【課題】より小型化された加速度センサチップパッケージ及びその製造方法。
【解決手段】加速度センサチップパッケージ10は、開口部16が画成されているフレーム部13、開口部内に延在している梁部14a及び梁部により可動に支持されている可動部14bを含む可動構造体15、検出素子19及び複数の電極パッド18を有する加速度センサチップ11と、一端側が電極パッドに電気的に接続されている複数の配線部17aを有する再配線層17と、電極パッドに接続されている導電バンプ24と、第１の面20aから露出する複数のセンサ制御電極パッド22を有していて、センサ制御電極パッドが導電バンプと接続されているセンサ制御チップ20と、配線部の他端側に接続されている外部端子70と、外部端子を露出させて、加速度センサチップ上に設けられていて、センサ制御チップ、電極パッド及び再配線層を封止する封止部50と、開口部を下面側から封止する基板12とを具えている。 （もっと読む）

【課題】 より小型化された加速度センサチップパッケージ及びその製造方法。
【解決手段】 加速度センサチップパッケージ１０は、上面から下面に至る開口部１６を画成するフレーム部１３、フレーム部から開口部内に延在している梁部１４ａ及び梁部により可動に支持されている可動部１４ｂを含む可動構造体１５、可動構造体の変位を検出する検出素子１９、及びフレーム部の上面から露出して設けられている複数の電極パッド１８を有する加速度センサチップ１１と、その一端側が電極パッドに電気的に接続されている複数の配線部１７ｂを有する再配線層１７と、配線部の他端側に接続されている複数の外部端子７０と、複数の外部端子それぞれの一部分を露出させて、加速度センサチップ上に設けられていて、電極パッド及び再配線層を封止する、閉環状の第１封止部２０と、加速度センサチップの下面に接して、開口部を下面側から封止する基板１２とを具えている。 （もっと読む）

【課題】 低コストで検知感度の向上を図ることができる静電容量型センサを提供すること。
【解決手段】 シリコンマイク素子２０は、シリコン支持基板２１と、シリコン支持基板２１上に形成された酸化シリコン層２２と、酸化シリコン層２２上に形成された可動電極板２３と、シリコン支持基板２１上に設けられた支持部に支持されたバックプレート２５と、可動電極板２３に設けられた第１電極２６と、バックプレート２５に設けられた第２電極２７とを有し、可動電極板２３は、犠牲層２４を介してバックプレート２５と対向配置され、音波の強さに応じて振動するダイアフラム２３ａを備え、支持部は、酸化シリコン層２２、研磨ストッパ３６及び犠牲層２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】より小型化された加速度センサチップパッケージ及びその製造方法。
【解決手段】加速度センサチップパッケージ１０は、フレーム部１３、開口部１６内に延在している梁部１４ａと、梁部により可動に支持されている可動部１４ｂを含む可動構造体１５、この可動構造体１５の変位を検出する検出素子１９を有する加速度センサチップ１１と、閉環状のリング部２０と、リング部の上面２０ａに接合され、可動構造体を開口部の上面側から封止する薄板状部材３０と、フレーム部の外側領域１３ａから露出する複数の電極パッド１８と、複数の配線部１７ａを有する再配線層１７と、外側領域上に設けられている外部端子７０と、外部端子を露出させて設けられていて、リング部、薄板状部材、電極パッド及び再配線層を封止する封止部５０と、加速度センサチップの下面に接して、開口部を下面側から封止する基板１２とを具えている。 （もっと読む）

【課題】 検知感度を悪化させないで、力伝達ブロックと半導体基板との接合強度を強固にする。
【解決手段】 半導体基板２２と力伝達ブロック３２を備えた力検知装置である。半導体基板２２の表面の一部の領域には、その領域が歪むと抵抗が変化するドープ領域２５が形成されている。力伝達ブロック３２は、ドープ領域２５とそのドープ領域２５を囲繞する囲繞領域３４において、半導体基板２２表面に接している。力伝達ブロック３２は、その囲繞領域３４の外周輪郭３３よりも外部に突出していない。さらに、半導体基板２２表面と直交する方向の力伝達ブロック３２の高さは、ドープ領域２５において高く、囲繞領域３４において低く調整されている。 （もっと読む）

【課題】圧力変化を正確に検知することができる静電容量型圧力センサ用のガラス基板を提供すること。
【解決手段】ガラス基板１１は、互いに対向する一対の主面１１ａ，１１ｂを有する。ガラス基板１１には、シリコンで構成された島状体１２ａ，１２ｂが埋設されている。島状体１２ａ，１２ｂは、ガラス基板１１の両主面でそれぞれ露出している。ガラス基板１１の主面１１ａ上には、島状体１２ａの一方の露出部分と電気的に接続するように電極１３ａが形成されており、島状体１２ｂの一方の露出部分と電気的に接続するように電極１３ｂが形成されている。ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、島状体１２ａの他方の露出部分と電気的に接続するように電極１４が形成されている。ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、感圧ダイヤフラム１５ａを有するシリコン基板１５が接合されている。 （もっと読む）

耐衝撃性が高く、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸ピエゾ抵抗素子の出力の差が小さく、小型で高感度、高出力の半導体型３軸加速度センサを提供する。 可撓腕が可撓幅広部と可撓平行部で構成され、可撓幅広部に最大応力部があり、最大応力部にピエゾ抵抗素子の一端が来るように可撓腕上面上にピエゾ抵抗素子を設ける。可撓腕の幅中心線の近傍にＺ軸ピエゾ抵抗素子、幅中心線から離れてＸ軸／Ｙ軸ピエゾ抵抗素子を設ける。また、最大応力部から可撓腕の長さ方向にＺ軸ピエゾ抵抗素子をずらすことで、Ｘ軸とＹ軸、Ｚ軸ピエゾ抵抗素子間の出力差を小さくする。 （もっと読む）

マイクロ構造（２６）を収容する気密封止キャビティ（２２）を有するマイクロデバイス（２０）である。マイクロデバイス（２０）は基板（３０）と、キャップ（４０）と、絶縁層（７０）と、少なくとも一つの導電アイランド（６０）と、そして分離トレンチ（５０）と、を備える。基板（３０）は上面（３２）を有し、この上面の上には複数の導電配線（３６）が形成される。これらの導電配線（３６）がマイクロ構造（２６）への電気的接続手段となる。キャップ（４０）は基台部分（４２）及び側壁（４４）を有する。側壁（４４）は基台部分（４２）から外に向かって延びてキャップ（４０）内のリセス（４６）を画定する。絶縁層（７０）は、キャップ（４０）の側壁（４４）と複数の導電配線（３６）との間に取り付けられる。導電アイランド（６０）は複数の導電配線（３６）の内の少なくとも一つの導電配線に取り付けられる。分離トレンチ（５０）はキャップ（４０）と導電アイランド（６０）配線との間に位置し、かつ分離トレンチには何も充填されない、または分離トレンチの少なくとも一部には電気絶縁材料が充填される。上の構成と同じマイクロデバイスを形成する方法も提供される。
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【課題】半導体基板に形成した三次元構造体を封止する中空構造のサイズを小さく、かつ簡素化する。また、前記構造体と半導体チップとの熱膨張係数の差による熱応力等に起因する特性の変化を防止する。
【解決手段】半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。また、その製造方法において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成する工程と、前記凸部に蓋部材を接着する工程とを有し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。上述した本発明によれば、半導体チップの凸部と蓋部材とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さくなり、凸部が半導体チップと同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】物理量を電気信号に変換する変換部の電極と引出電極との電気的接続の信頼性を向上させることのできる物理量センサの実装構造を提案する。
【解決手段】物理量センサ３は、平板状に形成された台座１と、台座１の表面に結合されたセンサ本体２とを備える。台座１には内面が表面に対してなす角αと裏面に対してなす角βとをともに全周に亙って鈍角としたスルーホール１３が表裏に貫設されている。スルーホール１３の内面には、台座１の裏面に設けられた固定側引出電極１２と台座１の表面に設けられた固定電極１１とを電気的に接続する導電部１４が設けられている。台座１の裏面は、第１の導電パターン５２が設けられたセラミック基板５に導電性接着剤Ｂを用いて接着固定されている。ここにおいて、固定側引出電極１２は導電性接着剤Ｂを介してセラミック基板５の第１の導電パターン５２に電気的に接続されている。 （もっと読む）