【課題】ウェハ貫通ビア（ＴＷＶ）を使用した相互接続において、ダイ区域の消費を低減し、ダイ区域を利用可能とする、バッチ製作された３Ｄ相互接続を提供する。
【解決手段】１つまたは複数の垂直相互接続を製作する。ウェハ積層体を形成するために複数のウェハをパターニングおよび積層するステップを含む。ウェハ積層体の１つまたは複数の切断刃の通り道内でウェハ積層体に複数の開口を形成し、導電性材料を複数の開口の側壁に堆積させる。ウェハ積層体は、側壁の導電性材料が、結果として得られる積層ダイの縁部部分に露出されるように、１つまたは複数の切断刃の通り道に沿い、複数の開口を通ってダイシングする。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）

【課題】基板から半導体素子への応力を十分に吸収することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一態様にかかる半導体装置１０は、基板１１と、基板１１の表面に形成された第１弾性体１４と、第１弾性体１４の表面に形成された第２弾性体１３であって、第１弾性体１４よりも弾性率が小さい第２弾性体１３と、第２弾性体１３により第１弾性体１４に固着された半導体素子１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】上方から見た平面積を小さくすることができ、しかも、音響センサのバックチャンバの容積をより大きくすることのできるマイクロフォンを提供する。
【解決手段】回路基板４３の上面にインターポーザ５２を実装し、その上面に音響センサ５１を実装する。信号処理回路５３は、インターポーザ５２に設けられた空間７０に納められて回路基板４３に実装される。音響センサ５１は、インターポーザ５２に設けた配線構造を通じて回路基板４３に接続される。音響センサ５１やインターポーザ５２などは、回路基板４３の上面に被せたカバー４２によって覆われる。カバー４２には、音響センサ５１のフロントチャンバと対向する位置に音導入孔４８が開口されている。インターポーザ５２には、音響センサ５１のダイアフラム５６よりも下方の空間を、カバー４２内でインターポーザ５２よりも外の空間とを音響的に連通させるための通気用切欠７１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに部分的に大きな電流が流れるのを抑制する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、ゲート電極５を有する半導体チップ１と、半導体チップ１の表面に設けられ、当該表面にかかる応力を検出する応力検出用素子７とを備える。そして、半導体装置は、応力検出用素子７で検出された応力に基づいて、ゲート電極５に印加される制御信号を制御する。また、平面視において半導体チップ１の中央部にかかる応力を検出する応力検出用素子７が、第１応力検出用素子７−１として設けられ、平面視において半導体チップ１の外周部にかかる応力を検出する応力検出用素子７が、第２応力検出用素子７−２として設けられることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高感度でありながら小型であり、かつ、製造コストも削減できる静電容量型ＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】静電容量型ＭＥＭＳセンサの一例としての静電容量型マイクロフォン１は、互いに対向する第１電極部Ｘおよび第２電極部Ｙを有している。静電容量型マイクロフォン１は、第１電極部Ｘとしての側壁１２を有する凹所９が厚さ方向に掘り込まれた半導体基板２と、凹所９の深さ方向に沿う姿勢で第１電極部Ｘに対向するように凹所９内に配置され、凹所９の底面から離隔した底面２０Ｃを有し、半導体基板２の材料からなる第２電極部Ｙとしての膜２０と、膜２０を半導体基板２に結合する絶縁膜２１とを含む。 （もっと読む）

【課題】 特に、押圧部材と当接する受圧部表面の耐摩耗性を向上させた荷重センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態における荷重センサ１は、荷重を受けて厚さ方向に変位可能な変位部４と、前記変位部４での変位量を検出可能な素子部（ピエゾ抵抗素子６）と、を有し、前記変位部４の荷重を受ける側の面から突出するシリコンからなる突起部５と突起部５の表面５ａに成膜された無機絶縁層３０とからなる受圧部１７が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子面積を減少させることができるとともに、製造コストを低減することができるＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】半導体基板２０と、半導体基板２０の主面２０ａに、半導体基板２０と相対変位可能に設けられた可動部３３と、半導体基板２０の主面２０ａ上に、可動部３３を覆うように設けられた蓋部５０と、半導体基板２０の主面２０ａであって、かつ、蓋部５０の外側の領域に設けられた第１の電極端子４１と、蓋部５０の半導体基板２０と対向する面に形成されており、第１の電極端子４１と可動部３３とを電気的に接続する第１の配線５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の側壁部２３及び第１封止層３０に覆われた空洞部３３内に位置する可動部７ｂと、空洞部３３内に設置され空洞部３３内の気体を吸着する第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５と、基板２と対向する場所に位置する第１封止層３０及び第２封止層３２と、を備え、第１封止層３０は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを有し、第２封止層３２は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを封止する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するＭＥＭＳ素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び／又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子１は、絶縁基板２と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を含み、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と、を含み、第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｘ軸周り、Ｙ軸周りおよびＺ軸周りの３軸方向の角速度を検出することが出来る３軸検出角速度センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の３軸検出角速度センサは、Ｙ軸およびＺ軸検出用角速度センサ素子２０と別体に設けられるとともにＸ軸方向に延出された音叉型のＸ軸検出用角速度センサ素子７０とを設けたため、Ｘ軸周り、Ｙ軸周りおよびＺ軸周りの３軸方向の角速度を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体センサに係り、複数のセンサ基板を精度良く位置決めしつつセンサ基板全体の面積をできるだけ抑制することにある。
【解決手段】センサ面に溝又は突部が形成された第１のセンサ基板と、センサ面に溝又は突部が形成された第２のセンサ基板と、一方の面に第１のセンサ基板の溝又は突部に嵌合可能な第１の突部又は溝が形成され、かつ、他方の面に第２のセンサ基板の溝又は突部に嵌合可能な第２の突部又は溝が形成されたキャップ基板を備え、第１のセンサ基板を、溝又は突部が第１の突部又は溝に嵌合した状態でキャップ基板の一方の面側に接合し、かつ、第２のセンサ基板を、溝又は突部が第２の突部又は溝に嵌合した状態でキャップ基板の他方の面側に接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体加速度センサに製造上の加工バラツキが生じたとしても他軸感度を抑制して加速度の検出精度を向上させる手段を提供する。
【解決手段】外枠部と、外枠部の中心部に配置された重錘部と、外枠部と重錘部とを接続する少なくとも一対の可撓部を有し、一対の可撓部は一の可撓部の外枠部と重錘部との延在方向に他の可撓部が配置される半導体加速度センサであって、Ｙ軸可撓部のＹ軸上に一直線状に、Ｙ軸可撓部の一方の外枠部側から重錘部側に向かって第１のＹ軸抵抗素子、第１のＺ軸抵抗素子、第２のＺ軸抵抗素子、第２のＹ軸抵抗素子の順にこれらを並べて配置し、Ｙ軸可撓部の他方の重錘部側から外枠部側に向かって第３のＹ軸抵抗素子、第３のＺ軸抵抗素子、第４のＺ軸抵抗素子、第４のＹ軸抵抗素子の順にこれらを並べて配置する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの厚さのばらつきを抑制することのできる圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】異方性エッチングによって第１凹部１３が形成された一面１１を有する第１基板１０と、第１凹部１３が密閉空間となるように第１基板１０の一面１１に接合された一面２１を有する第２基板２０と、を備え、第１凹部１３を測定媒体の圧力に応じて変形可能な側面を有するものとする。そして、第１基板１０に、側面の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ状態で同心円状に分布する寸法ばらつきが個片化後の半導体装置の性能に与える影響を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１を回転させながら半導体ウェハ１の主面にレジストを塗布する第１工程と、レジストを露光及び現像して半導体ウェハ１の主面にパターンニングされたレジスト膜を形成する第２工程と、レジスト膜を介して半導体ウェハ１の主面をエッチングする第３工程と、を含む工程により、半導体ウェハ１の主面に力学量を検出する構造体１２を含む半導体装置１０を複数個形成する半導体装置の製造方法であって、複数の半導体装置１０に含まれる各々の構造体１２は、平面視において、各々の構造体１２の所定の領域Ｂ，Ｃが半導体ウェハ１の中心近傍Ｏを向くように配置される。 （もっと読む）

【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ（１）は、溝（１００ａ）と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部（１０１）と厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極（１０４）とが形成されたシリコンからなる基板（１００）と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極（１０３）と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層（１０２）と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 （もっと読む）

【課題】板上に慣性センサを取り付けるシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは基板層３２、３４、センサ層２４、およびセンサ層２４と基板層３２、３４との間に配置される絶縁層２６、２８を有し、基板層３２、３４の１つにＶ溝が非等方性エッチングにより形成される。基板層３２、３４は１００結晶面方位にある。センサパッケージは、その後、ウェハから分離され、エッチングにより形成された基板層３２または３４の表面は、板に取り付けられる。一例において、検出軸が互いに垂直になるように３つのセンサパッケージが板に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】封止用基板で封止されたタイプにおいて静電気の影響を小さくすることができるウエハ、ウエハの製造方法および静電容量式加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１は、ウエハキャリア（導電性部材）１０に保持されるウエハ１であって、半導体基板２と、半導体基板２の一方表面と他方表面とを挟むように配置され、かつ絶縁性を有する１対の封止用基板３と、一方表面の側および他方表面の側の少なくともいずれかのウエハ１の外縁部１ａに配置され、半導体基板２と電気的に接続され、封止用基板３上の少なくとも一部に配置され、かつウエハキャリア（導電性部材）１０と電気的に接続するための導電層４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減できるＭＥＭＳデバイス及びＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置されたＭＥＭＳ素子と、前記ＭＥＭＳ素子を覆い、前記ＭＥＭＳ素子との間に空間を確保するケースと、前記基板と前記ケースとが接触又は近接する位置に前記ケースの上面の少なくとも一部を露出させて配置される封止材と、を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスを提供する。また、ＭＥＭＳ素子を基板上に配置し、ケースにより前記ＭＥＭＳ素子を覆い、前記ＭＥＭＳ素子と前記ケースとの間に空間を確保し、前記基板と前記ケースとが接触又は近接する位置に、前記ケースの上面の少なくとも一部を露出させて封止材を形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）