【課題】暗い被写体を撮影して得られる画像における横線ノイズを抑制する。
【解決手段】撮像装置は、光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、前記電荷電圧変換部の電圧に応じた信号を列信号線へ出力する増幅トランジスタとを含む画素が複数行かつ複数列を構成するように配列され、複数の列信号線のそれぞれに複数の画素が接続された画素配列と、前記画素配列から前記複数の列信号線を介して信号を読み出す複数の読み出し部と、前記複数の列信号線に接続され、前記複数の列信号線に流れる電流を定める複数の負荷トランジスタと、前記複数の負荷トランジスタにおける少なくとも隣接して配された負荷トランジスタのゲートへ互いに異なるバイアス電圧を供給する複数のバイアス供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 波長域１８００ｎｍ程度にまで受光感度を有し、微弱な光に対応して、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 選択拡散によってｐｎ接合１５が形成され、受光層３は、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａと第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂとが交互に２対以上積層されてなり、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａはその吸収端波長が１．８μｍ〜１．７５μｍの間にあり、かつ第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂはそれより短く、ＩｎＰ窓層５と受光層３との間に、該ＩｎＰ窓層および受光層に接してＩｎＰに格子整合するＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７ＡｓまたはＩｎＡｌ_０．４８Ａｓ_０．５２の中間層４が位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素トランジスタにおける欠陥の異常成長を抑制する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１のＰウェル１０２の内部に形成され、入射光を光電変換する受光領域１０３と、Ｐウェル１０２の内部に形成されたウェル領域１０４と、Ｐウェル１０２の内部において、ウェル領域１０４に隣接して形成された素子分離領域１０５と、素子分離領域１０５の上に形成されたダミー素子１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に発生するノイズを低減する
【解決手段】 シリコン基板１００の第１部分１１０を覆い、シリコン基板１００の第１部分１１０に隣接する第２部分１２０を覆わない窒化シリコン膜２００をマスクとしてシリコン基板１００を熱酸化することにより、酸化シリコン膜３００を形成する。窒化シリコン膜２００をマスクとして酸化シリコン膜３００のバーズビーク部３１０の下へ斜めイオン注入を行うことにより、不純物領域１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型イメージセンサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 イメージセンサデバイスは、表面及び表面と対向する裏面を有する基板、この基板に配置され、裏面を通過して基板に入射する放射波を検出するように動作可能である放射線検出領域、基板の表面の上に配置された相互接続構造、基板の裏面の上に配置され、基板に引張応力を与える材料層、及び材料層の少なくとも一部の上に配置された放射線遮蔽デバイスを含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換層より深い位置に配線層が配置された固体撮像素子において、光電変換層を通過する光に対する感度を抑え、色再現性を向上させる。
【解決手段】光電変換素子が配設される光電変換層と、少なくとも１層の金属膜と、前記金属膜の周囲を埋める層間絶縁膜とからなる配線層と、を有し、前記配線層が前記光電変換層に対して光入射側と反対側の前記光電変換層より深い位置に配設された固体撮像素子において、前記配線層の金属膜のうち、少なくとも前記光電変換層に最も近い位置に配設された第１の金属膜を、前記光電変換層を通過した所定範囲の波長の光が照射されない領域に配置した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、白キズの出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記Ｘ線透過性基板の上面には凹部３２を有し、前記Ｘ線透過性基板１７の凹部３２の上方に対応する薄膜状電極１８部分は、前記凹部３２によって左右または前後に分離された構成とした。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、斜め入射光に対する隣接画素間の混色を抑えることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、光電変換部を備えた固体撮像装置が提供される。光電変換部は、半導体領域と、第２導電型の半導体膜とを有する。半導体領域は、半導体基板内に設けられている。半導体領域は、第２の導電型の第１の領域と、第１の導電型の第２の領域とを有する。第２の領域は、第１の領域上に設けられている。第１の導電型は、第２導電型と異なる。半導体膜は、半導体領域上に設けられている。半導体膜の材料の可視光に対する吸収係数は、半導体基板の材料の可視光に対する吸収係数より高い。半導体膜の厚さは、半導体領域の厚さよりも小である。 （もっと読む）

【課題】画像に点欠陥を生じない撮像素子を得る。
【解決手段】画素電極１６は、基板１０の基板面１０ａに傾斜角度α（但し、３０°≦α≦８５°）で傾斜する端部を有するものとし、この画素電極１６上に設けられる有機層２０は、その有機層２０のガラス転移温度より低い蒸着基板温度条件下で基板面１０ａに対して（９０°−α_max）より小さい入射角θで入射する蒸着ビームＢにより蒸着してされてなるものとする。ここで、α_maxは、複数の画素電極の端部の傾斜角度のうち最大の傾斜角度である。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎを向上しつつ、ダイナミックレンジを広くする。
【解決手段】固体撮像装置１０は、光電変換素子２１と、光電変換素子２１から信号電荷が転送される浮遊拡散層２６とを有する複数の単位画素２０が行列状に配置された画素アレイ部１１と、画素列ごとに設けられ、かつ単位画素２０から信号を読み出すための複数の信号線３０と、画素列ごとに設けられ、かつ浮遊拡散層２６と容量結合する複数の容量配線４０と、複数の信号線３０と複数の容量配線４０との接続を切り替える複数のスイッチ素子４２と、複数の容量配線４０と電源線４１との接続を切り替える複数のスイッチ素子４３とを含む。 （もっと読む）

【課題】 放射線検出素子のイメージセンサーには複数の画素があるが、シンチレータの発光が画素間に渡って拡散すると、撮像されたイメージの解像度が低下する。また基板からシンチレータが剥がれることを課題とする。
【解決手段】 複数の光検出部と、それぞれが複数の凸部を有する複数の凸領域とを備え、複数の凸領域のそれぞれが複数の光検出部のそれぞれと重なるように配列されている基板の上に、複数の凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、シンチレータ層が形成された基板を降温し、シンチレータ層の隣り合う凸領域間の部分の積層方向に対応するシンチレータ層に亀裂を形成する工程とを有し、複数の凸領域は、特定の関係を満たす放射線検出素子およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素単位で多ビットによるＡＤ変換ができ、画素から発生するノイズの圧縮が可能で、微細画素にて多ビット高速撮像が可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】画素は、埋め込み型フォトダイオード（ＰＤ）と、ゲートを入力として、ソースを出力とするソースフォロワ回路を形成する増幅トランジスタと、ＰＤで光電変換された電荷を増幅トランジスタのゲートに転送する転送トランジスタと、を含み、増幅トランジスタは、埋め込み型ＰＤ、転送トランジスタが形成される基板から電気的に分離された半導体基板内に形成されて、増幅トランジスタの基板は浮遊状態になっており、読み出し部は、画素単位で画像信号を入出力するΔΣ変調器を含み、ΔΣ変調器の出力が画素の積分するための容量として機能する容量部にフィードバックされている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置製造後も終点検出部が残存することがなく、また、半導体基板と異なる材料の半導体素子部への拡散等の問題もなく、精度よく半導体基板の薄膜化を実現することができる半導体装置の製造方法及びそれに用いられる半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１の表面１ａに複数の凹部３を有するトレンチ構造５を形成する工程と、前記トレンチ構造５を形成した半導体基板１を不活性ガス雰囲気又は還元性ガス雰囲気にて熱処理を行うことで、前記複数の凹部３の表面部分を閉塞して前記表面部分に半導体層３ａを形成すると共に、内部に空隙３ｂを形成する工程と、を少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の深部に存在する光電子が、熱拡散により半導体基板の表面側に浸入することを防ぐことが可能な受光装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子が第１導電型半導体基板上に形成された受光装置は、前記第１導電型半導体基板上に形成された複数の光電子振分部を有し、前記光電子振分部は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第１転送部と、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第２転送部と、転送された前記光電子を保持して該転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層とを備え、前記光電子保持部には、前記第１導電型半導体基板の第１導電型不純物濃度よりも高い第１濃度の前記第１導電型の第１導電型不純物領域が、前記第１導電型半導体基板の表面側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ固体撮像素子を用いた固体撮像装置において、白キズ等のＣＣＤ固体撮像素子の暗電流の影響を受けない様に、垂直スメアを低減する。
【解決手段】固体撮像素子の受光面の有効画素より先に読み出す４ラインの垂直遮光画素から取得した信号の画面垂直方向の暗電流むらを補正してから、垂直遮光画像４ラインの各垂直画素信号の最小値から２番目の値を算出し、垂直スミア補正信号として記憶し、画像ＡＧＣに合わせて利得を可変して固体撮像素子の受光面の有効画素から出力されるＡＧＣ後の画像信号から減算する。また、前記固体撮像素子から出力される信号を１４ビットにＡ／Ｄ変換して前記代表値信号を算出して１５／１６に減衰して、前記固体撮像素子の受光面の有効画素から出力される画像信号から減算する。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ方式で電荷の蓄積を行うイメージセンサにおいて、蓄積期間
終了時から最後の行を読み出すまでの期間、蓄積電荷保持部からの電荷の流出を極力抑制
することのできる半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】画素がマトリクス状に複数配置されたＣＭＯＳセンサ型のイメージセンサに
おいて、画素部の電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタにチャネル形成領
域が酸化物半導体で形成されたトランジスタを使用し、マトリクス状に配置された全ての
画素で信号電荷蓄積部のリセット動作を行った後、全ての画素でフォトダイオードによる
電荷の蓄積動作を行い、行毎に画素から信号の読み出し動作を行うことで歪みの無い撮像
を可能とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０内の画素形成領域内に設けられる光電変換素子５と、半導体基板１０上及び光電変換素子５上に設けられ、光電変換素子の上方に少なくとも１つの凸部４を含む絶縁膜４１と、絶縁膜４１上に設けられる配線層３１と、絶縁膜４１上及び配線層３１上に設けられ、凸部４に対応するように形成された傾斜角を有する段差部６を含む絶縁膜４２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画質劣化を抑制する。
【解決手段】入射光を電気信号に変換する光電変換素子ＰＤを有する画素Ｐと、画素Ｐに対応して形成されたカラーフィルタ１３と、カラーフィルタ１３を介して入射光を光電変換素子ＰＤに集光するマイクロレンズ１５と、カラーフィルタ１３とマイクロレンズ１５との間に形成され、マイクロレンズ１５より屈折率が小さい層内レンズ１４と、を備える固体撮像装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサーのリーク電流を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層４をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層４に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層４の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤２３を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】金属遮光膜のストレス（応力）に起因する暗電流を抑制して黒レベル補正をより正確に行う。
【解決手段】半導体基板６の上方に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する有効画素アレイ領域２が中央部に設けられ、有効画素アレイ領域２の外周側に、有効画素アレイ領域２からの撮像信号に対して黒レベル補正を行うためのオプティカルブラック領域３が設けられ、オプティカルブラック領域３の外周側に周辺回路領域４が設けられた固体撮像素子１において、オプティカルブラック領域３と周辺回路領域４に入射光を遮光する金属遮光膜８ａ，８ｂが設けられ、オプティカルブラック領域３と周辺回路領域４における金属遮光膜８ａ，８ｂの境界の全部に、ストレスを開放するためのスリット部５が設けられている。スリット５ａは、有効画素アレイ領域２およびその外周側のオプティカルブラック領域３の平面視４角形の外周囲に渡って形成されている。 （もっと読む）