【課題】力学量を正確に検出しつつ、センサ面積が大型化しない構造の力学量センサを提供する。
【解決手段】第１力学量検出手段（例えば容量式加速度センサ２０）を有する第１基板２１（シリコン製センサ基板）と、第２力学量検出手段（例えばピエゾ式圧力センサ３０）を有するとともに、第１基板に当接する第２基板（シリコン製センサ基板）とを備え、第１基板に、第２基板が対向して当接することにより封止空間３７が形成され、この封止空間内に第１力学量検出手段を封止することで、第１力学量検出手段を保護する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、ダイヤフラム上でのシリコン酸化膜による段差部分への応力集中を低減することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の開口部に形成されるダイヤフラムと、ダイヤフラム上に配置され、該ダイヤフラムの撓みに応じた検出信号を出力する歪ゲージと、を備える半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラム上におけるシリコン酸化膜による段差部を、該段差部側面の面外方向が、該ダイヤフラムの段差部位において生じる最大応力の方向との間で垂直関係にありかつダイヤフラム面との間で平行関係にあるように形成する。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の慣性力を検出できる容量式慣性力センサを、可動電極の下面（又は上面）に沿う方向の体格増大を抑制しつつ、検出精度劣化を抑制して提供する。
【解決手段】可動電極に対向配置された固定電極として、可動電極の変位にともない可動電極との対向距離が変化するように、可動電極における変位方向に垂直な側面に対向配置された第１固定電極と、可動電極の変位にともない可動電極との対向面積が変化するように、第１固定電極と対向する可動電極の上面及び下面の少なくとも一方に対向配置された第２固定電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】動作部位へのダストの混入を防止しつつ、アライメント等の問題点を少なくとも部分的に解消すること。
【解決手段】本発明は、ＭＥＭＳ素子を搭載した素子基板にキャップ基板が接合されたＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、キャップ基板５０の原料基板に素子基板の切断パターンに沿って非貫通のトレンチ３００を形成する工程と、素子基板の原料基板に、トレンチが形成されたキャップ基板の原料基板を接合する接合工程と、少なくとも非貫通のトレンチが貫通するまで、接合されたキャップ基板の原料基板をエッチングするエッチング工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの破壊耐圧を向上させることのできる半導体圧力センサを得ることを目的とする。
【解決手段】厚さ方向の一面に開口する凹部２が形成された第１半導体基板３と、第１半導体基板３の一面と相対して配置される第２半導体基板４と、第１半導体基板３と第２半導体基板４との間に介装され、凹部２と第２半導体基板４との間を連通する貫通穴５が形成された第１酸化シリコン膜６と、を備え、貫通穴５及び凹部２の開口と相対する側から見て、貫通穴５の縁部の少なくとも一部が、凹部２の開口縁部の内側に位置している。 （もっと読む）

【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１０とキャップ部２０との積層体に、センサ部１０とキャップ部２０との界面４０を貫く凹部４１を設け、この凹部４１内に封止部材として絶縁膜４２および封止用外周金属層４３を設ける。これによると、凹部４１に配置された封止部材４２、４３が盾となるので、凹部４１よりも内側の界面４０に外力が直接伝わらない。したがって、半導体基板１０と貼り合わせ基板２０との密着力の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装する部材と信号入出力手段を設けている部材とが別部材となったパッケージ構造を有する半導体装置の構造を簡略にする。
【解決手段】マイクロフォン４１のパッケージを、カバー４４と基板４５によって構成する。カバー４４に設けた凹部４６内にはマイクチップ４２と回路素子４３を納めて凹部４６の天面に接着固定する。凹部４６の外側においてカバー４４の下面には複数個のボンディング用パッド４８を設ける。回路素子４３にボンディングワイヤ５１ａの一端を接続し、その他端をボンディング用パッド４８に接続する。基板４５は信号入出力手段として信号入出力端子５８を有しており、基板４５の上面には信号入出力端子５８と導通した接続電極５４がボンディング用パッド４８と対向して設けられている。基板４５とカバー４４は、接続電極５４とボンディング用パッド４８を導電性接着剤やハンダなどの導電性部材６０により接合される。 （もっと読む）

【課題】所望の周波数帯域で良好な感度を有する二次元容量型電気機械変換装置などの電気機械変換装置を無欠陥ないし歩留まり良く作製することを可能とする技術を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は少なくとも１つのセルを含むエレメント１、２、３を複数個有する。複数のエレメントト１、２、３は、複数の処理回路が形成された集積回路基板５上のそれぞれ対応する処理回路に対して、互いに分離して独立的に配置され、各エレメント毎に信号の入出力ができる様に、対応する複数の処理回路とそれぞれ機械的及び電気的に結合されている。 （もっと読む）

【課題】キャップ−基板間への異物混入を防止するＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を得る。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサ素子を形成した基板上に、該ＭＥＭＳセンサ素子の上方を覆うキャップを接合してなるＭＥＭＳセンサにおいて、基板とキャップを接合する接合部をキャップ全周縁に沿って設け、この接合部の外囲面を、キャップ周縁の外囲面の延長面を基準として、該延長面と面一に位置させるかまたは該延長面より外側に位置させる。 （もっと読む）

【課題】センサの検出部分が外枠から分離した加速度センサ、及び加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】底面シリコン基板３０の上に実装された加速度センサ１に対して、左右方向からセンサ部２８に対して印加される外力（物理的な押圧力など）を外枠２が受け止める構成とされており、センサ部２８の内部構造を保護している。シリコン柱４は底面シリコン基板３０から立設され、外枠２からは離間し、且つそれぞれが互いに離間して底面シリコン基板３０の上に複数設けられている。シリコン柱４の先端からは、それぞれ底面シリコン基板３０に沿う方向にビーム６が設けられ、複数のビーム６の先端は空間６０の略中央付近で錘部８に一体化されている。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、このようなセンサーユニットを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーユニット１は、ピエゾ抵抗素子を用いたセンサー２と、このセンサーに接合した能動素子モジュール５とを備え、センサー２は、ピエゾ抵抗素子２９Ｘ，２９Ｙ，２９Ｚに電気的に接続し可動機能領域２Ａの外側に位置する端子３１を有するセンサー本体３と、センサー本体３の枠部２３に接合された保護用蓋部材４と、を有し、能動素子モジュール５は、複数の貫通電極５３と、センサー２の可動機能領域２Ａを囲むように配設された絶縁性樹脂部材５４と、所望の貫通電極５３に接続し、かつ、絶縁性樹脂部材５４上まで達しているコンタクト電極５５とを有し、コンタクト電極５５がセンサー本体３の端子３１と接触した状態で、絶縁性樹脂部材５４がセンサー２と能動素子モジュール５とを接合している。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーパッケージと、このようなセンサーパッケージを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーパッケージを、センサーと、このセンサーの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するようにセンサー表面に所定の高さをもつ封止部材により固着された保護材と、センサーの表面および裏面にそれぞれ配設された配線と、センサーを貫通し両面の所望の上記配線に接続した複数の表裏導通ビアと、を有し、裏面の配線が外部端子を有し、この外部端子に外部端子凸部材を備えるとともに、センサーのアクティブ面と保護材との間の空隙部は、封止部材により設定され、アクティブ面に対して封止部材は表裏導通ビアよりも外側の領域に位置しているものとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、Ｓｉ基板の開口部のダイヤフラム側壁すべてをその基板面に対して垂直な面とすることにある。
【解決手段】半導体圧力センサは、単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板を裏面側からエッチングすることによって形成されたダイヤフラム及び４面のダイヤフラム側壁と、前記単結晶シリコン基板の表面側に形成されたリード導体及び歪ゲージ抵抗からなるブリッジ回路と、を備え、前記ダイヤフラムは、面方位が（１１０）面であり、かつ、平面形状が平行四辺形であり、前記ダイヤフラム側壁は、４面とも面方位が（１１１）面であり、かつ、２面ずつ互いに平行に向かい合っており、圧力印加に伴う前記ダイヤフラムの撓み量に応じて前記ブリッジ回路の出力値が変動することを利用して、前記ダイヤフラムに印加される被検出対象の圧力を検出する。 （もっと読む）

【課題】基板接合強度及びダイアフラムの耐圧限界を高める半導体圧力センサの製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板のキャビティ側の面に、縦横２列で隣接する４つのキャビティの中央にそれぞれ位置させて所定深さの内基準穴を形成してから鏡面加工を施すことによって、その表面高さが最大かつ均一となった接合面を形成する。そして、この接合面を介して半導体基板とベース基板を接合し、これら基板をチップ単位にダイシングして個々の半導体圧力センサを得る。 （もっと読む）

【課題】駆動錘と検出錘とを有する振動子を２つ備えた振動型角速度センサにおいて、外部衝撃に対する各駆動錘の同調性および各検出錘の同調性を高める。
【解決手段】駆動錘１５０、２５０は、当該駆動錘１５０、２５０がそれぞれ対向する部分に開口部１５２、２５２をそれぞれ備えている。また、検出錘１４０、２４０は、駆動錘１５０、２５０の内側にそれぞれ配置されている。そして、駆動連成梁４００は、第１振動子１００の駆動錘１５０と第２振動子２００の駆動錘２５０とを直接連結している。一方、検出連成梁５００は、駆動錘１５０、２５０の開口部１５２、２５２を介して第１振動子１００の検出錘１４０と第２振動子２００の検出錘２４０とを直接連結している。これにより、外部からの衝撃に対する各駆動錘１５０、２５０の同調性および各検出錘１４０、２４０の同調性の両方を高めることができる。 （もっと読む）

応力分離部を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス２０は、第１の構造層２４に形成された要素２８，３０，３２、第２の構造層２６に形成された要素６８，７０、第１の構造層２４から離間された層２６を含む。製造方法は、層２４と２６との間に接合部７２，７４を形成する工程９２，９４，１０４を含む。接合部７２，７４は、第１層２４の相当する要素３０，３２を第２層２６の要素６８，７０に接続される。製造方法８０は、すべての要素３０，３２，６８，７０がＭＥＭＳデバイス２０の基板２２上に吊らされるように下にある基板２２から構造層２４，２６を解放する工程をさらに含む。ここで、要素３０，３２，６８，７０と基板２２との取付は基板２２の中央領域４６のみに起こる。
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【課題】振動子エレメントの両端に溝部を設けた静電容量型超音波振動子において、全体に占めるセル領域の面積比率を低下させず、かつ発生させる超音波の出力低下のない静電容量型超音波振動子を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、該シリコン基板の上面に配設された第１の電極と、該第１の電極と対向し所定の空隙を隔てて配設された第２の電極と、該第２の電極を支持するメンブレンとからなる振動子セルから構成され、駆動制御信号を入出力する最小単位である振動子エレメントと、前記シリコン基板の背面に電極パッドを介して接合したフレキシブルプリント基板とから構成される静電容量型超音波振動子において、隣接する前記振動子エレメント間に溝部が設けられ、該溝部に導電膜が形成されていることにより、上記課題の解決を図る。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に達する溝により、半導体層に可動部が区画されるとともに、溝を通じて可動部直下の絶縁層が除去されてなる半導体力学量センサにおいて、可動部直下に設ける突起部の突起先端と可動部との厚み方向の間隔ばらつきを抑制すること。
【解決手段】単結晶シリコンからなり、表面が（１００）面の半導体基板の表面上に、絶縁層を介して、半導体基板よりも不純物濃度の高いＰ導電型のシリコンからなる半導体層が配置された基板を準備する。半導体層を異方性エッチングし、絶縁層に達する溝を形成して可動部を区画する。溝を通じて絶縁層をエッチングし、溝を半導体基板に達するものとするとともに、横方向において可動部直下における絶縁層の幅を可動部の幅よりも狭くする。上記溝を通じて半導体基板をアルカリエッチングし、突起先端が絶縁層と接する突起部を、可動部直下における半導体基板の表面に形成する。可動部直下に位置する絶縁層を除去する。 （もっと読む）

【課題】種々の物理量を検出する半導体センサにおいて、良好な温度特性を確保できる技術を提供する。
【解決手段】半導体センサ１００は、素子側基板２と封止側基板８を備えている。素子側基板２の表面の一部にはセンシング機能を有するＭＥＭＳ構造体２２が形成されている。封止側基板８の裏面には、ＭＥＭＳ構造体２２を収容する凹所１３が形成されている。素子側基板２の表面には封止側基板８の裏面が接合されており、素子側基板２と封止側基板８の間に凹所１３に対応する封止空間１１が形成されている。封止空間１９１内にはＭＥＭＳ構造体２２が封止されている。封止側基板８には、凹所１３の開口面８ｂと凹所１３の底面８ａとの間に応力吸収部１４が形成されている。封止側基板８と素子側基板２との間に熱応力が発生すると、応力吸収部１４に熱応力が吸収され、素子側基板２に加わる応力が低減される。 （もっと読む）