【課題】ボンディングワイヤや表面実装部品における反射率を低減させ、より簡単かつ確実にフレアおよびゴーストを抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】プリント配線基板２１上には、被写体を撮像するためのイメージセンサ２２がボンディングワイヤ３１により実装され、さらに表面実装部品２３も実装されており、レンズから入射した光が、ボンディングワイヤ３１や表面実装部品２３−１、２３−２で反射してイメージセンサ２２の受光部３２に入射することを抑制するために、ボンディングワイヤ３１や表面実装部品２３を黒色のＵＶインクを用いたインクジェット印刷によりコーティングする。 （もっと読む）

【課題】カバーガラスとイメージセンサチップの接着力が強い狭ギャップの固体撮像装置を提供する。
【解決手段】受光素子１０４及びこの受光素子１０４から出力される信号を外部に出力するための電極１０９を備えたイメージセンサチップ１０２と、受光素子１０４上に形成されたマイクロレンズ１０３と、受光素子１０４の外周に形成される保護層１０７と、イメージセンサチップ１０２の上方に配置され、光学素子１０５が形成されたカバーガラス１０１と、このカバーガラス１０１に形成され、カバーガラス１０１と受光素子１０４とのギャップを制御するスペーサ１０６と、スペーサ１０６と保護層１０７とを接合するための接着層１０８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化をより抑制する。
【解決手段】クロストーク補正部５２は、光を受光する複数の画素を有する撮像素子４４における隣接する画素からの光または電子の漏れにより発生するクロストークを補正する補正マトリックスを記憶しており、その補正マトリックスを、撮像素子４４から出力される画素ごとの画像信号に対して適用する演算を行う。さらに、クロストーク補正部５２は、撮像素子４４の受光面に光を集光させるレンズの開放値に応じて補正マトリックスを生成する。本発明は、例えば、撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】平面上のみならず、角度を持った側壁面等にも容易に形成され、且つ、赤外線の遮光と赤外線の反射抑制が可能な遮光膜を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面に受光素子を備えた撮像素子部を有し、且つ、該撮像素子部を備えた面に立上がる立上壁を有する固体撮像素子用の遮光膜であって、（Ａ）黒色顔料を含む被分散体と分散剤と有機溶媒とを含み、該被分散体の９０％以上が１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の粒径を有する顔料分散物、（Ｂ）重合性化合物、及び（Ｃ）重合開始剤を含有する感放射線性組成物を、該基板の受光素子を備えた面と、該受光素子を備えた面に立上がる立上壁の表面にスプレー塗布して形成された固体撮像素子用遮光膜。 （もっと読む）

【課題】本発明は、短射出瞳距離での混色や色シェーディング特性の悪化を改善する固体撮像装置を提供するものである。
【解決手段】撮像領域に配列された受光部と、各受光部上に配置された各色の色フィルター３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂと、各色フィルター３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ上に配置されたマイクロレンズ３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂとを有し、撮像領域の中心から同じ距離に配置された受光部上における各マイクロレンズ３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂは、各受光部上に配置された色フィルター３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの色毎に、当該受光部の中心４１に対して異なるずれ量で配置されている固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】ローリングシャッタ的雑音を低減した高性能なグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セル２３のそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜１６と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極１５と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜１６から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層７とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜１６からグ信号電荷を転送することであり、前記画素電極１５は、遮光性を有する金属で形成される。 （もっと読む）

【課題】配線層の配置構造を改善して自由度の高い配線の瞳補正を行う。
【解決手段】撮像領域を左右に２分割する。そして、撮像領域の中心から左側（−Ｘ側）に配置される画素位置の配線では、コンタクト部３１及び配線３２が左側に配置され、垂直信号線２８が右側に配置されている。また、撮像領域の中心から右側（＋Ｘ側）に配置される画素位置の配線では、コンタクト部３１及び配線３２が右側に配置され、垂直信号線２８が左側に配置されている。このような配線の結果、瞳補正によって配線を撮像領域の中心方向に移動した場合でも、左右の垂直信号線２８はコンタクト部３１から離れる方向に移動することから、自由度の高い瞳補正を実現できる。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化を抑制する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】上部素子分離層５０Ａと、裏面と上部素子分離層５０Ａとの間に設けられる下部素子分離不純物層５１Ａと、不純物層２１を含むフォトダイオード１３１と、フローティングディフュージョン３９と、フォトダイオード１３１とフローティングディフュージョン３９との間に配置されるトランジスタ１３２と、を具備し、半導体基板１０の表面に対して水平方向において、不純物層２１を挟んでトランジスタ１３２に対向する下部素子分離不純物層５１Ａの側面は、上部素子分離層５０Ａの側面よりもトランジスタ１３２側に突出している。 （もっと読む）

【課題】温度センサの出力回路の回路規模を低減しつつ、固体撮像装置に温度センサを搭載する。
【解決手段】撮像部ＩＭ１と、温度センサ８と、出力回路ＴＣ１とは同一の半導体チップに搭載し、参照電圧発生部７、Ｄ／Ａ変換回路１４およびセレクタ１３、１５は、撮像部ＩＭ１と出力回路ＴＣ１との間で共有する。 （もっと読む）

【課題】光検出感度の低下を抑えながらクロストークを低減するために有利な技術を提供する。
【解決手段】位相差検出方式による焦点検出のための複数の画素を含む固体撮像装置において、前記画素は、互いに独立して信号の読み出しが可能な複数の光電変換部を含む半導体領域と、マイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記半導体領域との間に配置されたレンズ面とを含み、前記レンズ面は、前記マイクロレンズを通過して前記半導体領域に向かう光に対して負のパワーを作用させる。 （もっと読む）

【課題】回路規模の大幅な増大を防ぎつつ、黒沈み現象及び横スジ現象などの画質の悪化を効果的に抑制する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置１００は、列毎に設けられており、対応する列の垂直信号線１１１の電圧をクリップ電圧に抑制する複数のクリップ回路１１２を備え、複数のクリップ回路１１２の各々は、対応する列の垂直信号線１１１の電圧と、設定電圧１４４との電圧差を増幅するソース接地型の増幅回路１４０と、増幅回路１４０により増幅された信号がゲート端子に印加され、ソース端子及びドレイン端子の一方が対応する列の垂直信号線１１１に接続されているＭＯＳトランジスタ１４１とを含む。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑えつつＡ／Ｄ変換時のカウンタ動作によるノイズの発生を低減する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置５０は、複数の画素１０１が行列状に配置された画素アレイ１００と、複数の画素１０１から出力されるアナログ信号を並列にデジタル信号に変換する複数のカラムＡ／Ｄ変換回路１４０と、クロック信号を生成するタイミング制御回路１３０とを備え、複数のカラムＡ／Ｄ変換回路１４０の各々は、前記アナログ信号と前記ランプ波との電位を比較し、比較した結果を示す比較結果信号を生成する比較器１４１と、前記クロック信号をカウントするとともに、比較結果信号が変化する時点での計数値を前記デジタル信号として保持するカラムカウンタ１４２とを有し、カラムカウンタ１４２は、直列に接続された複数のカウンタを含み、複数のカウンタの各々は、隣接する計数値を示す計数コードのハミング距離が１である。 （もっと読む）

【課題】センサ部により検出される偽信号の原因となるチャネルストップと垂直転送レジスタとの間の降伏電流を抑制し、構造的に信号電荷の逆読み出しを防止する。
【解決手段】固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域２にて行列状に配列され、光電変換により信号電荷を生成する複数のセンサ部３と、複数のセンサ部３の配列における列方向に沿って前記配列の２列毎にセンサ部３の列間に設けられ、センサ部３により生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送レジスタ４と、各垂直転送レジスタ４とこの垂直転送レジスタ４の前記配列における行方向の両側に位置する各センサ部３との間に設けられ、センサ部３により生成された信号電荷を垂直転送レジスタ４に読み出す読み出しゲート７と、隣り合う垂直転送レジスタ４の間にて前記行方向に隣接するセンサ部３の間に設けられるチャネルストップ８とを備える。 （もっと読む）

【課題】光導波路の形成による暗電流等のノイズ成分の増加を抑制することである。
【解決手段】光導波路を有する撮像装置の製造方法において、光電変換素子２上に高屈折率領域３を形成した後に、高屈折率領域３を埋め込む絶縁層４を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の固体撮像装置には、過剰電荷の逃がし易さという面で向上の余地がある。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１０（第１の半導体層）、半導体層２０（第２の半導体層）、および受光部３０を備える裏面入射型の固体撮像装置である。固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した光を光電変換することにより、被撮像体を撮像する。この半導体基板１０は、比抵抗ρ_１（第１の比抵抗）をもっている。半導体基板１０の表面Ｓ１上には、半導体層２０が設けられている。この半導体層２０は、比抵抗ρ_２（第２の比抵抗）をもっている。ここで、ρ_２＞ρ_１である。半導体層２０中には、受光部３０が形成されている。この受光部３０は、上記光電変換により生じた信号電荷を受ける。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の感度の低下を抑制しつつ、感光面の重金属汚染を低減する。
【解決手段】半導体層４の裏面からＢＯＸ層２を除去した後、半導体層４の裏面にゲッタリング層４１を積層し、半導体層４の熱処理を行うことにより、半導体層４の重金属をゲッタリング層４１にトラップさせ、半導体層４の裏面からゲッタリング層４１を除去する。 （もっと読む）

【課題】周辺回路の発熱の影響を防止し、良好なＳＮ比を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】表面と裏面とを有するシリコン基板３０１の表面に、複数の検出器８０２からなる検出器アレイ８０１と、検出器から読み出した電気信号を増幅する出力アンプと５０８、クロック信号を増幅するクロックドライバ５０６とを含む固体撮像装置３００において、検出器アレイ８０１と、出力アンプ５０８およびクロックドライバ５０６との間のシリコン基板３０１に、該シリコン基板３０１の熱伝導を妨げるように空隙５０５が設けられる。検出器は、ＣＣＤまたはＣＭＯＳから形成される。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳイメージセンサに代表される固体撮像素子において、裏面受光構造を採ることにより、画素の微細化および高開口率化を可能とした固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板の第１の面側に光電変換素子を形成する工程と、前記基板の前記第１の面側に溝を形成する工程と、前記溝を前記基板と異なる材質で埋め込んで位置合わせマークを形成する工程と、前記光電変換素子が形成された前記基板の第１の面上に配線層を形成する工程と、前記基板の厚さが所定の厚さになるように当該基板を第２の面側から研磨する工程と、前記位置合わせマークが形成された前記第１面側とは反対側の第２の面にからの当該位置合わせマークを用いた位置合わせにより、前記光電変換素子上に開口を具備した遮光膜を前記基板の第２の面上に形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量を大きくし、素子分離部の近傍における電界集中を緩和し、基板のエッチングダメージを低減し、暗電流を低減した固体撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の電荷蓄積領域２と、第２導電型の不純物半導体領域からなる素子分離半導体領域７と、第２導電型の不純物半導体領域からなるチャネルストップ領域５と、前記チャネルストップ領域５の上に配置された絶縁体２０とを含み、前記絶縁体２０は、前記素子分離半導体領域７の上に前記チャネルストップ領域５を介して配置された第１絶縁部４と、前記第１絶縁部４の外側に隣接して配置されて前記第１絶縁部４から遠ざかるに従って厚さが薄くなる構造を有する第２絶縁部８とを含み、前記電荷蓄積領域２は、前記第２絶縁部８を介して前記半導体にイオンを注入することによって形成されて前記チャネルストップ領域５と接している周辺部２１を含む。 （もっと読む）

【課題】強電界によるソフトブレイクダウンで生じる電子が、転送レジスタへノイズ信号として混入することを抑制することのできる固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法を
提供する。
【解決手段】受光センサ部１１の上方に開口部５１が形成された第１の遮光膜３１により被覆された有効画素領域１０と、この有効画素領域１０に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第２の遮光膜３２により被覆されたオプティカルブラック画素領域２０と、を有する画素領域と、受光センサ部１１から垂直転送レジスタ部１２へ信号電荷を読み出す際に、転送電極13へ印加する読み出しパルスと同期して、第２の遮光膜32に正電圧のパルスを印加する電圧印加部と、を備える構成の固体撮像装置とした。 （もっと読む）