【課題】隣接するマイクロレンズ間の光混色を防止し、視差画像群のマッチング精度の低下を抑制することを可能にする。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板に形成され、それぞれが複数の画素を含む複数の画素ブロックを有する撮像領域を備えた撮像素子と、被写体を結像面に結像する第１の光学系と、複数の画素ブロックに対応して設けられた複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイを含み、結像面に結像された像を、個々のマイクロレンズに対応する画素ブロックに再結像する第２の光学系と、第２の光学系側に複数のマイクロレンズに対応して設けられ、複数の第１の色フィルタを有する第１のフィルタと、撮像素子側に設けられ、第１のフィルタの複数の第１の色フィルタに対応する複数の第２の色フィルタを有する第２のフィルタと、を備えている。第１および第２のフィルタは、撮像領域の周辺部へいくほど、撮像領域の周辺方向へ第１および第２の色フィルタがずれるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＰＷＬ（Ｐ型のウエル領域）の濃度プロファイルを深くしフォトダイオードでの光電変換の量子効率を向上させるＰＷＬ構造を有した場合、暗電流、ブルーミング及び混色などを大幅に抑制する。
【解決手段】入射光を信号電荷に変換する光電変換部と、光電変換部から信号電荷を転送する転送部と、を含む画素の複数を含む固体撮像装置において、光電変換部は、半導体基板の第一導電型のウエル内に形成され、第一の画素の光電変換部と第一の画素に隣接する第二の画素の光電変換部との間に、少なくとも第二導電型の第一の不純物領域が配置されており、第一の不純物領域と光電変換部の間に、ウエル濃度よりも不純物濃度が高い第一導電型の第二の不純物領域が配置され、更に、ウエルと第一の不純物領域の間に、半導体基板の受光面を基準に第二の不純物領域よりも深い位置に配置された、第一導電型の第三の不純物領域を含む。 （もっと読む）

【課題】水平信号線に関する複数段の階層的な接続構造を採用しつつ、水平信号線上で水平方向の画素加算を行うことにより得られる画像の画質を向上させる。
【解決手段】固体撮像素子１は、複数の画素１０と、複数の垂直信号線１１と、複数のサンプルホールド部１５Ｓ，１５Ｎと、水平出力部と、水平走査回路１８とを備える。水平出力部は、少なくとも２つ以上の垂直信号線１１と接続される複数の第１の水平信号線３１Ｓ，３１Ｎと、複数の第１の水平信号線３１Ｓ，３１Ｎと選択スイッチＨＧＳ，ＨＧＮを介して接続される第２の水平信号線３２Ｎ，３２Ｓからなる。水平走査回路１８は、サンプルホールド部１５Ｓ，１５Ｎに保持された画素信号が第１の水平信号線３１Ｓ，３１Ｎに出力されたときに、複数の選択スイッチＨＧＳ，ＨＧＮのうち、少なくとも２つをオンに制御して第２の水平信号線３２Ｎ，３２Ｓに出力する。 （もっと読む）

【課題】スペーサ形成用絶縁膜のドライエッチングによるフォトダイオード領域の損傷を抑え、駆動時の暗電流特性を改善可能なＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】フィールド絶縁膜３２及びゲート電極３３ａを形成した基板３０上のエピタキシャル層３１上面にイオン注入用酸化膜３５を形成し、フォトダイオード領域３７、３８を形成し、フォトダイオード領域形成マスク３６を除去した後、窒化膜３９、酸化膜４０の順で積層したスペーサ形成用絶縁膜を形成し、酸化膜４０をドライエッチングして、ゲート電極３３ａの両側壁の窒化膜３９上に酸化膜スペーサ４１を形成した後、ドライエッチングによって露出された窒化膜３９を、ウェットエッチングにより除去し、フォトダイオード領域３７、３８と反対側のゲート電極３３ａ片側のエピタキシャル層３１表層部にフローティング拡散領域４３を形成する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、光導波路でのクラック発生を防止し、光電変換部への集光効率を向上させる。
【解決手段】光電変換部と該光電変換部の信号電荷を読み出す手段からなる複数の画素と、各画素の光電変換部に対応して形成された光導波路１５とを有る。光導波路１５は、平面に沿う水平断面において、外周部より屈折率が高い環状のコア層１６と、環状のコア層１６に取り囲まれて該コア層１６より屈折率が低いクラッド層１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】 更なる小画素ピッチ化及び多画素化が求められる検出装置、特に、積層型の検出装置において、信号線容量の更なる低減による低ノイズ化及び駆動線の時定数の更なる低減による高速駆動化が可能な検出装置を提供する。
【解決手段】 放射線又は光を電荷に変換する変換素子１０４と、スイッチ素子１０５と、を含み、行方向及び列方向に配列された複数の画素１０２と、行方向の複数のスイッチ素子に接続された駆動線１０７と、列方向の複数のスイッチ素子に接続された信号線１０８と、を有し、変換素子１０４がスイッチ素子１０５の上方に配置された検出装置であって、信号線１０８は、変換素子１０４の下方に配置された駆動線１０７の最上位表面よりも下層の絶縁部材に埋め込んで配置された導電層２０８又は５０９からなる。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、白点、暗電流の発生及び混色を抑制し、感度の向上を図る。
【解決手段】光電変換部ＰＤと複数の画素トランジスタからなる画素３８が２次元配列された画素領域と、画素領域内に形成され、トレンチ４２内にエピタキシャル成長による半導体層４３が埋め込まれて構成された画素間を分離する素子分離領域４１を有する。さらに、多層配線層３３とは反対の半導体基板裏面２２ｂ側の受光面を有し、裏面照射型として構成される。 （もっと読む）

【課題】画素間のクロストークが小さく、優れた量子効率を持つＣＭＯＳ撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳ撮像装置のための光検出器アレイまたは画素アレイを製造する方法であって、複数の高アスペクト比のトレンチを基板の正面側に形成するステップと、複数のフォトダイオードを基板の正面側に形成し、複数のフォトダイオードの各々が基板の正面に対して平行な面内で高アスペクト比のトレンチによって囲まれるようにするステップとを含む。トレンチをクリーニングするため、酸化物層を複数のトレンチの内壁に形成し、そして複数のトレンチの内壁から酸化物層を除去する。トレンチは高ドープ材料で充填し、基板は裏面から薄型化する。このクリーニングは、側壁を通過する拡散を制限し、トレンチ側壁での不要な電荷キャリア再結合を生じさせ、画素間のクロストークをもたらす欠陥、残留物、不純物をトレンチ側壁から除去する。 （もっと読む）

【課題】撮像領域への迷光の侵入を抑制し、高品質の画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１０１は、二次元状に配列された複数の受光部を有する撮像領域１と、撮像領域１の周辺に設けられ、遮光膜１５ａにより被覆された受光部を有するオプティカルブラック領域２とを備え、オプティカルブラック領域２上に、第１の可視光を透過させる第１のフィルタ２０ｂと、第１のフィルタ２０ｂを透過して遮光膜１５ａで反射した第１の可視光を吸収する第２のフィルタ２０ｃとの２つのフィルタ２０ｂ，２０ｃが交互に隣接して配されてなる光吸収部２１を備える。 （もっと読む）

【課題】画像の劣化を抑制する。
【解決手段】裏面照射型固体撮像装置は、半導体層３６と、前記半導体層内に形成され、前記半導体層の裏面側から照射された光を信号変換して電荷を蓄積する複数の受光部ＰＤと、前記半導体層の表面上に形成され、前記複数の受光部に蓄積された電荷を読み出す複数の回路部３３と、を備える裏面照射型固体撮像装置であって、前記半導体層内の前記裏面から前記表面まで達するように形成され、隣接する２つの前記受光部を分離する不純物分離層３４と、前記不純物分離層内の前記裏面側の一部に、前記裏面から前記表面に向かって形成された遮光膜３５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】透明基板上に設けられたセンサ部に入射する光によるノイズを防ぎ、良好な画像
を読み込むことのできるセンサ部を有する安価な液晶パネルを提供する。
【解決手段】少なくとも、透明基板上に設けられたセンサ部が、アクティブ素子と、該ア
クティブ素子と電気的に接続し、透明基板からの光を遮断する金属電極と、該金属電極上
に設けられた光電変換素子と、該光電変換素子上に設けられた透明電極と、を有し、セン
サ部の側部には前記透明基板内で反射された光を吸収する光吸収物が設けられ、アクティ
ブ素子は多結晶珪素膜を有する。この構成により、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】多重サンプリングを適用した場合においても、小信号レベルでのＲＴＳノイズの増大を抑制する。
【解決手段】画素ＰＣとカラムＡＤＣ回路３とマルチランプ波発生回路６とが設けられている。画素ＰＣは、光電変換された信号を出力する。カラムＡＤＣ回路３は、画素ＰＣから出力された信号に応じて変化する信号レベルと基準電圧ＶＲＥＦとの比較結果に基づいて、画素ＰＣの信号成分をＣＤＳにて検出する。マルチランプ波発生回路６は、信号レベルと基準電圧との比較時にランプ波ＲＷ１の平均レベルを段階的に変化させながら、各段階Ｌ１〜Ｌ４において複数のランプ波ＲＷ１を生成し、信号レベルの小さい方に対応した段階Ｌ１〜Ｌ４から各段階Ｌ１〜Ｌ４ごとに複数のランプ波ＲＷを基準電圧ＶＲＥＦとしてカラムＡＤＣ回路３に順次出力する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズの影響を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板の集積回路及びフォトダイオードが形成された面とは反対面である裏面側から入射光が照射される裏面照射型固体撮像装置としての半導体装置であって、半導体基板の表面側及び裏面側にそれぞれ形成された配線または電極と、半導体基板の表裏両面を貫通するように形成され、半導体基板の表面側に形成された配線または電極と半導体基板の裏面側に形成された配線または電極とを電気的に接続する貫通電極３４と、半導体基板の表裏両面を貫通しかつ貫通電極を囲むように形成された第１のガードリング配線５１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子を覆う遮光層の新規なレイアウトを提供し、ノイズを低減した固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置が提供される。遮光層は、互いに隣接する光電変換素子の間の領域の少なくとも一部を覆い、遮光層は、複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、入射光の残り部分を通すための開口とを有し、開口の形状は、第１方向に沿った部分と第１方向に交差する第２方向に沿った部分とを有する十字型の部分を含む。 （もっと読む）

【課題】ノイズを抑制する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素１１は、リセットトランジスタ１１７、選択トランジスタ１１５及び、増幅トランジスタ１１３、および光電変換部１１１を有し、光電変換部１１１は、光電変換する光電変換膜４５と、光電変換膜の半導体基板側の面に形成された画素電極４６と、光電変換膜の画素電極と反対側の面に形成された透明電極４７とを有し、リセットトランジスタ１１７のゲートに印加される行リセット信号の振幅は、（ａ）増幅トランジスタのドレインに印加される最大電圧、（ｂ）選択トランジスタのゲートに印加される最大電圧、（ｃ）反転増幅器に印加される電源電圧、および（ｄ）透明電極に印加される最大電圧の少なくとも１つよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】ノイズによる影響を精度良く抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置１００は、行列状に配置された複数の画素３と、複数の画素３の列ごとに対応して設けられ、対応する列の画素３からの画素信号を垂直方向に伝達する垂直転送線４と、垂直転送線４により伝達された画素信号を保持する保持回路５と、保持回路５で保持された画素信号を水平方向に伝達する水平転送線８と、水平転送線８とほぼ平行に水平転送線８に隣り合って配置され、かつ、水平転送線８とほぼ同じ長さを有し、ノイズを検知するダミー水平線９と、デジタル信号を処理する信号処理回路１６とを有し、信号処理回路１６は、ダミー水平線９により検知されたノイズに基づき、水平転送線８により伝達された画素信号のノイズキャンセルを行う。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置において、パッドからの外来ノイズの混入を低減する。
【解決手段】 光電変換素子が主面に配された第１基板と、第１配線構造と、周辺回路の少なくとも一部が主面に配された第２基板と、第２配線構造と、を有し、第１基板、第１配線構造、第２配線構造、及び第２基板がこの順に配置された固体撮像装置において、固体撮像装置は周辺回路部を駆動するための電圧が供給されるパッドと保護ダイオード回路とを有し、保護ダイオード回路は前記第２基板に配されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リセットトランジスタまたは増幅トランジスタと光電変換部とを分離するための素子分離領域で発生する暗電流によるノイズを低減するとともに、画素の微細化に有利な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１画素領域には光電変換部、ＦＤ、及び転送トランジスタが画素を単位として行列状に配される。第２画素領域には増幅トランジスタ、及びリセットトランジスタが配される。第１画素領域には第１素子分離部が配され、第２画素領域には第２素子分離部が配される。第１素子分離部において絶縁膜が半導体基板内部に突出する量が、第２素子分離部において絶縁膜が半導体基板内部に突出する量に比べて小さい。配線が配された第１主面側とは反対の第２主面側から、光電変換部に光が入射する。 （もっと読む）

【課題】高色再現性と高感度を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素セルと垂直信号線とを備え、画素セルは、光電変換膜２６と画素電極２７と透明電極２５と増幅トランジスタとリセットトランジスタとアドレストランジスタとを有し、固体撮像装置は、さらに、透明電極２５の上に形成された低屈折率透明層２と、低屈折率透明層２内に埋め込まれた、低屈折率透明層２より高い屈折率の複数の高屈折率透明部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃとを備え、高屈折率透明部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃは、高屈折率透明部２１ａ、２１ｂ及び２１ｃ内に入射する光を０次回折光と１次回折光と−１次回折光とに分離して光電変換膜２６に向けて出射する。 （もっと読む）

【課題】 チップ面積を大きくすること無く、偽信号の発生を抑制することが可能な個体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、複数の光電変換部が配された第１の基板と、読み出し回路及び並列処理回路が配された第２の基板とを有する固体撮像装置であって、前記複数の並列処理回路に直流電圧を供給する直流電圧供給配線を有し、該直流電圧供給配線は、第１の基板に配された第１の導電パターンと、前記第２の基板に配された第２の導電パターンとを、電気的に接続することにより構成されることを特徴とする。 （もっと読む）