【課題】ダイアフラムの耐圧限界が高い半導体圧力センサを得る。
【解決手段】ＳＯＩ基板１０の第２のシリコン基板１２にキャビティー２０が形成され、第１のシリコン基板１４によってダイアフラム２１が形成され、前記キャビティー２０を形成する第２のシリコン基板１２にベース基板３１が接合される半導体圧力センサであって、前記キャビティー２０を形成する前記第２のシリコン基板１２とベース基板３１との接合界面に、テーパ面１３ｂを形成して隙間を設けた。 （もっと読む）

【課題】外力に対して出力が変化しにくく、高い感度と耐衝撃性を両立できる加速度センサーを実現する。
【解決手段】錘部と、錘部を取り囲む支持枠部と、錘部を支持枠部に接続して保持する可撓性を有する複数の梁部と、梁部上に設けられたピエゾ抵抗素子とそれらをつなぐ配線を有し、支持枠部とともに錘部の周囲を囲む上蓋と下蓋が支持枠部の表裏面に接合され、ピエゾ抵抗素子の抵抗変化から、接合厚さ方向の第１軸と、それに垂直な平面内の第２軸および前記平面内で第２軸に垂直な第３軸の３つの軸方向、あるいはそれらのいずれかの軸方向の加速度を検出する蓋付き加速度センサー素子であって、支持枠部は分離溝によって内枠と外枠とに分離され、上蓋および下蓋は外枠に接合され、内枠は可撓性を有する複数の内枠支持部により外枠に接続され、前記梁部は第２軸と第３軸に沿って錘部の両側に接続し、内枠支持部は第２軸と第３軸から略４５度回転した方向で内枠の両側に接続する蓋付き加速度センサー素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板のダイシングされる部分にアンダーカットを発生させることなくセンサチップを製造するセンサチップの製造方法を提供する。
【解決手段】センサチップ１００の製造方法は、以下の工程を備えている。第１主表面１ａを有する基板１が準備される。第１主表面１ａ上に第１の膜２ａが形成される。第１の膜２ａ上に第１の膜２ａとは異なる材質からなる絶縁膜３（第１絶縁膜）が形成される。絶縁膜３（第１絶縁膜）上に導電性の抵抗部４が形成される。抵抗部４が形成されていない絶縁膜３（第１絶縁膜）の部分がエッチングされて開口部６が形成され第１の膜２ａが露出される。開口部６から露出された第１の膜２ａがエッチングされて基板１の第１主表面１ａが露出される。開口部６から露出された基板１の部分が切断される。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１０とキャップ部２０との積層体に、センサ部１０とキャップ部２０との界面４０を貫く凹部４１を設け、この凹部４１内に封止部材として絶縁膜４２および封止用外周金属層４３を設ける。これによると、凹部４１に配置された封止部材４２、４３が盾となるので、凹部４１よりも内側の界面４０に外力が直接伝わらない。したがって、センサ部１０とキャップ部２０との密着力の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、封止空間内に気体分子吸収材（ゲッタ）を設けることを不要にし、製造工程を増やすことなく封止空間内の真空度を所望の真空度に調整することを可能にする封止型デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係る封止型デバイスは、半導体基板に形成された空洞部を有し、空洞部を少なくとも一枚のガラス基板で封止する封止型デバイスであって、空洞部に通じるように形成された第１溝と、封止型デバイスのダイシングラインに通じるように形成された第２溝と、第１溝から離隔して形成され、半導体基板とガラス基板との接合部分に空隙を形成する第１突起と、第２溝から離隔して形成され、半導体基板とガラス基板との接合部分に空隙を形成する第２突起と、を備え、第１溝及び第２溝と空隙とダイシングラインとを通じて空洞部内の気体を排気して所望の真空度に調整した。 （もっと読む）

【課題】力学量の検出を行う感知部を有するセンサチップを、基板に搭載したものを、封止部材により封止してなるセンサ装置において、封止部材によってセンサチップに発生する応力を極力低減する。
【解決手段】感知部１１を表面に有するセンサチップ１０を、基板２０の一面側に搭載した後、センサチップ１０および基板２０を封止部材３０により被覆して封止するセンサ装置の製造方法であって、基板２０の一面側にセンサチップ１０を搭載するとともに、センサチップ１０の表面に揮発性を有する樹脂５０を配置して、当該表面を樹脂５０で被覆した後、これらセンサチップ１０および基板２０を封止部材３０によって封止し、その後、封止部材３０を硬化するとともに、樹脂５０を加熱して揮発させてセンサチップ１０の表面のうち封止部材３０で被覆されている部位と封止部材３０との間に空隙４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とガラス基板との陽極接合時に良好な接合が得られることを課題とする。
【解決手段】第１の半導体基板１とガラス基板３とが陽極接合により接合され、かつガラス基板３と第２の半導体基板２とが接合されて積層される積層構造を有し、外部から与えられた物理量を静電容量の変化として検出する半導体センサにおいて、第１の半導体基板１と電気的に接続されて第２の半導体基板２に形成された電極領域８ａと、第１の半導体基板１を一方の電極とする静電容量の他方の電極を構成して第２の半導体基板２に形成された電極領域８ｂ、８ｃとを陽極接合時に電気的に接続して同電位とし、陽極接合後に切断されて電極領域８ａと電極領域８ｂ、８ｃとを電気的に分離する同電位配線１０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

トランスデューサ２０は、垂直な集積構造を形成するために相互に接続されたセンサ２８、３０を備えている。センサ２８は、基板３６の表面３４に可動に接続され、離間配置された試験質量３２を備える。センサ３０は、基板５６の表面６０に可動に接続され、離間配置された試験質量５８を備える。基板３６、５６は、基板５６の表面６０が基板３６の表面３４に向き合った状態で接続される。したがって、試験質量５８が試験質量３２に対面する。センサ２８、３０は別に組み立てられ、異なるマイクロ機械技術を利用して形成されてよい。センサ２８、３０は続いて、トランスデューサ２０を形成するためのウェハー接合技術を利用して接続される。トランスデューサ２０の実施形態は、１つ、２つ、または３つの直交軸に沿っての感知を含んでよく、異なる加速度感知範囲における移動を検知するように適合されてよい。
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【課題】ＭＥＭＳ構造体と検出電極との間のギャップを、精度よく、かつ、容易に形成することを可能にする。
【解決手段】被検出構造体１１と、当該被検出構造体１１を変位可能に支持する枠状に形成されるとともに当該被検出構造体１１の被検出面１４に対して段差を有した位置に接合平面１３が形成されてなる枠構造体１２と、前記被検出構造体１１と対向するように配される検出電極２３と、当該被検出構造体１１および当該枠構造体１２の側に平坦化された面を有するように形成されるとともに、当該平坦化された面上に前記検出電極２３が配され、かつ、前記枠構造体１２における前記接合平面１３との常温接合による接合領域２４が確保されている第一封止基板２０と、を備えて変位検出装置１を構成する。 （もっと読む）

【課題】センサチップと制御チップとをケースに取り付けてなるセンサ装置において、両チップの接続部を封止部材で封止する際に封止部材のセンサチップ側への流出を止めるカバーが不要な構成を実現する。
【解決手段】制御チップ３０を、ケース１０を構成する樹脂に封止してケースに埋設し、センサチップ２０をケースの外表面上に配置し、両チップ間にリードフレーム４０を介在させ、リードフレームにおける制御チップ寄りの部位を、制御チップ封止部１２内で制御チップと電気的に接続し、リードフレームにおけるセンサチップ寄りの部位を、ケースの外表面にてボンディングワイヤ５０を介してセンサチップに電気的に接続し、ケースの外表面に、ワイヤによるリードフレームとセンサチップとの接続部を封止する封止部材７０を設けた。 （もっと読む）

【課題】 小型化に適した電気的および機械的に安定なピエゾ抵抗素子型加速度センサー
を提供する。
【解決手段】 枠部と、可撓部と、該可撓部を介して枠部に保持される錘部と、可撓部に
設けられたピエゾ抵抗素子と枠部に設けられたチップ端子とを接続する金属配線および高
濃度拡散層を構成要素に持ち、直交する３つの加速度検出軸毎に前記ピエゾ抵抗素子と金
属配線と高濃度拡散層で構成されるブリッジ回路を有する加速度センサー素子を有するピ
エゾ抵抗素子型３軸加速度センサーあって、ピエゾ抵抗素子上に第２の絶縁膜を介してシ
ールド配線が配置されており、該シールド配線は前記金属配線の一部としてブリッジ回路
の一部を構成している。 （もっと読む）

【課題】プロセスが簡便で小型化・薄化も容易な、ＭＥＭＳデバイスと半導体デバイスが混載された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体基板上に、可動構造体形成層の少なくとも一部をエッチングし可動構造体がリリースされない限度で加工された複数のＭＥＭＳデバイスを形成し、ＭＥＭＳデバイス形成した後に、第１の半導体基板を切断することにより複数のＭＥＭＳデバイスを個々に分割し、複数のＭＥＭＳチップを形成し、第２の半導体基板上に、複数の半導体デバイスを形成し、第２の半導体基板を切断することにより複数の半導体デバイスを個々に分割し、複数の半導体チップを形成し、ＭＥＭＳチップと半導体チップを樹脂により略同一平面状に接着し、ＭＥＭＳチップと半導体チップとを電気的に接続する配線層を形成し、その後に、可動構造体をリリースすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ケースに起因した異物の発生による製造不良や信頼性低下を防止できる容量式力学量センサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ケース５１が複数個連結されてなる多連ケース５０を準備する多連ケース準備工程Ｓ１と、多連ケース５０を構成しているケース５１に、センサチップ４１を搭載するセンサチップ搭載工程Ｓ２と、センサチップ搭載工程Ｓ２後において、多連ケース５０を構成しているケース５１に蓋７１を接合して、ケース５１内を密封状態とする蓋接合工程Ｓ４と、蓋接合工程Ｓ４後において、多連ケース５０を個々のケース５１に分割する多連ケース分割工程Ｓ５とを有してなる容量式力学量センサ装置９０の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】半導体センサの小型化を達成すると共に、センサ素子からの信号を容易に外部へ取り出せる半導体センサを、簡易な工程で安定して製造する。
【解決手段】集積回路１２が複数配された一面を有する第一ウェハ基板１０を用い、該一面と反対側の他面に、集積回路間と同様の間隔を設けて凹部１３ａを複数形成し、一端が他面に露呈し他端が一面に露呈するように、第一ウェハ基板を貫通する第二導電部１４からなる貫通電極を複数形成する。センサ回路２５とこれに接続された第一導電部２６とからなる構造体が複数、集積回路間と同様の間隔を設けて、予め配置された第二ウェハ基板２０を用い、センサ回路と凹部とが個別に対向し、第二導電部の一端と第一導電部とが接続されるように、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板とを重ね合わせる。他面側から第二ウェハ基板を薄肉化した後、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板を、重ね合わせた状態を保ちつつ、ダイシングする。 （もっと読む）

【課題】半導体センサの小型化を達成すると共に、センサ素子からの信号を容易に外部へ取り出すことができる半導体センサを、簡易な工程で安定して製造する。
【解決手段】集積回路１２が複数配された一面を有する第一ウェハ基板１０を用い、該一面と反対側に位置する他面に、集積回路間と同様の間隔を設けて凹部１３ａを複数形成する。センサ回路２５と、該センサ回路に電気的に接続された第一導電部と、該第一導電部に一端が電気的に接続され他端が板厚方向に延設された第二導電部とからなる構造体が複数、集積回路間と同様の間隔を設けて、予め配置された第二ウェハ基板２０を用い、センサ回路と凹部とが個別に対向するように、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板とを重ね合わせる。他面側から第二ウェハ基板を薄肉化し、第二導電部の他端を露呈させて貫通電極を形成する。第一ウェハ基板と第二ウェハ基板を、重ね合わせた状態を保ちつつダイシングする。 （もっと読む）

【課題】キャップ部とセンサ部との接合不良や導通不良が起こらないようにすることができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌの第２配線層２５の上にＧｅの導体層６０を形成し、該導体層６０を第２配線層２５とセンサ部１０の配線層１４とで挟んだ状態で加熱する。これにより、導体層６０を溶かして第２配線層２５の一部と導体層６０とを共晶合金化させると共に、配線層１４と導体層６０とを共晶合金化させる。溶けた導体層６０は、第２配線層２５の表面の凹凸および配線層１４の表面の凹凸を埋めると共に、第２配線層２５の表面と導体層６０との間の空間、および配線層１４の表面と導体層６０との間の空間が無くなるように両者を共晶接合するので、第２配線層２５と配線層１４との接合面積の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】質量部の変位感度比率を均一化することにより、Ｚ軸方向の加速度が加わってもＸＹ軸方向の加速度検出精度が悪くなってしまうことのない多軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】ＸＹＺ座標系におけるＸＹ平面に沿って配置され加速度に応じて変位する質量部１２を複数の梁部１４を介して周囲の支持部１３に支持する可動基板１１と、この可動基板１１における支持部１３と接合され、かつ可動基板１１における質量部１２と所定間隔を有する固定電極１６を上面に設けた固定基板１５とを備え、前記複数の梁部１４を、支持部１３からＸ軸あるいはＹ軸と平行方向に延びた第１の梁部１７と、質量部１２に連結され、かつＸＹ軸と４５°方向に斜めに延びた第２の梁部１８とにより構成し、前記第２の梁部１８の長手方向と垂直な断面２次モーメントを第１の梁部１７の長手方向と垂直な断面２次モーメントより小さくしたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、精度良く素子を立たせることができる電子デバイス及び電子モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】電子デバイス１は、相互に反対を向く第１及び第２の表面４４，４６と、第１及び第２の表面４４，４６に接続する搭載側面４８と、を含む外形形状を有する。電気素子３０は、多面体の外形形状を有して最も広い面が第１又は第２の基板１０，２６を向くように配置されている。第１及び第２の表面４４，４６は、それぞれ、第１及び第２の基板１０，２６の樹脂４０とは反対側の面である。搭載側面４８は、樹脂４０の第１及び第２の基板１０，２６の間での露出面４２と、第１及び第２の基板１０，２６の露出面４２に隣接する側面と、を含む。第１の電極１６は、第１の表面４４で搭載側面４８に隣接して配置されている。第２の電極２８は、第２の表面４６で搭載側面４８に隣接して配置されている。 （もっと読む）

【課題】加速度等の検出に用いる半導体センサにおいて、これをベース材の表面に固定しても、半導体センサに備える錘部とベース材の表面との間隔を高精度に設定できるようにする。
【解決手段】環状の枠体部Ｓと、その内側に間隔をあけて配される錘部Ｍと、可撓性を有して枠体部Ｓと錘部Ｍとを一体に連結する可撓部Ｆと、可撓部Ｆの変形又は変位を検出する検出手段１２１と、一部が枠体部Ｓ内に埋設されると共に平面視環状に形成された枠体部Ｓの一端面１１３から突出するスペーサ突起部１３とを備え、スペーサ突起部１３が枠体部Ｓと異なる材料からなり、スペーサ突起部１３の先端をベース材の表面に当接させた状態でベース材に固定する半導体センサ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板における材料除去を適切に制御することである。
【解決手段】伝導性の基板（１２０）を用いており、かつ伝導性の工具（１００）を用いており、工具は表面構造（１３０）を有しており、前記基板の加工を前記工具を用いて電気化学的なエッチング工程を介して行い、前記エッチング工程を介して前記工具の表面構造に基づき基板の表面から材料を除去する、基板を電気化学的に加工する方法において、電気化学的なエッチング工程中に、前記基板及び前記工具を互いに運動させるようにし、また、上記方法に基づいて基板を電気化学的に加工する装置において、電気化学的なエッチング工程中に前記基板と前記工具とを互いに運動させる運動手段が設けられているようにした。 （もっと読む）