【課題】有機材料を含む光電変換層が劣化することを防止して、素子性能が低下することを防止することができる光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像装置を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された下部電極１２と、下部電極１２の上方に形成された光電変換層１３と、光電変換層１３の上方に形成された上部電極１４とを含む光電変換素子１を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置であって、隣り合う画素同士の間に形成され、上部電極１４と電気的に接続された導電性の隔壁１５と、上部電極１４上に設けられた透明絶縁膜１６とを備え、画素が隔壁１５と透明絶縁膜１６とによって封止されている。 （もっと読む）

【課題】熱励起によって発生する電荷量ΔＱに起因する残像を抑制して高画質撮影が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板１上方に積層された一対の電極１４，１６とこれに挟まれる光電変換層１５とを含む光電変換素子Ｐをそれぞれ有する複数の画素３０３を含む固体撮像素子３０であって、画素３０３が、基板１内に設けられ、電極１４と電気的に接続される接続部３と、基板１内に接続部３に隣接して設けられ、該接続部３の電位に対して電位障壁となる電位障壁部７と、基板１内に電位障壁部７に隣接して設けられ、光電変換層１５で発生した電荷が接続部３及び電位障壁部７を介して蓄積される第一の電荷蓄積部４と、第一の電荷蓄積部４に蓄積された電荷に応じた信号を出力する信号出力回路とを含み、接続部３に電荷を供給する電荷供給手段（電荷注入トランジスタ，バイアス電流発生回路３０８（トランジスタ１９，定電流源２０））を備える。 （もっと読む）

【課題】赤外領域の光を十分に吸収でき、感度が高く、かつ、暗電流を低減することができる光電変換材料、光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】入射した光に応じた電荷を生成する光電変換膜に含まれる光電変換材料が、下記式（左）で示されるスクアリリウム化合物と、下記式（右）で示されるナフタロシアニン化合物とを含む。


（Ａ，Ｂはそれぞれ独立に、結合位がｓｐ²炭素である置換基で、Ｍは金属原子を表し、Ｒ₄〜Ｒ₂₇はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。） （もっと読む）

【課題】電極で生じる応力に起因する光電変換素子の性能の低下を防止することができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１０１，１０４と、一対の電極１０１，１０４の間に配置された光電変換層１０２と、一対の電極１０１，１０４のうち一方と光電変換層１０２とに挟まれた少なくとも一つの応力緩衝層を備え、応力緩衝層の少なくとも一部が結晶層１０８を含む積層構造である。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す新規な有機半導体を提供する。
【解決手段】薄膜からなる有機半導体において、薄膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物を含んでなる有機半導体。
一般式（Ｉ）


式中、Ａ_１はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ_１５を表す。Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ_１１、Ｒ_１２は連結して環を形成してもよい。Ｂ_１は少なくとも一つの窒素原子を含む環構造を表す。ｎ１は０〜２の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ、マイクロレンズ、フォトダイオードを使用しない新規な構造の有機光電変換膜、これを備える光電変換素子およびイメージセンサーを提供する。
【解決手段】本発明は、有機物からなるｐ型物質層と、ｐ型物質層上に形成された、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ）からなるｎ型物質層と、を備える有機光電変換膜である。 （もっと読む）

【課題】空間解像度を維持しつつ、バンド数の増大と小型化を実現した撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】撮像素子は、一対の第１透明電極と、前記一対の第１透明電極の間にマトリクス状に配列され、有機膜で構成される複数の第１光電変換部とを有し、前記第１光電変換部に結像する画像を読み出す第１撮像部と、一対の第２透明電極と、前記一対の第２透明電極の間にマトリクス状に配列され、有機膜で構成される複数の第２光電変換部とを有し、前記第２光電変換部に結像する画像を読み出す第２撮像部とを含み、前記第１撮像部と前記第２撮像部は積層されており、前記第１光電変換部及び前記第２光電変換部には、光感度が異なる４種類以上の光電変換膜が含まれる。 （もっと読む）

【課題】応答速度を改善することができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１０１，１０４間に配置された光電変換層１０２と、電極１０１，１０４と光電変換層１０２との間に形成された電荷ブロッキング層１０５とを備え、電荷ブロッキング層１０５と一方の電極との間に中間層１０６を備える。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型半導体を用いた光電変換部に衝突電離による電荷の増倍を発生させ、暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、Ｓ／Ｎ比が高い光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】下部電極層２５と、下部電極層２５上に配置され、表面に高抵抗層２４２を有するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜２４と、化合物半導体薄膜２４上に配置された透明電極層２６とを備え、下部電極層２５、化合物半導体薄膜２４および透明電極層２６は、順次積層されると共に、透明電極層２６と下部電極層２５間に逆バイアス電圧を印加して、化合物半導体薄膜２４内で光電変換により発生した電荷の衝突電離による増倍を起こさせる光電変換装置およびその製造方法、および光電変換装置を適用した固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造でリーク電流を低減しつつ、光検出効率を向上させること。
【解決手段】このフォトダイオード１は、シリコン基板２と、基板２上に形成された埋め込み絶縁層３と、埋め込み絶縁層３上の領域Ａ_１に形成された半導体層５と、半導体層５上に形成されたゲート絶縁層６と、ゲート絶縁層６上に形成されたゲート電極層７と、埋め込み絶縁層３上において領域Ａ_１を挟んで半導体層５に隣接して形成されたｐ^＋型半導体層８及びｎ^＋型半導体層９とを備え、ゲート電極層７には、入射光に応じた表面プラズモンによって近接場光を発生させる周期的な凹凸構造が、表面に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】X線耐性が高く且つ高画質撮像や動画撮像が可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】画素部を複数有する撮像素子であって、
下部電極２と、下部電極２上に形成され、可視光を吸収する光電変換層３と、光電変換層３上に形成された上部電極４と、上部電極４上に形成されたX線シンチレータ５と、光電変換層３で発生した電荷に応じた信号を外部に出力するCMOS回路が形成されたｐ型シリコン基板２０とを備え、下部電極２が可視光及びＸ線を吸収する導電性材料（例えばタンタル、タングステン、鉛）で構成されており、且つ、CMOS回路のMOSトランジスタが下部電極２によって覆われるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】赤外光を検出することができ、高い信頼性を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に入射光を信号に変換する複数の光電変換素子５０がマトリクス状に配列された光電変換装置１００であって、光電変換素子５０は、基板１上に形成された薄膜トランジスタ１０と、薄膜トランジスタ１０上に形成されて薄膜トランジスタ１０に電気的に接続されたフォトダイオード２０と、を備え、フォトダイオード２０は、第一不純物層２１と、第二不純物層２３と、これら第１、第二不純物層２１，２３との間に挟持された真性半導体層２２と、を備え、真性半導体層２２は、少なくとも検出光が入射する側が微結晶シリコンにより形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性薄膜、有機光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式（Ｉ）等で示される部分構造を含む化合物及びフラーレンもしくはフラーレン誘導体を含んでなる光電変換素子。一般式（Ｉ）


式中、ＸはＯ、Ｓ、Ｎ−Ｒ_１０を表す。Ｒ_１０は水素原子又は置換基を表す。Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙは各々、水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。また、Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙは連結して環を形成してもよい。Ｒは結合手、水素原子または置換基を表すが、少なくとも１つは結合手（−）である。ｎｒは１〜４の整数を表す。ｎｒが２以上のときはＲは同じでも異なっていてもよい。２位と３位のＲ同士、５位と６位のＲ同士はそれぞれ互いに連結して環を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】二次元画像検出器において、光検出手段を冷却さらには温度調節することにより、暗電流の増加を抑止し、さらには暗電流を安定化する。
【解決手段】
フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３の、放射線を電荷に変換する半導体層が積層されている対向基板１７の面上に温度調節管１３を配設している。対向基板１７の半導体層へ温度調節管１３の冷熱が伝導することで、半導体層の温度上昇を抑えて、暗電流の増加を防ぐことができ、Ｓ／Ｎ劣化を防ぐことができる。さらには、半導体層の温度を略一定に保つことで、暗電流も略一定であり、暗電流によるノイズの補正を簡易にすることができる。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率・低暗電流・高速応答性を示す有機色素を含む光電変換素子、固体撮像素子、光センサーを提供する。
【解決手段】 一対の電極と、前記一対の電極間に設けられた光電変換層を含む光電変換部を備える光電変換素子であって、前記光電変換層が下記の一般式（１）で表される化合物を含む光電変換薄膜を有する光電変換素子。
一般式（１）
【化１】


式中、Ｚ_１は５員又は６員の含窒素複素環を形成する原子群を表す。Ｒ_１は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、又はヘテロ環基を表す。Ｒ_２、Ｒ_３は水素原子、アルキル基、アルケニル基、単環のアリール基、又は単環のヘテロ環基を表す。またＲ_２とＲ_３は互いに結合して環を形成してもよい。Ｌ_１１〜Ｌ_１４はメチン基を表す。ｐ１は０又は１を表す。ｎ１は１〜４の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態に係るイメージセンサは、第１基板１００に形成された読み出し回路１２０と、読み出し回路１２０と電気的に連結されて第１基板１００に形成された電気接合領域１４０と、電気接合領域１４０と電気的に連結されて形成された配線１５０と、配線１５０上に形成されたイメージ感知部２１０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】隣接する受光部７の間で光学的クロストークを生じることなく、また、受光部７を構成する材料の光の吸収係数および受光部７の長さに関わらず高感度な受光部７を備えた受光素子を提供する。
【解決手段】受光部７の底面に第１の反射膜３を配置し、表面に第２の反射膜８を配置し、側面に第３の反射膜１１を配置する。そして、第２の反射膜８に受光部７の表面を露出させる貫通孔１０を形成し、受光部７の表面側に受光部７の表面のうち露出されている部分に光を集めるように構成されたマイクロレンズ１３を配置する。このような受光素子によれば、マイクロレンズ１３により集められた光が受光部７の内部に入射されると第１の反射膜３、第２の反射膜８および第３の反射膜１１により反射されることで光を受光部７の内部に閉じ込めることができるので、受光部７を構成する材料や受光部７の長さに関わらず高感度な受光部７を備えた受光素子とすることができる。 （もっと読む）

【課題】十分な暗電流抑制効果と高い光電変換効率を両立させることができ、応答速度の低下を防止できる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層と、一方の電極と光電変換層との間に形成され、一対の電極への電圧印加時に前記一対の電極の一方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する電荷ブロッキング層と、を備えた光電変換素子であって、電荷ブロッキング層が酸化珪素SiOx(0<x<2)と、該酸化珪素よりも電子移動度の高い材料とを含む。 （もっと読む）

【課題】十分な暗電流抑制効果と高い光電変換効率を両立させることができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層と、一方の電極と光電変換層との間に形成され、一対の電極への電圧印加時に一対の電極の一方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する電荷ブロッキング層と、を備えた光電変換素子であって、電荷ブロッキング層が絶縁性材料と導電性材料を含む。 （もっと読む）

【課題】実施例は、回路とフォトダイオードの新しい集積を提供することができ、解像度と感度を共に改善することができ、垂直型のフォトダイオードを採用しながら、フォトダイオードと回路の間の物理的、電気的接触力が優れ、フォトダイオード内の欠陥（ディフェクト）を防止することができるイメージセンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例によるイメージセンサーは、配線を含む回路が形成された第１基板と、前記配線と接触するように前記第１基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層と接触しながら前記第１基板とボンディングされて、前記配線と電気的に接続されるように結晶型半導体層に形成されたフォトダイオードと、前記配線の上側が露出するようにフォトダイオードと絶縁層を一部除去して形成したビアホールに、伝導性金属が充填されて形成されたビアプラグと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）