【課題】 Ｓ／Ｎ比の向上ならびにダイナミックレンジを拡大することのできる撮像システムを提供することを目的とする。さらに、これに適した撮像システムの駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 行列状に配列された複数の画素と、複数の画素の各列に設けられた列増幅部と、列増幅部で増幅されたことに基づく画像信号を出力する出力部と、を有する固体撮像素子と、画像信号を受ける信号処理部と、を備える撮像システムにおいて、列増幅部は、画素から出力される一の信号を１よりも大きいｑ倍のゲインで増幅し、信号処理部はｑ倍のゲインで増幅されたことに基づく画像信号に対して、１を下回る倍率をかける。 （もっと読む）

【課題】画像センサにおける複数ゲイン電荷感知を提供すること。
【解決手段】画像センサであって、該画像センサは、
入射光に応答して光電荷を蓄積するための感光性領域（ＰＳＲ）のアレイと、
該ＰＳＲのうちの少なくとも１つと関連付けられている出力チャネルと
を備えており、該出力チャネルは、
光電荷を電圧に変換するための感知ノードと、
該感知ノードに接続されているキャパシタンス制御ユニットと、
該感知ノードに接続されており、第１の相互コンダクタンスを有している第１の増幅回路と、
該キャパシタンス制御ユニットに接続されており、該第１の相互コンダクタンスよりも大きい第２の相互コンダクタンスを有している第２の増幅回路と
を備えている、画像センサ。 （もっと読む）

【課題】 対象物に光を照射して応答を検出する際の検出感度の向上及びノイズの低減をはかる。
【解決手段】 不透明な配線層１０７，１０８を有する基板１００上に、複数の発光素子２００と複数の受光素子３００を基板面内方向に離間して形成した光電変換装置であって、発光素子２００及び受光素子３００は基板１００上に形成したバンク２０２，３０２の開口部にそれぞれ形成されている。発光層の半導体材料２０３〜２０５と受光層の半導体材料３０３，３０５とは異なり、発光素子２００及び受光素子３００の上部電極層２０７，３０７とは共通である。さらに、配線層１０７，１０８は、バンク２０２，３０２の開口部で規定される各領域の外側の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光が暗基準領域に衝突することを防止しつつ、終結していない結合の不動態化を可能にして、画像における暗レベルの向上した較正を可能にするＣＣＤ画像センサを提供すること。
【解決手段】画像センサであって、該画像センサは、撮像アレイと、暗基準領域と、第１の実質的に不透明な光シールドと、第２の実質的に不透明な光シールドとを備え、該暗基準領域内において、該第１の光シールドにおける該開口部は、感光性エリアまたはＶＣＣＤ領域の上に配置され、両方の上には配置されず、該第１の光シールドにおける該開口部が、感光性エリアの上に配置される場合、該暗基準領域における各感光性エリアは、該感光性エリアの上に２つ以上の開口部を有しておらず、該第１の光シールドにおける該開口部が、ＶＣＣＤ領域の上に配置される場合、該暗基準領域における各ＶＣＣＤ領域は、該ＶＣＣＤ領域の上に２つ以上の開口部を有していない、画像センサ。 （もっと読む）

【課題】クロストークによる画質劣化を防止することができるＭＯＳ型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】ＭＯＳ型の固体撮像素子１００は、半導体基板内に二次元状に配置形成されたＮ型不純物層からなる複数のフォトダイオード（ＰＤ）１０と、各ＰＤ１０で発生した電荷に応じた信号を読み出す半導体基板に形成された信号読み出し回路Ｃとを有する。ＰＤ１０の行と行の間の境界領域、及び、ＰＤ１０の列と列の間の境界領域の一方において、当該一方の境界領域の伸びる方向に信号読出し回路Ｃを構成するＭＯＳトランジスタが配列され、２つの境界領域の他方におけるＰＤ１０同士の間の領域の半導体基板には、入射した光に応じて電荷を発生して当該電荷を蓄積するＮ型不純物層からなる電荷蓄積部１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂとが障壁制御電極１４ｃを挟んで配置される。分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧が印加されてウェル１２にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極１４ｂに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの更なる薄膜化を達成すべく、着色剤を高濃度で含有しながらも、耐熱性に優れたカラーフィルタを製造可能な着色組成物を提供する。更に、上記着色組成物を用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】着色剤と樹脂とを含有する着色組成物であって、前記着色組成物の全固形分に対する前記着色剤の含有量が５０質量％以上であり、かつ、前記樹脂の固形分酸価が８０ｍｇＫＯＨ／ｇ超過である、着色組成物、及びこれを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び、固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】ランダムノイズの影響を低減した撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】入射光に応じて発生した電荷を蓄積して信号を出力する複数画素の有効画素領域及び入射光に依存しない信号を出力する複数画素の非有効画素領域を含む画素部と、前記画素部の画素の列毎に設けられる複数の垂直信号線と、前記画素部の画素を行単位に走査して選択することにより前記選択された同一行の画素の信号を前記複数の垂直信号線に出力させる垂直走査回路と、前記複数の垂直信号線の信号を走査して選択することにより前記選択された垂直信号線の信号を出力させる水平走査回路とを有し、前記垂直走査回路は、１フレームの間に前記有効画素領域の同一行の画素を行単位で１回選択し、１フレームの間に前記非有効画素領域の同一行の画素を行単位で複数回選択することを特徴とする撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】１フレームの画像を撮像するための時間を長くすることなく、暗電流による画質劣化を低減する。
【解決手段】撮像装置は、互いに近接する第１及び第２の光電変換部ＰＤＡ，ＰＤＢの組を複数有する撮像素子４と、前記各組の第１の光電変換部ＰＤＡを同時に一旦リセットしてから前記各組の第１及び第２の光電変換部ＰＤＡ，ＰＤＢを露光した後に、前記各組の前記第１の光電変換部ＰＤＡをリセットすることなく前記各組の第２の光電変換部ＰＤＢを同時に一旦リセットした後、前記各組の第１及び第２の光電変換部ＰＤＡ，ＰＤＢに蓄積された信号を読み出す制御を行う制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＲＴＳノイズを低減することが可能な絶縁ゲート型半導体素子、絶縁ゲート型半導体集積回路を提供する。
【解決手段】チャネル領域として機能する第１導電型の半導体層１１、チャネル領域を囲み、半導体層１１に活性領域を定義する素子分離絶縁膜２１、活性領域の一方に設けられた第２導電型の第１主電極領域６２、活性領域の他方に設けられた第２導電型の第２主電極領域６３、活性領域の表面のゲート絶縁膜２２、多結晶シリコン層を含んで、ゲート絶縁膜２２の上に設けられたゲート電極５４を備える。多結晶シリコン層は、第１主電極領域６２，第２主電極領域６３に接する部分は第２導電型の第１多結晶シリコン領域５４_-2、チャネル領域と素子分離絶縁膜２１との境界領域の上部は第１導電型の第２多結晶シリコン領域５４_-1である。 （もっと読む）

【課題】記憶部で発生するリーク電流の量を抑制した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】前記固体撮像装置は、半導体基板７０に配置される複数の画素部と、複数の記憶部と、垂直走査回路６とを備える。前記半導体基板７０内には、第一導電型のウエル６１が形成される。前記複数の記憶部の各々は、ウエル６１に形成される書き込みトランジスタ３１を有する。ウエル６１と、書き込みトランジスタ３１のソース又はドレインである第二導電型の前記拡散領域７２とは接合される。垂直走査回路６は、前記記憶部に画素信号を記憶させるための記憶期間中に、ウエル６１と前記拡散領域７２との接合部の電界強度を低減させる所定電圧を、ウエル６１に印加する。 （もっと読む）

【課題】小型画素及び高性能ＣＭＯＳイメージセンサアレイで使用することができる実質
的な画素設計を提供すること。
【解決手段】本発明のリセットトランジスタは、電荷を検出するフローティング拡散領域
と、電荷を排出する接合領域と、リセット信号の制御を受けて、前記フローティング拡散
領域から前記接合領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電
位井戸とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１は、半導体から成る基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部１１と、基板１０上に設けられる絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられ受光部１１が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層１３と、固定電荷層１３上に設けられる反射防止層１４と、基板１０中の受光部１１と隣接する位置に設けられ受光部１１から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部１５と、少なくとも電荷転送部１５の直上に設けられる転送電極１６と、を備える。反射防止層１４は、受光部１１の直上の領域内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制し、画質を向上させる。
【解決手段】画素領域にて行列状に配列される複数の電荷蓄積部３と、半導体基板１１に設けられる電荷転送部１３、および半導体基板１１上に設けられる転送電極１４を有する複数の垂直転送部と、電荷蓄積部３とこの電荷蓄積部３により生成された信号電荷が読み出される垂直転送部との間に設けられる読み出し部６と、電荷蓄積部３の読み出し部６が設けられる側と反対側にて電荷蓄積部３と垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部７と、半導体基板１１の入射光が入射する側に設けられ、電荷蓄積部３に対応する位置に開口部を有する遮光膜１６と、を備え、電荷蓄積部３、電荷転送部１３、読み出し部６、およびチャネルストップ部７は、水平方向について、画素領域の中央部に対して画素領域の周辺部では、開口部に対して外側へずれた位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜を形成した後、マイクロ波アニールを実施する。このマイクロ波アニールによれば、シリコン結晶に共鳴吸収される周波数（５．８ＧＨｚ）のマイクロ波を使用することにより、シリコン結晶の格子振動を直接誘起するため、例えば、４００℃以下という低温においても、半導体基板の内部に形成されている結晶欠陥を回復させることができる。 （もっと読む）

【課題】 内部電界が弱い領域では、ホトダイオードＰＤより深い領域で発生した光電荷は横方向に拡散してしまい、隣接画素等への光電子流入（クロストーク）により感度低下が生じていた。
【解決手段】 クロスストーク防止層ＤＮＷ９をホトダイオードＰＤ形成部及び、画素−周辺回路間に設ける。
【効果】 画素−画素間または画素領域−周辺回路領域間のクロストークを低減し、光感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】偽色の発生の抑圧及び高解像度化が可能な単板式のカラー撮像素子を提供する。
【解決手段】水平及び垂直方向に配列された光電変換素子からなる複数の画素上に、所定のカラーフィルタ配列のカラーフィルタが配設されてなる単板式のカラー撮像素子である。このカラー撮像素子のカラーフィルタ配列は、Ｒ、Ｇ、Ｂの全ての色のフィルタが、水平及び垂直方向の全ラインに配列された所定の基本配列パターンＰを含み、この基本配列パターンＰが水平方向及び垂直方向に繰り返して配置されている。特にＧフィルタは、基本配列パターン内において、水平、垂直、及び斜め（ＮＥ，ＮＷ）方向の各方向（４方向）にそれぞれ２以上隣接する部分が含まれるように配置されており、これらの隣接するＧフィルタに対応するＧ画素の画素値により、４方向の輝度の相関度を最小画素間隔で判断することができる。 （もっと読む）

【課題】ランダムノイズの低減が図られた固体撮像装置を提供することを目的とする。また、その固体撮像装置を備えることにより、画質の向上が図られた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】増幅トランジスタＴｒａのドレイン側では、高濃度不純物領域２８のみでドレイン領域３８を構成し、ソース側では、増幅ゲート電極２２側に形成され、ドレイン領域３８を構成する高濃度不純物領域２８よりも不純物濃度が低い低濃度不純物領域２９からなるソース領域３２を構成する。ドレイン領域３８において、低濃度不純物領域を形成しないことで、実効ゲート長Ｌｅｆｆを長くできる。また、増幅ゲート電極２２のソース側では、増幅ゲート電極２２側に低濃度不純物領域２９が形成されるため、基板表面のポテンシャル変動を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を回避する裏面照射型のCMOS型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子２１は、受光した光を電気信号に変換するＰＤ３２が平面的に配置された半導体基板４２と、半導体基板４２に入射する光の透過を制御するシャッター層４４とを備えて構成される。そして、半導体基板４２とシャッター層４４との間の間隔が、シャッター層４４に形成されるシャッター素子３３の間隔以下に設定される。また、シャッター層４４は、ＰＤ３２に対する光の入射角に応じて、光を遮光する箇所を調整する。 （もっと読む）