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Fターム[4M112DA16]の内容

圧力センサ (26,807) | 製造工程 (5,073) | 素子本体の製造工程 (5,065) | 切断、ダイシング (230)

Fターム[4M112DA16]に分類される特許

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【課題】MEMSセンサの可撓部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを連結し前記錘部の運動にともなって変形する可撓部と、が形成されている積層構造体を備え、前記積層構造体は、前記可撓部を構成し下面が平坦である単結晶シリコン層10と、前記単結晶シリコン層上に積層され前記単結晶シリコン層と異質のCMPストッパ層30と、を含み、前記ストッパ層の下面と前記単結晶シリコン層の下面とは同一平面に含まれるか、前記ストッパ層の下面は前記単結晶シリコン層の下面から突出している、MEMSセンサ。 (もっと読む)


【課題】プリモールドタイプのパッケージにあって内部に収納される半導体チップを有効に電磁シールドするとともに、限られたスペース内の折り曲げ加工でも端子部等を高精度に位置決めすることができ、小型化に有利とする。
【解決手段】モールド樹脂体の一端部側に周壁部の上端面に露出される導通フレーム部26が設けられ、隣接状態で列をなす各リードフレーム5の列毎に、該列に沿って導通フレーム部26を連結状態としてなる支持フレーム部31が形成され、該支持フレーム部31の導通フレーム部26の片側に、自身のリードフレーム5に属するステージ部21が連結フレーム部25を介して接続され、反対側に、隣の列のリードフレーム5に属する端子部22,23が切断ラインDを横切るアーム部33を介してそれぞれ接続されている。 (もっと読む)


【課題】キャップ部の配線層とセンサ部との接合不良や導通不良が起こらないようにすることができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ部20に第2配線層25を形成し、該第2配線層25を配線部25aと気密封止部25bとにパターニングする。そして、配線部25aおよび気密封止部25bに配線部25aおよび気密封止部25bよりも硬く、高さが揃った複数の支柱部27を設けた後、配線部25aおよび気密封止部25bの各表面を平坦化する。これにより、各支柱部27よりも配線部25aや気密封止部25bが一方的に削れてしまうことを防止し、配線部25aおよび気密封止部25bの各表面を均一に平坦化する。 (もっと読む)


【課題】プリモールドタイプのパッケージにあって有効に電磁シールドするとともに、表面実装用端子部と蓋体との絶縁のための距離を十分に確保しつつ小型化を図る。
【解決手段】モールド樹脂体の一端部側に周壁部の上端面に露出される導通フレーム部26、29が設けられ、隣接状態で列をなす各リードフレーム5の列毎に、導通フレーム部26,29と、その端部から列の長さ方向に沿う切断ラインDを越えて張り出させた屈曲フレーム部28とを列に沿って連結状態とした支持フレーム部31が形成され、該支持フレーム部31に、屈曲フレーム部28の内側から端子部24に接続状態のアーム部32と、隣の列のリードフレームに属する端子部22,23に接続状態の補助アーム部33とが接続され、両アーム部32,33は、それぞれ両端の二箇所で折り曲げられ、これら両端の折り曲げ部が列の長さ方向に沿う切断ラインDを介して両側に配置されている。 (もっと読む)


【課題】可動部の運動範囲を規制するストッパ基板部と可動部との空隙の幅を精度よく調整することができなかった。
【解決手段】支持部と、前記支持部に支持され前記支持部に対して運動する可動部と、を有する構造体と、前記構造体の前記支持部の底面が接合される平坦な接合面と、前記可動部と対向する領域において底部が前記接合面より後退している凹部と、を有するストッパ基板部と、前記ストッパ基板部の材料に対してエッチング選択性を有する材料からなり、前記凹部を前記接合面よりも後退した位置まで満たすことによって前記可動部の底面と予め決められた所定距離で対向する距離調整部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】錘部となるウエハが損傷しにくいMEMSセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持部と、一端が前記支持部と結合し可撓性を有する可撓部と、前記可撓部の他端に結合している連結部と、前記可撓部の変形を検出する検出部とを備える積層構造体を形成し、前記連結部の底面に結合する錘部となる領域に外接するウエハの対象領域に残部とは異質の異質領域を形成し、前記異質領域の内側にあって前記錘部となる前記残部の領域を前記連結部の底面に接合し、前記連結部に接合された前記ウエハから前記異質領域を除去する、ことを含む (もっと読む)


【課題】チップ部の可動電極と封止部の固定電極とを同電位とする共有導通配線の、陽極接合後における専用工程としての断線処理を省くことができるMEMSデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】可動電極8を有するチップ部2Aをマトリクス状に複数個形成したウェーハ20と、固定電極7を有する封止部3Aをマトリクス状に複数個形成した封止ガラス30と、を重ね合わせて陽極接合する接合工程と、陽極接合したウェーハ20および封止ガラス30をスクライブライン40に沿ってダイシングし、チップ部2Aと封止部3Aとを陽極接合して成る複数個のMEMSデバイス1を得るダイシング工程と、を備え、スクライブライン40のライン幅W内には、チップ部2Aの単位で、可動電極8と固定電極7とを導通する複数の共有導通配線16が、パターン形成されている。 (もっと読む)


【課題】正電圧の印加により陽極接合した基板接合体の、逆電圧の印加に伴う剥離を防止することができる基板の接合方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板2を陽極13としこれに接合される第1ガラス基板3を陰極14として、シリコン基板2の一方の接合面に第1ガラス基板3を陽極接合する第1接合工程と、接合したシリコン基板2および第1ガラス基板3を陽極13としこれに接合される第2ガラス基板4を陰極14として、シリコン基板2の他方の接合面に第2ガラス基板4を陽極接合する第2接合工程と、を備え、第1ガラス基板3は、その電気抵抗値が第2ガラス基板4の電気抵抗値より低いものとした。 (もっと読む)


【課題】MEMSセンサの錘部の厚さを均一化する。
【解決手段】支持部と、環状の錘部と、前記錘部の内周面に結合し前記錘部を貫通し上端部が前記錘部の上面から突出している連結部と、前記連結部の上端部に一端が結合し、前記支持部に他端が結合し、空隙を挟んで底面が前記錘部の上面と対向し、前記錘部の運動に伴って変形する可撓部と、前記錘部の運動に伴う前記可撓部の変形を検出する検出手段と、を備え、前記錘部の底面の内側に露出している前記連結部の底面の表層と前記錘部の前記底面の表層とは互いに異なる材料からなる、MEMSセンサ。 (もっと読む)


【課題】 複数の素子接合体を一挙に製造するにあたり、大判素子接合体を個々の素子接合体に分ける切断を一度で行うことができる圧力センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧力センサ100の製造方法は、素子領域235を複数格子状に有するSiウエハ230と、押圧部材領域226を複数格子状に有し、貫通孔225hを複数有する大判押圧部材225とを用意し、Siウエハ230に大判押圧部材225を接合して、素子接合体領域241を複数格子状に有し、上記貫通孔225h内にSiウエハ230の角部集合領域230ahが露出する大判素子接合体240を形成する工程と、大判素子接合体240を切断して個分けする工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】小型な構成であって複数の応力を同時に検知することが可能な半導体応力センサを提供することことを課題とする。
【解決手段】圧力を検知する第1の応力検知ウェハ部1、加速度を検知する検知する第2の応力検知ウェハ部2、ならびに貫通配線ウェハ部3が縦方向に積層配置されて形成され、第2の応力検知ウェハ部2には、第1の応力検知ウェハ部1で検知された圧力に応じた電気信号をセンサ外部に出力する引き出し配線24aが形成され、貫通配線ウェハ部3には、引き出し配線24aに接続されて第1の応力検知ウェハ部1で検知された圧力に対応した電気信号をセンサ外部に出力する引き出し配線24bと、第2の応力検知ウェハ部2で検知された加速度に対応した電気信号をセンサ外部に出力する引き出し配線31が形成されて構成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】可撓性変換器ユニットを製造するための新規な方法を提供する。
【解決手段】複数の変換器構造体を含むウェハーから、可撓性変換器ユニットを製造する方法に関するものであり、変換器構造体が、基板1と、金属−酸化物層10と、金属−酸化物層10における少なくとも1個のメッシュ構造体4と、金属−酸化物層10に少なくとも1個の第1コンタクトパッド3を有する電線2とを備える。本製造方法は、メッシュ4を解放するために金属−酸化物層10をエッチングする工程と、メッシュ4上に密封層7を形成する工程と、金属−酸化物層10上に第1可撓性材料層8を形成する工程と、変換器構造体を十分可撓性のあるものにするにはために基板1のかなりの厚さを除去する工程とを含む。また、メッシュを解放する前に、第1可撓性材料層8を形成してもよい。さらに、ウェハーの裏側に第2可撓性層9を形成する工程を有してもよい。 (もっと読む)


【課題】新たな外力付与方法を適用可能な半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】半導体加速度センサ1は、重り部9、重り部9を囲繞する枠状の固定部13、及び、一方端が重り部9に連結され、他方端が固定部13に連結された梁部11を有するセンサ素子3を有する。また、加速度センサ1は、固定部13の開口方向の一方側においてセンサ素子3に対向する第1規制板5と、固定部13の開口方向の他方側においてセンサ素子3に対向する第2規制板7とを有する。そして、第1規制板5には、第1規制板5とセンサ素子3との対向方向に見て、重り部9に重なり、重り部9よりも小さい孔部5hが形成されている。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的はセンサ特性の低下を抑え、かつ簡単な構成で加速度センサの耐衝撃性を向上させることにある。。
【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、フレーム部と、前記フレーム部の内側に位置する錘部と、前記フレーム部と前記錘部とを接続する可撓部と、前記可撓部及び/又は前記フレーム部に配置された複数の歪検出部と、前記フレーム部上に配置された複数の電極パッドと、前記可撓部及び前記フレーム部上に配置され、前記歪検出部同士の間または前記歪検出部と前記電極パッドとの間を接続する配線部と、を備え、前記歪検出部と前記電極パッドの間を接続する配線部のいずれかは、第1の折返し部と第2の折返し部とを含む複数回の折返し形状を有し、前記第1の折返し部は前記フレーム部上に位置し、前記第2の折返し部は前記可撓部上に位置することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明によれば、製造工程で発生する不良を低減することができる物理量センサおよびその製造方法を提供することができる。
【解決手段】 本発明に係る物理量センサは、第1基板と第2基板の間に半導体膜、絶縁膜、および半導体基板が順に積層された積層基板を配置した構造を有する物理量センサであって、積層基板は可動部を含むセンサ構造体と、柱状配線と、を含み、第1基板は、貫通孔と、前記貫通孔内に配置され、前記第1基板を貫通して導通をとる貫通配線部と、を備え、柱状配線部は、半導体膜と絶縁膜とを貫通する凹部と、凹部内に配置され、柱状配線部の上下の導通をとる導通部と、を備え、第1基板と積層基板とは、貫通孔が柱状配線部上に位置し、かつ貫通孔と凹部とが重ならないように配置されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】設計の自由度を高く維持しつつ、MEMSに伝達される熱応力を効果的に抑制することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】MEMS部と、該MEMS部を支持するセンサ基板と、前記MEMS部に凹部が対向するように前記センサ基板に取り付けられるキャップ部と、を備える電子装置であって、前記キャップ部の壁面の一部には、前記センサ基板との接合部に比して厚みを薄くした凹凸構造の応力吸収部が形成されていることを特徴とする、電子装置。 (もっと読む)


【課題】可動部を面内方向に励振させるのにあたり、不要なメカノイズ成分の発生を有効に抑制できるようにする。
【解決手段】平板状の可動部11と、前記可動部11の端縁から離間して配される支持部12と、前記可動部11に一端が連結され、前記支持部12に他端が連結されて、前記支持部12に対して前記可動部11を面内方向へ変位可能に支持する弾性支持体13と、を備える微小電気機械装置(MEMS)において、前記弾性支持体13を基板の厚さ方向に全て抜いて形成することで、面内垂直方向における中心位置が前記可動部11の重心位置と合致するように構成する。 (もっと読む)


【課題】マイクロメカニカルなセンサエレメントを備えた複合構成エレメントの支持体におけるマイクロクラックの形成と成長を減じる手段を提供する。
【解決手段】マイクロマシニングセンサエレメントを備えた構成エレメントであって、センサエレメントがガラス支持体上にボンディングされており、ガラス支持体の上面がセンサエレメントのための結合面として機能しており、ガラス支持体の、前記上面とは反対側の背面が、構成エレメントのための組み付け面として働き、ガラス支持体が、前記上面と背面とを結合する側面を有している形式のものにおいて、ガラス支持体が、ガラス支持体の少なくとも輪郭がエンボス加工されたガラスウェハ30のセグメントによって形成されていて、これにより、ガラス支持体の側面のこのように形成された領域と、ガラス支持体の背面とが、ほぼマイクロクラックを有さない表面を有している。 (もっと読む)


【課題】機能素子の可動部分を配置した空間の気密性の低下を抑制しつつ、小型化を実現できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】表面10aに凹部15が形成され、その凹部15内に配置された可動部分を有する機能素子100を備える変位検出用半導体チップ10と、変位検出用半導体チップ10の表面10a上で凹部15を囲んで環状に配置されたダイアタッチ材を含む結合部20と、可動部分の変位を検出した機能素子100が出力する検出信号を処理する処理回路300を有し、空洞を形成するように凹部15の上方を覆って結合部20上に配置された信号処理用半導体チップ30とを備え、結合部20によって凹部15が気密封止されている。 (もっと読む)


【課題】製品間の特性のばらつきを抑えることが可能な加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサが、開口を有する固定部と、この開口内に配置され、かつ前記固定部に対して変位する変位部と、前記固定部と前記変位部とを接続する接続部と、を有する第1の構造体と、前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、かつ前記固定部に接合される台座と、を有し、前記第1の構造体に積層して配置される第2の構造体と、前記接続部に配置され、不純物の濃度が少なくとも深さ方向において略一定であるピエゾ抵抗素子と、を具備する。 (もっと読む)


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