にチップの特性調整および特性検査を行う。
【解決手段】 半導体ウェハ３０にチップ単位毎にセンシング部としてのダイアフラム１１１を形成した後、半導体ウェハ３０をダイシングカットしてチップ１００に分断するようにした圧力センサ１００の製造方法において、半導体ウェハ３０の一面に半導体ウェハ３０を支持する固定板４０を貼り合わせ、半導体ウェハ３０側から固定板４０に到達するフルダイシングを行い、半導体ウェハ３０を複数個のチップ１００に分断し、複数個のチップ１００を固定板４０に固定した状態で特性調整および特性検査を行い、しかる後、チップ１００から固定板４０を取り外す。 （もっと読む）

本発明は、マイクロマシニング型の構成エレメントに関する。本発明によれば、伝導性の基板（１；１’，１７，１９）が設けられており；該基板（１；１’，１７，１９）の表面（Ｖ）の上方に設けられた少なくとも１つの伝導性の層（９；９ａ）を備えた弾性的に変位可能なダイヤフラム（Ｍ；Ｍ’）が設けられており、伝導性の層（９；９ａ）が、基板（１；１’，１７，１９）に対して電気的に絶縁されており；媒体で充填された中空室（Ｈ；Ｈ’）が設けられており、該中空室（Ｈ；Ｈ’）が、基板（１；１’，１７，１９）とダイヤフラム（Ｍ；Ｍ’）との間に設けられており；該ダイヤフラム（Ｍ；Ｍ’）の下方で基板（１；１’，１７，１９）を通って延びる複数のパーフォレーション開口（１５；１５’’；１５’’’）が設けられており；該パーフォレーション開口（１５；１５’’；１５’’’）が、基板（１；１’，１７，１９）の裏面（Ｒ）から中空室（Ｈ；Ｈ’）への出入口を提供しており、これによって、媒体の、中空室（Ｈ；Ｈ’）内に位置する体積が、ダイヤフラム（Ｍ）の変位時に可変であることが提案されている。さらに、本発明は、相応の製作法に関する。
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【課題】 ウェハ状態での特性がアセンブリ行程により変化することを抑制する微小構造体を有する半導体装置および微小構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微小構造体のチップＣＰが複数形成されたウェハ１００に対して接着層１５を用いてダミーウェハ１０と貼り合わせる。そして、ＭＥＭＳデバイス１は、カッティングしたダミーウェハ１０をチップＣＰの台座としてハウジング部材１１０と接着させることにより、ハウジング部材１１０を用いてパッケージする際の下からの応力等をダミーウェハ１０で吸収する。 （もっと読む）

センサ（１００）を製造するための方法を提供する。該方法は、ウェハ上に取り付けられた少なくとも１つのセンサエレメントを備えた該ウェハ上に第１の所定の厚さで犠牲材料（３３０）を堆積させ、該犠牲材料は少なくとも１つのセンサエレメント上の少なくとも一部に堆積され、前記ウェハ上で、堆積された犠牲材料の周りに第１の所定の厚さよりも薄い第２の所定の厚さで封止層（３３２）を形成し、犠牲材料を除去することを有する。上述の方法により製造されたセンサのための装置も提供される。
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微細構造（２６，１２６，２２６）を収容する気密封止キャビティ（２２，１２２，２２２）を有するマイクロデバイス（２０，１２０，２２０）。１実施形態では、マイクロデバイス（２０）は、基板（３０）、キャップ（５０）、および絶縁層（７０）を備える。基板（３０）は、その上面（３２）および外縁（３６）の少なくとも一部分の上に形成された複数の導電線（３８）を有する。導電線（３８）は、微細構造（２６）への電気伝導を提供する。絶縁層（７０）は、キャップ（５０）の側壁（５４）の外縁と複数の導電線（３８）との間に取り付けられる。キャビティ（２２）は、キャップ（５０）内の凹部（５６）によって少なくとも部分的に画定される。基板（１３０）、キャップ（１５０）、および複数のバイア・カバー（１７０）を備えたマイクロデバイス（１２０）も存在する。基板（１３０）は、封止キャビティ（１２２）内で接点（１４６）に終端する導電性バイア（１９６）を有する。バイア・カバー（１７０）を、基板（１３０）に取り付けて気密封止を実現する。さらに、基板（２３０）、キャップ（２５０）、および複数の導電性部材（２７０）を備えたマイクロデバイス（２２０）も存在する。キャップ（２５０）は、導電性部材（２７０）に終端する導電性バイア（２９６）を有する。導電性部材（２７０）は、微細構造（２２６）に電気接続されている。さらに、マイクロデバイス（２０，１２０，２２０）を形成する方法も存在する。
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【課題】塵や微小な異物等の侵入による不具合の発生を防止する。
【解決手段】枠体２８は縦横の外形寸法が支持基板１，２とほぼ同一である矩形枠状に形成される。枠体２８の裏面には支持基板２を接合するためのアルミからなる接合部２９が形成されている。したがって、接合部２９において枠体２８の裏面に支持基板１を接合するとともに支持基板２を枠体２８の表面に陽極接合すれば、２枚の支持基板１，２と枠体２８によって重り部２１、ばね部２２、支持部２３₁，２３₂、固定電極部２４、ストッパ２５、可動電極２１ａなどが全て密封されるため、微小な塵や異物等が内部に侵入することがなく、かかる異物等によって重り部２１の変位が阻害されるなどの不具合を防ぐことができて信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造方法で耐衝撃性等を向上させる。
【解決手段】加速度センサは、錘固定部１３を可撓的に支持する周辺固定部１２と、錘固定部１３に固定された錘部２３と、この錘部２３をパッケージ底部６１等のセンサ搭載部から所定の間隔をおいて配置するために周辺固定部１２を前記センサ搭載部に固定する台座部２１と、前記センサ搭載部に対向する位置に配設され、錘部２３の変位を制限するストッパ部１５とを備えている。そして、ストッパ部１５上等に直接、硬化性の弾性接着剤（例えば、液体から弾性体に硬化するシリコン系ゴム５０等）をディスペンサ等を用いて一定量塗布している。これにより、ストッパ部１５に加わる衝撃力等を弾性接着剤により吸収及び抑制でき、ストッパ部１５を補強して耐衝撃性等の機械的強度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】可動部を含む半導体装置をより小型化し、かつ製造コストをより低減する。
【解決手段】半導体装置１０は、基部２２を覆う絶縁膜２４、複数の配線部２６、及びチップ搭載領域２３ａを有するチップ搭載部２３、チップ搭載部を囲んでいる複数のリード２８を有するリードフレーム２０と、第１電極パッド３２を有する第１の半導体チップ３０と、第１電極パッド及び配線部を接続している第１ボンディングワイヤ４２と、凹部が形成され、複数の第２電極パッド５４を有していて、凹部に第１の半導体チップ及び第１ボンディングワイヤを格納している、第２の半導体チップ５０と、第２の半導体チップから露出する配線部及びリードを接続している第２ボンディングワイヤ４４と、第２電極パッド及びリードを接続している第３ボンディングワイヤ４６と、封止部６０とを具えている。 （もっと読む）

【課題】センサチップの厚み方向の加速度を検出するブリッジ回路のオフセット電圧の温度変動を抑制することができる加速度センサを提供する。
【解決手段】ブリッジ回路Ｂｚは、フレーム部１１近傍において配置されたゲージ抵抗であるピエゾ抵抗Ｒｚ２１〜Ｒｚ２４に関して、センサチップ１の厚み方向の加速度に起因した抵抗値の増減方向の同じゲージ抵抗が対辺上に存在するとともに、重り部１２のコア部１２ａ近傍において配置されたゲージ抵抗であるピエゾ抵抗Ｒｚ１１〜Ｒｚ１４に関して、上記厚み方向の加速度に起因した抵抗値の増減方向の同じゲージ抵抗が対辺上に存在し、且つ、各辺それぞれに、センサチップ１への熱応力に起因した抵抗値の増減方向の異なるゲージ抵抗が存在するように接続されている。 （もっと読む）

【課題】 歪み抵抗素子と同等の熱影響を受ける位置であって応力の影響を受けない位置に温度補償用抵抗素子を設け、高精度な応力検出を行える多軸力センサ用チップと多軸力センサを提供する。
【解決手段】 多軸力センサ用チップは、外力作用領域部４Ａと非変形領域部４ｂを有する作用部４と、作用部を支持する支持部３と、作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄとを備える半導体基板２と、連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓyb1〜Ｓyb3と、作用部の非変形領域部上に設けられる温度補償用抵抗素子１１とを備えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムと保持体との接合に関して、陽極接合以外の手段を見出し、更なる小型化を促進できるセンサを提供すること。
【解決手段】感応部３４、および少なくとも一部に設けられる導電部３２を有するダイアフラム３０と、このダイアフラム３０を保持する絶縁性の保持体２０とを備え、保持体２０の保持側端部２３に配線部２２１〜２２３を有するセンサ１は、保持体２０には、ダイアフラム３０と互いに接合される側の接合面２３に配線部２２１〜２２３と導通するとともに感応部３４を区画する導電性の接合用パターン２３１が形成され、接合用パターン２３１を挟んでダイアフラム３０と保持体２０とを接合した際に、感応部３４の変化を許容するギャップ部２６が形成されているとともに、当該接合用パターン２３１によりダイアフラム３０と配線部２２１〜２２３とが電気的に接続されている。 （もっと読む）