【課題】金属部品等による乱反射による画質低下もなく、また撮像素子が透明樹脂で完全に被われ、外部との接続端子部及び素子撮像エリア直上部を除いて、防湿材料により被われていることで、撮像素子チップに水分が浸入することも全くない、非常に高い信頼性の固体撮像装置を得る。
【解決手段】マイクロレンズを有する撮像素子チップ３２と、該撮像素子チップに接続されたリード端子３３と、該固体撮像チップを該リード端子とともに封止するクリアモールドパッケージ３１とを備え、該リード端子の一部を外部リードとして該クリアモールドパッケージの外部に露出させた固体撮像装置３０において、該クリアモールドパッケージを、その表面の、該撮像素子チップ３２の撮像領域３５に対向する透光領域を除いて、該クリアモールドパッケージの表面を遮光性材料３６により被覆した構造とした。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量、転送性能および感度に対する要求を満たすために有利な技術を提供する。
【解決手段】、固体撮像装置は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の下面に接するように配置され電荷蓄積領域として機能する第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域によって取り囲まれた側面を含む第３半導体領域と、前記第２半導体領域から離隔して配置された第２導電型の第４半導体領域と、前記第２半導体領域に蓄積された電荷を前記第４半導体領域に転送するためのチャネルを形成する転送ゲートとを含み、前記第３半導体領域は、第１導電型の半導体領域であるか、第２導電型の不純物濃度が前記第２半導体領域よりも低い第２導電型の半導体領域である。 （もっと読む）

【課題】スミア特性の向上と転送効率の向上とを両立させる。
【解決手段】固体撮像装置１００は、複数のフォトダイオード１１０と、第１垂直ＣＣＤ１３０と、水平ＣＣＤ１４０と、ドレイン１７０と、複数の転送制御部２００とを備え、複数の転送制御部２００のそれぞれは、水平ＣＣＤ１４０及びドレイン１７０の少なくとも１つに電荷を転送する分岐部２１１と、分岐部２１１と水平ＣＣＤ１４０との間にポテンシャルバリアを形成する垂直ＣＣＤ最終ゲート２１２と、分岐部２１１とドレイン１７０との間にポテンシャルバリアを形成するドレインゲート２３０とを備え、固体撮像装置１００は、さらに、電荷をドレイン１７０に掃き捨てる第１駆動モードと、電荷をドレイン１７０に掃き捨てない第２駆動モードのいずれかを固体撮像装置１００からの信号量に応じて選択し、選択した駆動モードに応じて印加する電圧を制御するタイミング発生回路１６０を備える。 （もっと読む）

【課題】 微細化と、高速読み出し動作を実現した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子と該光電変換素子の電荷に応じた信号を列信号線に出力する増幅ＭＯＳトランジスタを含む画素が配された画素領域と、前記画素の駆動もしくは前記列信号線に出力された信号を処理する回路を含む周辺回路領域とが、半導体基板に配された固体撮像素子であって、前記増幅ＭＯＳトランジスタのソース領域の抵抗は、前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレイン領域の抵抗よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力される画像が暗くなるのを低減することのできる固体撮像素子およびその製造方法、並びにその固体撮像素子を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子は、有効画素領域Ａと、オプティカルブラック領域Ｂとが形成された撮像部１０を備えている。有効画素領域Ａのセンサ部１１ａ上に反射防止膜３６が形成されている一方、オプティカルブラック領域Ｂのセンサ部１１ｂ上に反射防止膜は形成されていない。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサアセンブリ及びフォトセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】フォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）は、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の第１のボリュームを含み、接地拡散領域（３１８、５１８、７１６、７１８、９１４）は、第２の反対タイプのドーパントでドープしたサブストレートの第２のボリュームを含む。ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は、サブストレート内に配置され、フォトダイオードセルの外側周囲の周りを延び、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの第３のボリュームを含み、フォトダイオードセルからサブストレートを通ってドリフトする電子または正孔を伝導させるために接地拡散領域及び／またはガードバンドを接地基準（１１６）と伝導性に結合させている。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化を実現するとともに、高感度及び低混色の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素部１００が行列状に配置された固体撮像素子１０であって、画素部１００は、ナノメートルオーダーの直径を有する半導体または金属からなる複数の微粒子１１４ａ、１１４ｂが分散され入射光量に応じた信号電荷を生成する光電変換膜１１５と、信号電荷を光電変換膜１１５から読み出す読み出しトランジスタ１０３を有する半導体層１０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】有効画素部の黒沈みやリニアリティを向上することで画質を向上した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素となる複数のフォトダイオードと、各フォトダイオードから読み出した信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送電極が設けられた有効画素部と前記有効画素部の周囲に設けられ遮光されたオプティカルブラック部と、を備える。オプティカルブラック部は、フォトダイオードに相当する正孔蓄積層とＮ＋型半導体層が形成された不問オプティカルブラック部と、正孔蓄積層が形成され、黒レベルの基準信号を出力するクランプオプティカルブラック部と、を有する。上記クランプオプティカルブラック部の垂直転送電極の幅／読み出し電極の幅が、前記有効画素部や前記不問オプティカルブラック部の各垂直転送電極の幅／各読み出し電極幅より広く形成される。 （もっと読む）

【課題】感度向上と混色低減とを実現した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、固体撮像装置１は、半導体基板１０と、市松状の配置で半導体基板１０に形成された各々複数の光電変換部１１ｇ、１１ｂ、１１ｒと、光電変換部１１ｂ、１１ｒに対応する各位置に設けられた複数のマイクロレンズＭＬｂ、ＭＬｒを含むマイクロレンズ配列ＭＬＡ１と、光電変換部１１ｇに対応する各位置に設けられたマイクロレンズＭＬｇを含み、マイクロレンズ配列ＭＬＡ１よりも受光面側に配されたマイクロレンズ配列ＭＬＡ２とを有する。マイクロレンズＭＬｇの周縁部とマイクロレンズＭＬｂ、ＭＬｒの周縁部とが重なっている。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ固体撮像装置において、複数のフローティングディフュージョン部を有する画素を備え、小信号、大信号に対応して、リセットノイズの除去を可能にする。
【解決手段】画素に複数のフローティングディフュージョン部を備える。複数のフローティングディフュージョン部をリセットした後、前段のフローティングディフュージョン部のリセットレベルの信号Ｎ１を後段回路に取り込む。次に、前段のフローティングディフュージョン部に光電変換部からの電荷を転送し、その信号Ｓ１を後段回路に取り込む。次に、前段と後段のフローティングディフュージョンを接続し、接続されたフローティングディフュージョン部の信号Ｎ２を後段回路に取り込む。次いで、光電変換部から残りの電荷を転送して、接続されているフローティングディフュージョン部の信号Ｓ２を後段回路に取り込む。そして、信号Ｓ１−Ｎ１の差分の信号、信号Ｓ２−Ｎ２の差分の信号をとる。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子の原料素材となる、エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル積層構造を有するウエハであって、ＩｎＰ基板１と、多重量子井戸構造３と、表面層を構成するＩｎＰ層５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シェーディングを発生させることなくランダム雑音を抑圧することが可能な固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】複数の単位画素４２と、垂直信号線９と、フィードバックアンプ１２と、フィードバック線１６と、画素リセット信号線７と、タイミング制御回路５０と、タイミング制御回路５０から出力されたリセット信号３６に含まれるリセットパルスの後縁の波形に傾斜を付与するようリセット信号３６の波形を調整するリセット信号制御回路６０とを備え、単位画素４２は、増幅トランジスタ４、選択トランジスタ５、リセットトランジスタ３及び光電変換部１を有し、リセットトランジスタ３のオンオフを制御するリセットパルスの後縁の変化の開始からリセットトランジスタ３がオフになるまでのソフトリセット時間は、同じ行の単位画素４２のそれぞれで揃えられている。 （もっと読む）

【課題】混色による画質の劣化を抑制する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０に行列状に形成された複数の光電変換部１１と、半導体基板１０の上に形成された第１の屈折率の層間絶縁膜２０と、複数の光電変換部それぞれの上であって、層間絶縁膜２０に形成された複数の穴部２３と、各穴部２３内と、層間絶縁膜２０よりも上方とに形成された第２の屈折率の複数の光導波路３０と、複数の光導波路３０の上に形成された第３の屈折率の平坦化膜４０とを備え、前記第２の屈折率は前記第１の屈折率および第３の屈折率よりも大きいことを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】従来のようにトランジスタゲート面積を大きくすることなく、より簡単な製造工程で、トランジスタのソース側ゲート端のイオン注入ダメージにより発生するソース側ゲート端付近の欠陥を低減することにより、ランダムノイズを効果的に低減する。
【解決手段】ドレイン側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１１だけがゲート電極６の他方端の下に潜り込んで、ドレイン側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１１がゲート電極６と平面視でオーバラップし、ソース側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１２はゲート電極６の一方端の下に潜り込まず、ソース側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１２がゲート電極６と平面視でオーバラップしておらず、ソース側のＬＤＤ領域のＮ型拡散層１２がゲート電極６の一方端と離間して形成されている。 （もっと読む）

【課題】増幅回路から発生するランダムノイズを低減し、Ｓ／Ｎを向上させることができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光を電気信号に変換する光電変換素子を有する画素（１）と、可変の帰還容量に応じた増幅率で、前記画素の信号を増幅する帰還型の増幅回路（８）と、前記増幅回路の出力端子に第１のスイッチを介して接続される保持容量（Ｃｔｎ，Ｃｔｓ）と、前記増幅回路の出力端子に第２のスイッチを介して接続される負荷容量（Ｃｌ１，Ｃｌ２）とを有し、前記帰還容量をリセットする期間及び前記第１のスイッチがオンする期間のいずれか一方又は両方の期間において、前記第２のスイッチがオンすることを特徴とする固体撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】隣接する光電変換素子間の暗電流差がなく又は暗電流差が小さい、高速読み出しをした際にも高感度でかつ低暗電流な固体撮像装置を得る。
【解決手段】ウエハ基板301上にウエル302を設け、ウエル内に拡散層101a，101bを形成してフォトダイオードを構成する。拡散層101a，101b間にウエルコンタクト306を形成する。ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b,303aの下にチャネルストップ層307b，307aを設ける。素子分離領域303b上に導電層304を設け、導電層304の側面にサイドウォール308を設ける。素子分離領域303bの端部と導電層304間の距離をa、サイドウォール308の幅をｂ、素子分離幅をｃとすると、ｃ＞ａ≧ｂなる関係を有する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサにおけるノイズの発生を抑える。
【解決手段】裏面照射型イメージセンサは、基板と、上記基板の裏面上に配置された裏面保護層と、上記裏面保護層上に配置された透明導電層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】多層膜の構造上の問題を克服し、色分離を効率良く行い、感度やＳ／Ｎ比を向上させることができる固体撮像装置および撮像装置を提供する。
【解決手段】所定の第１の色を透過する有機材料のカラーフィルタを有する第１の色分離画素と、前記第１の色と異なる第２の色を透過する多層膜またはフォトニック結晶を有する第２の色分離画素と、前記第１および第２の色と異なる第３の色を透過する多層膜またはフォトニック結晶を有する第３の色分離画素とを備え、前記第２および第３の色分離画素は、互いに隣接せずに、前記第１の色分離画素に隣接するように配列されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異なる機能を有する素子を積層して形成した半導体装置、又は固体撮像装置において、上下の素子間にシールド層を容易に形成することができる製製造方法を提供する。また、これにより、上下の素子間に発生する電磁波の影響やクロストークの影響を低減された半導体装置又は固体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子２２は、第１の半導体基板２７と、第１配線層３０と、該第１配線層３０上部に形成された第１金属層３１とを備え、第１の半導体基板２７の裏面側が受光面とされた画素領域が形成されている。ロジック素子２６は、第２の半導体基板４５と、第２配線層４８と、該第２配線層４８上部に形成された第２金属層３２とを備え、画素領域で得られた画素信号を処理する信号処理回路が形成されている。これらの撮像素子２２及びロジック素子２６は、第１金属層３１と第２金属層３２とが接合されるように、互いに積層されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子部分に遮光部材を設けることなく、スイッチング素子でのノイズの発生を抑制しつつ、残像を消去できる放射線撮影装置を提供する。
【解決手段】光透過性を有する基板６４の一方の面に、第１波長域の光に対して感度を有するセンサ部７２、及び第１波長域よりも広い波長域の光に対してノイズが発生するＴＦＴ７０が形成された画素が複数設けられた放射線検出器６０の基板６４の他方の面に対して主に第１波長域の光を照射する。 （もっと読む）