【課題】ＰＤの飽和電荷数を増加させ、より画質の向上を図ることが出来るＣＭＯＳ固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素は、半導体基板６１に形成された光電変換部３１と、光電変換部３１の側面に形成された側面ピンニング層８２と、光電変換部３１の表面側に形成された表面ピンニング層８１とを備えている。画素の製造工程では、光電変換部３１が形成される領域の側面部分に画素分離部を埋め込むためのトレンチ６２’を形成し、そのトレンチ６２’が開口している状態でイオン注入を行うことにより側面ピンニング層８２および表面ピンニング層８１が同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】モジュールの大型化、工程の複雑化、コスト増大を防止しつつ、ＥＭＣやＥＭＩ効果を十分に発現させることが可能な撮像装置およびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】基板１１１の第１面１１１ａ側に受光するための光学素子エリア１１２が形成され、基板の第１面１１１ａと反対側の第２面１１１ｂ側に外部接続端子１７０が形成された光学デバイス１１０と、基板１１１の第１面１１１ａと対向するように形成された透明導電性膜１３０と、基板１１１の第１面１１１ａに形成されて固定電位に接続するための電極パッド１４０と、電極パッド１４０に接続されて、基板の第１面１１１ａと第２面１１１ｂを貫通するように形成された貫通電極１６０と、を有し、透明導電性膜１３０が電極パッド１４０に接続され、貫通電極１６０が基板の第２面１１１ｂ側で外部接続端子１７０に接続されている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの空乏領域を増大させることにより、量子効率を改善させると
同時に、電気的クロストーク特性を改善させることができるイメージセンサ及びその製造
方法を提供すること。
【解決手段】このため、基板内に第１導電型で形成されたエピ層と、該エピ層内に形成さ
れたフォトダイオードと、該フォトダイオードから分離されるように、前記フォトダイオ
ードの下部に、第２導電型で形成された第１ドープ領域とを含むイメージセンサを提供す
る。 （もっと読む）

【課題】１画素内において、複数の光電変換部それぞれで発生する電荷の移動を制御できるように、光電変換部間を分離する分離領域のポテンシャル障壁の高さを変えられるようにした撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素を有する撮像素子であって、各画素が、前記撮像素子より被写体よりに配置された光学系２０２の異なる射出瞳領域を通過した複数の光束をそれぞれ受光して電荷を蓄積する複数の光電変換部２０３、２０４と、前記複数の光電変換部の間を分離する分離領域３０７と、前記分離領域の電位を、複数の電位のいずれかに選択的に設定する設定手段３０６とを有し、前記複数の光電変換部から、蓄積された電荷に応じた信号を独立に読み出すことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜で反射した光の影響を低減する。
【解決手段】 遮光膜４０の上面４１は銀色を呈する材料で構成されており、第１膜１０が遮光膜４０の上面４１に近接して遮光膜４０と通過部４４を覆い、第１膜１０の屈折率とは異なる屈折率を有する第２膜２０が、光路部４５および通過部４４に位置するとともに第１膜１０と界面２００を成しており、界面２００と光電変換部２との距離Ｄ_３が、通過部４４の出射端４４２と光電変換部２との距離Ｄ_２よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ＰＤからのオーバーフローを安定的に行う固体撮像素子および電子機器を提供する。
【解決手段】撮像素子は、シリコン基板に複数の画素２１がアレイ状に配置された画素アレイ部と、画素を駆動する駆動部とを備え、画素は、ＰＤ２４、オーバーフロードレイン３３、および電位障壁部３２を有する。ＰＤ２４は、シリコン基板３１に配線層が積層される表面に対して反対側となる裏面の近傍に形成され、入射光に応じた電荷を発生する。オーバーフロードレイン３３は、裏面に接して形成され、所定の電圧で固定される。電位障壁部３２は、光電変換部２４とオーバーフロードレイン３３とに接続して形成され、光電変換部２４からオーバーフロードレイン３３へ流れ出る電荷に対する障壁となる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成によって混色の発生を防止する。
【解決手段】赤色、緑色、青色の光に感度を有するフォトダイオードが形成される素子層と、この素子層から電荷を転送するための配線を構成する配線層１４とを備える裏面照射型固体撮像素子において、前記素子層と前記配線層１４との間に、前記素子層側から到来する光の反射を抑制する低反射率膜３４、３５、３６を形成した。 （もっと読む）

【課題】より正確に混色補正を行うことができるようにする。
【解決手段】入射光を光電変換する光電変換素子を有する複数の通常画素よりなる通常画素群と、前記通常画素群の有効画素領域内において、周辺画素から入射される光を光電変換素子により検出する検出画素とを備える撮像素子と、前記撮像素子の前記検出画素により検出された光の光量を用いて、前記通常画素の画素値から、前記通常画素の周辺画素から入射される光の光量を減算する減算部とを備える。本開示は撮像素子、並びに、撮像装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】製造容易化を図りつつ、画像品質の向上を図ることができる撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の受光素子１ａを有する固体撮像素子１を備えた撮像装置であって、複数の受光素子１ａおよび電圧発生回路１０が形成された固体撮像素子用基板（第１半導体基板）１００と、電圧発生回路１０からの入力電圧を増幅して固体撮像素子用基板１００に印加する基板電圧バッファ回路１１の一部を構成するトランジスタＱ１６が形成された固体撮像素子用基板１００とは別体の外部出力用デバイス基板（第２半導体基板）２００とを備える。 （もっと読む）

【課題】 増幅用ＴＦＴと選択用ＴＦＴとを含む画素を有する検出装置において選択用ＴＦＴのオフリークが十分なされた検出装置を提供する。
【解決手段】 変換素子１００と、ゲート１１４が変換素子１００に接続された第１薄膜トランジスタ１１０と、ゲート１２４が駆動配線１５０に接続され、真性半導体領域であり第１領域１２２と第２領域１２３との間でゲート１２４の正投影が位置する第３領域１２１を有する多結晶半導体層を含み、第１領域１２２及び第２領域１２３の一方が第１薄膜トランジスタ１１０のソース及びドレインの一方１１３に接続された第２薄膜トランジスタ１２０と、を有し、多結晶半導体層は、第１領域１２２と第３領域１２１との間に、また、第２領域１２３と第３領域１２４との間に、それぞれ第１領域１２２及び第２領域１２３よりも不純物の濃度が低い第４領域１２５と第５領域１２６と、を含む検出装置。 （もっと読む）

【課題】改善されたカラークロストークを有する、小型ピクセルを有するイメージセンサ
を提供すること。
【解決手段】本発明のイメージセンサは、第１導電型の基板と、該第１導電型の基板にア
レイされた第１ピクセル及び第２ピクセルと、該第２ピクセルに該当する前記基板内には
配置されることなく、前記第１ピクセルに該当する前記基板内に配置されたポテンシャル
障壁とを備える。ここで、前記第２ピクセルは、前記第１ピクセルに対応するカラーより
も相対的に長波長を有するカラーに対応するものである。また、前記ポテンシャル障壁は
、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピ
タキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 （もっと読む）

【課題】ノイズや残像をより抑制した高画質な画像を得られる固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置１００ａにおいて、第１導電型の半導体基板１００内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子ＰＤ１、ＰＤ２と、該半導体基板１００の第１主面上に形成され、該光電変換素子で生成された信号電荷を光電変換素子の外部に転送する転送トランジスタＴｘ１、Ｔｘ２とを備え、該光電変換素子は、該第１主面とは反対側の該半導体基板の第２主面から取り込んだ入射光を光電変換する第１導電型の光電変換領域１０１と、該光電変換領域での光電変換により生成された信号電荷を、該半導体基板の第１主面側で蓄積する第２導電型の電荷蓄積領域１０２とを有し、該転送ゲートトランジスタのゲート電極１０７を該電荷蓄積領域１０２の第１主面側の面の上方を覆うよう形成している。 （もっと読む）

【課題】 隣接画素間でのクロストークを防止して、混色の発生を防止でき、再生画面上での色再現性の向上に対して有利な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板４０４に、光電変換部及び信号走査回路部を含み単位画素行列を配置して成る撮像領域を具備し、撮像領域は、隣接する単位画素との境界部分に対応して各単位画素を囲むように設けられる素子分離絶縁膜４０８を備え、素子分離絶縁膜は、信号走査回路部が形成される半導体基板の表面から半導体基板中にオフセットされて設けられ且つ半導体基板の裏面に達している。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させ、出力画像に混色が発生することを抑制することができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置１２は、複数のフォトダイオード１９、カラーフィルタ層２１、複数のマイクロレンズ１６、および補助レンズ１７を具備する。複数のフォトダイオード１９は、半導体基板１８に形成される。カラーフィルタ層２１は、複数のフォトダイオード１９が形成された半導体基板１８上に形成される。複数のマイクロレンズ１６は、カラーフィルタ層２１上に形成される。補助レンズ１７は、カラーフィルタ層２１上に、複数のマイクロレンズ１６より低い屈折率を有する材料によって、複数のマイクロレンズ１６を覆うように形成される。補助レンズ１７は表面に湾曲部１７ａを有し、湾曲部１７ａに入射された光を、実質的に垂直な方向から複数のマイクロレンズ１６に入射させる方向に屈折させる。 （もっと読む）

【課題】雑音が小さい積層型の固体撮像装置を実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素１１と、列ごとに形成された垂直信号線１４１と、垂直信号線と接続された負荷部２３とを備えている。画素１１は、増幅トランジスタ１１３、アドレストランジスタ１１５、リセットトランジスタ１１７及び光電変換部１１１を有している。光電変換部１１１は、半導体基板の上に形成された光電変換膜と、光電変換膜の基板側の面に形成された画素電極及び光電変換膜の画素電極と反対側の面に形成された透明電極とを含む。リセットトランジスタ１１７は、ソースが画素電極と接続され、ドレインが増幅トランジスタ１１３のドレインと共に電源線と接続され、負荷部２３は、負性抵抗２３Ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥および金属汚染低減が可能な半導体基体の処理方法、そのための装置、また、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣとＮとを含む混合ガスをプラズマ化してＣＮ活性種を生成し、生成したＣＮ活性種により半導体基体１１の半導体層の表面を処理する。特に、前記処理としては、前記半導体基体１１の表面の半導体層を前記ＣＮ活性種によりパッシベートすることを含む。さらに、そのことにより、表面汚染金属および半導体中の欠陥を除去する。 （もっと読む）

【課題】蓄積期間の同時性を持った良好な画像を得るため、有効な画素数を損なうことなく偽信号を低減でき、かつ、画素面積の縮小化が図られたグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置において、全画素同時の露光期間が終了した後、低照度信号を第２電荷蓄積部２８に転送し、高照度信号を第１電荷蓄積部に転送する。そして、低照度信号、及び高照度信号の読み出しの前に、第３電荷蓄積部１８の偽信号を読み出す。この偽信号を用いて低照度信号及び高照度信号の信号量を補正することにより、偽信号が低減された精度のよい画像を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】グローバル露光を用いて、ダイナミックレンジが広く、かつ、ノイズが少ない画像を得る。
【解決手段】画素アレイ部は、受光した光量に応じた光電荷を生成しかつ蓄積する光電変換部、埋め込み型ＭＯＳキャパシタからなる第１の電荷蓄積部、及び、第２の電荷蓄積部を有する単位画素が複数配置され、複数の単位画素の一括露光が可能である。垂直駆動部及びシステム制御部は、露光期間中に光電変換部により生成された光電荷を光電変換部、第１の電荷蓄積部及び第２の蓄積部に蓄積する第１の駆動、又は、露光期間中に光電変換部により生成された光電荷を光電変換部及び第１の電荷蓄積部に蓄積する第２の駆動を行う。本技術は、例えば、固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】放射線に起因する特性劣化を抑制して信頼性を向上させることが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、フォトダイオードとトランジスタとを含む画素回路を有する。トランジスタは、基板上の選択的な領域に配設されたゲート電極と、ゲート電極上に第２ゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、半導体層上に第１ゲート絶縁膜を介して設けられると共にゲート電極に対向するゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第１層間絶縁膜と、半導体層に電気的に接続されて設けられたソース電極およびドレイン電極と、一部がゲート電極の端部に対向して設けられたシールド電極層とを備える。第２ゲート絶縁膜、第１ゲート絶縁膜および第１層間絶縁膜のうちの少なくとも１つはシリコン酸化膜を含む。シールド電極層により、放射線の入射によって生じる正電荷の影響による閾値電圧のシフトが抑制される。 （もっと読む）