【課題】光線クロストークを防止しながら撮像装置の構成を簡素化する。
【解決手段】撮像装置１００は、光透過性の基板３２と、基板３２の第１面３２１に対向する複数のレンズ４４と、基板３２の第２面３２２に形成されて各レンズ４４の光軸が通過する開口部３６を有する遮光層３４と、第２面３２２に間隔をあけて対向する受光面５６をレンズ４４の光軸が通過するように配置された複数の受光素子５４とを具備する。レンズ４４の有効径Ｄと、開口部３６の直径ａと、受光面５６と遮光層との距離ｈと、受光面５６の直径ｄと、受光面５６とレンズ４４の中心との距離ｓと、各受光素子５４のピッチｐと、基板３２の屈折率ｎとは、ａ＜（ｈ・Ｄ＋ｈ・ｄ−ｓ・ｄ）／ｓおよびｔａｎ^−１｛（ｐ−ａ／２−ｄ／２）／ｈ｝＞ｓｉｎ^−１（１／ｎ）を満たす。 （もっと読む）

【課題】３個または４個のトランジスタで構成され、コンパクトなレイアウトのピクセル、高感度、少ないノイズ及び低い暗電流を有する実用的なイメージセンサを提供する。
【解決手段】隣接するローにそれぞれ割り当てられる２個のフォトダイオード３０２、３０３、及びフォトダイオード３０２、３０３に共有される共通フローティング拡散領域３０６を有する第１アクティブ領域３０１と、第１アクティブ領域３０１と空間的に分離されて形成され、ピクセルをリセットさせるリセットトランジスタ有する第２アクティブ領域３０９と、第１及び第２アクティブ領域３０１、３０９と空間的に分離されて形成され、共通フローティング拡散領域３０６の電荷に応答てピクセル信号を出力する駆動トランジスタを有する第３アクティブ領域３２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】信号配線、ゲート配線の寄生容量を低下させ、感度の向上、ノイズの減少を図る放射線検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に配置されたスイッチ素子と、スイッチ素子上に配置された放射線を電荷に変換する変換素子とを含み、スイッチ素子と変換素子とは接続されている画素を有し、画素は絶縁基板上に行列に二次元配列され、絶縁基板上に配置された行方向に配列された複数のスイッチ素子が共通に接続されるゲート配線と、列方向に配列された複数のスイッチ素子が共通に接続される信号配線と、を有し、スイッチ素子と変換素子の間に複数の絶縁層が配置され、ゲート配線又は信号配線の少なくとも一方が、複数の絶縁層に挟まれて配置されている。 （もっと読む）

【課題】隣接画素間の光干渉によるイメージ特性の劣化を防止できるイメージセンサを提供する。
【解決手段】画素領域及びロジック領域を備えるイメージセンサにおいて、前記画素領域の基板に設けられるフォトダイオードＰＤと、前記画素領域の基板上に設けられる第１のメタルラインないし第Ｍのメタルライン（Ｍは、１より大きい自然数）と、前記ロジック領域の基板上に設けられる第１のメタルラインないし第Ｎのメタルライン（Ｎは、Ｍより大きい自然数）と、前記画素領域の前記第Ｍのメタルライン上において、前記フォトダイオードとオーバーラップされないように配置された少なくとも１つのダミーメタルラインＤＭ１，ＤＭ２と、前記フォトダイオードとオーバーラップされるように、前記ダミーメタルライン上に配置されたマイクロレンズＭＬとを含むイメージセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】接点注入電流を減らすことによって垂直方向漏洩電流を減らす高フィルファクタ画像アレイを提供することである。
【解決手段】センサが、真性アモルファス・シリコン層と、この真性アモルファス・シリコン層の第１面に結合したｐドープ・シリコン層と、このｐドープ・シリコン層に結合した透明な第１電極と、真性アモルファス層の第２面に結合した少なくとも１つの非金属のバック接点とを包含し、このバック接点が、真性アモルファス・シリコン層の１つの領域から電荷を集め、集めた電荷を検出電子装置に与えるようになっている。 （もっと読む）

【課題】不要なノイズ成分の発生を抑制し、高精度な距離検出を行なうことが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】距離画像センサ１は、光入射面１ＢＫと表面１ＦＴとを有する半導体基板１Ａ、電極ＴＸ１，ＴＸ２、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、及び半導体領域ＳＲ１を備える。半導体基板１Ａには、入射光に応じて電荷が発生する光感応領域が表面１ＦＴ側に設けられている。半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、光感応領域にて発生した電荷を蓄積する。電極ＴＸ１，ＴＸ２は、光感応領域にて発生した電荷を半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２に転送する。半導体領域ＳＲ１は、半導体基板１Ａにおける半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と光入射面１ＢＫとの間に位置すると共に、光入射面１ＢＫに直交する方向から見て、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２を覆うように形成されており、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、光電変換が行われるフォトダイオードが形成された有効領域と、遮光膜により遮光された光学的黒領域とが形成された半導体基板と、前記有効領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第１の膜と、前記遮光領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第２の膜と、を備え、前記第１の膜が有する層の数が前記第２の膜が有する層の数と異なる。 （もっと読む）

【課題】吸収スペクトルをシャープにし且つ暗電流を低くすることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３の間に配置された光電変換層１２ａとを含む光電変換部を有し、一対の電極１１，１３間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子Ａの光電変換層１２ａを、特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する１種類の光電変換材料（例えばスズフタロシアニン）と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有するマトリックス材料（例えばＴＭＭ−１）とを、真空中で気化させた後に混合して形成する。 （もっと読む）

【課題】バックチャネルを抑制するための構造、及びその構造を簡易に形成することを可能にすることができる非冷却赤外線撮像素子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態の非冷却赤外線撮像素子は、半導体基板上にマトリクス状に配列され、赤外線の受光量に応じて電流特性が変化する感熱画素を含む感熱画素領域と、少なくとも、当該画素領域を駆動する駆動回路および当該画素領域からの信号を検出する読み出し回路のうちの一方を有するデバイス領域と、を有している。また、当該少なくとも一方の回路がＭＯＳトランジスタを含んでいる。さらに、当該感熱画素の当該半導体基板の下部及び当該ＭＯＳトランジスタの当該半導体基板の下部に、それぞれ空洞を備えている。 （もっと読む）

【課題】接合リーク電流が生じる原因となるシリサイド材料のスパイクを防止し、画像欠陥である白キズ及びＲＴＳノイズを低減できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、シリコンからなる半導体基板の上に形成され、入射光を光電変換するフォトダイオード、フォトダイオードで得られた信号を転送するための転送トランジスタ、及び信号を増幅するための画素内トランジスタを含む複数の単位画素１１が一次元状又は二次元状に配列された感光領域１０を備えている。画素内トランジスタは、ゲートパターン１３とシリサイドが形成された拡散層１２とを含み、拡散層１２の表面の少なくとも一辺の近傍にダミーパターン１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱雑音を除去することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】行列状に配置され、フォトダイオードと浮遊拡散層とを有し、初期化された浮遊拡散層に対応する第１初期化信号と、受光量に応じた第１映像信号とを出力する複数の画素回路１ａと、列毎に設けられ、複数の画素回路からの第１初期化信号と第１映像信号とを転送する列信号線と、列信号線を通して対応画素回路から転送されてくる第１初期化信号と第１映像信号を保持する複数の第１保持回路２ａと、列毎に設けられ、第１保持回路と列信号線とに接続された差分回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】ラインセンサにおいて、画素内で発生したランダムノイズを低減することができ、これにより製造歩留まりを向上する。
【解決手段】複数の画素を１次元に配列してなる画素部１２０を有し、該複数の画素の各々で光電変換により得られた信号電荷を画素信号に変換して出力するラインセンサ１００において、該画素Ｐａは、入射光を光電変換して信号電荷を発生する光電変換素子ＰＤと、該光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号電圧を増幅する複数の増幅トランジスタＡＭＰｎ１、ＡＭＰｎ２、・・・、ＡＭＰｎｋとを備え、複数の増幅トランジスタの各々で増幅された信号電圧を複数の画素信号として並列出力し、この並列出力された複数の画素信号の信号レベルを平均化して得られる平均値を、各画素の画素値として出力する。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズアレイの下面から受光部までの厚さを小さくして、クロストーク発生や感度低下を防止した固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】平坦化層上に緑色フィルタ用の感光性材料を塗布し、角部を切り欠いた矩形のパターンを有する緑色フィルタ用フォトマスクを用いて露光、現像して、非孤立的な矩形の緑色フィルタを形成する工程と、赤色フィルタ用の感光性材料を塗布し、角部にサブパターンをもつ矩形のパターンを有する赤色フィルタ用フォトマスクを用いて露光、現像して、孤立的な矩形の赤色フィルタを形成する工程と、角部にサブパターンをもつ矩形のパターンを有する青色フィルタ用の感光性材料を塗布し、青色フィルタ用フォトマスクを用いて露光、現像して、孤立的な矩形の青色フィルタを形成する工程と、によりカラーフィルタを形成する。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ、大きい電荷保存容量、高い動的範囲、及び高感度を有する固体状
態のＣＭＯＳイメージセンサ画素を提供すること。
【解決手段】本発明の電荷転送トランジスタは、第１の拡散領域及び第２の拡散領域と、
制御信号により、前記第１の拡散領域から第２の拡散領域への電荷転送を制御するゲート
と、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備え、前記第１の拡散領域がピンドフォト
ダイオードであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射線検出素子を微細に形成した場合でも放射線検出素子の集光率を向上させることが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、走査線５と信号線６により区画された各小領域ｒに設けられた放射線検出素子７ごとに設けられ、放射線検出素子７の第１電極７ａにソース電極８ｓが接続され、信号線６にドレイン電極８ｄが接続されたＴＦＴからなるスイッチ手段８を備え、ＴＦＴからなるスイッチ手段８は、放射線検出素子７同士の間の部分に設けられた走査線５上に形成され、走査線５自体がスイッチ手段８のゲート電極８ｇとされている。 （もっと読む）

【課題】 暗電流をよりいっそう抑制することのできる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 固体撮像装置１００を、基板１０１と、光電変換部１０と、キャリア極性が第２の導電型である第１不純物層５１と、電荷電圧変換部と、増幅部と、キャリア極性が第２の導電型である第２不純物層５２とを備える構成とする。そして、第２不純物層５２を、光電変換部１０及び増幅部間の領域に設け、第２不純物層５２の第２不純物濃度Ｐ２を第１不純物層５１の第１不純物濃度Ｐ１より高くする。 （もっと読む）

【課題】より確実に画素間クロストークを抑制することが可能な、固体撮像素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面上に配置された第１導電型の不純物層ＤＰＷと、不純物層ＤＰＷ上に、第１導電型の不純物領域と第２導電型の不純物領域とが互いに接合する構成を含む光電変換素子と、光電変換素子を含む単位画素を構成し、光電変換素子と電気的に接続されるトランジスタＭ１〜Ｍ４とを備えている。平面視において光電変換素子の外周部の少なくとも一部には、内部に空隙ＡＧが含まれ、光電変換素子と、光電変換素子に隣接する光電変換素子とを、互いに電気的に絶縁する分離絶縁層ＳＩが配置されている。上記分離絶縁層ＳＩは、第１導電型の不純物層ＤＰＷの最上面に接する。 （もっと読む）

【課題】 垂直転送レジスタの取扱い電荷量を増やすことで動画撮影モードでもスミア信号の発生を抑制し、撮影画像を正常に撮影する。
【解決手段】 本開示の固体撮像装置は、基板１０上に行列状に配列され光電変換を行うセンサ部１１と、センサ部１１で光電変換された信号電荷を読み出す読み出し部１３と、第１の動作モードでは第１の垂直転送クロックＶφ１に応じて、第２の動作モードでは第２の垂直転送クロックＶφ２に応じて信号電荷を垂直転送する垂直転送部１２と、垂直転送部１２から垂直転送された信号電荷を水平転送する水平転送部１５とを備え、第１の垂直転送クロックＶφ１は、第１のＨｉｇｈレベルＨ１と第１のＬｏｗレベルＬ１とを有し、第２の垂直転送クロックＶφ２は、第１のＨｉｇｈレベルＨ１よりプラス側にシフトした第２のＨｉｇｈレベルＨ２と、第１のＬｏｗレベルＬ１よりプラス側にシフトした第２のＬｏｗレベルＬ２とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い精度で暗電流を補正する。
【解決手段】固体撮像素子１は、入射光を光電変換する光電変換部を有し画像を撮像するための有効画素１１と、有効画素１１と同一の構成を有し遮光された第１の素子１２と、有効画素１１と同一の構成から前記光電変換部を取り除いた構成を有する第２の素子１３と、第１の素子１２の出力信号と第２の素子１３の出力信号との差分に応じた補正量を得る補正量取得部２５と、変換後の出力値が前記補正量に応じて補正されるように、有効画素１１からの出力をＡＤ変換するＡＤ変換部７，８，９，２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤや表面実装部品における反射率を低減させ、より簡単かつ確実にフレアおよびゴーストを抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】プリント配線基板２１上には、被写体を撮像するためのイメージセンサ２２がボンディングワイヤ３１により実装され、さらに表面実装部品２３も実装されており、レンズから入射した光が、ボンディングワイヤ３１や表面実装部品２３−１、２３−２で反射してイメージセンサ２２の受光部３２に入射することを抑制するために、ボンディングワイヤ３１や表面実装部品２３を黒色のＵＶインクを用いたインクジェット印刷によりコーティングする。 （もっと読む）